JP2783465B2 - 熱処理炉内の温度分布の測定方法 - Google Patents
熱処理炉内の温度分布の測定方法Info
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Description
結晶シリコンウェーハの熱処理等に使用される酸化炉、
拡散炉の炉内温度分布の測定方法に関する。
処理炉)とも呼ばれる。この熱処理炉は、基本的には炉
芯管、ヒータ、温度コントローラ、ドーピングユニッ
ト、ボートローダ等により構成されている。そして、こ
の炉芯管は両端が開口となっているので、その中心部分
に比べて周辺部の温度が低くなり易い。このため、この
炉芯管内の温度分布を測定してその温度制御を行ってい
る。
る。図4において、1は石英製の炉芯管であって、この
炉芯管1内には石英製のボート2が装入されている。こ
のボート2には熱処理を施されるシリコンウェーハ3が
立設、保持されている。石英製の炉芯管1の外周にはこ
れを加熱するためのヒータ4が配設されている。また、
5は炉芯管1内の温度分布を測定するための熱電対であ
る。
布の測定は以下のようにして行っている。ヒータ4によ
って石英炉芯管1内は例えば470℃に加熱されてお
り、この炉芯管1内で加熱されているシリコンウェーハ
3に対して熱電対5を接触させる。この熱電対5により
シリコンウェーハ3の面内の複数の部位について温度を
測定し、この測定値により炉内の半径方向の温度分布を
推定するものである。
うな従来の炉内温度分布の測定方法では、シリコンウェ
ーハに直接熱電対を接触させなければならず、この接触
温度からシリコンウェーハ上の温度を測定し、また、そ
れらの測定を面内で繰り返す必要があった。この結果、
その測定が面倒であった。
入して温度分布を測定しているため、炉内に熱電対を挿
入していない実際の炉使用状態でのその温度分布状態と
は異なっている。すなわち、正確に温度分布を測定する
ことができなかったものである。
るためになされたもので、熱処理後、シリコンウェーハ
の抵抗率の面内の分布を測定することにより、炉内のそ
の方向での温度分布を正確に、かつ、簡単に測定するこ
とができる熱処理炉内の温度分布の測定方法を提供する
ことを、その目的としている。
び酸素濃度をその面内で均一化したシリコンウェーハを
準備する工程と、このシリコンウェーハを熱処理炉内に
装入する工程と、この熱処理炉内をサーマルドナー発生
温度以上の温度に加熱する工程と、その後、このシリコ
ンウェーハの抵抗率を測定する工程とを備えた熱処理炉
内の温度分布の測定方法である。
定方法によれば、抵抗率、酸素濃度が面内で均一なシリ
コンウエーハを熱処理炉内でサーマル・ドナー発生温度
以上の温度に加熱し、この加熱後のシリコンウエーハの
面内での抵抗率分布を測定する。この結果、熱処理炉内
の温度分布を正確に測定することができる。このシリコ
ンウェーハでのサーマル・ドナーの発生量(消滅量)は
その温度により変動し、また、そのサーマル・ドナーの
発生量により抵抗率が変化するからである。換言する
と、シリコンウェーハ面内での抵抗率を測定することに
より、面内でのサーマルドナーの発生量を検出すること
ができる。面内での発生量のばらつきなどにより、面内
方向での温度分布を測定することができることとなる。
また、複数のシリコンウェーハを熱処理炉内の軸線方向
に配置し、同様の測定を行うことにより、同方向の温度
分布を簡易に正確に測定することもできる。
ンウェーハを400〜800℃の温度範囲まで加熱する
と、シリコンウェーハ中に含まれる酸素によりサーマル
・ドナーが発生(または消滅)する。この熱処理後のシ
リコンウェーハの面内の抵抗率を測定することにより、
当該熱処理炉内の温度分布を簡便に評価することができ
る。
いて説明する。
処理炉を示している。図2は本発明方法に係るシリコン
ウェーハの抵抗率分布を示している。図3にはサーマル
・ドナーの発生量と温度との関係を示している。
らなる石英製の炉芯管11を横方向に載置して構成され
ている。炉芯管11の外周部にはヒータ12が配設され
ている。このヒータ12により石英炉芯管11内が加熱
される構成である。炉芯管11の内部には石英製のボー
ト13が挿入され、このボート13にはシリコンウェー
ハ14a、14bが搭載されている。
手方向の両端側に立設、保持されている。また、シリコ
ンウェーハ14bはこれらのシリコンウェーハ14aに
両端をはさまれボート13の内央部に配設、保持されて
いる。シリコンウェーハ14aは炉芯管11内の温度を
均一化するためのダミーウェーハであり、一方シリコン
ウェーハ14bは抵抗率を測定するための検査用のウェ
ーハである。
ングユニット等は図示を省略しているものである。
素濃度が均一であるシリコンウェーハを検査用のシリコ
ンウェーハ14bとして上記のようにボート13に載置
して炉芯管11内に装入する。そして、ヒータ12をO
Nとして炉芯管11を加熱する。例えば470℃で48
時間加熱する。そして、この加熱後のシリコンウェーハ
14bを熱処理炉より取り出して、その抵抗率を全面に
ついて測定する。例えば広がり抵抗法により測定するも
のである。
分布を図2に示す。シリコンウェーハ14bの抵抗率は
半径方向では±0.5%以内に制御されているので、O
F(オリフラ)側とOFの反対側とで温度差があること
がこの図から容易にわかる。
おいてはOF側の抵抗が低く、OFの反対側の抵抗が高
くなっている。これはOF側ではサーマル・ドナーの発
生量が少ないのに対して、その反対側ではサーマル・ド
ナーの発生量が多いからである。したがって、シリコン
ウェーハ14bの面内での温度分布傾向は、OF側では
温度が低く、このOFの反対側ではこれより温度が高く
なっていることが容易にわかる。
50℃近傍でサーマル・ドナーが発生することは195
2年にKaiserらによって報告されている。その温
度依存性の概略を図3に示す。このサーマル・ドナー発
生量の温度依存性に基づいて図2のシリコンウェーハ1
4bの面内での抵抗の分布が得られるものである。した
がって、シリコンウェーハ14bの温度分布により炉芯
管11内での半径方向の平面における温度分布が判明す
ることとなる。
ンウェーハ(半導体基板)が炉内で実際に受ける熱温度
分布が容易に測定できる。よって炉内のシリコンウェー
ハ面方向の温度分布を検出することができ、この温度分
布に基づいて炉内の温度制御を行うことができる。
面内分布が均一である)シリコンウェーハを多数枚、図
1に示す熱処理炉にその軸方向に沿って並べて挿入し、
その抵抗分布を測定することによって、炉内の軸方向の
温度分布をも測定できる。
ンウェーハは、500〜900℃の熱処理を行うことに
よって、このサーマル・ドナーを消去することができ
る。炉内温度が500〜900℃の場合、サーマル・ド
ナーが十分発生したシリコンウェーハを熱処理後、抵抗
の面内分布を測定することによって、450℃近傍の炉
内の温度分布評価と同様の測定ができる。また、本発明
は、上記熱処理炉に限らず、CVD炉、RTP炉の炉内
温度分布評価にも適用することができる。
炉の炉内温度分布を容易に測定することができるととも
に、精度の高い測定が可能である。
成図である。
ーハの抵抗分布を示す図である。
ドナーの発生量と温度との関係を示すグラフである。
す概略構成図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 抵抗率および酸素濃度をその面内で均一
化したシリコンウエーハを準備する工程と、 このシリコンウェーハを熱処理炉内に装入する工程と、 この熱処理炉内をサーマルドナー発生温度以上の温度に
加熱する工程と、 その後、このシリコンウエーハの抵抗率を測定する工程
とを備えた熱処理炉内の温度分布の測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041209A JP2783465B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 熱処理炉内の温度分布の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3041209A JP2783465B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 熱処理炉内の温度分布の測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04259214A JPH04259214A (ja) | 1992-09-14 |
JP2783465B2 true JP2783465B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=12602018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3041209A Expired - Lifetime JP2783465B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 熱処理炉内の温度分布の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2783465B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI712792B (zh) * | 2017-07-26 | 2020-12-11 | 日商環球晶圓日本股份有限公司 | 矽晶圓的電阻率測量方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6279641A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの温度測定方法 |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3041209A patent/JP2783465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI712792B (zh) * | 2017-07-26 | 2020-12-11 | 日商環球晶圓日本股份有限公司 | 矽晶圓的電阻率測量方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04259214A (ja) | 1992-09-14 |
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