JPH03149893A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03149893A JPH03149893A JP28902289A JP28902289A JPH03149893A JP H03149893 A JPH03149893 A JP H03149893A JP 28902289 A JP28902289 A JP 28902289A JP 28902289 A JP28902289 A JP 28902289A JP H03149893 A JPH03149893 A JP H03149893A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- mounting board
- semiconductor
- mounting
- recessed part
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体チップを厚Ｓ番仮又はプリント基板等
に搭載して成る半導体装置に関するものである。
に搭載して成る半導体装置に関するものである。
第４図Ｆｉ従来の半導体装置を示す断面図で、図におい
て、、１は半導体チップで、リードフレームのダイパッ
ド２ａ部に接着剤３によって固定されている。４は金属
細線で、半導体デツプ１の表面に形成された電極とリー
ドフレームのアウタリード２ｂ部を電気的に配線されて
いる。半導体をツブ１％金属細線４は外力からの保護の
ため封圧材５で覆われ半導体素子を形成している。ざら
に半導体素子の外部配−リード（アウターリード） ２
ｃは基板７に形成された［振／＜ツド７ａ部に半田６に
よって固定されている。
て、、１は半導体チップで、リードフレームのダイパッ
ド２ａ部に接着剤３によって固定されている。４は金属
細線で、半導体デツプ１の表面に形成された電極とリー
ドフレームのアウタリード２ｂ部を電気的に配線されて
いる。半導体をツブ１％金属細線４は外力からの保護の
ため封圧材５で覆われ半導体素子を形成している。ざら
に半導体素子の外部配−リード（アウターリード） ２
ｃは基板７に形成された［振／＜ツド７ａ部に半田６に
よって固定されている。
第５図〜第７図は基板７と半導体素子の斜視図および正
向図を示したものである。
向図を示したものである。
次に動作について説明する。半導体デツプｉ＃ｉ。
リードフレームに形成されたグイパッド２ａ部に接着剤
３ｔｃよって固定され、半導体チップｌの表面に形成さ
れた配線電極とリードフレームに形成されたインナリー
ド２ｂを金属細線４ζこよって電気的に配線し、さらに
外力から保護するため封止剤５によってパッケージされ
半導体素子が形成されている。さらに、半導体デツプ１
の機能を引き出すアウタリード２Ｃに半導体素子のパッ
ケージ面に対して外方向に向っており、基数７の表面に
形成したｗＬ極バッド７ａに半田６により接続されてい
る。
３ｔｃよって固定され、半導体チップｌの表面に形成さ
れた配線電極とリードフレームに形成されたインナリー
ド２ｂを金属細線４ζこよって電気的に配線し、さらに
外力から保護するため封止剤５によってパッケージされ
半導体素子が形成されている。さらに、半導体デツプ１
の機能を引き出すアウタリード２Ｃに半導体素子のパッ
ケージ面に対して外方向に向っており、基数７の表面に
形成したｗＬ極バッド７ａに半田６により接続されてい
る。
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
基板へ実装するｒＩＩＡｌ基板の電極パッドと半導体素
子のアクタリードを半田等により、接続しなければなら
ず、半田ペーストの適鳳塗布、半田リフａ ＋、及び洗
浄等の工程が必要であり、また半導体素子のアウタリー
ドがパフケージ面に対して外方向に出ているため、搭載
面積が大きくな９高密度化が困難であるなど問題点があ
った。
基板へ実装するｒＩＩＡｌ基板の電極パッドと半導体素
子のアクタリードを半田等により、接続しなければなら
ず、半田ペーストの適鳳塗布、半田リフａ ＋、及び洗
浄等の工程が必要であり、また半導体素子のアウタリー
ドがパフケージ面に対して外方向に出ているため、搭載
面積が大きくな９高密度化が困難であるなど問題点があ
った。
この発明は上記のよりなｒ８題点を解消するためになさ
れたもので、基数へ実装する際半田付けが不要で、又高
密度の半導体装置を伽ることを目的とするものである。
れたもので、基数へ実装する際半田付けが不要で、又高
密度の半導体装置を伽ることを目的とするものである。
この発明に係る半導体装置は、実装基板曇こ半導体素子
を挿入固定させるための凹部又は穴部を形成するととも
に、この凹部又は穴部の内壁に半導体素子の外部ｍ極と
対応させた電極パッドを形成させ・半導体素子のパフケ
ージ形状を実装基板の凹部又は大部に対応させた形状に
し、さらに外部電極をパッケージ面に沿って形成させる
。そして実装基板の凹部又は穴部に半導体素子を挿入固
定させることにより、実装基板の凹部又は穴部に形成さ
せた電極と半導体素子の外部［１４１とを電気的に接続
させたものである。
を挿入固定させるための凹部又は穴部を形成するととも
に、この凹部又は穴部の内壁に半導体素子の外部ｍ極と
対応させた電極パッドを形成させ・半導体素子のパフケ
ージ形状を実装基板の凹部又は大部に対応させた形状に
し、さらに外部電極をパッケージ面に沿って形成させる
。そして実装基板の凹部又は穴部に半導体素子を挿入固
定させることにより、実装基板の凹部又は穴部に形成さ
せた電極と半導体素子の外部［１４１とを電気的に接続
させたものである。
この発明における半導体装置は、実装基板に半導体素子
搭載用の電極パッドを有する凹部又は穴部を形成し、さ
らにこの凹部又は穴部に対応したパフケージ形状を有す
る半導体素子を実装基板へ挿入固定させることにより電
気的接続を半田付けしなくても可能とし、又半導体素子
のｚｆツケージに沿って外部端子を配置するため／ｆツ
ケージサイズＦｉ最小限まで縞小呵能となり高密度実装
化が容易となる。
搭載用の電極パッドを有する凹部又は穴部を形成し、さ
らにこの凹部又は穴部に対応したパフケージ形状を有す
る半導体素子を実装基板へ挿入固定させることにより電
気的接続を半田付けしなくても可能とし、又半導体素子
のｚｆツケージに沿って外部端子を配置するため／ｆツ
ケージサイズＦｉ最小限まで縞小呵能となり高密度実装
化が容易となる。
以下、この発明の一実施例を図について親羽する。第１
図にといて、−は半導体チップ、２ｍはリードフレーム
のグイｌ（ラドで、接着剤３で半導体チップｌを固定し
ている。４は金属細線で、半導体デツプｌの表面に形成
させた電極とリードフレームのインナリード２ｂとを電
気的に接続している。Ｉｓは半導体チップ１％金属細１
１４等を外力よｏ保護するための封止剤である。又２ｄ
はアクタリードで、パフケージに沿って図示の如く曲げ
られている。８は実装基板で、半導体素子搭載用の凹部
８ｂ及び半導体素子の１ラタリード２ｄに対応して配置
された電極パッド８ａを有している。
図にといて、−は半導体チップ、２ｍはリードフレーム
のグイｌ（ラドで、接着剤３で半導体チップｌを固定し
ている。４は金属細線で、半導体デツプｌの表面に形成
させた電極とリードフレームのインナリード２ｂとを電
気的に接続している。Ｉｓは半導体チップ１％金属細１
１４等を外力よｏ保護するための封止剤である。又２ｄ
はアクタリードで、パフケージに沿って図示の如く曲げ
られている。８は実装基板で、半導体素子搭載用の凹部
８ｂ及び半導体素子の１ラタリード２ｄに対応して配置
された電極パッド８ａを有している。
次に動作について説明する。半導体チップ１はリードフ
レームのダイパッド２ａに接着剤３により固定されてお
り、半導体チツプｌの麦面に形成された電極もリードフ
レームのインナリード２ｂは金属線１１４によって電気
的に配線されている。
レームのダイパッド２ａに接着剤３により固定されてお
り、半導体チツプｌの麦面に形成された電極もリードフ
レームのインナリード２ｂは金属線１１４によって電気
的に配線されている。
さらに、外力からの保護のため封止剤５によってパフケ
ージされてｉる。このパフケージは！３図に示すように
逆円錐台形の形状をしており、そのテーパ面にアウター
リード２ｄがパフケージ面に沿って配置されている。こ
のような半導体素子は実装基板８に形成された半導体素
子のパッケージ形状に対応したｉ！［２図に示すような
逆円錐台形状の凹部８ｂに挿入固定されており、かつ凹
部８ｂの内壁に形成された電極パッド８ａ と半導体素
子のアクタ−リード２ｄは圧接によって電気的に接続さ
れている。
ージされてｉる。このパフケージは！３図に示すように
逆円錐台形の形状をしており、そのテーパ面にアウター
リード２ｄがパフケージ面に沿って配置されている。こ
のような半導体素子は実装基板８に形成された半導体素
子のパッケージ形状に対応したｉ！［２図に示すような
逆円錐台形状の凹部８ｂに挿入固定されており、かつ凹
部８ｂの内壁に形成された電極パッド８ａ と半導体素
子のアクタ−リード２ｄは圧接によって電気的に接続さ
れている。
なお、上記実施例では半導体素子のパフケージを逆円錐
台形状とした場合を示したが、逆円錐台形状に限定する
ものではなく、実装基板との位置求めを安易にさせるた
め凸部を形成させる形状、又実装基板との挿入固定方式
ては半導体素子の底部と実装基板と凹部の底部を接着剤
で一定させ挿入固定強度を１ツブさせる＃Ｉ造、又は実
装基板の凹部へ半導体素子を挿入固定後実装基板の凹部
をカバさせ水分の浸入を防止する構造とすることも可能
である。
台形状とした場合を示したが、逆円錐台形状に限定する
ものではなく、実装基板との位置求めを安易にさせるた
め凸部を形成させる形状、又実装基板との挿入固定方式
ては半導体素子の底部と実装基板と凹部の底部を接着剤
で一定させ挿入固定強度を１ツブさせる＃Ｉ造、又は実
装基板の凹部へ半導体素子を挿入固定後実装基板の凹部
をカバさせ水分の浸入を防止する構造とすることも可能
である。
以上のようにこの発明によれば、実装基数に形成した凹
部へ半導体素子を半田付は無しで挿入固定させかつ実装
基板へ形成した電極と半導体素子のアクタリードでＫｆ
ｉ的に接続出来るため、従来プロセスによる実装基板へ
半田を定處塗布させる工程及びその後の半導体素子搭載
後の半田を再溶融させ実装基板上の電極と半導体素子の
アクタリードを半田接＃Ｒさせる工程及び半田接続の際
用いるフラツクスの除去のための洗浄工程の省略が乃耗
となりプロセスの簡略化が出来る。又、半導体素子のア
ウタリードがパフケージに沿って配置されるため、従来
のように外に向ったアクタリードと比べると基板への実
装面ｆＩＩか小さくとれるため高密度実装化が容易に行
えるなどの効果がある。
部へ半導体素子を半田付は無しで挿入固定させかつ実装
基板へ形成した電極と半導体素子のアクタリードでＫｆ
ｉ的に接続出来るため、従来プロセスによる実装基板へ
半田を定處塗布させる工程及びその後の半導体素子搭載
後の半田を再溶融させ実装基板上の電極と半導体素子の
アクタリードを半田接＃Ｒさせる工程及び半田接続の際
用いるフラツクスの除去のための洗浄工程の省略が乃耗
となりプロセスの簡略化が出来る。又、半導体素子のア
ウタリードがパフケージに沿って配置されるため、従来
のように外に向ったアクタリードと比べると基板への実
装面ｆＩＩか小さくとれるため高密度実装化が容易に行
えるなどの効果がある。
第１１ｊｌ！Ｊｉｊこの発明の一実施例による半導体装
置の断面図、第２図は第１図の実装基数８の斜視図、第
３図は第１図の半導体素子のパフケージ構造を示す斜視
図、第４図は従来の半導体装置の断面図。 ＠５図ｉｊｆｌｒａ図の実装基板７の斜視図、第６図は
第４図半導体素子のパッケージ構造を示す斜視図、第７
図は第６図の正面図である。 図において、 １−・・半導体チップｈ ２ａ −ｌ
（ハ７ド、 ２ｂ−・・インナリード、２Ｃ，２ｂ−・
・アウタリード、３・・・接着剤％４・・・金属細線、
５・・・封止剤、ロー＝半田％８−・実装基板、８ｍ・
−電極パッド、 ｌｌｃ−穴。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
置の断面図、第２図は第１図の実装基数８の斜視図、第
３図は第１図の半導体素子のパフケージ構造を示す斜視
図、第４図は従来の半導体装置の断面図。 ＠５図ｉｊｆｌｒａ図の実装基板７の斜視図、第６図は
第４図半導体素子のパッケージ構造を示す斜視図、第７
図は第６図の正面図である。 図において、 １−・・半導体チップｈ ２ａ −ｌ
（ハ７ド、 ２ｂ−・・インナリード、２Ｃ，２ｂ−・
・アウタリード、３・・・接着剤％４・・・金属細線、
５・・・封止剤、ロー＝半田％８−・実装基板、８ｍ・
−電極パッド、 ｌｌｃ−穴。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 実装基板に形成した凹部又は穴部に半導体チップを内
在させたパッケージを挿入固定させ、前記実装基板の凹
部又は穴部の内壁に形成した電極と前記パッケージの側
面に形成させた電極とを電気的に接続させたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28902289A JPH03149893A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28902289A JPH03149893A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149893A true JPH03149893A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17737814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28902289A Pending JPH03149893A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03149893A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5437557A (en) * | 1992-12-25 | 1995-08-01 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | IC socket |
| CN1314509C (zh) * | 2004-11-24 | 2007-05-09 | 广州金升阳科技有限公司 | 焊盘点焊方法 |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP28902289A patent/JPH03149893A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5437557A (en) * | 1992-12-25 | 1995-08-01 | Yamaichi Electronics Co., Ltd. | IC socket |
| CN1314509C (zh) * | 2004-11-24 | 2007-05-09 | 广州金升阳科技有限公司 | 焊盘点焊方法 |
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