JPH04139008A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH04139008A JPH04139008A JP2256829A JP25682990A JPH04139008A JP H04139008 A JPH04139008 A JP H04139008A JP 2256829 A JP2256829 A JP 2256829A JP 25682990 A JP25682990 A JP 25682990A JP H04139008 A JPH04139008 A JP H04139008A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化物超電導体の製造方法に係わり、特に、
臨界温度、臨界電流密度の大きな膜を合成するのに好適
な製造方法に関する。
臨界温度、臨界電流密度の大きな膜を合成するのに好適
な製造方法に関する。
１９８８年、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジッ
クス・ジャパン（Ｊａｎ、Ｊ、＾ＧＩｐ１． Ｐｈｙｓ
。
クス・ジャパン（Ｊａｎ、Ｊ、＾ＧＩｐ１． Ｐｈｙｓ
。
以下Ｊ、Ｊ、＾、Ｐ、と略記す） 、２７．Ｌ２Ｏ９−
１０において、前圧らによって発表されたＢｉ−Ｓｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系（以後ＢＳＣＣ［＋と略す）は、１０
５にの臨界温度（Ｔｃ）を持ち、液体窒素温度の７７Ｋ
に比較して大きなマージンを持つことにより、この温度
での使用を目標とした酸化物超電導材料の実用什におい
ては魅力的な物質である。ところで、この系は不安定で
、Ｔｃ＝１１０にの結晶構造の杆（高温相）の体積率を
大きくするのが困難である。高野、水野らはＢ５ＣＣＤ
にＰｂを加える（以後ＢＰＳ［’ＣＯ）ことにより高温
相の体積率を飛躍的に増大することをＪ、 Ｊ、＾、Ｐ
、、 ２７． Ｌ１０４１−４３（１９８ｇで論じたが
、これには、Ｂｉの一部をＰｂが置換することによる高
温相の構造安定化と、添加効果がもたらす部分溶融液相
による、反応の促進が関与していると見られている。膜
の合成においても、熱処理（ポストアニール）の熱平衡
によって高温相の成長を図る場合には、Ｐｂの役割は同
様である。しかし、膜では蒸気圧の高いＰｂは急激に蒸
発してしまうことから、ポストアニルによる高温相の単
一合成に成功したアプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）５５（１２）
、 １８． （１９８９）、ｐｐ１２５２の日中らの研
究やＪ。
１０において、前圧らによって発表されたＢｉ−Ｓｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系（以後ＢＳＣＣ［＋と略す）は、１０
５にの臨界温度（Ｔｃ）を持ち、液体窒素温度の７７Ｋ
に比較して大きなマージンを持つことにより、この温度
での使用を目標とした酸化物超電導材料の実用什におい
ては魅力的な物質である。ところで、この系は不安定で
、Ｔｃ＝１１０にの結晶構造の杆（高温相）の体積率を
大きくするのが困難である。高野、水野らはＢ５ＣＣＤ
にＰｂを加える（以後ＢＰＳ［’ＣＯ）ことにより高温
相の体積率を飛躍的に増大することをＪ、 Ｊ、＾、Ｐ
、、 ２７． Ｌ１０４１−４３（１９８ｇで論じたが
、これには、Ｂｉの一部をＰｂが置換することによる高
温相の構造安定化と、添加効果がもたらす部分溶融液相
による、反応の促進が関与していると見られている。膜
の合成においても、熱処理（ポストアニール）の熱平衡
によって高温相の成長を図る場合には、Ｐｂの役割は同
様である。しかし、膜では蒸気圧の高いＰｂは急激に蒸
発してしまうことから、ポストアニルによる高温相の単
一合成に成功したアプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）５５（１２）
、 １８． （１９８９）、ｐｐ１２５２の日中らの研
究やＪ。
Ｊ、Ａ、Ｐ、２８（５）、１９８９． ｐｐ８１９の自
棄らの例は、Ｐｂの蒸発を見込んで膜組成をあらかじめ
Ｐｂ過剰にしている点、短時間で結晶化を行なうために
部分溶融温度直下の狭い温度範囲で熱処理している点で
共通している。このような方法は、ボストアニールの温
度、時間の許容範囲が狭いので、そのままでは大面積化
、高速成膜といった線材又はシール材への応用には困難
であるという問題があった。
棄らの例は、Ｐｂの蒸発を見込んで膜組成をあらかじめ
Ｐｂ過剰にしている点、短時間で結晶化を行なうために
部分溶融温度直下の狭い温度範囲で熱処理している点で
共通している。このような方法は、ボストアニールの温
度、時間の許容範囲が狭いので、そのままでは大面積化
、高速成膜といった線材又はシール材への応用には困難
であるという問題があった。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、高温相の単一合
成を通して、高臨界温度、高臨界電流密度のＢｉ系超電
導膜を製造するのに好適な製造方法を提供することにあ
る。
成を通して、高臨界温度、高臨界電流密度のＢｉ系超電
導膜を製造するのに好適な製造方法を提供することにあ
る。
上記目的を達成するために、本発明では、酸化物超電導
体薄膜又は厚膜の合成において、減圧下でスパッタした
非晶質の析出膜を、４０［）℃以下の温度でオゾン、Ｎ
２Ｏ又は酸素と反応させた後、その膜が部分溶融する温
度で熱処理し結晶化を図る工程を有することを特徴とす
る酸化物超電導体の製造方法としたものである。
体薄膜又は厚膜の合成において、減圧下でスパッタした
非晶質の析出膜を、４０［）℃以下の温度でオゾン、Ｎ
２Ｏ又は酸素と反応させた後、その膜が部分溶融する温
度で熱処理し結晶化を図る工程を有することを特徴とす
る酸化物超電導体の製造方法としたものである。
本発明の製造方法においては、酸化物超電導体としては
、Ｂ １−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系のものが使用
でき、非晶質の析出膜の組成は、式 ＲｉｅｘＰｂ７９Ｓｒ＊Ｃａｒ Ｃｕ６０ｘ （式中、
１．８ ＜ ａ ＜２．０．４＜β＜２．５．２＜７＜
２．５．３くδく４）の範囲のものが好適に使用できる
。
、Ｂ １−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系のものが使用
でき、非晶質の析出膜の組成は、式 ＲｉｅｘＰｂ７９Ｓｒ＊Ｃａｒ Ｃｕ６０ｘ （式中、
１．８ ＜ ａ ＜２．０．４＜β＜２．５．２＜７＜
２．５．３くδく４）の範囲のものが好適に使用できる
。
上記のように、本発明の製造方法では、熱処理（ボスト
アニール）前に非晶質の析出膜を酸化処理し、Ｐｂを酸
化物とすることでＰｂの蒸気圧を抑制することができる
。
アニール）前に非晶質の析出膜を酸化処理し、Ｐｂを酸
化物とすることでＰｂの蒸気圧を抑制することができる
。
また、本発明においては、Ｂ １−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系酸化物超電導体薄膜は、熱処理工程を通して
合成された膜の膜表面を含む膜厚方向のＰｂの平均濃度
分布が、旧の濃度に対して０．２２以上である酸化物超
電導体が得られる。
Ｃｕ−０系酸化物超電導体薄膜は、熱処理工程を通して
合成された膜の膜表面を含む膜厚方向のＰｂの平均濃度
分布が、旧の濃度に対して０．２２以上である酸化物超
電導体が得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。
Ｐｂが、バルクに比較して蒸発しやすい理由には、体積
に比較して表面積が大きいという理由のほか、酸素分圧
がマグネトロンスパッタで１００−２ａｔ、イオンビー
ムスパッタで１０−’ａｔｍにもなる、成膜時のチャン
バー内の低酸素分圧が、Ｐｂを金属に還元しＰｂの蒸気
圧を高めていることが考えられる。表１は、１０−’Ｔ
ｏｒｒの減圧下でイオンビームスパッタにより作製した
Ｂ ｌ ２Ｐｂ ｒ Ｓｒ ａｃａｚｃｕａＯＸ組成の
アズデボ膜を空気中、８５０℃で熱処理した時の膜中の
Ｐｂ量の変化を示したものである。Ｐｂは短時間の熱処
理で急激に減少してしまうことがわかる。
に比較して表面積が大きいという理由のほか、酸素分圧
がマグネトロンスパッタで１００−２ａｔ、イオンビー
ムスパッタで１０−’ａｔｍにもなる、成膜時のチャン
バー内の低酸素分圧が、Ｐｂを金属に還元しＰｂの蒸気
圧を高めていることが考えられる。表１は、１０−’Ｔ
ｏｒｒの減圧下でイオンビームスパッタにより作製した
Ｂ ｌ ２Ｐｂ ｒ Ｓｒ ａｃａｚｃｕａＯＸ組成の
アズデボ膜を空気中、８５０℃で熱処理した時の膜中の
Ｐｂ量の変化を示したものである。Ｐｂは短時間の熱処
理で急激に減少してしまうことがわかる。
表 １
本発明者は、
種々検討した結果、
マグネト
ロ
ンスパッタおよびイオンビームスパッタで得うれた口ｒ
ｒ、 ａ〜ｚＰｂｏ、 ４〜２．５ｓｒ２ｃａｚ〜２
． ｓＣｕ＋〜４０Ｘの非晶質の析出膜について、■オ
ゾンを含む酸素雰囲気中において、Ｐｂの融点以下の温
度で予備処理して膜を酸素富化した後、■高温相が安定
となる温度で本焼して結晶化を図り、はぼ単一な高温相
を得ることに成功した。この膜の組成分析によって、■
の過程でのＰｂの減少が抑制されたことが明らかになっ
たため本発明に至った。
ｒ、 ａ〜ｚＰｂｏ、 ４〜２．５ｓｒ２ｃａｚ〜２
． ｓＣｕ＋〜４０Ｘの非晶質の析出膜について、■オ
ゾンを含む酸素雰囲気中において、Ｐｂの融点以下の温
度で予備処理して膜を酸素富化した後、■高温相が安定
となる温度で本焼して結晶化を図り、はぼ単一な高温相
を得ることに成功した。この膜の組成分析によって、■
の過程でのＰｂの減少が抑制されたことが明らかになっ
たため本発明に至った。
上記過程■の、オゾンを含む酸素雰囲気中で膜を酸素富
化する過程において、酸素に対するオゾン濃度について
は、濃度が大きい程酸化を促進するので、オゾン濃度に
上限はないが、下限については、オゾンを用いたことに
よる酸化促進効果は酸素を少なくとも体積率にして１％
オゾン化した時に現われた。熱処理温度は、温度が高い
ほど酸化反応は速くなるが、Ｐｂの蒸発も速くなるので
、一長一短である。しかし、処理時間とＰｂの融点（３
２８℃）を考慮すると、熱処理温度は４００℃以下、特
に２５０℃〜３２８℃で行なうのが望ましい。処理時間
については、例えば１．５％のオゾンを含む酸素中で、
３００℃５時間の処理をしたところ、十分な酸化効果が
得られた。■の結晶化を図る本焼過程では、熱処理は、
高温相が安定な温度範囲で行なう。高温相の安定領域は
雰囲気の酸素分圧にも依存しているので、それらとの対
応で述べると、空気中での熱処理では、８４５〜８５３
℃が望ましく、１／１３０２−＾ｒではそれより２Ｏ〜
２５℃低い温度範囲であり、処理時間は１０分〜１０時
間である。この範囲外であると、低温相（２２１２相）
が成長するか、部分溶融して半導体相（２２Ｏ１相）が
成長するかである。
化する過程において、酸素に対するオゾン濃度について
は、濃度が大きい程酸化を促進するので、オゾン濃度に
上限はないが、下限については、オゾンを用いたことに
よる酸化促進効果は酸素を少なくとも体積率にして１％
オゾン化した時に現われた。熱処理温度は、温度が高い
ほど酸化反応は速くなるが、Ｐｂの蒸発も速くなるので
、一長一短である。しかし、処理時間とＰｂの融点（３
２８℃）を考慮すると、熱処理温度は４００℃以下、特
に２５０℃〜３２８℃で行なうのが望ましい。処理時間
については、例えば１．５％のオゾンを含む酸素中で、
３００℃５時間の処理をしたところ、十分な酸化効果が
得られた。■の結晶化を図る本焼過程では、熱処理は、
高温相が安定な温度範囲で行なう。高温相の安定領域は
雰囲気の酸素分圧にも依存しているので、それらとの対
応で述べると、空気中での熱処理では、８４５〜８５３
℃が望ましく、１／１３０２−＾ｒではそれより２Ｏ〜
２５℃低い温度範囲であり、処理時間は１０分〜１０時
間である。この範囲外であると、低温相（２２１２相）
が成長するか、部分溶融して半導体相（２２Ｏ１相）が
成長するかである。
本発明の一例を、イオンビームスパッタリングで作製し
たＢｉｔ、 ｓＰｂ＋ｓｒ、ｃａａｃｕｓ［ｌｘ組成の
膜の場合について示す。
たＢｉｔ、 ｓＰｂ＋ｓｒ、ｃａａｃｕｓ［ｌｘ組成の
膜の場合について示す。
Ｂ＋ ｔ、 ５Ｐｂｌｓｒ２ｃａｉｃｕｓＯｘ組成の一
元ターゲットを用いて、＾ｒ、 １０−’Ｔｏｒｒの減
圧下で、室温のＭｇＯ単結晶基板上にイオンビームスパ
ッタした。
元ターゲットを用いて、＾ｒ、 １０−’Ｔｏｒｒの減
圧下で、室温のＭｇＯ単結晶基板上にイオンビームスパ
ッタした。
厚み１μｍにスパッタした膜は薄い茶褐色で透明であっ
た。この非晶質の析出膜中のＰｂの価数をＸＰＳで評価
したところ、２Ｏ％が２価のイオンで残りが金属であっ
た。次に、オゾナイザ−によって５％までオゾン化した
酸素ガスを通して電気炉中に、この膜を入れ、３００℃
、１０時間の熱処理を施した。取り出した膜は、濃い茶
褐色に変化して、Ｐｂよりもイオン化傾向の小さいＣｕ
までが酸化されたことを示した。ｘＰＳによる評価では
Ｐｂは９５％が２価のイオンになった。続いて、結晶化
のため空気中で８５０℃の熱処理を２５時間施した。Ｘ
線分析により、この膜では高温相がＣ軸配向しているこ
とが明らかになった。交流帯磁率測定法を用いて、高温
相の、超電導相全体に占める体積率を測定したところ、
１００〜１１０にで超電導になった高温相は９０％で、
残りは、Ｔｃ＝７０にの低温相であった。
た。この非晶質の析出膜中のＰｂの価数をＸＰＳで評価
したところ、２Ｏ％が２価のイオンで残りが金属であっ
た。次に、オゾナイザ−によって５％までオゾン化した
酸素ガスを通して電気炉中に、この膜を入れ、３００℃
、１０時間の熱処理を施した。取り出した膜は、濃い茶
褐色に変化して、Ｐｂよりもイオン化傾向の小さいＣｕ
までが酸化されたことを示した。ｘＰＳによる評価では
Ｐｂは９５％が２価のイオンになった。続いて、結晶化
のため空気中で８５０℃の熱処理を２５時間施した。Ｘ
線分析により、この膜では高温相がＣ軸配向しているこ
とが明らかになった。交流帯磁率測定法を用いて、高温
相の、超電導相全体に占める体積率を測定したところ、
１００〜１１０にで超電導になった高温相は９０％で、
残りは、Ｔｃ＝７０にの低温相であった。
以上のように、本発明は、ポストアニール前にＰｂを酸
化し、高温相の成長を促進するので、臨界温度や、臨界
電流密度の高い材料を提供できる。
化し、高温相の成長を促進するので、臨界温度や、臨界
電流密度の高い材料を提供できる。
本発明は、Ｂｉ系超電導膜の合成においてポストアニー
ルで単一な高温相の育成を可能にするものである。これ
を実現するためには、ポストアニール前のプレ処理でＰ
ｂを酸化しＰｂの蒸気圧を抑制する必要があった。上記
の例中、８５０℃の熱処理によるＰｂｓ度の時間変化を
表２に示した。表１に比較してこの膜はＰｂの蒸発が遅
い。
ルで単一な高温相の育成を可能にするものである。これ
を実現するためには、ポストアニール前のプレ処理でＰ
ｂを酸化しＰｂの蒸気圧を抑制する必要があった。上記
の例中、８５０℃の熱処理によるＰｂｓ度の時間変化を
表２に示した。表１に比較してこの膜はＰｂの蒸発が遅
い。
その結果、Ｐｂが多く残留し、高温相育成の反応が促進
され、上記の実施例のように高温相が大きな体積率を占
めた。第１図は上記実施例の実験条件で、３００℃での
オゾン酸化時間を０．５〜１０時間に変化させ、その後
空気中８４５℃で５０時間本焼したときの高温相の体積
率の変化を示したものである。体積率はオゾン酸化時間
５時間で最も高い値を示した。それよりも長時間では予
備処理時のＰｂ蒸発が大きくなって高温相の体積率は減
少した。高温相と低温相の各体積率は交流帯磁率法によ
って測定した。
され、上記の実施例のように高温相が大きな体積率を占
めた。第１図は上記実施例の実験条件で、３００℃での
オゾン酸化時間を０．５〜１０時間に変化させ、その後
空気中８４５℃で５０時間本焼したときの高温相の体積
率の変化を示したものである。体積率はオゾン酸化時間
５時間で最も高い値を示した。それよりも長時間では予
備処理時のＰｂ蒸発が大きくなって高温相の体積率は減
少した。高温相と低温相の各体積率は交流帯磁率法によ
って測定した。
表 ２
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこ
れらに限定されない。
れらに限定されない。
実施例ｌ
Ｂｉ１． ｓＰｂ＋Ｓｒ、ＣａａＣｕｓＯｘ組成の一元
ターゲットを用いて、Ａｒ、 １０−’Ｔｏｒｒの減圧
下で、５００℃に加熱したＭｇＯ単結晶基板上にイオン
ビームスパッタした。厚み１μｍにスパッタした膜は茶
褐色で半透明であった。この膜を、酸素ガスを５％まで
オゾン化し、酸化雰囲気とした電気炉中に入れ、３００
℃、１０時間の熱処理を施した。取り出した膜は、茶褐
色に変化した。ＸＰＳによる評価ではＰｂはほぼ１００
％が２価のイオンになった。次に、結晶化のだ給空気中
で８５０℃、５時間の熱処理をした。この膜はＣ軸配向
した高温相のＸ線パターンを示した。低温相のピークは
確認されなかった。ＳＥＭ像では、基板面に沿って板状
晶が層状に折り重なった組織であることが明らかになっ
た。この膜試料のＴｃ値はｌｌ０Ｋ、西端子法によるＪ
ｃ値は、０磁場で１０ ’Ａ／ｃｍ２．０．ＩＴの磁場
中では５００Ａ／ｃｏ＋２であった。
ターゲットを用いて、Ａｒ、 １０−’Ｔｏｒｒの減圧
下で、５００℃に加熱したＭｇＯ単結晶基板上にイオン
ビームスパッタした。厚み１μｍにスパッタした膜は茶
褐色で半透明であった。この膜を、酸素ガスを５％まで
オゾン化し、酸化雰囲気とした電気炉中に入れ、３００
℃、１０時間の熱処理を施した。取り出した膜は、茶褐
色に変化した。ＸＰＳによる評価ではＰｂはほぼ１００
％が２価のイオンになった。次に、結晶化のだ給空気中
で８５０℃、５時間の熱処理をした。この膜はＣ軸配向
した高温相のＸ線パターンを示した。低温相のピークは
確認されなかった。ＳＥＭ像では、基板面に沿って板状
晶が層状に折り重なった組織であることが明らかになっ
た。この膜試料のＴｃ値はｌｌ０Ｋ、西端子法によるＪ
ｃ値は、０磁場で１０ ’Ａ／ｃｍ２．０．ＩＴの磁場
中では５００Ａ／ｃｏ＋２であった。
実施例２
Ｂｉ、、 、Ｐｂ、５ｒ２Ｃａ２Ｃｕ、Ｏｘ組成の一元
ターゲットを用いて、＾ｒ、 １０−’Ｔｏｒｒの減圧
下で、５００℃に加熱したＭｇＯ単結晶基板上にイオン
ビームスパッタした。次に、基板温度はそのままに、５
％までオゾン化した酸素ガスをチャンバー内に導入して
大気圧とした。その状態で１時間保持後、電気炉中に入
れ、８５０℃、５時間の熱処理を施した。ＳＥＭ像観察
による組織は実施例１とほぼ同様だったが、粒径は＄よ
そ２倍になった。Ｊｃ値は、０磁場でＪｃ＝ ２ Ｘ
１０ ’＾／ＣｒｒＩ２．０、Ｉ Ｔの磁場中では１０
＾／ｃｍ２であった。
ターゲットを用いて、＾ｒ、 １０−’Ｔｏｒｒの減圧
下で、５００℃に加熱したＭｇＯ単結晶基板上にイオン
ビームスパッタした。次に、基板温度はそのままに、５
％までオゾン化した酸素ガスをチャンバー内に導入して
大気圧とした。その状態で１時間保持後、電気炉中に入
れ、８５０℃、５時間の熱処理を施した。ＳＥＭ像観察
による組織は実施例１とほぼ同様だったが、粒径は＄よ
そ２倍になった。Ｊｃ値は、０磁場でＪｃ＝ ２ Ｘ
１０ ’＾／ＣｒｒＩ２．０、Ｉ Ｔの磁場中では１０
＾／ｃｍ２であった。
本発明によれば、はぼ単一な高温相のＢｌ系薄膜、厚膜
が合成できるので、Ｂｉ系膜材料の実用化に効果がある
。
が合成できるので、Ｂｉ系膜材料の実用化に効果がある
。
第１図は、高温相の割合をオゾン処理時間に対してプロ
ットしたグラフである。 特許出願人 超電導発電関連機器・材料技術研究組合 代 理 人 中 本 穴間
井 上 昭叉り理吟闇（
ｈ）
ットしたグラフである。 特許出願人 超電導発電関連機器・材料技術研究組合 代 理 人 中 本 穴間
井 上 昭叉り理吟闇（
ｈ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化物超電導体薄膜又は厚膜の合成において、減圧
下でスパッタした非晶質の析出膜を、４００℃以下の温
度でオゾン、Ｎ＿２Ｏ又は酸素と反応させた後、その膜
が部分溶融する温度で熱処理し、結晶化を図る工程を有
することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 ２、前記酸化物超電導体が、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体であり、オゾン酸化処理によ
りＰｂを酸化物とした後、熱処理することを特徴とする
請求項１記載の酸化物超電導体の製造方法。 ３、前記オゾン酸化の条件が、オゾンを体積率にして１
％以上含む酸素中で、２５０〜３２８℃の温度であるこ
とを特徴とする請求項２記載の酸化物超電導体の製造方
法。 ４、前記酸化物超電導体の非晶質の析出膜が、式Ｂｉα
ＰｂβＳｒ＿２ＣａγＣｕσＯｘ（式中、１．８＜α＜
２、０．４＜β＜２．５、２＜γ＜２．５、３＜δ＜４
）の組成範囲であり、熱処理条件が空気中で８４５〜８
５３℃、１０分〜１０時間の保持であることを特徴とす
る請求項１記載の酸化物超電導体の製造方法。 ５、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導
体薄膜において、熱処理工程を通して合成された膜の膜
表面を含む膜厚方向のＰｂの平均濃度分布が、Ｂｉの濃
度に対して０．２２以上であることを特徴とする酸化物
超電導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256829A JP2699216B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256829A JP2699216B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139008A true JPH04139008A (ja) | 1992-05-13 |
| JP2699216B2 JP2699216B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=17298009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256829A Expired - Fee Related JP2699216B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699216B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119076A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Nec Corp | 酸化物超伝導体膜の製造方法 |
| JPH02102123A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-13 | Nippon Mining Co Ltd | 超電導体の製造方法 |
| JPH03197326A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-28 | Hitachi Ltd | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2256829A patent/JP2699216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119076A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Nec Corp | 酸化物超伝導体膜の製造方法 |
| JPH02102123A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-13 | Nippon Mining Co Ltd | 超電導体の製造方法 |
| JPH03197326A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-28 | Hitachi Ltd | 酸化物超伝導薄膜の製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2699216B2 (ja) | 1998-01-19 |
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