KR970077584A - 반도체장치와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 BGA 타입의 반도체장치 대신에 제조가 용이한 반도체장치를 얻을 수 있는 것으로, 해결수단은 복수개의 리드(10)와 반도체칩(60)이 탑재된 스테이지(20)를 소정간격으로 나란히 배열한다. 리드(10) 하면의 소정부위에는 단자부(12)를 돌출형성하고, 반도체칩(60)의 전극과 리드상면의 단자부(14)는 와이어(70)로 전기적으로 접속한다. 복수개의 리드(10)의 상면 및 측면과 스테이지(20)의 상면 및 측면에는 절연재(30)를 연속하여 층상으로 피착한다. 그리고, 상기 절연재(30)를 거쳐서, 복수개의 리드(10)와 스테이지(20)를 일련적으로 결합한다. 이와 동시에, 절연재(30) 내부에 반도체칩(60)를 봉입하여, 리드하면의 단자부(12)를 절연재(30) 사이로 노출시킨 것이다.

Description

반도체장치와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1반도체장치의 단면도.

Claims (10)

  1. 복수개의 리드와 반도체칩이 탑재된 스테이지가 소정간격씩 두고 나란히 배열되고, 상기 리드하면의 소정 부위에 단자부가 돌출 형성되고, 상기 반도체칩의 전극과 상기 리드상면의 단자부가 전기적으로 접속되며, 상기 복수개의 리드 상면 및 측면과 스테이지의 상면 및 측면에 절연재가 연속하여 피착되고, 절연채를 거쳐서상기 복수개의 리드와 스테이지가 일련적으로 결합되는 동시에, 상기 절연재내부에 상기 반도체칩이 봉입되어 상기 리드 하면의 단자부가 상기 절연재 사이로 노출된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 복수개의 리드가 소정간격씩 두고 나란히 배열되고, 상기 리드하면의 소정부위에 단자부가 돌출 형성되고, 상기 리드의 윗쪽으로 반도체칩이 배치되고, 칩 전극이 상기 리드상면의 단자부에 전기적으로 접속되며, 상기 복수개의 리드의 상면 및 측면에 절연재가 연속하여 피착되고, 상기 절연재를 거쳐서 상기 복수개의 리드가 일련적으로 결합되는 동시에, 상기 절연재내부에 상기 반도체칩이 봉입되어 상기 리드하면의 단자부가 상기 절연재사이에 노출된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 리드상면의 단자부, 또는 이에 더하여, 스테이지의 상면에, 본딩용 도금이 행해진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 리드하면으로 돌출 형성된 단자부, 또는 이에 더하여, 스테이지의 하면에 땜납범프가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제2항에 있어서, 반도체칩의 배면의 절연재 사이로 노출되고, 칩의 배면에 히트스프레더가 피착된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. a. 금속판상면의 소정부위를 에칭처리하여 금속판상면에 윤곽이 블라인드 홈을 소정패턴으로 형성하고, 상기 금속판에 상기 윤과의 블라인드 홈으로 구획된 복수개의 리드형성부와 스테이지형성부를 나란히 형성하는 공정, b. 상기 스테이지형성부의 상면에 반도체칩을 본딩하여 칩의 전극과 상기 리드 형성부상면의 단자부를 전기적으로 접속하는 공정, c. 상기 복수개의 리드형성부의 상면 및 측면과 스테이지형성부의 상면 및 측면과 이들 사이의 상기 윤곽의 블라인드 홈의 안쪽면에 절연재를 연속하여 피착하여, 절연재를 거쳐서 상기 복수개의 리드형성부와 스테이지형성부를 일련적으로 결합하는 동시에, 상기 절연재내부에 상기 반도체칩을 봉입하는 공정, d. 상기 금속판하면의 소정부위를 에칭처리하여 상기 윤곽의 블라인드 홈 바로 아래의 금속판하면 부분에 윤곽홈을 형성하고, 상기 윤곽홈에 의해 상기 복수개의 리드형성부 사이 및 리드형성부와 스테이지형성부 사이를 분리하여 복수개의 리드와 스테이지를 소정간격씩 두고 나란히 형성하는 동시에, 상기 윤곽홈 사이에 상기 절연재를 노출시켜 상기 리드하면의 소정부위에 단자부를 돌출 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. a. 금속판상면의 소정부위를 에칭처리하여 금속판상면에 윤곽의 블라인드 홈을 소정패턴으로 형성하고, 상기 금속판에 상기 윤곽의 블라인드 홈으로 구획된 복수개의 리드형성부를 나란히 형성하는 공정, b. 상기 리드형성부의 윗쪽에 반도체칩을 배치하여, 칩의 전극을 상기 리드 형성부상면의 단자부에 전기적으로 접속하는 공정, c. 상기 복수개의 리드형성부의 상면 및 측면과 이들 사이의 상기 윤곽의 블라인드 홈의 안쪽면에 절연재를 연속하여 피착하여, 절연재를 거쳐서 상기 복수개의 리드형성부를 일련적으로 결합하는 동시에, 상기절연재내부에 상기 반도체칩을 봉입하는 공정, d. 상기 금속판 하면의 소정부위를 에칭처리하여, 상기 윤곽의 블라인드 홈 바로 아래의 금속판하면 부분에 윤곽홈을 형성하고, 상기 윤곽홈에 의해 상기 복수개의 리드형성부 사이를 분리하여 복수개의 리드를 소정간격씩 두고 나란히 형성하는 동시에, 상기 윤곽홈 사이에 상기 절연재를 노출시켜 상기 리드하면의 소정부위에 단자부를 돌출 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 리드형성부상면의 단자부, 또는 이에 더하여, 스테이지형성부의 상면에, 본딩용의 도금을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 리드하면으로 돌출 형성한 단자부 또는 이에 더하여, 스테이지의 하면에 땜납범프를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 반도체칩의 배면을 절연재 사이로 노출시켜 칩배면에 히트스프레더를 피착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4395986B2 (ja) * 2000-04-24 2010-01-13 住友金属鉱山株式会社 Ｂｃｃ用リードフレームとその製造方法並びにそれを用いて得た半導体装置
JP3883784B2 (ja) * 2000-05-24 2007-02-21 三洋電機株式会社 板状体および半導体装置の製造方法
KR100508733B1 (ko) * 2000-09-04 2005-08-18 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP4856821B2 (ja) * 2000-09-06 2012-01-18 三洋電機株式会社 半導体装置
JP3945968B2 (ja) * 2000-09-06 2007-07-18 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN1265451C (zh) * 2000-09-06 2006-07-19 三洋电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN1184684C (zh) 2000-10-05 2005-01-12 三洋电机株式会社 半导体装置和半导体模块
US7061077B2 (en) 2002-08-30 2006-06-13 Fairchild Semiconductor Corporation Substrate based unmolded package including lead frame structure and semiconductor die
JP5195647B2 (ja) 2009-06-01 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
TWI447879B (zh) * 2011-11-15 2014-08-01 矽品精密工業股份有限公司 預製導線架與半導體封裝件及預製導線架的製法
CN103187386B (zh) * 2011-12-30 2016-02-03 矽品精密工业股份有限公司 基板结构、封装结构及其制法
JP5954871B2 (ja) * 2012-09-04 2016-07-20 Ｓｈマテリアル株式会社 半導体装置の製造方法並びにそれに用いられる半導体素子搭載用基板とその製造方法

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