JPH07176627A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】DRAMなどの極薄キャパシタ絶縁膜におい
て、漏れ電流を低減し、長期信頼性を向上させる。 【構成】下層電極7の多結晶シリコン膜表面の自然酸化
膜8を除去するSiH4ガス中に熱処理による自然酸化
膜除去工程と、窒化シリコン膜9の減圧気相成長工程を
連続して行う。 【効果】多結晶シリコン膜(7)と窒化シリコン膜9の
界面に自然酸化膜の存在しないキャパシタ絶縁膜を形成
することができる。
て、漏れ電流を低減し、長期信頼性を向上させる。 【構成】下層電極7の多結晶シリコン膜表面の自然酸化
膜8を除去するSiH4ガス中に熱処理による自然酸化
膜除去工程と、窒化シリコン膜9の減圧気相成長工程を
連続して行う。 【効果】多結晶シリコン膜(7)と窒化シリコン膜9の
界面に自然酸化膜の存在しないキャパシタ絶縁膜を形成
することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にDRAM等のキャパシタを有する半導体装
置の製造方法に関する。
に関し、特にDRAM等のキャパシタを有する半導体装
置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】DRAMのキャパシタ絶縁膜としては酸
化シリコン膜/窒化シリコン膜の二層膜が使われてい
る。この容量絶縁膜は、下層電極である多結晶シリコン
膜上に減圧気相成長法で窒化シリコン膜を成長させ、そ
の後、ウェット酸化することにより窒化シリコン膜表面
に酸化シリコン膜を形成することによって行なわれる。
化シリコン膜/窒化シリコン膜の二層膜が使われてい
る。この容量絶縁膜は、下層電極である多結晶シリコン
膜上に減圧気相成長法で窒化シリコン膜を成長させ、そ
の後、ウェット酸化することにより窒化シリコン膜表面
に酸化シリコン膜を形成することによって行なわれる。
【0003】しかし、上述のキャパシタ絶縁膜には、図
2に示すように窒化シリコン膜9と下層電極7である多
結晶シリコン膜の界面に自然酸化膜8が存在している。
この自然酸化膜は、容量値の低下とともにキャパシタ絶
縁膜の漏れ電流を増大させ、絶縁破壊特性を劣化させ
る。このため、界面の自然酸化膜を完全に除去するた
め、自然酸化膜を除去し酸化性雰囲気にさらすことなく
例えば同一反応炉内で直ちに窒化シリコン膜を多結晶シ
リコン膜上に形成することが、漏れ電流の低減と絶縁破
壊耐性の向上に有効である。
2に示すように窒化シリコン膜9と下層電極7である多
結晶シリコン膜の界面に自然酸化膜8が存在している。
この自然酸化膜は、容量値の低下とともにキャパシタ絶
縁膜の漏れ電流を増大させ、絶縁破壊特性を劣化させ
る。このため、界面の自然酸化膜を完全に除去するた
め、自然酸化膜を除去し酸化性雰囲気にさらすことなく
例えば同一反応炉内で直ちに窒化シリコン膜を多結晶シ
リコン膜上に形成することが、漏れ電流の低減と絶縁破
壊耐性の向上に有効である。
【0004】キャパシタ絶縁膜形成の前処理ではない
が、シリコンの自然酸化膜を除去する従来技術として
は、ゲート酸化膜形成の前処理として、例えばH2 雰囲
気中で加熱処理し、自然酸化膜を水素還元して除去する
方法、あるいは反応性ガス(例えば1%HCl−99%
H2 )雰囲気で加熱処理して、自然酸化膜を基板表面ご
とエッチングして除去する方法がある(いずれも特開平
2−150029号公報に開示されている)。このう
ち、H2 雰囲気で加熱処理し、自然酸化膜を水素還元し
て除去する方法について以下に説明する。
が、シリコンの自然酸化膜を除去する従来技術として
は、ゲート酸化膜形成の前処理として、例えばH2 雰囲
気中で加熱処理し、自然酸化膜を水素還元して除去する
方法、あるいは反応性ガス(例えば1%HCl−99%
H2 )雰囲気で加熱処理して、自然酸化膜を基板表面ご
とエッチングして除去する方法がある(いずれも特開平
2−150029号公報に開示されている)。このう
ち、H2 雰囲気で加熱処理し、自然酸化膜を水素還元し
て除去する方法について以下に説明する。
【0005】この方法では、基板としてシリコン基板を
用意し、通常の化学薬品、純水等を用いてシリコン基板
の酸化前洗浄を行う。次に自然酸化膜の成長を防止する
ため、シリコン基板をN2 雰囲気中で反応炉に設置す
る。次に、反応炉内を高真空に排気した後、H2 を反応
炉内に導入する。このH2 を導入しながら1.3〜1.
3×104 Paの低真空の減圧状態を維持し、約10〜
30秒間シリコン基板の表面温度1000℃の状態を保
持するようにシリコン基板の加熱を制御する。次にシリ
コン基板の加熱を停止するとともにH2 の供給を停止
し、シリコン基板の温度が室温となるまでシリコン基板
が冷却するのを待つ。次に、反応炉内を高真空に排気し
た後、シリコン基板に酸化シリコン膜を形成するため、
反応炉内にO2 を導入する。次に約20秒間基板温度約
1100℃の状態を保持するように基板の加熱を調整す
る。次にシリコン基板の加熱を停止するとともにO2 の
供給を停止し、基板の温度が室温となるまで基板が冷却
するのを待つ。以上のような方法により、自然酸化膜を
除去したシリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成する
ことができる。
用意し、通常の化学薬品、純水等を用いてシリコン基板
の酸化前洗浄を行う。次に自然酸化膜の成長を防止する
ため、シリコン基板をN2 雰囲気中で反応炉に設置す
る。次に、反応炉内を高真空に排気した後、H2 を反応
炉内に導入する。このH2 を導入しながら1.3〜1.
3×104 Paの低真空の減圧状態を維持し、約10〜
30秒間シリコン基板の表面温度1000℃の状態を保
持するようにシリコン基板の加熱を制御する。次にシリ
コン基板の加熱を停止するとともにH2 の供給を停止
し、シリコン基板の温度が室温となるまでシリコン基板
が冷却するのを待つ。次に、反応炉内を高真空に排気し
た後、シリコン基板に酸化シリコン膜を形成するため、
反応炉内にO2 を導入する。次に約20秒間基板温度約
1100℃の状態を保持するように基板の加熱を調整す
る。次にシリコン基板の加熱を停止するとともにO2 の
供給を停止し、基板の温度が室温となるまで基板が冷却
するのを待つ。以上のような方法により、自然酸化膜を
除去したシリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成する
ことができる。
【0006】また、シリコン基板上にGaAs層を成長
させる場合の前処理としては、GeH4 雰囲気中で加熱
処理を行うという自然酸化膜除去技術が知られている
(特開平3−270236号公報)。
させる場合の前処理としては、GeH4 雰囲気中で加熱
処理を行うという自然酸化膜除去技術が知られている
(特開平3−270236号公報)。
【0007】この方法では、シリコン基板を有機金属気
相成長炉内に設置し、反応炉内を1×104 Paとして
GeH4 を導入し、200〜400℃に加熱してアニー
ルを行う。この処理によりシリコン基板上の自然酸化膜
が除去されて清浄なシリコン表面が出現する。次いで、
反応炉内にトリメチルガリウム及びAsH3 を導入し、
成長温度700℃、圧力1×104 Paの条件で、シリ
コン基板上にGaAs層を成長させる。
相成長炉内に設置し、反応炉内を1×104 Paとして
GeH4 を導入し、200〜400℃に加熱してアニー
ルを行う。この処理によりシリコン基板上の自然酸化膜
が除去されて清浄なシリコン表面が出現する。次いで、
反応炉内にトリメチルガリウム及びAsH3 を導入し、
成長温度700℃、圧力1×104 Paの条件で、シリ
コン基板上にGaAs層を成長させる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
自然酸化膜除去技術をキャパシタ絶縁膜用の窒化シリコ
ン膜の形成前に適用する場合、次ぎに述べるような問題
点がある。
自然酸化膜除去技術をキャパシタ絶縁膜用の窒化シリコ
ン膜の形成前に適用する場合、次ぎに述べるような問題
点がある。
【0009】(1)水素雰囲気での加熱処理による自然
酸化膜除去方法では、加熱温度として1000℃近い温
度が必要である。MOSトランジスタのソース・ドレイ
ン領域を形成する前の段階であるゲート酸化膜形成の前
処理としては、このような温度でも問題ない。しかし、
既にMOSトランジスタが形成されているスタックト・
キャパシタのキャパシタ絶縁膜形成の前処理に、このH
2 雰囲気での加熱による自然酸化膜除去方法を適用した
場合、ソース・ドレイン拡散層幅が1000℃近い加熱
処理により増大してしまい、微細素子を形成することが
できない。
酸化膜除去方法では、加熱温度として1000℃近い温
度が必要である。MOSトランジスタのソース・ドレイ
ン領域を形成する前の段階であるゲート酸化膜形成の前
処理としては、このような温度でも問題ない。しかし、
既にMOSトランジスタが形成されているスタックト・
キャパシタのキャパシタ絶縁膜形成の前処理に、このH
2 雰囲気での加熱による自然酸化膜除去方法を適用した
場合、ソース・ドレイン拡散層幅が1000℃近い加熱
処理により増大してしまい、微細素子を形成することが
できない。
【0010】(2)反応性ガス(例えば1%HCl−9
9%H2 )雰囲気での加熱処理による自然酸化膜除去方
法では、自然酸化膜除去と同時にシリコンをエッチング
してしまうため、下層電極表面が荒れてしまい、キャパ
シタの漏れ電流が増大してしまう。
9%H2 )雰囲気での加熱処理による自然酸化膜除去方
法では、自然酸化膜除去と同時にシリコンをエッチング
してしまうため、下層電極表面が荒れてしまい、キャパ
シタの漏れ電流が増大してしまう。
【0011】(3)GeH4 雰囲気中の加熱処理による
自然酸化膜除去方法では、加熱温度が約200〜400
℃という比較的低温での自然酸化膜除去が可能である。
しかしながら、この方法で用いるGeH4 は、振動等の
外因的要因により容易に自己分解し、圧力が約20倍に
急増するため、安全上取り扱いが難しい。また、この酸
化膜除去方法をキャパシタ絶縁膜形成の前処理に適用し
た場合、GeH4 を用いる自然酸化膜除去工程から窒化
シリコン膜形成工程の間で、雰囲気の完全置換を行う工
程が必要になる。
自然酸化膜除去方法では、加熱温度が約200〜400
℃という比較的低温での自然酸化膜除去が可能である。
しかしながら、この方法で用いるGeH4 は、振動等の
外因的要因により容易に自己分解し、圧力が約20倍に
急増するため、安全上取り扱いが難しい。また、この酸
化膜除去方法をキャパシタ絶縁膜形成の前処理に適用し
た場合、GeH4 を用いる自然酸化膜除去工程から窒化
シリコン膜形成工程の間で、雰囲気の完全置換を行う工
程が必要になる。
【0012】本発明は、このような問題に鑑みて、下層
電極の多結晶シリコン膜の表面荒れを起こすことなく、
また、スタックト・キャパシタの下層に形成されている
MOSトランジスタに影響を及ぼさない低温熱処理で、
さらに安全上取り扱いが容易なガスを用いて、自然酸化
膜除去と窒化シリコン膜の成長を連続して行う方法を提
供することを目的とする。
電極の多結晶シリコン膜の表面荒れを起こすことなく、
また、スタックト・キャパシタの下層に形成されている
MOSトランジスタに影響を及ぼさない低温熱処理で、
さらに安全上取り扱いが容易なガスを用いて、自然酸化
膜除去と窒化シリコン膜の成長を連続して行う方法を提
供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上の所定の絶縁膜の表面を選択的
に被覆する多結晶シリコン膜からなる下層電極を形成す
る工程と、SiH4 ガスを含む雰囲気中で熱処理を行な
って前記下層電極表面の自然酸化膜を除去したあと酸化
性雰囲気に曝すのを避けて窒化シリコン膜を形成する工
程とを含むキャパシタ形成工程を有するというものであ
る。
造方法は、半導体基板上の所定の絶縁膜の表面を選択的
に被覆する多結晶シリコン膜からなる下層電極を形成す
る工程と、SiH4 ガスを含む雰囲気中で熱処理を行な
って前記下層電極表面の自然酸化膜を除去したあと酸化
性雰囲気に曝すのを避けて窒化シリコン膜を形成する工
程とを含むキャパシタ形成工程を有するというものであ
る。
【0014】この自然酸化膜の除去と窒化シリコン膜の
形成を同一反応炉内で行なうのがよい。
形成を同一反応炉内で行なうのがよい。
【0015】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
【0016】図1(a)〜(e)は本発明の一実施例に
ついて説明するための工程順断面図である。
ついて説明するための工程順断面図である。
【0017】まず、図1(a)に示すようにP型のシリ
コン基板1の表面にフィールド酸化膜2を選択的に形成
して区画された素子形成領域上にゲート酸化膜3を形成
しゲート電極4を形成しN型のソース・ドレイン拡散層
5−1,5−2を形成し、層間絶縁膜6を堆積し、一方
のソース・ドレイン拡散層5−2上にコンタクト孔Cを
設け、多結晶シリコン膜を減圧気相成長法で厚さ数百ナ
ノメータ堆積させ、拡散法にてリン等の不純物をこの多
結晶シリコン膜中にドープする。この多結晶シリコン膜
を、通常のフォトレジスト工程、ドライエッチング工程
にて所望の形状にパターニングして下層電極7を形成
し、洗浄を行う。洗浄工程では、水酸化アンモニウム、
過酸化水素、水の混合溶液中の洗浄および塩酸、過酸化
水素、水の混合溶液中の洗浄を順次行うか、それぞれを
単独で行うのが一般的である。この洗浄後、下層電極7
の表面には膜厚1〜2nmの自然酸化膜8が形成されて
いる。
コン基板1の表面にフィールド酸化膜2を選択的に形成
して区画された素子形成領域上にゲート酸化膜3を形成
しゲート電極4を形成しN型のソース・ドレイン拡散層
5−1,5−2を形成し、層間絶縁膜6を堆積し、一方
のソース・ドレイン拡散層5−2上にコンタクト孔Cを
設け、多結晶シリコン膜を減圧気相成長法で厚さ数百ナ
ノメータ堆積させ、拡散法にてリン等の不純物をこの多
結晶シリコン膜中にドープする。この多結晶シリコン膜
を、通常のフォトレジスト工程、ドライエッチング工程
にて所望の形状にパターニングして下層電極7を形成
し、洗浄を行う。洗浄工程では、水酸化アンモニウム、
過酸化水素、水の混合溶液中の洗浄および塩酸、過酸化
水素、水の混合溶液中の洗浄を順次行うか、それぞれを
単独で行うのが一般的である。この洗浄後、下層電極7
の表面には膜厚1〜2nmの自然酸化膜8が形成されて
いる。
【0018】次に、このような基板を反応炉内に設置す
る。このとき、反応炉としては、自然酸化膜形成防止の
機能を有したロードロック室付の抵抗加熱型電気炉、も
しくはコールドウオール型のランプ加熱型RTP(ラピ
ッド・サーマル・プロセシング(Rapid Ther
mal Processing))装置を用い、窒素等
の不活性ガス雰囲気あるいは高真空下で、基板を反応炉
内に設置することが望ましい。
る。このとき、反応炉としては、自然酸化膜形成防止の
機能を有したロードロック室付の抵抗加熱型電気炉、も
しくはコールドウオール型のランプ加熱型RTP(ラピ
ッド・サーマル・プロセシング(Rapid Ther
mal Processing))装置を用い、窒素等
の不活性ガス雰囲気あるいは高真空下で、基板を反応炉
内に設置することが望ましい。
【0019】次に、反応炉内に例えば毎分1mlのSi
H4 ガスを供給し、0.13Pa以下の圧力下で基板を
800℃以下、例えば750℃で加熱することにより、
図1(b)に示すように、自然酸化膜8を除去する。
H4 ガスを供給し、0.13Pa以下の圧力下で基板を
800℃以下、例えば750℃で加熱することにより、
図1(b)に示すように、自然酸化膜8を除去する。
【0020】次に、基板の加熱を停止するとともにSi
H4 ガスの供給を停止し、基板の温度が室温となるまで
基板が冷却するのを待つ。次いで、反応炉内を窒素等の
不活性ガス雰囲気に置換し、あるいは高真空に排気した
後、窒化シリコン膜を形成するため、反応炉内に例えば
毎分1lのNH3 ガスを導入するとともに、例えば毎分
20mlにSiH4 ガスを増量する。そして、約133
Pa〜1330Paの圧力下でシリコン基板9を例えば
700〜800℃に加熱することにより、図1(c)に
示すように、例えば5〜10nmの窒化シリコン膜9を
減圧気相成長法で形成する。
H4 ガスの供給を停止し、基板の温度が室温となるまで
基板が冷却するのを待つ。次いで、反応炉内を窒素等の
不活性ガス雰囲気に置換し、あるいは高真空に排気した
後、窒化シリコン膜を形成するため、反応炉内に例えば
毎分1lのNH3 ガスを導入するとともに、例えば毎分
20mlにSiH4 ガスを増量する。そして、約133
Pa〜1330Paの圧力下でシリコン基板9を例えば
700〜800℃に加熱することにより、図1(c)に
示すように、例えば5〜10nmの窒化シリコン膜9を
減圧気相成長法で形成する。
【0021】次に、一般的なウェット酸化法により、窒
化シリコン膜9表面に、図1(d)に示すように、酸化
シリコン膜10を形成し、その後、図1(e)に示すよ
うに上層電極11を形成するため多結晶シリコン膜を減
圧気相成長法で厚さ数百ナノメータ形成する。
化シリコン膜9表面に、図1(d)に示すように、酸化
シリコン膜10を形成し、その後、図1(e)に示すよ
うに上層電極11を形成するため多結晶シリコン膜を減
圧気相成長法で厚さ数百ナノメータ形成する。
【0022】このようにして、窒化シリコン膜9と下層
電極7aの界面から、自然酸化膜を完全に除去すること
ができる。このとき下層電極7aの表面は特に荒れるこ
とはない。これにより、酸化膜換算膜厚5nm程度の極
薄キャパシタ絶縁膜の漏れ電流は低減され、絶縁破壊耐
性が向上する。また、プロセス温度を800℃以下にす
ることができるので、拡散層幅0.08μm以下の超微
細MOSトランジスタをセルゲートとする超高集積DR
AMの作成が可能となる。また、GeH4 のような危険
なガスを使用する必要がない。
電極7aの界面から、自然酸化膜を完全に除去すること
ができる。このとき下層電極7aの表面は特に荒れるこ
とはない。これにより、酸化膜換算膜厚5nm程度の極
薄キャパシタ絶縁膜の漏れ電流は低減され、絶縁破壊耐
性が向上する。また、プロセス温度を800℃以下にす
ることができるので、拡散層幅0.08μm以下の超微
細MOSトランジスタをセルゲートとする超高集積DR
AMの作成が可能となる。また、GeH4 のような危険
なガスを使用する必要がない。
【0023】以上の説明では、自然酸化膜除去工程の後
に、基板加熱の停止、SiH4 ガスの供給停止、反応炉
内の雰囲気置換、あるいは高真空排気を、窒化シリコン
膜を形成前に行なうが、自然酸化膜8を除去した後、基
板加熱とSiH4 ガスの供給を継続したまま、例えば毎
分1lのNH3 ガスを追加し、例えば毎分20mlにS
iH4 ガスを増量し、約133Paの圧力下で基板を例
えば700〜800℃に加熱することにより、例えば5
〜10nmの窒化シリコン膜9を減圧気相成長法で形成
してもよい。
に、基板加熱の停止、SiH4 ガスの供給停止、反応炉
内の雰囲気置換、あるいは高真空排気を、窒化シリコン
膜を形成前に行なうが、自然酸化膜8を除去した後、基
板加熱とSiH4 ガスの供給を継続したまま、例えば毎
分1lのNH3 ガスを追加し、例えば毎分20mlにS
iH4 ガスを増量し、約133Paの圧力下で基板を例
えば700〜800℃に加熱することにより、例えば5
〜10nmの窒化シリコン膜9を減圧気相成長法で形成
してもよい。
【0024】この場合、基板の冷却時間、反応炉雰囲気
の不活性ガスへの置換時間、あるいは真空排気時間を必
要とすることがないため、製造スループットを向上する
ことができる。
の不活性ガスへの置換時間、あるいは真空排気時間を必
要とすることがないため、製造スループットを向上する
ことができる。
【0025】また、酸化膜除去工程時に、例えば毎分1
mlのSiH4 ガス供給に加え、反応炉内に例えば毎分
10lのH2 ガスを供給してもよい。そうすると圧力は
後続工程である窒化シリコン膜の減圧気相成長工程の圧
力(133〜1330P程度)と同程度でよく、装置の
排気系統の構造を簡略化することができる。
mlのSiH4 ガス供給に加え、反応炉内に例えば毎分
10lのH2 ガスを供給してもよい。そうすると圧力は
後続工程である窒化シリコン膜の減圧気相成長工程の圧
力(133〜1330P程度)と同程度でよく、装置の
排気系統の構造を簡略化することができる。
【0026】更に、前述の実施例では、窒化シリコン膜
9成長後に、ウェット酸化法により酸化シリコン膜10
を形成したが、この酸化シリコン膜10の形成を行なう
ことなく上層電極を形成するため多結晶シリコン膜を減
圧気相成長法で数百ナノメータ形成してもよい。
9成長後に、ウェット酸化法により酸化シリコン膜10
を形成したが、この酸化シリコン膜10の形成を行なう
ことなく上層電極を形成するため多結晶シリコン膜を減
圧気相成長法で数百ナノメータ形成してもよい。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、下層電極
表面の自然酸化膜の除去をSiH4 ガスを含む雰囲気中
の熱処理により行なうことにより下地の拡散層に悪影響
を与えず下層電極の表面荒れを招くことなく安全上の問
題もなく続いてキャパシタ絶縁膜の形成を同一反応炉内
で連続処理できるので、漏れ電流の少ない極薄キャパシ
タ絶縁膜が実現出来、信頼性の一層改善されたキャパシ
タを有する半導体装置が得られるという効果がある。
表面の自然酸化膜の除去をSiH4 ガスを含む雰囲気中
の熱処理により行なうことにより下地の拡散層に悪影響
を与えず下層電極の表面荒れを招くことなく安全上の問
題もなく続いてキャパシタ絶縁膜の形成を同一反応炉内
で連続処理できるので、漏れ電流の少ない極薄キャパシ
タ絶縁膜が実現出来、信頼性の一層改善されたキャパシ
タを有する半導体装置が得られるという効果がある。
【図1】本発明の一実施例について説明するため(a)
〜(e)に分図して示す工程順断面図である。
〜(e)に分図して示す工程順断面図である。
【図2】従来のスタックト・キャパシタ型DRAMのメ
モリ・セルを示す断面図である。
モリ・セルを示す断面図である。
1 シリコン基板 2 フィールド酸化膜 3 ゲート酸化膜 4 ゲート電極(セルゲートMOSトランジスタの) 5−1,5−2 ソース・ドレイン拡散層 6 層間絶縁膜 7,7a 下層電極 8 自然酸化膜 9 窒化シリコン膜 10 酸化シリコン膜 11 上層電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/316 M 7352−4M 21/318 M 7352−4M 27/04 21/822 H01L 27/04 C 7210−4M 27/10 325 J
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板上の所定の絶縁膜の表面を選
択的に被覆する多結晶シリコン膜からなる下層電極を形
成する工程と、SiH4 ガスを含む雰囲気中で熱処理を
行なって前記下層電極表面の自然酸化膜を除去したあと
酸化性雰囲気に曝すのを避けて窒化シリコン膜を形成す
る工程とを含むキャパシタ形成工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 自然酸化膜の除去と窒化シリコン膜の形
成を同一反応炉内で行なう請求項1記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項3】 SiH4 ガスとNH3 ガスとの混合ガス
を使用して窒化シリコン膜を形成する請求項1または2
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 SiH4 ガスとH2 ガスとを含む雰囲気
中で自然酸化膜を除去する請求項1記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5318621A JPH07176627A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
US08/358,624 US5492854A (en) | 1993-12-17 | 1994-12-14 | Method of manufacturing semiconductor device |
KR1019940034638A KR950021138A (ko) | 1993-12-17 | 1994-12-16 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5318621A JPH07176627A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07176627A true JPH07176627A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18101185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5318621A Pending JPH07176627A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5492854A (ja) |
JP (1) | JPH07176627A (ja) |
KR (1) | KR950021138A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6893980B1 (en) | 1996-12-03 | 2005-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
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US5670431A (en) * | 1996-06-13 | 1997-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of forming an ultra thin dielectric film for a capacitor |
US5843830A (en) | 1996-06-26 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Capacitor, and methods for forming a capacitor |
US5849624A (en) * | 1996-07-30 | 1998-12-15 | Mircon Technology, Inc. | Method of fabricating a bottom electrode with rounded corners for an integrated memory cell capacitor |
US6528436B1 (en) | 1996-10-21 | 2003-03-04 | Micron Technology. Inc. | Method of forming silicon nitride layer directly on HSG polysilicon |
US6749687B1 (en) | 1998-01-09 | 2004-06-15 | Asm America, Inc. | In situ growth of oxide and silicon layers |
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US6348420B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-02-19 | Asm America, Inc. | Situ dielectric stacks |
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DE10130936B4 (de) * | 2001-06-27 | 2004-04-29 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mittels Atomschichtabscheidung/ALD |
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- 1993-12-17 JP JP5318621A patent/JPH07176627A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-14 US US08/358,624 patent/US5492854A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-16 KR KR1019940034638A patent/KR950021138A/ko not_active Application Discontinuation
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US7232751B2 (en) | 1996-12-03 | 2007-06-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5492854A (en) | 1996-02-20 |
KR950021138A (ko) | 1995-07-26 |
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---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970701 |