JPH04145633A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （概　要） ワイヤボンディング工程を含む半導体装置の製造方法に
関し、 半導体チップのパッド露出用窓の位置を変えずに量産性
を高めることを目的とし、 保護膜に設けた複数の窓によって複数のパッドの全てを
個々に露出させた半導体チップを用い、前記パッドのう
ち使用されないパッドの上に線状導体の一端をボンディ
ングした後に、該線状導体を伸ばさずに切断し、使用さ
れない前記パッドを前記線状導体で覆うことによって構
成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、ワイヤボンディング工程を含む半導体装置の製造方法
に関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路を形成した半導体チップをパッケージソ
ゲする場合には、例えば、第４図に示すような方法があ
る。ｍｒち、第５図に示すような半導体チップａをリー
ドフレームｂ中夫のダイパッドＣに取付けた後に、半導
体チップａの表面のパッドｄとリードｅとを金のワイヤ
によって接続しついで、半導体チ７ブａとリードｅの一
部を樹脂材ｆにより封止し、この後に、リードフレーム
ｂからリードｅを切り離すような工程を経るようにして
いる。
ところで、上記したパッドｄは、半導体回路の信号電極
や電源電極となるものであるが、半導体装置を取付けよ
うとする外部回路の構成の相違によってパッドｄの形成
位置を半導体チップａの側部から端部に変更したい場合
もあり、半導体チップａ内の一つの電極配線の端部に複
数のパッドｄを接続するとともに、これに対応して複数
種類のパッケージを用意するようにしている。
この場合、リードｅに接続されないパッドｄを半導体チ
シブａ表面の保護膜ｇから露出したままにしておくと、
アルミニウム製のパッドｄがその周囲のガスと反応して
腐食してしまい、これが内部にまで広がり、ついには内
部の配線を断線させたり導通不良を生しさせることにな
る。
このため、使用しないパッドｄを保護膜ｇによって覆う
とともに、リードｅに接続されるパッドｄだけを保護膜
ｇの開口部りから露出するようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、これによれば、第５図（ａ）　、　（ｂ）に示
すように、パッドｄの使用位置を変更する毎に開口部り
の位置を変えなければならず、半導体チンプａの汎用性
が低くなり、量産化の妨げになるといった問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、保護膜に形成するバッド露出用の窓の配置を変えずに
量産性を高めることができる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記した課題は、第１〜３図に例示するように。
保護膜４に設けた複数の窓５によって複数のパッド３の
全てを個りに露出させた半導体チップ１を用い、前記パ
ッド１のうち使用されないパッド３の上に線状導体１２
の一端をボンディングした後に、該線状導体１２を伸ば
さずに切断し、使用されない前記パッド１を前記線状導
体１２の一部によって覆うことを特徴とする半導体装置
の製造方法、 または、保護膜４に設けた複数の窓５によって複数のパ
ッド３の全てを個々に露出させた半導体チップ１を、チ
ップ載置台７の上に取付ける工程と、前記チップ載置台
７周囲のり一部８に接続されない前記パッド３の上に線
状導体１２の一端を圧着した後に、該線状導体１２を引
き伸ばさずに切断し、使用されない前記パッド３を前記
線状導体１２の一部によって覆う工程と、前記リード８
に接続される前記パッド３の上に線状導体１２の一端を
接続した後に、該線状導体１２を引き伸ばして前記リー
ド８に圧着し、使用される前記パッド３と前記リード８
とを導通させる工程とを備えたことを特徴とする半導体
装置の製造方法によって達成する。
〔作　用〕
本発明によれば、半導体チップ１の表面に形成されるパ
ッド３の全てを保護膜４から露出させるとともに、リー
ド８に接続されないパッド３を線状導体１２（金線）に
よって覆うようにしている。
このため、リード８に接続されないパッド３は、ワイヤ
ポンディングの際に線状導体３の一部によって覆われる
ことになり、そのパッド３は腐食性物質との接触が断た
れることになり、腐食することがなくなる。
しかも、リード８に繋げるパッド３を別なものに変更し
たとしても、保護膜４に形成されるパッド露出用の窓５
を変更する必要がなくなり、半導体チップ１の汎用性が
高くなり、量産性を向上することが可能になる。
〔実施例〕
そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。
第１図は、本発明に使用される半導体チップの一例を示
す平面図及び部分拡大斜視図であって、図中符号１は、
内部に半導体集積回路を形成した半導体チップで、この
半導体チップ１の上面の活性領域２の周囲には入出力信
号電極用や電源電極となるアルミニウム製のパッド３が
複数形成されており、半導体チップ１上面を覆う保護膜
４に設けた窓５によって全てのパッド３が露出するよう
に構成されている。
第２図は、本発明の方法により半導体チップを組込んだ
リードフレームを示す平面図であって、図中符号６は、
鉄ニツケル合金、銅合金等よりなるリードフレームで、
その内部には、半導体チップを載置するダイパッド７と
このダイパッド７を囲む複数のリード８が形成されてお
り、ダイパフドアの上に半導体チップ１をボンディング
した状態で、半導体チップ１のパッド３の一部とり一部
８とを金線９によってワイヤポンディングするとともに
、使用しないパッド３をその金１９によって覆うように
構成されている。
第３図は、半導体チップ１のパッド３とリード８にワイ
ヤボンディングを行う工程を示す拡大断面図である。
まず、半導体チフブ１を３００℃程度に加熱した状態で
、キャピラリ１０の金線導入孔１１から下方に金線１２
を出し、この金線１２の先端を球状に形成する（第３図
（ａ））。
そして、使用しないパッド３の上の位置にキャピラリ１
０を移動して金線１２の球状先端をパッド３に押しつけ
た後に、金線１２とパッド３とを熱圧着する（第３図（
ｂ））。
次に、キャピラリ１０を上方に僅かに移動してから（第
３図（Ｃ））、さらにそれを横方向に移動させて金線１
２を引きちぎり（第３図（ｄ））、金線１２の一部をパ
ッド３の上に残し、これによってパッド３を覆う。
一方、リード８に接続されるパッド３においては、第３
図（ｅ）に示すように、金線１２をパッド３に熱圧着し
た後に、キャピラリ１０を上方に引き上げると、金線１
２はキャピラリ１０内部の金線導入孔１１を通って伸び
てくるので（第３図（ｆ））、これにつづいてリード８
の上方にキャビラＩＪ　１０を移動してその先端をリー
ド８に熱圧着することが可能になる。
（第３図（ｇ））。
そして、金線１２とリード８とを接続したあとに、キャ
ピラリ１０を持ち上げてその先端にある金１＃ｉ１２を
水素等の炎で焼き切ることになる。
このように、半導体チップ１表面に形成したパッド３の
うちリード８に接続しようとするものは、金線１２を介
してリード８に接続され、また、使用しないパッド３に
おいては、その上に熱圧着した金線１２を殆ど伸ばさず
にそのまま切断するようにしているために、ワイヤポン
ディングの工程において全てのパッド３が金によって覆
われることになり、外部から供給される腐食性物質と反
応することがなくなる。
例えば、第１図（ｂ）に示すように、２つのパッド３ａ
、３ｂが繋がれて形成されている半導体チップ１におい
て、先端にある一方のパッド３ａにリード８を圧着する
場合でも、活性領域２に近い他方のパッド３ｂは金によ
って覆われるために腐食することはなく、一方のパッド
３ａから活性領域２に到る配線経路が他方のパッド３ｂ
の腐食によって断線することはなくなる。
以上のようなワイヤボンディングを終えた後に、リード
８の内端と半導体チップ１を樹脂材によって封止し、つ
いでリード８をリードフレーム６から切り離すことにな
る。
なお、上記した実施例では、金線１２の先端を球状にす
るボンディング法、即ち、ネイルヘッド法を用いたが、
ステッチボンディング法、ウェッジボンディング法、超
音波ボンディング法等によることもできる。
また、熱圧着の工程においては、半導体チップ１を加熱
してもよいし、キャピラリ１０を加熱してもよい。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、半導体チップの表面
に形成されるパッドの全てを保護膜から露出させるとと
もに、リードに接続されないパッドを線状導体によって
覆うようにしたので、リードに接続されないパッドは、
ワイヤボンディングの際に線状導体の一部によって覆わ
れることになり、そのパッドと腐食物質との接触を断っ
て、使用しないパッドの腐食を防止することができる。
しかも、リードに繋げるパッドを別なものに変更したと
しても、保護膜に形成されるパッド露出用の窓を変更す
る必要がなくなり、半導体チップの汎用性を高めて量産
性を向上することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例装置に使用される半導体チ
ップの一例を示す平面図及び部分拡大斜視図、 第２図は、本発明の一実施例方法によって形成された装
置の一例を示す平面図、 第３図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図、 第４図は、従来方法によって形成される半導体装置の一
例を示す平面図、 第５図は、従来方法に用いられる半導体チップの一例を
示す平面図である。 （符号の説明） １・・・半導体チップ、 ２・・・活性領域、 ３・・・パッド、 ５・・・窓、 ６・・・リードフレーム、 ７・・・ダイパッド（チップ載置台） ８・・・リード、 １０・・・キャピラリ、 １１・・・金線導入孔、 １２・・・金線（線状導体）。 出　願　人　　富士通株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）保護膜（４）に設けた複数の窓（５）によって複
    数のパッド（３）の全てを個々に露出させた半導体チッ
    プ（１）を用い、前記パッド（３）のうち使用されない
    パッド（３）の上に線状導体（１２）の一端をボンディ
    ングした後に、該線状導体（１２）を伸ばさずに切断し
    、使用されない前記パッド（３）を前記線状導体（１２
    ）の一部によって覆うことを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  2. （２）保護膜（４）に設けた複数の窓（５）によって複
    数のパッド（３）の全てを個々に露出させた半導体チッ
    プ（１）を、チップ載置台（７）の上に取付ける工程と
    、 前記チップ載置台（７）周囲のリード（８）に接続され
    ない前記パッド（３）の上に線状導体（１２）の一端を
    圧着した後に、該線状導体（１２）を引き伸ばさずに切
    断し、使用されない前記パッド（３）を線状導体（１２
    ）の一部によって覆う工程と、 前記リード（８）に接続される前記パッド（３）の上に
    線状導体（１２）の一端を接続した後に、該線状導体（
    １２）を引き伸ばして前記リード（３）に圧着し、使用
    される前記パッド（３）と前記リード（８）とを導通さ
    せる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106476309A (zh) * 2015-08-27 2017-03-08 住友化学株式会社 分切加工拉伸膜的制造方法以及制造装置

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