JPH0414854A - 半導体装置及びウェハ - Google Patents
半導体装置及びウェハInfo
- Publication number
- JPH0414854A JPH0414854A JP2118425A JP11842590A JPH0414854A JP H0414854 A JPH0414854 A JP H0414854A JP 2118425 A JP2118425 A JP 2118425A JP 11842590 A JP11842590 A JP 11842590A JP H0414854 A JPH0414854 A JP H0414854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- resin
- mounting section
- semiconductor device
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 47
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001007 puffing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、薄型の
半導体装置に利用して有効な技術に関する。
半導体装置に利用して有効な技術に関する。
［従来の技術」
従来の技術としては、第２図に示す様なものがある。第
２図は、従来の半導体装置を示す、概略断面図である。
２図は、従来の半導体装置を示す、概略断面図である。
図において、１は半導体装置を示し、後述する載置部に
半導体素子を載置し、半導体素子の端子と、リードとを
金属細線としてのワイヤにより結像した後、樹脂により
封止した状態のものである。２は、載置部であり、四方
形の板状物で、後述する半導体素子が載置される部分で
ある。５は、貫通口であり、前記載置部２に設けられ、
載置部を貫通している。４は、半導体素子であり、半導
体装置の心臓部となるもので、図示しない接着剤により
、載置部２に載置されている５は、ワイヤであり、金属
細線で、前記半導体素子４の図示しない電極と、後述す
るリードとの導通をとる為のものである。６は、リード
であり、半導体装置１の内部とその外部との導通をとる
為のものである。７は樹脂であり、前記半導体素子勢等
を覆い、それらを保護する為のもので、前記貫通口３に
入り込んでいる。
半導体素子を載置し、半導体素子の端子と、リードとを
金属細線としてのワイヤにより結像した後、樹脂により
封止した状態のものである。２は、載置部であり、四方
形の板状物で、後述する半導体素子が載置される部分で
ある。５は、貫通口であり、前記載置部２に設けられ、
載置部を貫通している。４は、半導体素子であり、半導
体装置の心臓部となるもので、図示しない接着剤により
、載置部２に載置されている５は、ワイヤであり、金属
細線で、前記半導体素子４の図示しない電極と、後述す
るリードとの導通をとる為のものである。６は、リード
であり、半導体装置１の内部とその外部との導通をとる
為のものである。７は樹脂であり、前記半導体素子勢等
を覆い、それらを保護する為のもので、前記貫通口３に
入り込んでいる。
上述した構成によれば、貫通口３に樹脂７カー入り込ん
でいる為、貫通口３の深さ分だげ樹脂７が載置部２に接
する面積が太き（なり、載置部２の裏面（半導体素子４
が載置される面と対向する面）と樹脂７の密着性が増し
、それらの間にすき間が発生することを低減できるもの
である。
でいる為、貫通口３の深さ分だげ樹脂７が載置部２に接
する面積が太き（なり、載置部２の裏面（半導体素子４
が載置される面と対向する面）と樹脂７の密着性が増し
、それらの間にすき間が発生することを低減できるもの
である。
［発明が解決しようとする課題］
本発明者は、上述した従来技術に類似した構造の半導体
装置を組み立てたところ、以下に示すような問題がある
ことを見い出した。
装置を組み立てたところ、以下に示すような問題がある
ことを見い出した。
すなわち、貫通口に樹脂が入り込んで一為るものの、貫
通孔の深さ分だけ、樹脂と接する面積力を増加したこと
による密着性の向上であり、貫通孔の板厚方向の断面が
、載置部裏面と、樹脂とを引きはがそうとする方向に平
行したかたちになって（・る為、樹脂と載置部裏面の密
着性向上としてレエ、大きな効果は得られないという問
題である。この事により、半導体装置の製造後、その半
導体装置を長時間通常の生活環境で保管した場合など、
空気碌の水分等が内部に侵入し、図示しない載置部を支
持するリードと樹脂の間を通って、載置部裏面にまで入
り込んでしまう。その後、その半導体装置は、基板に実
装する際の半田付などによる熱が加わると、水分が蒸気
化し、載置部裏面と樹脂の間（すき間）に圧力が加わっ
て破壊に至るケースが生じた。
通孔の深さ分だけ、樹脂と接する面積力を増加したこと
による密着性の向上であり、貫通孔の板厚方向の断面が
、載置部裏面と、樹脂とを引きはがそうとする方向に平
行したかたちになって（・る為、樹脂と載置部裏面の密
着性向上としてレエ、大きな効果は得られないという問
題である。この事により、半導体装置の製造後、その半
導体装置を長時間通常の生活環境で保管した場合など、
空気碌の水分等が内部に侵入し、図示しない載置部を支
持するリードと樹脂の間を通って、載置部裏面にまで入
り込んでしまう。その後、その半導体装置は、基板に実
装する際の半田付などによる熱が加わると、水分が蒸気
化し、載置部裏面と樹脂の間（すき間）に圧力が加わっ
て破壊に至るケースが生じた。
本発明の目的は、半導体素子の載置部の裏面と、樹脂と
の密着性を向上し、それらの間にすき間が生じに（い半
導体装置の製造技術を提供することにある。
の密着性を向上し、それらの間にすき間が生じに（い半
導体装置の製造技術を提供することにある。
本発明のその他の目的は、半導体装置内部に水分等が入
りに（い半導体装置の製造技術を提供することにある。
りに（い半導体装置の製造技術を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記課題を解決する為になされたものであり
、半導体素子が載置される載置部を貫通し、半導体素子
と載置部の間に樹脂が入り込むことを特鍛とする。
、半導体素子が載置される載置部を貫通し、半導体素子
と載置部の間に樹脂が入り込むことを特鍛とする。
また半導体素子の載置部に載置される面に、四部が形成
されていることを特徴とする。
されていることを特徴とする。
［作用］
上述した構成によれば、樹脂は、半導体素子の裏面に設
けられた凹部に入り込むと共に、半導体素子と、載置部
の間に入り込むことになり、載置部裏面と、樹脂とを引
きはがそうとする力は載置部の表面にまで及びその力は
分数される。それゆえ、載置部に貫通口を設けただけの
ものに比べ、樹脂と載置部裏面の密着性が向上するもの
である［実施例コ 第１図は、本発明の一実施例である半導体装置の、概略
断面図である。
けられた凹部に入り込むと共に、半導体素子と、載置部
の間に入り込むことになり、載置部裏面と、樹脂とを引
きはがそうとする力は載置部の表面にまで及びその力は
分数される。それゆえ、載置部に貫通口を設けただけの
ものに比べ、樹脂と載置部裏面の密着性が向上するもの
である［実施例コ 第１図は、本発明の一実施例である半導体装置の、概略
断面図である。
図において、８は本発明の一実施例である半導体装置を
示す。９は載置部であり、四方形の板状物で、後述する
半導体素子が載置される部分である。１０は貫通口であ
り、前記載置部２の中心に設けられ、載置部を貫通し、
平面方向から見ると円形になっているものである。１１
は半導体素子であり、半導体装置の心臓部となるもので
、図示しない接着剤により、載置部９に載置されている
１２は凹部であり、前記半導体素子の裏面（載置部９に
載置される面）に、その断面が円弧状に削られた部分で
ある。この凹部１２は、載置部９に接する面の四部の開
口・面積が、載置部９の貫通口１０の、前記開口面噴に
平行した面積よりも太き（なっている。１３はワイヤで
あり、金属細線で前記半導体素子１１の図示しない電極
と、後述するリードとの電気的導通をとる為のものであ
る１４は；リードであり、半導体装置８の内部と、その
外部との導通をとる為のものである。１５は樹脂であり
、前記半導体素子１１等を覆い、それらを保護する為の
もので、前記貫通口１０及び凹部１２に入り込んでいる
。この事により、半導体素子１１及び載置物９０間に、
樹脂が入り込むことになる。
示す。９は載置部であり、四方形の板状物で、後述する
半導体素子が載置される部分である。１０は貫通口であ
り、前記載置部２の中心に設けられ、載置部を貫通し、
平面方向から見ると円形になっているものである。１１
は半導体素子であり、半導体装置の心臓部となるもので
、図示しない接着剤により、載置部９に載置されている
１２は凹部であり、前記半導体素子の裏面（載置部９に
載置される面）に、その断面が円弧状に削られた部分で
ある。この凹部１２は、載置部９に接する面の四部の開
口・面積が、載置部９の貫通口１０の、前記開口面噴に
平行した面積よりも太き（なっている。１３はワイヤで
あり、金属細線で前記半導体素子１１の図示しない電極
と、後述するリードとの電気的導通をとる為のものであ
る１４は；リードであり、半導体装置８の内部と、その
外部との導通をとる為のものである。１５は樹脂であり
、前記半導体素子１１等を覆い、それらを保護する為の
もので、前記貫通口１０及び凹部１２に入り込んでいる
。この事により、半導体素子１１及び載置物９０間に、
樹脂が入り込むことになる。
第３図は、本発明の一実施例である半導体装置において
、半導体素子の裏面に凹部を形成する例を示す、ウェハ
裏面の概略斜視図である。
、半導体素子の裏面に凹部を形成する例を示す、ウェハ
裏面の概略斜視図である。
図において１６は、ウェハを示し、裏面を斜視した状態
である。１７は半導体素子を示し、ウェハ１６に、行１
列方向に整然と形成されている。
である。１７は半導体素子を示し、ウェハ１６に、行１
列方向に整然と形成されている。
１８は溝であり、断面が８字状で、本発明の一実施例で
ある半導体装置の、半導体素子裏面の凹部となるもので
ある。この溝は、例えば円錐形状の先端を丸（した金属
等にフェルトを巻き付け、研摩剤をつけて磨（パフ加工
によって設けられるものであり、半導体素子１７の中心
を通り、図中、列方向に連続して形成されている。この
溝の、長手方向に直交する方向の幅は、前記載置部９の
貫通口１０の直径よりも大きくなってい・る。１９は四
部であり、半導体素子の裏面に設けられる凹部の他の例
である。この凹部１９は、球面を削り込んだ形状であり
、平面方向の直径は、前記載置部９の貫通口１０の直径
よりも大きくなっている。
ある半導体装置の、半導体素子裏面の凹部となるもので
ある。この溝は、例えば円錐形状の先端を丸（した金属
等にフェルトを巻き付け、研摩剤をつけて磨（パフ加工
によって設けられるものであり、半導体素子１７の中心
を通り、図中、列方向に連続して形成されている。この
溝の、長手方向に直交する方向の幅は、前記載置部９の
貫通口１０の直径よりも大きくなってい・る。１９は四
部であり、半導体素子の裏面に設けられる凹部の他の例
である。この凹部１９は、球面を削り込んだ形状であり
、平面方向の直径は、前記載置部９の貫通口１０の直径
よりも大きくなっている。
ところで、本実施例では半導体素子の裏面に形成される
凹部の平面方向の面積は、載置７部の貫通口の平面方向
の面積よりも大きくなるようＫしているが、必ずしもそ
の必要はな（、半導体素子とその載置部との間に、樹脂
が入り込める形状であればよい。
凹部の平面方向の面積は、載置７部の貫通口の平面方向
の面積よりも大きくなるようＫしているが、必ずしもそ
の必要はな（、半導体素子とその載置部との間に、樹脂
が入り込める形状であればよい。
以下、上述した構成の本発明の一実施例について、その
作用を説明する。
作用を説明する。
第３図において、半導体素子１７が分割される前のウェ
ハ１６の状態で、溝１８をパフ研摩等により形成してい
る（凹部１９は、溝１８とは異なる他の形成例である）
。この様なウェハ１６を、図示しないダイシング装置等
を用いて、所定のサイズに分割する。その後、第１図に
示すように、図示しないグイボンダー、ワ、イヤボンダ
ーを用い、図示しない接着剤により半導体素子１１を、
載置部９に載置し、ワイヤ１６により、半導体素子１１
の図示しない電極とリード１４が結ばれる。
ハ１６の状態で、溝１８をパフ研摩等により形成してい
る（凹部１９は、溝１８とは異なる他の形成例である）
。この様なウェハ１６を、図示しないダイシング装置等
を用いて、所定のサイズに分割する。その後、第１図に
示すように、図示しないグイボンダー、ワ、イヤボンダ
ーを用い、図示しない接着剤により半導体素子１１を、
載置部９に載置し、ワイヤ１６により、半導体素子１１
の図示しない電極とリード１４が結ばれる。
次いで、図示しない樹脂封止装置を用い、樹脂１５によ
り、半導体素子１１等が覆われる。
り、半導体素子１１等が覆われる。
このようにして得られた半導体装置８においては、樹脂
１５が載置部９の貫通口１０等を通って半導体素子１１
の凹部１２、さらには、半導体素子１１と、載置部９の
間にも入り込んでいる。それゆえ、樹脂１５が載置部９
をその中心部分で挾んだかた。ちになる為、従来例のよ
５に、−に載置部と板厚方向で接するものに比べ、載置
部９の裏面（半導体素子が載置される面と対向する面）
と、樹脂１５を引きはがそうとする力は、載置部９の表
面（半導体素子が載置される面）にまで及ぶ事になりそ
の力は分散される。この事により、載置部裏面と樹脂と
の密着性が向上し、それらの間にすき間が生ずることを
低減できるものである。
１５が載置部９の貫通口１０等を通って半導体素子１１
の凹部１２、さらには、半導体素子１１と、載置部９の
間にも入り込んでいる。それゆえ、樹脂１５が載置部９
をその中心部分で挾んだかた。ちになる為、従来例のよ
５に、−に載置部と板厚方向で接するものに比べ、載置
部９の裏面（半導体素子が載置される面と対向する面）
と、樹脂１５を引きはがそうとする力は、載置部９の表
面（半導体素子が載置される面）にまで及ぶ事になりそ
の力は分散される。この事により、載置部裏面と樹脂と
の密着性が向上し、それらの間にすき間が生ずることを
低減できるものである。
尚、本実施例では、半導体素子裏面に凹部、載置部には
貫通口を設けているが１貫通口がない場合でも、第３図
における溝１８のような連続した溝を設ければ、半導体
素子と載置部の間に樹脂が入り込む事ができ、樹脂は、
載置部をその中心部分で挾む事になり、同様に密着性が
向上できるものである。
貫通口を設けているが１貫通口がない場合でも、第３図
における溝１８のような連続した溝を設ければ、半導体
素子と載置部の間に樹脂が入り込む事ができ、樹脂は、
載置部をその中心部分で挾む事になり、同様に密着性が
向上できるものである。
［発明の効果コ
（１） 半導体素子が載置される載置部に貫通口を設け
、その貫通口を通って、前記半導体素子と、載置部の間
に樹脂が入り込む構造にすることにより、載置部裏面と
樹脂間を引きはがそうとする力は、載置部表面にまで及
ぶことになり、その力は分散されることになる。それゆ
え、載置部裏面と樹脂間は、半導体素子と載置部の間に
樹脂が入らないものに比べ、引きはがしに（（なり、密
着性が向上できるという効果が得られる。
、その貫通口を通って、前記半導体素子と、載置部の間
に樹脂が入り込む構造にすることにより、載置部裏面と
樹脂間を引きはがそうとする力は、載置部表面にまで及
ぶことになり、その力は分散されることになる。それゆ
え、載置部裏面と樹脂間は、半導体素子と載置部の間に
樹脂が入らないものに比べ、引きはがしに（（なり、密
着性が向上できるという効果が得られる。
（２） （１）から、載置部裏面と、樹脂間の密着性
が向上する為、それらの間にすき間が出きることを低減
できる。それゆえ、載置部裏面と樹脂間に、水分等が侵
入することを低減し、半導体装置の実装等における熱が
加わった場合でも、水分等が蒸発する事による半導体装
置の破壊を低減できるという効果が得られる。
が向上する為、それらの間にすき間が出きることを低減
できる。それゆえ、載置部裏面と樹脂間に、水分等が侵
入することを低減し、半導体装置の実装等における熱が
加わった場合でも、水分等が蒸発する事による半導体装
置の破壊を低減できるという効果が得られる。
ｉ） （１）から、載置部裏面と、樹脂間の密着性が
向上する為、樹脂の厚さを薄（した場合でも、それらの
間にすき間ができることを低減できる。それゆえ、半導
体装置の樹脂厚を薄型化し小型化しても、実装時等にお
ける信頼性が高い半導体装置を得ることができるという
効果が得られる。
向上する為、樹脂の厚さを薄（した場合でも、それらの
間にすき間ができることを低減できる。それゆえ、半導
体装置の樹脂厚を薄型化し小型化しても、実装時等にお
ける信頼性が高い半導体装置を得ることができるという
効果が得られる。
８−−−−−−溝
以上
第１図は、本発明の一実施例である半導体装置の、概略
断面図。 第２図は、従来の半導体装置を示す概略断面図第５図は
、ウェハ裏面の概略斜視図である。 １ 、８−・・・・・・・・半導体装置２．９・・・・
・・−載置部 ５．１０−・−・貫通口 ４ 、１１ 、１７ ・−一・半導体素子５ 、１５−
−−−−ワイヤ ６ 、１４−・−・・リード ７．１５−一樹 脂 １２・・・−・−一・凹 部 １６・−一・・・・・・・ウェハ 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）り・−栽−＄ ７０・−”ｔ＆。 ツノ チ４ｓ４子 ？１．戴遁苛 ３・−ＳＦ’、ｉ 。 令・・チ本≠影士 ％２０
断面図。 第２図は、従来の半導体装置を示す概略断面図第５図は
、ウェハ裏面の概略斜視図である。 １ 、８−・・・・・・・・半導体装置２．９・・・・
・・−載置部 ５．１０−・−・貫通口 ４ 、１１ 、１７ ・−一・半導体素子５ 、１５−
−−−−ワイヤ ６ 、１４−・−・・リード ７．１５−一樹 脂 １２・・・−・−一・凹 部 １６・−一・・・・・・・ウェハ 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）り・−栽−＄ ７０・−”ｔ＆。 ツノ チ４ｓ４子 ？１．戴遁苛 ３・−ＳＦ’、ｉ 。 令・・チ本≠影士 ％２０
Claims (2)
- （１）半導体素子を載置すべき載置部に、半導体素子を
載置し、樹脂により封止されてなる、半導体装置であっ
て、載置部を貫通し、半導体素子と載置部の間に樹脂が
入り込んでいることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記半導体素子の、載置部に載置される面に、凹
部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118425A JP2946631B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置及びウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118425A JP2946631B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置及びウェハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414854A true JPH0414854A (ja) | 1992-01-20 |
| JP2946631B2 JP2946631B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=14736328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118425A Expired - Fee Related JP2946631B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置及びウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946631B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2118425A patent/JP2946631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2946631B2 (ja) | 1999-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101541054B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2003086750A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| US9698068B2 (en) | Electronic device | |
| JP2007507080A (ja) | 電力半導体モジュールの中の接触構造のための圧力接触バネ | |
| JPH0414854A (ja) | 半導体装置及びウェハ | |
| JP2005129844A (ja) | 半導体チップ、半導体装置、回路基板及び電子機器 | |
| JP4094859B2 (ja) | レーザダイオード装置及びその実装装置 | |
| JPH10501656A (ja) | 半導体デバイス及びその量産方法 | |
| JPS6352461A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007281182A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2782870B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP3696360B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01257361A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0428241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0658796B2 (ja) | 薄型電池の実装構造 | |
| JPH0448769A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62296541A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH1197580A (ja) | 半導体装置および集積半導体装置 | |
| JP2521693B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2006253374A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2774635B2 (ja) | フィルムキャリャ及び半導体装置 | |
| JPS6254500A (ja) | ワイヤ接続方法 | |
| JPS63107147A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03149893A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61264734A (ja) | 半導体装置の実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |