JPH04152646A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH04152646A
JPH04152646A JP2279861A JP27986190A JPH04152646A JP H04152646 A JPH04152646 A JP H04152646A JP 2279861 A JP2279861 A JP 2279861A JP 27986190 A JP27986190 A JP 27986190A JP H04152646 A JPH04152646 A JP H04152646A
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JP
Japan
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leads
bonding
internal
lead
integrated circuit
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JP2279861A
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English (en)
Inventor
Katsumi Nakino
奈木野　勝美
Toshihiko Hori
俊彦 堀
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路に関し、特にワイヤボンデ
ィングされた金属線の短絡を防止するようにした半導体
集積回路に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は従来の半導体集積回路の内部構造図であシ、第
４図は第３図の■−ｆｆ線による断面部分図である。図
において、（１）は半導体チップで、この半導体チップ
（１）上には、実際に半導体素子が動作する能動領域（
２）と、能動ｆＲ域（２）より電源入出力信号を取り出
すポンディングパッド（３）が配置されている。また、
リードフレームは、半導体チップ（１）　′ｔ−固定す
るダイパッド部（４）とポンディングパッド（３）と接
続を行う内部リード（５）により構成されている。（６
）　ｆｉボンディングワイヤで、ポンディングパッド（
３）と内部リード（５）とを電気的に接続する金属線で
構成されている。
次に動作について説明する。
半導体チップ（１）ｒｉ、’Ｊ−ドフレームのダイバン
ド部（４）に固定するため、へンダ等によシダイボンデ
イングされた後、内部リード（５）とポンディングパッ
ド（３）　、！：　ｔボンディングワイヤ（６）　’ｉ
用いて相互に接続される。
この時、内部リード（５）　ｒｔ　ａｇ　４図に示され
るように、同一平面上に配置されておシ、ワイヤボンデ
イング工程の際、隣接する内部リード（５）　ｒｔ平面
的にポンディングパッド（３）とポンディングされる。
萬５図は第３図の半導体チップ（１）の大きさを変えず
にポンディングパッド（３）の数を増加させた場合に相
当する半導体集積回路の内部構造図である。
＃Ｉ５図において、ポンディングパッド（３）を増加さ
せる時、限られたチップ面積を利用するため、図のよう
にパッドを交互に配置する方法が考えられるが、従来の
リードフレームを用いてワイヤボンディングを行なうと
、内部リード（５）は同一平面上に配置されているため
、半導体チップ（１）のピン数の増加に伴って、隣接す
る内部リード（５）のピッチ間隔は狭くなっていく。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体集積回路は以上のように構成されているの
で、隣シ合ったポンディングワイヤ同士が電気的短絡す
る可能性が大きくなシ、歩留の低下に伴う原価の上昇や
、生産性の低下等の問題点があった。
この発明は、以上のような問題点を解消するためｒｃな
されたもので、半導体チップが多ビン化された場合に伴
う隣接するポンディングワイヤの電気的短絡を防止する
ことがで遣る半導体集積回路を得ることを目的としてい
る。
Ｃ１１題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体集積回路は、リードフレームの内
部リードの隣接する各リード片を互いに上下方向に交互
に段差を設けた構成とし各リード片を表面電極と接続す
るようにしたものでおる。
〔作用〕
この発明における半導体集積回路は、リードフレームの
内部リードを交互に段差を設けて半導体チップの表面電
極（ポンディングパッド）とワイヤボンディングするよ
うにしたので、Ｓ接するポンディングワイヤの間隔が拡
がり、ボンディングワイヤ同士の電気的短絡を防止する
。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。　
ａｌＥ　１図は本発明に係る半導体集積回路の内部構造
図であり、第２図は第１図の■−■巌による断面部分図
である０ｇ１図及び第２図において、（１）　、　（２
）　、　（４）　、　４４１）は従来の半導体集積回路
の内部構造図と同等のものである。
蕗１図において、半導体チップ（１）が多ビン化された
場合、ポンディングパッド（３ｈ）、（３ｂ）のように
交互にパッドを配置する。ｉた、リードフレームの内部
リードに関して、内部リード（５ａ）については、従来
の内部リードと同様に同一平面上に配置するが、もう一
方の内部リード（５ａ）と隣接する内部リード（５ｂ）
については、内部リード（５ａ）よシも短かくなるよう
に配置し、かつ第２図のように内部リード（５ａ）ｉｃ
対して段差構造をもつように配置する。
次に動作について説明する。
ワイヤボンディング工程において、ポンディングパッド
（３ａ）と内部リード（５ａ）とをポンディングワイヤ
（６）によシ、相互ｒｃ接続し、またポンディングパッ
ド（３ｂ）と内部リード（５ｂ）とを相互に接続するよ
うにワイヤボンディングを行なう。以後、この工程を繰
り返していくと、第１図、第２図のようにワイヤボンデ
ィングされる０第２図に示すように、隣接するポンディ
ングワイヤ（６）は、交互に段差構成になっており、ポ
ンディングワイヤ相互の間隔が拡がっている０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、リードフレームの内
部リードを交互に段差を設け、内部リードを立体的に配
置することにより、ポンディングワイヤの間隔に余裕を
持たせることができ、半導体チップの多ビン化に伴うワ
イヤボンディング工程の微細化に対して、高度な微細化
技術を用いずに、容易にアセンブリすることができる等
の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体集積回路の内部構造図、第
２図は第１図の■−■線による断面部分図、第３図は従
来の半導体集積回路の内部構造図、第４図は第３図のｆ
ｆ−ｆｆ腺による断面部分図、第５図は従来のポンディ
ングパッド数が増加した場合の半導体集積回路の内部構
造図である。 図１ｃおいて、（１）は半導体チップ、（２）は半導体
素子が動作する能動＠坂、（３）、　（３ａ）　、　（
３ｂ）はポンディングパッド、（４）はリードフレーム
のダイパッド部、（５）　、　（５ａ）、（５ｂ）はリ
ードフレームの内部リード、（６）はポンディングワイ
ヤである。 なお、 図中、 同一符号は同一、 又は相当部分を 示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップ上の表面電極とリードフレームの内部リー
    ドをワイヤボンデイングするものにおいて、前記リード
    フレームの内部リードを隣接する各リード片が互いに上
    下方向に交互に段差を設けて構成したことを特徴とする
    半導体集積回路。
JP2279861A 1990-10-17 1990-10-17 半導体集積回路 Pending JPH04152646A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5530281A (en) * 1994-12-21 1996-06-25 Vlsi Technology, Inc. Wirebond lead system with improved wire separation
JP2003243600A (ja) * 2001-12-14 2003-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法

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