JPH04119964A - 半導体磁器の製造方法 - Google Patents
半導体磁器の製造方法Info
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- JPH04119964A JPH04119964A JP2238200A JP23820090A JPH04119964A JP H04119964 A JPH04119964 A JP H04119964A JP 2238200 A JP2238200 A JP 2238200A JP 23820090 A JP23820090 A JP 23820090A JP H04119964 A JPH04119964 A JP H04119964A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- GIJZWHLTBMCTJV-GFCQZRJLSA-N (9Z,12Z)-11-hydroxyoctadecadienoic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C(O)\C=C/CCCCCCCC(O)=O GIJZWHLTBMCTJV-GFCQZRJLSA-N 0.000 description 1
- GIJZWHLTBMCTJV-UHFFFAOYSA-N 11-HODE Natural products CCCCCC=CC(O)C=CCCCCCCCC(O)=O GIJZWHLTBMCTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体磁器の製造方法に関し、特にたとえば
回路の過電流保護用やテレビのブラウン骨枠の消磁用と
して用いられる、半導体磁器の製造方法に関する。
回路の過電流保護用やテレビのブラウン骨枠の消磁用と
して用いられる、半導体磁器の製造方法に関する。
（従来技術）
正の抵抗温度係数を有する１３ ａ Ｔ ｉ Ｏｊ系半
導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に増加する
。
導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に増加する
。
このようなりａＴｉＯ３系半導体磁器を製造するには、
たとえば特公昭５０−３６０３５号公報に開示されてい
るように、ＢａＴｉ０．系の焼結体をＭｎなどを含む溶
液中に浸漬したのち、加熱処理することにより焼結体の
粒界のみにＭｎなどを拡散させる方法がある。このよう
にすることによって、半導体磁器の抵抗温度係数を向上
させることができる。
たとえば特公昭５０−３６０３５号公報に開示されてい
るように、ＢａＴｉ０．系の焼結体をＭｎなどを含む溶
液中に浸漬したのち、加熱処理することにより焼結体の
粒界のみにＭｎなどを拡散させる方法がある。このよう
にすることによって、半導体磁器の抵抗温度係数を向上
させることができる。
また、原料を仮焼してＢ ａ Ｔ ｉ ０３粉を作製し
たのち、これにＭｎ、Ｏ，などを混合して、本焼成する
方法が提案されている。
たのち、これにＭｎ、Ｏ，などを混合して、本焼成する
方法が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏ３系の焼結体をＭｎ
などを含む溶液中に浸漬する方法では、溶液が焼結体内
部まで浸透しにくい。そのため、焼結体の表面付近の粒
界にはＭｎなどが拡散するが、焼結体内部の粒界までＭ
ｎなどが拡散しにくい。したがって、半導体磁器の抵抗
温度係数を向上させるという効果が十分でなかった。
などを含む溶液中に浸漬する方法では、溶液が焼結体内
部まで浸透しにくい。そのため、焼結体の表面付近の粒
界にはＭｎなどが拡散するが、焼結体内部の粒界までＭ
ｎなどが拡散しにくい。したがって、半導体磁器の抵抗
温度係数を向上させるという効果が十分でなかった。
また、ＢａＴｉ０．粉にＭｎ２０．などを混合して焼成
する方法では、Ｍｎなどが粒子内にまで拡散するため、
室温における比抵抗が大きくなってしまうという問題が
あった。
する方法では、Ｍｎなどが粒子内にまで拡散するため、
室温における比抵抗が大きくなってしまうという問題が
あった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、室温における比
抵抗が小さく、しかも抵抗温度係数の大きい半導体磁器
を得ることができる、半導体磁器の製造方法に関する。
抵抗が小さく、しかも抵抗温度係数の大きい半導体磁器
を得ることができる、半導体磁器の製造方法に関する。
（課題を解決するための手段）
この発明は、正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリウ
ム系半導体磁器の製造方法において、半導体化剤を含ん
だチタン酸バリウムと平均組成がＢａｚ （Ｔｉｅ−
ｘ Ｍｎｘ ）Ｓ １２０ｍ （ただし、０．０１≦
ｘ≦０．２）の物質とを混合したのち、焼成することを
特徴とする、半導体磁器の製造方法である。
ム系半導体磁器の製造方法において、半導体化剤を含ん
だチタン酸バリウムと平均組成がＢａｚ （Ｔｉｅ−
ｘ Ｍｎｘ ）Ｓ １２０ｍ （ただし、０．０１≦
ｘ≦０．２）の物質とを混合したのち、焼成することを
特徴とする、半導体磁器の製造方法である。
ここで、Ｂａ２ （Ｔｉｅ−ｘ Ｍｎｘ ）Ｓ Ｌ Ｏ
ａの物質は、半導体化剤を含んだチタン酸バリウムに対
して、０．１〜２モル％混合されることが好ましい。
ａの物質は、半導体化剤を含んだチタン酸バリウムに対
して、０．１〜２モル％混合されることが好ましい。
（作用）
Ｂａｚ （Ｔｉｅ−ｘ Ｍｎｘ ）Ｓ Ｌ Ｏｓは、
焼成中に液相となり、粒子の周囲を包囲する。したがっ
て、焼成終了後、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ系半導体磁器の
表面部分から内部に至るまで、粒界付近にＭｎＯ高濃度
層が形成される。
焼成中に液相となり、粒子の周囲を包囲する。したがっ
て、焼成終了後、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ系半導体磁器の
表面部分から内部に至るまで、粒界付近にＭｎＯ高濃度
層が形成される。
（発明の効果）
この発明によれば、半導体磁器の表面付近から内部に到
るまで、粒界付近にＭｎＯ高濃度層が形成されるため、
抵抗温度係数の大きい半導体磁器を得ることができる。
るまで、粒界付近にＭｎＯ高濃度層が形成されるため、
抵抗温度係数の大きい半導体磁器を得ることができる。
また、半導体磁器の粒子内にＭｎが拡散しないため、室
温における比抵抗が大きくならない。
温における比抵抗が大きくならない。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
実流向上
まず、原料として、Ｂ ａ ＣＯ３，Ｔ ｉ Ｏｘ 、
５ｒｃｏ、およびＹ２Ｏ３を準備した。これらの原
料を（Ｂ ａ Ｏ，９４６Ｓ ｒ ｏ、ｏｓＹｏ、ｏｏ
ｎ ） Ｔ ｉ Ｏｗｌとなるように調合した。次に、
得られた（Ｂａｏ、ｑ４ｂ Ｓ ｒ Ｏ，０５Ｙ０．０
０４ ） Ｔ ｉ Ｏｌを純水およびジルコニアボール
とともにポリエチレン製ポットに入れて、５時間粉砕混
合して混合物を得た。この混合物を乾燥し、１１００℃
で２時間仮焼して、（Ｂ ａ Ｏ，９４６Ｓ ｒ ６．
０５Ｙ０．００４ ） Ｔ ｊ Ｏｘ粉を得た。
５ｒｃｏ、およびＹ２Ｏ３を準備した。これらの原
料を（Ｂ ａ Ｏ，９４６Ｓ ｒ ｏ、ｏｓＹｏ、ｏｏ
ｎ ） Ｔ ｉ Ｏｗｌとなるように調合した。次に、
得られた（Ｂａｏ、ｑ４ｂ Ｓ ｒ Ｏ，０５Ｙ０．０
０４ ） Ｔ ｉ Ｏｌを純水およびジルコニアボール
とともにポリエチレン製ポットに入れて、５時間粉砕混
合して混合物を得た。この混合物を乾燥し、１１００℃
で２時間仮焼して、（Ｂ ａ Ｏ，９４６Ｓ ｒ ６．
０５Ｙ０．００４ ） Ｔ ｊ Ｏｘ粉を得た。
また、Ｂ ａｚ （Ｔ ｉＩ−＋１ Ｍｎｘ−） Ｓ
１２０ｓの材料として、ＢａＣ０，、、Ｔｉ０ｚ 、
Ｓ ｉｏｔおよびＭｎ、Ｏ，を準備した。これらの材料
を目標組成となるように調合し、純水およびジルコニア
ボールとともにポリエチレン製ポットに入れて５時間粉
砕混合したのち乾燥し、１２００℃で２時間仮焼して仮
焼物を得た。このとき、上述の組成において、ＸをＯ−
０，５の範囲で変化させた。
１２０ｓの材料として、ＢａＣ０，、、Ｔｉ０ｚ 、
Ｓ ｉｏｔおよびＭｎ、Ｏ，を準備した。これらの材料
を目標組成となるように調合し、純水およびジルコニア
ボールとともにポリエチレン製ポットに入れて５時間粉
砕混合したのち乾燥し、１２００℃で２時間仮焼して仮
焼物を得た。このとき、上述の組成において、ＸをＯ−
０，５の範囲で変化させた。
この仮焼物を、さらに、純水およびジルコニアボールと
ともにポリエチレン製ポットに入れ、１０時間粉砕して
平均粒径１μｍとしたのち、乾燥してＢ ａｘ （Ｔ
ｉ ｒ−ｘ Ｍｎｘ ） Ｓ ｉｔ Ｏａ粉を得た。
ともにポリエチレン製ポットに入れ、１０時間粉砕して
平均粒径１μｍとしたのち、乾燥してＢ ａｘ （Ｔ
ｉ ｒ−ｘ Ｍｎｘ ） Ｓ ｉｔ Ｏａ粉を得た。
得られた（ Ｂ ａ ｏ、ｑａｂ Ｓ ｒ Ｏ，０５Ｙ
（１，。０４ ） Ｔ ｉＯ１粉とＢａ２（Ｔ ｉＩ−
ｘ ＭｎＸ） Ｓ ｉｔ Ｏａ粉とを、Ｂａ、（Ｔｉｅ
−、Ｍｎ、）Ｓ ｉｔ Ｏｌｌが０５モル％となるよう
に調合し、純水およびジルコニアボールとともにポリエ
チレン製ポットに入れた。そして、これらをポリエチレ
ン製ポット中で５時間粉砕混合したのち乾燥し、プレス
成形機によって直径１７鰭、厚み３■■の成形体を作製
した。この成形体を１３５０℃で１時間焼成したのち、
Ｉｎ−Ｇａ合金を電極として塗布し、試料とした。
（１，。０４ ） Ｔ ｉＯ１粉とＢａ２（Ｔ ｉＩ−
ｘ ＭｎＸ） Ｓ ｉｔ Ｏａ粉とを、Ｂａ、（Ｔｉｅ
−、Ｍｎ、）Ｓ ｉｔ Ｏｌｌが０５モル％となるよう
に調合し、純水およびジルコニアボールとともにポリエ
チレン製ポットに入れた。そして、これらをポリエチレ
ン製ポット中で５時間粉砕混合したのち乾燥し、プレス
成形機によって直径１７鰭、厚み３■■の成形体を作製
した。この成形体を１３５０℃で１時間焼成したのち、
Ｉｎ−Ｇａ合金を電極として塗布し、試料とした。
比較例１として、最初の調合時に、ＢａＣＯ２、Ｔ ｉ
０２ 、 Ｓ ｒ ＣＯ３、Ｙ２０ｘに加えて５ｉ
０２とＭｎｇＯ，、を調合し、実施例１と最終組成が同
じになるようにした。そして、Ｂａ２（Ｔｉｒ−ｚ Ｍ
ｎ Ｘ ） Ｓ １ ｚ Ｑ ＠を後工程で添加すル
コトを省略した以外は、実施例１と同様の方法で試料を
得た。
０２ 、 Ｓ ｒ ＣＯ３、Ｙ２０ｘに加えて５ｉ
０２とＭｎｇＯ，、を調合し、実施例１と最終組成が同
じになるようにした。そして、Ｂａ２（Ｔｉｒ−ｚ Ｍ
ｎ Ｘ ） Ｓ １ ｚ Ｑ ＠を後工程で添加すル
コトを省略した以外は、実施例１と同様の方法で試料を
得た。
実施例１および比較例１で得られた試料について、Ｍｎ
量Ｘを変化させたときの抵抗温度係数を測定して、第１
図に示した。ここで、抵抗温度係数は、次式によって算
出した。
量Ｘを変化させたときの抵抗温度係数を測定して、第１
図に示した。ここで、抵抗温度係数は、次式によって算
出した。
抵抗温度係数＝ （２，３０３／（’ｒ、 −Ｔ、 ）
）×１００ ここで、Ｔ１はその抵抗が室温における抵抗の１０倍に
なる温度であり、Ｔ２はその抵抗が室温における抵抗の
１００倍になる温度である。
）×１００ ここで、Ｔ１はその抵抗が室温における抵抗の１０倍に
なる温度であり、Ｔ２はその抵抗が室温における抵抗の
１００倍になる温度である。
さらに、実施例１および比較例１で得られた試料につい
て、室温における比抵抗を測定し、第２図に示した。
て、室温における比抵抗を測定し、第２図に示した。
第１図かられかるように、比較例１で得られた試料より
実施例１で得られた試料のほうが抵抗温度係数が大きく
、特にＭｎ量ｘ−ｔ−０，０１以上にすることによって
、実用上必要となる１０％／℃以上の抵抗温度係数を得
ることができる。
実施例１で得られた試料のほうが抵抗温度係数が大きく
、特にＭｎ量ｘ−ｔ−０，０１以上にすることによって
、実用上必要となる１０％／℃以上の抵抗温度係数を得
ることができる。
また、第２図かられかるように、室温における比抵抗は
Ｍｎ量Ｘの増加とともに大きくなるが、実施例１で得ら
れた試料のほうが比抵抗が小さく、特にＭｎ量Ｘが０．
２以下で小さい比抵抗が得られる。
Ｍｎ量Ｘの増加とともに大きくなるが、実施例１で得ら
れた試料のほうが比抵抗が小さく、特にＭｎ量Ｘが０．
２以下で小さい比抵抗が得られる。
天１１殊Ｉ
Ｍ ｎ 量ｘを０．０５一定とし、１３ａｚ （Ｔｉ
ｏ。
ｏ。
ｑｓＭ ｎ ｏ、ｏｓ） Ｓ １ ｚ Ｏａの添加量を
０〜５モル％の範囲で変化させた以外は、実施例１と同
様にして試料を得た。
０〜５モル％の範囲で変化させた以外は、実施例１と同
様にして試料を得た。
また、比較例２として、最初の調合時に、ＢａＣＯ３、
Ｔｉ ０２ 、Ｓｒ ＣＯ：＋ 、Ｙ２０ｚに加えてＳ
ｉｎ、とＭｎ、０３を調合し、実施例２と最終組成が同
じとなるようにした。そして、Ｂａ２（Ｔｉｏ、＋ｓＭ
ｎｏ、ｏｓ）Ｓ Ｌ Ｏｓを後工程で添加することを省
略した以外は、実施例２と同様の方法で試料を得た。
Ｔｉ ０２ 、Ｓｒ ＣＯ：＋ 、Ｙ２０ｚに加えてＳ
ｉｎ、とＭｎ、０３を調合し、実施例２と最終組成が同
じとなるようにした。そして、Ｂａ２（Ｔｉｏ、＋ｓＭ
ｎｏ、ｏｓ）Ｓ Ｌ Ｏｓを後工程で添加することを省
略した以外は、実施例２と同様の方法で試料を得た。
実施例２および比較例２で得られた試料について、Ｂ
ａｚ （Ｔ Ｉ ｏ、ｑｓＭｎｏ、＋＋ｓ） Ｓ ｉ
ｚ Ｏａの添加量を変化させたときの抵抗温度係数を測
定して第３図に示し、また室温における比抵抗を測定し
て第４図に示した。
ａｚ （Ｔ Ｉ ｏ、ｑｓＭｎｏ、＋＋ｓ） Ｓ ｉ
ｚ Ｏａの添加量を変化させたときの抵抗温度係数を測
定して第３図に示し、また室温における比抵抗を測定し
て第４図に示した。
第３図かられかるように、比較例２で得られた試料より
実施例２で得られた試料のほうが抵抗温度係数が大きく
、特にＢ ａ ｚ （Ｔ Ｉ Ｉ−Ｘ Ｍ ｎ ｘ
）Ｓｉ２０．の添加量を０．１モル％以上にすることに
よって、実用上必要となる１０％／℃以上の抵抗温度係
数を得ることができる。
実施例２で得られた試料のほうが抵抗温度係数が大きく
、特にＢ ａ ｚ （Ｔ Ｉ Ｉ−Ｘ Ｍ ｎ ｘ
）Ｓｉ２０．の添加量を０．１モル％以上にすることに
よって、実用上必要となる１０％／℃以上の抵抗温度係
数を得ることができる。
また、第４図かられかるように、室温における比抵抗は
Ｂ ａｚ （Ｔ ｔ ｌ−Ｘ ＭｎＸ） Ｓ ｉ ｚ
Ｏｓの添加量とともに大きくなるが、実施例２で得ら
れた試料のほうが比抵抗が小さく、特にＢａｇ（Ｔ１１
−ｘ ＭｎＸ）Ｓ ｉｚ Ｏｓの添加量が２モル％以下
で小さい比抵抗が得られる。
Ｂ ａｚ （Ｔ ｔ ｌ−Ｘ ＭｎＸ） Ｓ ｉ ｚ
Ｏｓの添加量とともに大きくなるが、実施例２で得ら
れた試料のほうが比抵抗が小さく、特にＢａｇ（Ｔ１１
−ｘ ＭｎＸ）Ｓ ｉｚ Ｏｓの添加量が２モル％以下
で小さい比抵抗が得られる。
このように、この発明の方法で製造された半導体磁器は
、大きい抵抗温度係数を有し、しかも室温において小さ
い比抵抗を有する。
、大きい抵抗温度係数を有し、しかも室温において小さ
い比抵抗を有する。
第１図は実施例１で得られた試料と比較例１で得られた
試料との抵抗温度係数を示すグラフである。 第２図は実施例１で得られた試料と比較例１で得られた
試料との室温における比抵抗を示すグラフである。 第３図は実施例２で得られた試料と比較例２で得られた
試料との抵抗温度係数を示すグラフである。 第４図は実施例２で得られた試料と比較例２で得られた
試料との室温における比抵抗を示すグラフである。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 Ｌｌ ＠！ｌ １１穂亡４沢諭≦ 目 く 名 Ｑつ 沫 城≦！ｌ趣さね丈 し
試料との抵抗温度係数を示すグラフである。 第２図は実施例１で得られた試料と比較例１で得られた
試料との室温における比抵抗を示すグラフである。 第３図は実施例２で得られた試料と比較例２で得られた
試料との抵抗温度係数を示すグラフである。 第４図は実施例２で得られた試料と比較例２で得られた
試料との室温における比抵抗を示すグラフである。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 Ｌｌ ＠！ｌ １１穂亡４沢諭≦ 目 く 名 Ｑつ 沫 城≦！ｌ趣さね丈 し
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法において、 半導体化剤を含んだチタン酸バリウムと平均組成がＢａ
＿２（Ｔｉ＿１＿−＿ｘＭｎ＿ｘ）Ｓｉ＿２Ｏ＿６（た
だし、０．０１≦ｘ≦０．２）の物質とを混合したのち
、焼成することを特徴とする、半導体磁器の製造方法。 ２ 前記Ｂａ＿２（Ｔｉ＿１＿−＿ｘＭｎ＿ｘ）Ｓｉ＿
２Ｏ＿６の物質は、前記半導体化剤を含んだチタン酸バ
リウムに対して、０．１〜２モル％混合される、特許請
求の範囲第１項記載の半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238200A JP3023920B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238200A JP3023920B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04119964A true JPH04119964A (ja) | 1992-04-21 |
| JP3023920B2 JP3023920B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17026645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2238200A Expired - Lifetime JP3023920B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023920B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2238200A patent/JP3023920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3023920B2 (ja) | 2000-03-21 |
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Legal Events
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