JPH04113621A - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
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- JPH04113621A JPH04113621A JP2233537A JP23353790A JPH04113621A JP H04113621 A JPH04113621 A JP H04113621A JP 2233537 A JP2233537 A JP 2233537A JP 23353790 A JP23353790 A JP 23353790A JP H04113621 A JPH04113621 A JP H04113621A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はｄＲＡＭ等の容量絶縁膜の形成および処理を行
なう装置に関するものであム 従来の技術 従ｉ ｄＲＡＭのメモリセルはｌトランジスタと１キ
ヤパシタ（容量）構成からなっており、このキャパシタ
部分の容量絶縁膜にはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜
の２層構造が用いられていも発明が解決しようとする課
題 しかし かかる構成によれば 容量電極を形成する装置
と、シリコン窒化膜を形成する装置と、シリコン窒化膜
を酸化してシリコン酸化膜を形成する装置とが分離して
いも このためキャパシタを形成するには 例えば容量
電極のポリシリコン膜を形成した後シリコン窒化膜を形
成する間に大気中にさらされて、ポリシリコン表面に自
然酸化膜が形成されるため容量絶縁膜の厚みの制御性が
悪くなるといった問題東 シリコン窒化膜を形成抵 酸
化するのに大気中にさらされたり、別の装置に運ぶため
にダスト付着が生じて、容量絶縁膜にピンホールや突起
が生じるといった問題が発生すム 本発明は上述の問題点に鑑みてなされ 余分な自然酸化
膜やピンホー＆ 突起を生じさせないキャパシタの容
量絶縁膜を作成できる膜形成および処理装置を提供する
ことを目的とす４ 課題を解決するための手段 本発明は上述の問題点を解決するた敢 シリコン窒化膜
を膜形成装置にて形成機 同じ膜形成装置を処理装置と
して用いて窒化膜を酸化させる力＼膜形成装置にてポリ
シリコン電極とシリコン窒化膜を形成機 同じ膜形成装
置を処理装置として用いて窒化膜を酸化させる力＼ あ
るいは独立に設けた膜形成装置と酸化処理装置の間を減
圧下で移送する構成を備えたものであａ 作用 本発明は上述の構成によって、シリコン窒化膜と同一の
膜形成装置で連続的に窒化膜表面を酸化させるかまたは
膜形成装置から減圧下で酸化処理装置に移送するため
に大気にさらされることがなく、余分な自然酸化膜の形
成やダスト付着によるピンホール等の発生を極めて低く
抑えることが可能とな４ 実施例 （実施例１） 第１図は本発明の一実施例による膜形成および処理装置
の概略構成図を示す。同図に於て、石英でできた基板ホ
ルダー１０に基板ＩＩが掲載され外周に加熱ヒーター１
２を持つ石英チューブ１３中に設置されも 該石英チュ
ーブ１３はマスフローコントローラ（図中ＭＦＣと記載
）を介して反応ガスを導入する反応ガス導入系１４と、
４方弁を介して排気ポンプ１６、１７、１８に接続さ
れていも 本発明装置で３基のポンプを設置しているの
１よ ５ｉＨ＝、ＮＨ３および０２の影響を除き、爆発
等の安全上の問題を解決するためであムこのような装置
を用いて容量絶縁膜を形成する際のプロセスフローを第
２図に示す。
なう装置に関するものであム 従来の技術 従ｉ ｄＲＡＭのメモリセルはｌトランジスタと１キ
ヤパシタ（容量）構成からなっており、このキャパシタ
部分の容量絶縁膜にはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜
の２層構造が用いられていも発明が解決しようとする課
題 しかし かかる構成によれば 容量電極を形成する装置
と、シリコン窒化膜を形成する装置と、シリコン窒化膜
を酸化してシリコン酸化膜を形成する装置とが分離して
いも このためキャパシタを形成するには 例えば容量
電極のポリシリコン膜を形成した後シリコン窒化膜を形
成する間に大気中にさらされて、ポリシリコン表面に自
然酸化膜が形成されるため容量絶縁膜の厚みの制御性が
悪くなるといった問題東 シリコン窒化膜を形成抵 酸
化するのに大気中にさらされたり、別の装置に運ぶため
にダスト付着が生じて、容量絶縁膜にピンホールや突起
が生じるといった問題が発生すム 本発明は上述の問題点に鑑みてなされ 余分な自然酸化
膜やピンホー＆ 突起を生じさせないキャパシタの容
量絶縁膜を作成できる膜形成および処理装置を提供する
ことを目的とす４ 課題を解決するための手段 本発明は上述の問題点を解決するた敢 シリコン窒化膜
を膜形成装置にて形成機 同じ膜形成装置を処理装置と
して用いて窒化膜を酸化させる力＼膜形成装置にてポリ
シリコン電極とシリコン窒化膜を形成機 同じ膜形成装
置を処理装置として用いて窒化膜を酸化させる力＼ あ
るいは独立に設けた膜形成装置と酸化処理装置の間を減
圧下で移送する構成を備えたものであａ 作用 本発明は上述の構成によって、シリコン窒化膜と同一の
膜形成装置で連続的に窒化膜表面を酸化させるかまたは
膜形成装置から減圧下で酸化処理装置に移送するため
に大気にさらされることがなく、余分な自然酸化膜の形
成やダスト付着によるピンホール等の発生を極めて低く
抑えることが可能とな４ 実施例 （実施例１） 第１図は本発明の一実施例による膜形成および処理装置
の概略構成図を示す。同図に於て、石英でできた基板ホ
ルダー１０に基板ＩＩが掲載され外周に加熱ヒーター１
２を持つ石英チューブ１３中に設置されも 該石英チュ
ーブ１３はマスフローコントローラ（図中ＭＦＣと記載
）を介して反応ガスを導入する反応ガス導入系１４と、
４方弁を介して排気ポンプ１６、１７、１８に接続さ
れていも 本発明装置で３基のポンプを設置しているの
１よ ５ｉＨ＝、ＮＨ３および０２の影響を除き、爆発
等の安全上の問題を解決するためであムこのような装置
を用いて容量絶縁膜を形成する際のプロセスフローを第
２図に示す。
第２図（ａ）に於てトランジスタ領域等が作り込まれた
８１基板２０上に一部を開口したＳｉＯ２膜２１を第１
図に示す膜形成および処理装置の基板ホルダー１０に設
置すム そしてＭＦＣｌよりＨｅ希釈したＳｉＨ４ガ入
ＭＦＣ２より同じくＨｅ希釈したＰＨ，ガスを導入し
加熱ヒーター１２により基板温度を６２０℃に制御し
て、ポンプ１６にて一定の真空度に制御して、第２図（
ａ）のように第１のポリＳｉ電極２２を形成すも続いて
第２図（ｂ）のようにＳｉ窒化膜２３を形成すも この
形成は第１図の装置で第１のポリＳ１電極２２を形成し
た抵 ＭＦＣＩとＭＦＣ２からの反応ガスを止めて残留
ガスを排気した丸加熱ヒーター１２で基板温度を７５０
℃に上昇させて、４方弁１５をポンプ１７側に切り換え
て、ＭＦＣ３からＳｉＨ＊Ｃ１＊ガ入 ＭＦＣ４からＮ
Ｈｓガスを導入してＳｉ窒化膜２３を形成すもそのｉ
ＭＦＣ３とＭＦＣ４からの反応ガスを止めて残留ガス
を排気した爽 加熱ヒーター１２で基板温度を８５０℃
に変化させて、４方弁１５をポンプ１８側に切り換えも
この状態で第２図（ｃ）のＳｉ酸化膜２４を形成する
ためへＭＦＣ５から０２ガスを導入して、Ｓｉ窒化膜２
３表面を酸化してＳｉ酸化膜２４を形成すも この段階
で、容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に形成さ
れも ついで第２図（ｄ）のように容量領域となる部分をフォ
トレジスト２５でパターニングし 同図（ｅ）のように
Ｓｉ酸化膜２４、Ｓｉ窒化膜２３、第１のポリＳｉ電極
２２をエツチングすムさらに第２図（ｆ）でエツチング
したポリＳｉ電極２２側壁部の酸化を行ｔ、Ｘ 同図
（ｇ）のように第２図（ａ）と同じ工程で第２のポリＳ
ｉ電極２６を形成し フォトレジスト２７のバターニン
グを行う。
８１基板２０上に一部を開口したＳｉＯ２膜２１を第１
図に示す膜形成および処理装置の基板ホルダー１０に設
置すム そしてＭＦＣｌよりＨｅ希釈したＳｉＨ４ガ入
ＭＦＣ２より同じくＨｅ希釈したＰＨ，ガスを導入し
加熱ヒーター１２により基板温度を６２０℃に制御し
て、ポンプ１６にて一定の真空度に制御して、第２図（
ａ）のように第１のポリＳｉ電極２２を形成すも続いて
第２図（ｂ）のようにＳｉ窒化膜２３を形成すも この
形成は第１図の装置で第１のポリＳ１電極２２を形成し
た抵 ＭＦＣＩとＭＦＣ２からの反応ガスを止めて残留
ガスを排気した丸加熱ヒーター１２で基板温度を７５０
℃に上昇させて、４方弁１５をポンプ１７側に切り換え
て、ＭＦＣ３からＳｉＨ＊Ｃ１＊ガ入 ＭＦＣ４からＮ
Ｈｓガスを導入してＳｉ窒化膜２３を形成すもそのｉ
ＭＦＣ３とＭＦＣ４からの反応ガスを止めて残留ガス
を排気した爽 加熱ヒーター１２で基板温度を８５０℃
に変化させて、４方弁１５をポンプ１８側に切り換えも
この状態で第２図（ｃ）のＳｉ酸化膜２４を形成する
ためへＭＦＣ５から０２ガスを導入して、Ｓｉ窒化膜２
３表面を酸化してＳｉ酸化膜２４を形成すも この段階
で、容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に形成さ
れも ついで第２図（ｄ）のように容量領域となる部分をフォ
トレジスト２５でパターニングし 同図（ｅ）のように
Ｓｉ酸化膜２４、Ｓｉ窒化膜２３、第１のポリＳｉ電極
２２をエツチングすムさらに第２図（ｆ）でエツチング
したポリＳｉ電極２２側壁部の酸化を行ｔ、Ｘ 同図
（ｇ）のように第２図（ａ）と同じ工程で第２のポリＳ
ｉ電極２６を形成し フォトレジスト２７のバターニン
グを行う。
ついで同図（ｈ）のように第２のポリＳｉ電極２６をエ
ツチングし 容量部分が完成すもこのようにして形成し
た基板内に複数個の容量絶縁膜で、第１のポリＳｉ電極
２２と第２のポリＳｉ電極２６間に電圧を印加したとき
の絶縁不良の歩留と、同一基板内の複数個の容量のバラ
ツキの標準偏差と、 １０回の繰り返し形成での基板内
同一箇所の容量のバラツキの標準偏差を従来例と共に記
載したものを表に示す。
ツチングし 容量部分が完成すもこのようにして形成し
た基板内に複数個の容量絶縁膜で、第１のポリＳｉ電極
２２と第２のポリＳｉ電極２６間に電圧を印加したとき
の絶縁不良の歩留と、同一基板内の複数個の容量のバラ
ツキの標準偏差と、 １０回の繰り返し形成での基板内
同一箇所の容量のバラツキの標準偏差を従来例と共に記
載したものを表に示す。
表 容量絶縁膜の特性
表からも明らかなように本発明によって容量絶縁膜のシ
ョートが減少し 絶縁不良が改善されもこれはＳｉ窒化
膜形成と酸化処理を連続で行うことでダスト付着による
容量絶縁膜のピンホール発生を低く抑えることができる
ためであム また基板内あるいはバッチ間の容量のバラ
ツキを現す標準偏差が従来の半分程度に低く抑えられて
いることがわかム さらに膜形成における基板面内の膜
厚バラツキが数％程度あることからみて、本発明におけ
る標準偏差は膜厚バラツキ程度のきわめて低い値が実現
できへ このように余分な自然酸化膜やピンホー１４
突起を生じさせないことで良好な容量絶縁膜の膜形成
を行うことが出来も（実施例２） 第３図は本発明の他の実施例における膜形成および処理
装置の概略構成図を示す。
ョートが減少し 絶縁不良が改善されもこれはＳｉ窒化
膜形成と酸化処理を連続で行うことでダスト付着による
容量絶縁膜のピンホール発生を低く抑えることができる
ためであム また基板内あるいはバッチ間の容量のバラ
ツキを現す標準偏差が従来の半分程度に低く抑えられて
いることがわかム さらに膜形成における基板面内の膜
厚バラツキが数％程度あることからみて、本発明におけ
る標準偏差は膜厚バラツキ程度のきわめて低い値が実現
できへ このように余分な自然酸化膜やピンホー１４
突起を生じさせないことで良好な容量絶縁膜の膜形成
を行うことが出来も（実施例２） 第３図は本発明の他の実施例における膜形成および処理
装置の概略構成図を示す。
同図（ａ）は装置上面より見た状態を示す。同装置（よ
基板をセットし また取り出すためのロードロック室
３０ （図中Ｌ／Ｌと記載）と、ゲートバルブ３１を介
して基板を移送するためのハンドリングアームを備えた
搬送室３２と、同じく搬送室３２とは各々ゲートバルブ
３１を介したポリＳｉ電極の膜形成室３３と、Ｓｉ窒化
膜形成室３４と、Ｓｉ窒化膜等を酸化する酸化炉３５よ
りなっていも 同図（ｂ）はポリＳｉ電極膜あるいはＳｉ窒化膜の形成
室 または酸化炉の断面の概略図を示も同図に於て、基
板を設置した基板ホルダーｌＯが形成室または炉内に置
かれて加熱ランプ３６によって基板温度は制御されも
そして反応ガス導入系１４から反応ガスが導入され 排
気ポンプ３７によって反応圧力は制御されも この場合
は基板１枚づつの枚葉処理であ４ 本実施例では基板を膜形成装置から減圧下で他の膜形成
装置あるいは酸化処理装置に移送するた数 実施例１と
同様に絶縁不良が改善され また基板内あるいはバッチ
間の容量のバラツキを現す標準偏差が従来の半分程度に
低く抑えられる。特に本実施例での枚葉処理装置のため
に膜形成における基板面内の膜厚バラツキが数％以下と
低く抑えることが可能で絶縁容量のバラツキをきわめて
小さくすることが可能となり、良好な容量絶縁膜の膜形
成を行うことが出来も （実施例３） 第４図は本発明の他の実施例による膜形成および処理装
置の概略構成図を示す。同図は装置上面より見た状態を
示す。第４図の装置（よ 基板をセットし また取り出
すためのロードロック室３０（図中Ｌ／Ｌと記載）と、
ゲートバルブ３１を介して基板を移送するためのハンド
リングアームを備えた搬送室３２と、同じく搬送室３２
とは各々ゲートバルブを介したＳｉ窒化膜形成室３４と
、Ｓｉ窒化膜等を酸化する酸化炉３５よりなっていも 本装置を用いて容量絶縁膜形成時のプロセスフローを第
５図に示す。
基板をセットし また取り出すためのロードロック室
３０ （図中Ｌ／Ｌと記載）と、ゲートバルブ３１を介
して基板を移送するためのハンドリングアームを備えた
搬送室３２と、同じく搬送室３２とは各々ゲートバルブ
３１を介したポリＳｉ電極の膜形成室３３と、Ｓｉ窒化
膜形成室３４と、Ｓｉ窒化膜等を酸化する酸化炉３５よ
りなっていも 同図（ｂ）はポリＳｉ電極膜あるいはＳｉ窒化膜の形成
室 または酸化炉の断面の概略図を示も同図に於て、基
板を設置した基板ホルダーｌＯが形成室または炉内に置
かれて加熱ランプ３６によって基板温度は制御されも
そして反応ガス導入系１４から反応ガスが導入され 排
気ポンプ３７によって反応圧力は制御されも この場合
は基板１枚づつの枚葉処理であ４ 本実施例では基板を膜形成装置から減圧下で他の膜形成
装置あるいは酸化処理装置に移送するた数 実施例１と
同様に絶縁不良が改善され また基板内あるいはバッチ
間の容量のバラツキを現す標準偏差が従来の半分程度に
低く抑えられる。特に本実施例での枚葉処理装置のため
に膜形成における基板面内の膜厚バラツキが数％以下と
低く抑えることが可能で絶縁容量のバラツキをきわめて
小さくすることが可能となり、良好な容量絶縁膜の膜形
成を行うことが出来も （実施例３） 第４図は本発明の他の実施例による膜形成および処理装
置の概略構成図を示す。同図は装置上面より見た状態を
示す。第４図の装置（よ 基板をセットし また取り出
すためのロードロック室３０（図中Ｌ／Ｌと記載）と、
ゲートバルブ３１を介して基板を移送するためのハンド
リングアームを備えた搬送室３２と、同じく搬送室３２
とは各々ゲートバルブを介したＳｉ窒化膜形成室３４と
、Ｓｉ窒化膜等を酸化する酸化炉３５よりなっていも 本装置を用いて容量絶縁膜形成時のプロセスフローを第
５図に示す。
第５図（ａ）で８１基板５０に一部開口した５ｉ０ａ膜
５１にＷ Ｓ ｉ ２電極５２が形成されてぃも第５図
（ｂ）でこの上にＳｉ窒化膜５３を形成すも この形成
はＳｉ窒化膜形成室３４内の加熱ランプで基板温度を７
５０℃に上昇させて、５ｉＨｅＣＩａガスとＮＨｓガス
を導入してＳｉ窒化膜５３を形成すも その後 第４図の酸化炉３５に基板を減圧下で移送した
微 加熱ランプで基板温度を８５０ｔ：に変化させて、
酸素ガスを導入して、第５図（ｃ）のよう＋ＱＳ＋窒化
膜５３表面を酸化してＳｉ酸化膜５４を形成する。この
段階で、容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に形
成され４ついで第５図（ｄ）のように容量領域となる部
分をフォトレジスト５５でパターニングし 同図（ｅ）
のようにＳ１酸化膜５４、Ｓ１窒化膜５３をエツチング
すム さらに同図（ｆ）のようにポリＳｉ電極５６を形
成し フォトレジスト５７のバターニングを行う。
５１にＷ Ｓ ｉ ２電極５２が形成されてぃも第５図
（ｂ）でこの上にＳｉ窒化膜５３を形成すも この形成
はＳｉ窒化膜形成室３４内の加熱ランプで基板温度を７
５０℃に上昇させて、５ｉＨｅＣＩａガスとＮＨｓガス
を導入してＳｉ窒化膜５３を形成すも その後 第４図の酸化炉３５に基板を減圧下で移送した
微 加熱ランプで基板温度を８５０ｔ：に変化させて、
酸素ガスを導入して、第５図（ｃ）のよう＋ＱＳ＋窒化
膜５３表面を酸化してＳｉ酸化膜５４を形成する。この
段階で、容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に形
成され４ついで第５図（ｄ）のように容量領域となる部
分をフォトレジスト５５でパターニングし 同図（ｅ）
のようにＳ１酸化膜５４、Ｓ１窒化膜５３をエツチング
すム さらに同図（ｆ）のようにポリＳｉ電極５６を形
成し フォトレジスト５７のバターニングを行う。
ついで同図（ｇ）のようにポリＳｉ電極５６をエツチン
グし 容量部分が完成すも なお本実施例ではＷＳｉ２電極を用いた場合を述べた力
丈 高融点金属シリサイドや高融点金属であれば特にこ
だわるものではなシ℃ 発明の効果 以上の説明から明らかなよう艮 本発明ζよ シリコン
窒化膜を膜形成装置にて形成礁 同じ膜形成装置を処理
装置として用いて窒化膜を酸化させる力＼ 膜形成装置
にてポリシリコン電極とシリコン窒化膜を形成後、同じ
膜形成装置を処理装置として用いて窒化膜を酸化させる
力＼ あるいは独立に設けた膜形成装置と酸化処理装置
の間を減圧下で移送する構成を備えたもので、シリコン
窒化膜と同一の膜形成装置で連続的に窒化膜表面を酸化
させるかまた（よ 膜形成装置から減圧下で酸化処理装
置に移送するために大気にさらされることがなく、余分
な自然酸化膜の形成やダスト付着によるピンホール等の
発生を極めて低く抑えることが可能となるた数 容量絶縁膜のショートが減少し 絶縁不良が改善され
また 基板内あるいはバッチ間の容量のバラツキを現す
標準偏差が従来の半分程度以下ときわめて低く抑えられ
た良好な容量絶縁膜の膜形成を行うことが出来る装置を
実現するという効果を有するものである。
グし 容量部分が完成すも なお本実施例ではＷＳｉ２電極を用いた場合を述べた力
丈 高融点金属シリサイドや高融点金属であれば特にこ
だわるものではなシ℃ 発明の効果 以上の説明から明らかなよう艮 本発明ζよ シリコン
窒化膜を膜形成装置にて形成礁 同じ膜形成装置を処理
装置として用いて窒化膜を酸化させる力＼ 膜形成装置
にてポリシリコン電極とシリコン窒化膜を形成後、同じ
膜形成装置を処理装置として用いて窒化膜を酸化させる
力＼ あるいは独立に設けた膜形成装置と酸化処理装置
の間を減圧下で移送する構成を備えたもので、シリコン
窒化膜と同一の膜形成装置で連続的に窒化膜表面を酸化
させるかまた（よ 膜形成装置から減圧下で酸化処理装
置に移送するために大気にさらされることがなく、余分
な自然酸化膜の形成やダスト付着によるピンホール等の
発生を極めて低く抑えることが可能となるた数 容量絶縁膜のショートが減少し 絶縁不良が改善され
また 基板内あるいはバッチ間の容量のバラツキを現す
標準偏差が従来の半分程度以下ときわめて低く抑えられ
た良好な容量絶縁膜の膜形成を行うことが出来る装置を
実現するという効果を有するものである。
第１図は本発明の第１の実施例における膜形成および処
理装置の概略構成医 第２図は容量絶縁膜形成のプロセ
スフロー皿 第３図は本発明の第２の実施例における膜
形成および処理装置の概略構成は 第４図は本発明の第
３の実施例における膜形成および処理装置の概略構成医
第５図は容量絶縁膜形成のプロセスフロー図であも１
０・・・基板ホルダー １１・・・基ｉ １２・・・
加熱ヒータ１３・・・石英チュース １４・・・反応ガ
ス導入系１５・・・４方弁、１６〜１８・・・ポンプ、
３０・・・Ｌ／Ｌ塞３２・・・搬送室 ３３．３４・・
・膜形成室 ３５・・・酸化汎代理人の氏名 弁理士
小鍜治 明 ほか２名第１図 ８級ホルダー 第 図 第 図 （Ｌ：Ｌ） ３３ｆＩζすＳ−１ｉ１．＆の珂更形瓜蛮Ｌ／ （ｂ）横形へ 父夕１ ３６ｆｉ−一ラン７゜ ！ ３７ボン７６
理装置の概略構成医 第２図は容量絶縁膜形成のプロセ
スフロー皿 第３図は本発明の第２の実施例における膜
形成および処理装置の概略構成は 第４図は本発明の第
３の実施例における膜形成および処理装置の概略構成医
第５図は容量絶縁膜形成のプロセスフロー図であも１
０・・・基板ホルダー １１・・・基ｉ １２・・・
加熱ヒータ１３・・・石英チュース １４・・・反応ガ
ス導入系１５・・・４方弁、１６〜１８・・・ポンプ、
３０・・・Ｌ／Ｌ塞３２・・・搬送室 ３３．３４・・
・膜形成室 ３５・・・酸化汎代理人の氏名 弁理士
小鍜治 明 ほか２名第１図 ８級ホルダー 第 図 第 図 （Ｌ：Ｌ） ３３ｆＩζすＳ−１ｉ１．＆の珂更形瓜蛮Ｌ／ （ｂ）横形へ 父夕１ ３６ｆｉ−一ラン７゜ ！ ３７ボン７６
Claims (3)
- （１）反応室にガスを導入する機構と、基板を加熱する
機構と、ガスを排気する機構を有してなる膜堆積及び酸
化もしくは窒化を行なう膜形成および処理装置において
、前記排気機構が切り替え可能で複数の系統の排気機構
を有することを特徴とする膜形成および処理装置。 - （２）基板を大気圧から減圧下にする室と、減圧下で基
板を移動させる機構の室と、不純物を含んだシリコン膜
を形成する室と、シリコン窒化膜を形成する室と、酸化
を行なう室とを備えた膜形成および処理装置。 - （３）基板を大気圧から減圧下にする室と、減圧下で基
板を移動させる機構の室と、シリコン窒化膜を形成する
室と、酸化を行なう室とを備えた膜形成および処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233537A JP2932646B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233537A JP2932646B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113621A true JPH04113621A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2932646B2 JP2932646B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16956610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233537A Expired - Fee Related JP2932646B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932646B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162713A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Fujitsu Ltd | 反応処理装置 |
| US6300212B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-10-09 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device having memory capacitor including ferroelectric layer made of composite metal oxide |
| JP2004183096A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置 |
| JP2007507099A (ja) * | 2003-09-26 | 2007-03-22 | ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー | チャンバに対してガスを出し入れする装置 |
| JP2010080657A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及びこの使用方法 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2233537A patent/JP2932646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162713A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Fujitsu Ltd | 反応処理装置 |
| US6300212B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-10-09 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device having memory capacitor including ferroelectric layer made of composite metal oxide |
| JP2004183096A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置 |
| JP2007507099A (ja) * | 2003-09-26 | 2007-03-22 | ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー | チャンバに対してガスを出し入れする装置 |
| JP2010080657A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及びこの使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2932646B2 (ja) | 1999-08-09 |
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