JPH09162010A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH09162010A JPH09162010A JP7321410A JP32141095A JPH09162010A JP H09162010 A JPH09162010 A JP H09162010A JP 7321410 A JP7321410 A JP 7321410A JP 32141095 A JP32141095 A JP 32141095A JP H09162010 A JPH09162010 A JP H09162010A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- niobium
- oxide
- positive temperature
- thyristor
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 正特性サーミスタの製造方法において、抵抗
値のばらつきが小さく、かつ、抵抗温度係数の大きなも
のが得られる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体化元素として添加するニオブの原
材料にＴｉＮｂ2Ｏ7を用いることにより、原材料の混合
時にＴｉＮｂ2Ｏ7が均一に混合されるためにニオブ原子
の分布が均一な正特性サーミスタ磁器が得られる。
値のばらつきが小さく、かつ、抵抗温度係数の大きなも
のが得られる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体化元素として添加するニオブの原
材料にＴｉＮｂ2Ｏ7を用いることにより、原材料の混合
時にＴｉＮｂ2Ｏ7が均一に混合されるためにニオブ原子
の分布が均一な正特性サーミスタ磁器が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の温度で抵抗
値が急激に増加を示す特徴を有し、定温発熱体素子、電
流制御用素子などに広く応用されている正特性サーミス
タの製造方法に関するものである。
値が急激に増加を示す特徴を有し、定温発熱体素子、電
流制御用素子などに広く応用されている正特性サーミス
タの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の正特性サーミスタの製造方
法について説明する。
法について説明する。
【０００３】従来の正特性サーミスタは、炭酸バリウ
ム、酸化チタンなどの主原料と、酸化鉛、酸化アルミニ
ウム、酸化ケイ素などの添加物と、酸化ニオブなどの微
量の半導体化元素とを秤量配合する。混合は、これらを
均一に分散させるため湿式により行い、仮焼により主成
分のチタン酸バリウムが形成される。その後、一般的な
磁器の製造方法による粉砕、造粒、成形を行い、大気中
で焼成して目的の正特性サーミスタを得ている。
ム、酸化チタンなどの主原料と、酸化鉛、酸化アルミニ
ウム、酸化ケイ素などの添加物と、酸化ニオブなどの微
量の半導体化元素とを秤量配合する。混合は、これらを
均一に分散させるため湿式により行い、仮焼により主成
分のチタン酸バリウムが形成される。その後、一般的な
磁器の製造方法による粉砕、造粒、成形を行い、大気中
で焼成して目的の正特性サーミスタを得ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の製造方法では、半導体化元素である酸化ニオブの添加
量は極く微量であるため、湿式による混合だけではこの
酸化ニオブを均一に分散することが難しく、正特性サー
ミスタの内部におけるニオブ原子の分布が不均一にな
る。このため、半導体化の進行度合が内部で不均質にな
り易く、焼成条件のわずかな差が室温における抵抗値の
ばらつきを大きくしたり、また抵抗値が急激に増加する
温度における抵抗温度係数αの大きなものが得難いとい
う問題点を有していた。
の製造方法では、半導体化元素である酸化ニオブの添加
量は極く微量であるため、湿式による混合だけではこの
酸化ニオブを均一に分散することが難しく、正特性サー
ミスタの内部におけるニオブ原子の分布が不均一にな
る。このため、半導体化の進行度合が内部で不均質にな
り易く、焼成条件のわずかな差が室温における抵抗値の
ばらつきを大きくしたり、また抵抗値が急激に増加する
温度における抵抗温度係数αの大きなものが得難いとい
う問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、正特性サーミスタの内部におけるニオブ原子の分布
を均一にし、抵抗値のばらつきを小さくするとともに、
抵抗温度係数αの大きい優れた正特性サーミスタ磁器が
得られる製造方法を提供することを目的とする。
で、正特性サーミスタの内部におけるニオブ原子の分布
を均一にし、抵抗値のばらつきを小さくするとともに、
抵抗温度係数αの大きい優れた正特性サーミスタ磁器が
得られる製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、半導体化元
素として用いるニオブの原材料に、ＴｉＮｂ2Ｏ7を用い
るものである。
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、半導体化元
素として用いるニオブの原材料に、ＴｉＮｂ2Ｏ7を用い
るものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１のごとくＴｉＮ
ｂ2Ｏ7を用いることにより、一定量のニオブを添加する
時、従来の製造方法である酸化ニオブのみを添加する方
法よりもニオブ化合物の嵩が大きくなるために添加量を
多くすることができ、微量な添加物であるニオブを均一
に混合することが容易となる。したがって、焼成後の正
特性サーミスタ磁器においてもニオブ原子が均一に分布
し、抵抗値のばらつきが小さくなるとともに抵抗温度係
数も大きくなる。
ｂ2Ｏ7を用いることにより、一定量のニオブを添加する
時、従来の製造方法である酸化ニオブのみを添加する方
法よりもニオブ化合物の嵩が大きくなるために添加量を
多くすることができ、微量な添加物であるニオブを均一
に混合することが容易となる。したがって、焼成後の正
特性サーミスタ磁器においてもニオブ原子が均一に分布
し、抵抗値のばらつきが小さくなるとともに抵抗温度係
数も大きくなる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。本
実施例においては、正特性サーミスタの組成式（化１）
において、ｘを種々変えた正特性サーミスタ磁器を以下
のように作製した。
実施例においては、正特性サーミスタの組成式（化１）
において、ｘを種々変えた正特性サーミスタ磁器を以下
のように作製した。
【０００９】
【化１】
【００１０】まず、所定の組成となるように、炭酸バリ
ウム、酸化鉛、酸化チタン、酸化ニオブ、ニオブ酸チタ
ン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、硝酸マンガンを秤
量し、これらを混合した後、仮焼、粉砕を行い、円板状
に成形した。そして、最大１３８０℃の大気中で焼成
し、直径１４mm、厚さ２．５mmの円板状の正特性サーミ
スタ磁器を得た。これにアルミニウム溶射により電極を
設け、抵抗値とそのばらつき、および、抵抗温度係数を
測定した。
ウム、酸化鉛、酸化チタン、酸化ニオブ、ニオブ酸チタ
ン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、硝酸マンガンを秤
量し、これらを混合した後、仮焼、粉砕を行い、円板状
に成形した。そして、最大１３８０℃の大気中で焼成
し、直径１４mm、厚さ２．５mmの円板状の正特性サーミ
スタ磁器を得た。これにアルミニウム溶射により電極を
設け、抵抗値とそのばらつき、および、抵抗温度係数を
測定した。
【００１１】また、従来例として、ＴｉＮｂ2Ｏ7を用い
ない場合の試料を作製し、本実施例と同様の測定を行っ
た。
ない場合の試料を作製し、本実施例と同様の測定を行っ
た。
【００１２】本実施例および従来例の試料の抵抗値とそ
のばらつきおよび、抵抗温度係数の測定結果を（表１）
に示す。
のばらつきおよび、抵抗温度係数の測定結果を（表１）
に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】なお、（表１）において、ｘは上記組成式
（化１）におけるｘ値、抵抗値は各試料について２０個
の抵抗値の平均値、ばらつきは、抵抗値の標準偏差と平
均値との比である変動係数で示している。さらに、試料
番号１〜７は本発明によるもの、８は従来例である。
（化１）におけるｘ値、抵抗値は各試料について２０個
の抵抗値の平均値、ばらつきは、抵抗値の標準偏差と平
均値との比である変動係数で示している。さらに、試料
番号１〜７は本発明によるもの、８は従来例である。
【００１５】この（表１）から明らかなように、本実施
例による正特性サーミスタ磁器は、抵抗値のばらつきが
小さく、かつ、抵抗温度係数が大きい優れた特性を有す
る。
例による正特性サーミスタ磁器は、抵抗値のばらつきが
小さく、かつ、抵抗温度係数が大きい優れた特性を有す
る。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分とし、ニオブを半導体化元素に用いる正特性
サーミスタの製造方法において、ニオブの原材料にＴｉ
Ｎｂ2Ｏ7を用いることにより、抵抗値のばらつきが小さ
く、かつ、抵抗温度係数が大きい優れた正特性サーミス
タが得られるものである。
ムを主成分とし、ニオブを半導体化元素に用いる正特性
サーミスタの製造方法において、ニオブの原材料にＴｉ
Ｎｂ2Ｏ7を用いることにより、抵抗値のばらつきが小さ
く、かつ、抵抗温度係数が大きい優れた正特性サーミス
タが得られるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とする正特性
サーミスタの製造方法において、半導体化元素としてニ
オブを添加する際、ニオブの原材料としてＴｉＮｂ2Ｏ7
を用いることを特徴とする正特性サーミスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321410A JPH09162010A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321410A JPH09162010A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162010A true JPH09162010A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18132243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321410A Pending JPH09162010A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103545495A (zh) * | 2012-07-12 | 2014-01-29 | 株式会社东芝 | 活性材料、非水电解质电池和电池组 |
| CN113206240A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-08-03 | 华中科技大学 | 一种（010）晶面优先生长的TiNb2O7材料及其制备方法和应用 |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP7321410A patent/JPH09162010A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103545495A (zh) * | 2012-07-12 | 2014-01-29 | 株式会社东芝 | 活性材料、非水电解质电池和电池组 |
| CN113206240A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-08-03 | 华中科技大学 | 一种（010）晶面优先生长的TiNb2O7材料及其制备方法和应用 |
| CN113206240B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-09-16 | 华中科技大学 | 一种(010)晶面优先生长的TiNb2O7材料及其制备方法和应用 |
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