JPH0714703A - 正特性サーミスタ磁器の製造方法 - Google Patents

正特性サーミスタ磁器の製造方法

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JPH0714703A
JPH0714703A JP5155096A JP15509693A JPH0714703A JP H0714703 A JPH0714703 A JP H0714703A JP 5155096 A JP5155096 A JP 5155096A JP 15509693 A JP15509693 A JP 15509693A JP H0714703 A JPH0714703 A JP H0714703A
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JP
Japan
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oxide
ceramic
room temperature
temperature resistance
yttrium
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Application number
JP5155096A
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Inventor
Susumu Matsushima
奨 松島
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 正特性サーミスタ磁器の製造方法において、
抵抗値のばらつきが小さく、昇圧耐圧特性に優れたもの
が得られる製造方法を提供する。 【構成】 半導体化元素として添加するイットリウムの
原材料にＢａＹ2Ｏ4を用いることにより、焼結時の粒成
長が均一に進行され、且つイットリウム原子の分布が均
一になる正特性サーミスタ磁器が得られる。これによ
り、抵抗値のばらつきが小さく、また昇圧耐圧特性にも
優れたものを得ることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温風ヒータなどの自己
温度制御発熱体やテレビ受像機の消磁回路のスイッチン
グ素子などに用いられる、特定の温度で抵抗値が急激に
増加する正特性サーミスタ磁器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の正特性サーミスタ磁器の製
造方法について説明する。従来の正特性サーミスタ磁器
は、主成分である炭酸バリウム及び酸化チタンと、添加
物である酸化鉛、酸化イットリウム、酸化アルミニウム
及び酸化硅素などとを秤量・混合し、仮焼、粉砕、造
粒、成形の後、大気中で焼成する方法により製造されて
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の製造方法では、半導体化元素である酸化イットリウ
ムの添加量は極く微量であるため、混合時における酸化
イットリウムの均一分散が難しく、成形時においてもイ
ットリウム原子の不均一分布が生じ、焼結進行時に均一
粒成長を妨げる原因となる。一般に半導体化の進行は粒
成長と同時に進行するとされており、イットリウム原子
が不均一分布で均一粒成長を妨げられることによって、
粒子径にばらつきが生じ、室温抵抗値のばらつきが非常
に大きくなってしまうという問題点を有していた。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、正特性サーミスタ磁器の粒成長を均一に進行させる
ことが可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さくし、
且つ昇圧耐圧特性も向上する優れた正特性サーミスタ磁
器が得られる製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタ磁器の製造方法は、半導体
化元素として用いるイットリウムの原材料として、Ｂａ
Ｙ2Ｏ4を用いるものである。
【０００６】
【作用】このＢａＹ2Ｏ4を用いることにより、成形体内
部のイットリウム原子の分布が不均一となっても焼結時
の粒成長を均一に進行させることが可能となり、室温抵
抗値のばらつきを小さくし、且つ昇圧耐圧特性を向上さ
せることができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【０００８】正特性サーミスタ磁器の組成式Ｂａ0.8Ｐ
ｂ0.2ＴｉＯ3−ｘＢａＹ2Ｏ4−０．０２ＳｉＯ2−０．
００１Ａｌ2Ｏ3−０．００３ＭｎＯ2（ただしｘはモル
数で０＜ｘ≦０．００２である）において、ｘを種々変
えた正特性サーミスタ磁器を次のようにして作製した。
先ず所定の組成となるように、炭酸バリウム、酸化鉛、
酸化チタン、イットリウム酸バリウム（ＢａＹ2Ｏ4）、
酸化硅素、酸化アルミニウム及び二酸化マンガンを秤量
し、これらを混合した後、仮焼、粉砕を行った。さらに
所望の形状に成形し、最大１４００℃の大気中で焼成
し、直径１３mm、厚さ２．５mmの円板状の正特性サーミ
スタ磁器を得た。これに金属アルミニウムを融着させる
ことにより電極を形成して測定用の試料とし、室温抵抗
値のばらつき及び昇圧耐圧を測定した。
【０００９】また従来例として、上記組成式におけるＢ
ａＹ2Ｏ4を用いない場合（Ｙ2Ｏ3を用いた場合）の試料
も作製し、本実施例と同様の測定を行った。なお、ｘが
０．００２を超える場合は室温抵抗値が非常に大きくな
り、正特性サーミスタ磁器として適さなくなるために除
外した。これらの本実施例及び従来例の試料の室温抵抗
値のばらつき及び昇圧耐圧の測定結果を（表１）に示
す。
【００１０】
【表１】
【００１１】なお、（表１）においてＮｏ．は試料番
号、ｘは上記組成式におけるｘ値、Ｒ 25は各試料につい
て５０個の室温抵抗値の平均値、ばらつきはその室温抵
抗値の標準偏差とＲ25との比をパーセントで示したも
の、昇圧耐圧は２０Ｖステップで各試料に３０秒間印加
しながら徐々に電圧を上げ、試料が破壊した電圧値を示
している。さらに試料番号（１）〜（８）は本発明によ
るもの、（９）〜（１６）は従来例である。
【００１２】この（表１）から明らかなように、本実施
例による正特性サーミスタ磁器は、室温抵抗値のばらつ
きが小さく、且つ昇圧耐圧特性が優れているという、優
れた効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分とし、イットリウムを半導体化元素に用いる
正特性サーミスタ磁器の製造方法において、イットリウ
ム添加の原材料にＢａＹ2Ｏ4を用いることにより、室温
抵抗値のばらつきが小さく、且つ昇圧耐圧特性に優れた
正特性サーミスタ磁器が得られるものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とし、半導体
    化元素としてイットリウムを添加する正特性サーミスタ
    磁器の製造方法において、前記イットリウムの原材料と
    して、ＢａＹ2Ｏ4を用いることを特徴とする正特性サー
    ミスタ磁器の製造方法。
JP5155096A 1993-06-25 1993-06-25 正特性サーミスタ磁器の製造方法 Pending JPH0714703A (ja)

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