JPH04154661A - 半導体磁器およびその製造方法 - Google Patents
半導体磁器およびその製造方法Info
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- JPH04154661A JPH04154661A JP2279557A JP27955790A JPH04154661A JP H04154661 A JPH04154661 A JP H04154661A JP 2279557 A JP2279557 A JP 2279557A JP 27955790 A JP27955790 A JP 27955790A JP H04154661 A JPH04154661 A JP H04154661A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体磁器およびその製造方法に関し、特に
正の抵抗温度係数を有し、たとえば回路の過電流保護用
やテレビのブラウン前枠の消磁用など多くの用途に使用
されるＢａＴｉＯ３系の半導体磁器およびその製造方法
に関する。
正の抵抗温度係数を有し、たとえば回路の過電流保護用
やテレビのブラウン前枠の消磁用など多くの用途に使用
されるＢａＴｉＯ３系の半導体磁器およびその製造方法
に関する。
（従来技術）
正の抵抗温度係数を有するＢａＴｉＯ．系の半導体磁器
は、キュリ点以上で抵抗値が急激に増加するため、回路
の過電流保護用やテレビのブラウン前枠の消磁用などさ
まざまな用途に使用されている。
は、キュリ点以上で抵抗値が急激に増加するため、回路
の過電流保護用やテレビのブラウン前枠の消磁用などさ
まざまな用途に使用されている。
従来、この種の半導体磁器の製造方法としては、焼成体
を還元処理した後、再酸化処理する方法が提案されてい
た。
を還元処理した後、再酸化処理する方法が提案されてい
た。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、焼成体を還元再酸化処理するのみで製造
された半導体磁器は、再酸化処理が不十分だと耐電圧が
低く、再酸化処理の強度が強いと室温での比抵抗が高（
、これらの点で、従来の正の抵抗温度係数を有するＢ
ａ Ｔ ｉ Ｏｓ系の半導体磁器は、実用上問題があっ
た。
された半導体磁器は、再酸化処理が不十分だと耐電圧が
低く、再酸化処理の強度が強いと室温での比抵抗が高（
、これらの点で、従来の正の抵抗温度係数を有するＢ
ａ Ｔ ｉ Ｏｓ系の半導体磁器は、実用上問題があっ
た。
それゆえに、この発明の主たる目的は、耐電圧の高い、
正の抵抗温度係数を有するＢａＴｉＯ゜系の半導体磁器
およびその製造方法を提供することである。
正の抵抗温度係数を有するＢａＴｉＯ゜系の半導体磁器
およびその製造方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる半導体磁器は、正の抵抗温度係数を有
するＢａＴｉＯｚ系の半導体磁器において、半導体磁器
の焼成体の平均粒径が１０Ｉ！ｍ以下であり、焼成体の
抵抗値が、焼成体の表面から内部に向けて連続的に低下
する、半導体磁器である。
するＢａＴｉＯｚ系の半導体磁器において、半導体磁器
の焼成体の平均粒径が１０Ｉ！ｍ以下であり、焼成体の
抵抗値が、焼成体の表面から内部に向けて連続的に低下
する、半導体磁器である。
この発明にかかる半導体磁器の製造方法は、正の抵抗温
度係数を有するＢａＴｉＯ３系の半導体磁器の製造方法
において、平均粒径が１０μｍ以下の焼成体を還元処理
した後と、酸素を含む雰囲気中で５時間以内の時間で再
酸化処理をする、半導体磁器の製造方法である。
度係数を有するＢａＴｉＯ３系の半導体磁器の製造方法
において、平均粒径が１０μｍ以下の焼成体を還元処理
した後と、酸素を含む雰囲気中で５時間以内の時間で再
酸化処理をする、半導体磁器の製造方法である。
（作用）
焼成体に定電流が流れた場合、発熱量は電流の２乗と抵
抗との積に比例するため、内部で抵抗値の異なる焼成体
では、抵抗値の高い部分の方が発熱量が大きい。したが
って、抵抗値が焼成体の表面から焼成体の内部に向けて
連続的に低下するような構造の半導体磁器とすることに
よって、放熱しやすい表面部での発熱量が大きくなり、
焼成体全体の温度が低く抑えられ、熱暴走による破壊電
圧が向上する。
抗との積に比例するため、内部で抵抗値の異なる焼成体
では、抵抗値の高い部分の方が発熱量が大きい。したが
って、抵抗値が焼成体の表面から焼成体の内部に向けて
連続的に低下するような構造の半導体磁器とすることに
よって、放熱しやすい表面部での発熱量が大きくなり、
焼成体全体の温度が低く抑えられ、熱暴走による破壊電
圧が向上する。
また、平均粒径が１０μｍ以下の焼成体を還元処理した
後、酸素を含む雰囲気中で５時間以内の時間で再酸化処
理することによって、焼成体の表面近傍のみを再酸化し
高抵抗化できるので、上述のような構造の半導体磁器が
製造される。
後、酸素を含む雰囲気中で５時間以内の時間で再酸化処
理することによって、焼成体の表面近傍のみを再酸化し
高抵抗化できるので、上述のような構造の半導体磁器が
製造される。
（発明の効果）
この発明によれば、正の抵抗温度係数を有するＢａＴｉ
Ｏ３系の半導体磁器の耐電圧を大幅に高めることができ
る。
Ｏ３系の半導体磁器の耐電圧を大幅に高めることができ
る。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
まず、（Ｂ ａｏ、ｑａｂ Ｓ ｒｏ、ｏｓＹｏ、ｏｏ
ｎ ） Ｔ ｉ ０３ ＋０．００１Ｍｎ＋Ｏ，０ＬＳ
ｉＯ，（−Ｅ／Ｌ／比）の組成となるように、ＢａＣＯ
３、Ｔ ｉｏ２゜ＳｒＣＯ２、Ｙ２０＊ 、Ｍｎｚ ０
３およびＳｉＯ２を秤量した。これらを純水およびジル
コニアボールとともにポリエチレン製ポットに入れて、
５時間粉砕混合した後、乾燥し、１１００℃で２時間仮
焼して仮焼粉を得た。
ｎ ） Ｔ ｉ ０３ ＋０．００１Ｍｎ＋Ｏ，０ＬＳ
ｉＯ，（−Ｅ／Ｌ／比）の組成となるように、ＢａＣＯ
３、Ｔ ｉｏ２゜ＳｒＣＯ２、Ｙ２０＊ 、Ｍｎｚ ０
３およびＳｉＯ２を秤量した。これらを純水およびジル
コニアボールとともにポリエチレン製ポットに入れて、
５時間粉砕混合した後、乾燥し、１１００℃で２時間仮
焼して仮焼粉を得た。
この仮焼粉を純水およびジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポットに入れて、２５時間粉砕して、平均粒
径０．７μｍとし乾燥した。その後、それに酢酸ビニル
系のバインダを５ｗｔ％混合して、純水とめのうととも
にポリエチレン製ボンド中で５時間部合し、乾燥造粒し
た。
エチレン製ポットに入れて、２５時間粉砕して、平均粒
径０．７μｍとし乾燥した。その後、それに酢酸ビニル
系のバインダを５ｗｔ％混合して、純水とめのうととも
にポリエチレン製ボンド中で５時間部合し、乾燥造粒し
た。
次に、プレス成形機によって、直径１７ｍｍ。
厚さ３ｍｍの成形体を作製し、１３５０℃で１時間焼成
した。
した。
この焼成体をＨ，／Ｎ、＝０．０５の雰囲気中において
１２００℃で２時間の還元処理した後、大気中で１１．
５０℃の再酸化処理を行い、実施例１とした。なお、再
酸化処理時間は、１０分から１００時間まで変化させ、
再酸化処理温度は、１０００〜１３００℃の範囲で変え
た。
１２００℃で２時間の還元処理した後、大気中で１１．
５０℃の再酸化処理を行い、実施例１とした。なお、再
酸化処理時間は、１０分から１００時間まで変化させ、
再酸化処理温度は、１０００〜１３００℃の範囲で変え
た。
また、仮焼粉を粉砕する工程において粉砕時間を１５時
間とし平均粒径１．０μｍまで粉砕したこと以外は実施
例１と同様にして、実施例２とした。
間とし平均粒径１．０μｍまで粉砕したこと以外は実施
例１と同様にして、実施例２とした。
さらに、仮焼粉を粉砕する工程において粉砕時間を８時
間とし平均粒径１．５μｍまで粉砕したこと以外は実施
例１と同様にして、実施例３とした。
間とし平均粒径１．５μｍまで粉砕したこと以外は実施
例１と同様にして、実施例３とした。
そして、仮焼粉を粉砕する工程を省略したこと以外は実
施例Ｉと同様にして、比較例１とした。
施例Ｉと同様にして、比較例１とした。
ここで、実施例Ｉについて焼成体の表面から内部の各部
の抵抗を測定した。その抵抗値の変化を第１図にグラフ
で示す。第１図に示すグラフから明らかなように、５時
間以内の再酸化処理では、抵抗値が表面から内部に向か
って徐々に減少している。
の抵抗を測定した。その抵抗値の変化を第１図にグラフ
で示す。第１図に示すグラフから明らかなように、５時
間以内の再酸化処理では、抵抗値が表面から内部に向か
って徐々に減少している。
次に、実施例１〜３および比較例１の焼成体の両生面に
Ｉｎ−Ｑａ電極を塗布して、室温抵抗および耐電圧を測
定した。再酸化時間と測定した耐電圧との関係を第２図
にグラフで示す。なお、再酸化処理時の温度は、室温抵
抗が実用上必要とされる１０Ω・ｃｍとなる温度とした
。また、第２図中に各焼成体の平均粒径も示す。
Ｉｎ−Ｑａ電極を塗布して、室温抵抗および耐電圧を測
定した。再酸化時間と測定した耐電圧との関係を第２図
にグラフで示す。なお、再酸化処理時の温度は、室温抵
抗が実用上必要とされる１０Ω・ｃｍとなる温度とした
。また、第２図中に各焼成体の平均粒径も示す。
第２図に示すグラフから明らかなように、平均粒径が１
０μｍ以下の実施例１〜３では、再酸化時間を５時間以
内の短時間で酸化処理した試料、すなわち焼成体の表面
から内部に向かって抵抗値が連続的に減少している試料
では、耐電圧が１００Ｖ／ｍｍ以上に向上していること
がわかる。
０μｍ以下の実施例１〜３では、再酸化時間を５時間以
内の短時間で酸化処理した試料、すなわち焼成体の表面
から内部に向かって抵抗値が連続的に減少している試料
では、耐電圧が１００Ｖ／ｍｍ以上に向上していること
がわかる。
第１図は実施例１における焼成体の表面から内部の抵抗
値の変化を示すグラフである。 第２図は実施例１〜３および比較例１の焼成体における
再酸化時間と耐電圧との関係を示すグラフである。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１図 ！ 第２図 再酸化時間（時間）
値の変化を示すグラフである。 第２図は実施例１〜３および比較例１の焼成体における
再酸化時間と耐電圧との関係を示すグラフである。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１図 ！ 第２図 再酸化時間（時間）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正の抵抗温度係数を有するＢａＴｉＯ＿３系の半導
体磁器において、 前記半導体磁器の焼成体の平均粒径が１０μｍ以下であ
り、前記焼成体の抵抗値が、前記焼成体の表面から内部
に向けて連続的に低下することを特徴とする、半導体磁
器。 ２ 正の抵抗温度係数を有するＢａＴｉＯ＿３系の半導
体磁器の製造方法において、 平均粒径が１０μｍ以下の焼成体を還元処理した後、酸
素を含む雰囲気中で５時間以内の時間で再酸化処理をす
ることを特徴とする、半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2279557A JPH04154661A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 半導体磁器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2279557A JPH04154661A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 半導体磁器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154661A true JPH04154661A (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=17612633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2279557A Pending JPH04154661A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 半導体磁器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04154661A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1065219C (zh) * | 1995-06-23 | 2001-05-02 | 株式会社村田制作所 | 半导体瓷器及其制造方法 |
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
| CN103641463A (zh) * | 2013-12-05 | 2014-03-19 | 湖南省新化县长江电子有限责任公司 | 一种汽车防爆保险丝用瓷管及其制造方法 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2279557A patent/JPH04154661A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1065219C (zh) * | 1995-06-23 | 2001-05-02 | 株式会社村田制作所 | 半导体瓷器及其制造方法 |
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
| CN103641463A (zh) * | 2013-12-05 | 2014-03-19 | 湖南省新化县长江电子有限责任公司 | 一种汽车防爆保险丝用瓷管及其制造方法 |
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