JP2932646B2 - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
- Publication number
- JP2932646B2 JP2932646B2 JP2233537A JP23353790A JP2932646B2 JP 2932646 B2 JP2932646 B2 JP 2932646B2 JP 2233537 A JP2233537 A JP 2233537A JP 23353790 A JP23353790 A JP 23353790A JP 2932646 B2 JP2932646 B2 JP 2932646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- gas
- chamber
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はdRAM等の容量絶縁膜の形成および処理を行な
う膜形成方法に関するものである。
う膜形成方法に関するものである。
従来の技術 従来、dRAMのメモリセルは１トランジスタと１キャパ
シタ（容量）構成からなっており、このキャパシタ部分
の容量絶縁膜にはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の二
層構造が用いられている。
シタ（容量）構成からなっており、このキャパシタ部分
の容量絶縁膜にはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の二
層構造が用いられている。
発明が解決しようとする課題 しかし、かかる構成によれば、容量電極を形成する装
置と、シリコン窒化膜を酸化してシリコン酸化膜を形成
する装置とが分離している。このためキャパシタを形成
するには、例えば容量電極のポリシリコン膜を形成した
後、シリコン窒化膜を形成する間に大気中にさらされ
て、ポリシリコン表面に自然酸化膜が形成されるため容
量絶縁膜の厚みの制御性が悪くなるという問題や、シリ
コン窒化膜を形成後、酸化するのに大気中にさらされた
り、別の装置に運ぶためにダスト付着が生じて、容量絶
縁膜にピンホールや突起が生じるという問題が発生す
る。
置と、シリコン窒化膜を酸化してシリコン酸化膜を形成
する装置とが分離している。このためキャパシタを形成
するには、例えば容量電極のポリシリコン膜を形成した
後、シリコン窒化膜を形成する間に大気中にさらされ
て、ポリシリコン表面に自然酸化膜が形成されるため容
量絶縁膜の厚みの制御性が悪くなるという問題や、シリ
コン窒化膜を形成後、酸化するのに大気中にさらされた
り、別の装置に運ぶためにダスト付着が生じて、容量絶
縁膜にピンホールや突起が生じるという問題が発生す
る。
一方、例えば容量電極のポリシリコンを形成した後シ
リコン窒化膜を形成し、さらにシリコン酸化膜を形成す
る、という多層の連続工程を行う場合、排気系内の残留
ガスと次に処理装置内に導入され続いて排気されるガス
との混合気体による爆発等の安全上の問題を十分に配慮
する必要がある。
リコン窒化膜を形成し、さらにシリコン酸化膜を形成す
る、という多層の連続工程を行う場合、排気系内の残留
ガスと次に処理装置内に導入され続いて排気されるガス
との混合気体による爆発等の安全上の問題を十分に配慮
する必要がある。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされ、余分な自然
酸化膜やピンホール、突起を生じさせないキャパシタの
容量絶縁膜を作成できると共に、上述の排気系内で生じ
る可能性のある，混合気体による爆発等の安全上の問題
を解決しうる膜形成方法を提供する目的のものである。
酸化膜やピンホール、突起を生じさせないキャパシタの
容量絶縁膜を作成できると共に、上述の排気系内で生じ
る可能性のある，混合気体による爆発等の安全上の問題
を解決しうる膜形成方法を提供する目的のものである。
課題を解決するための手段 本発明は、上述の問題点を解決するため、反応室内に
配置された被処理用基板上に、前記反応室に所望の第１
のガスを導入して、第１の被膜を形成する間及び終了後
に前記反応室内を第１の排気手段で排気する第１の工程
と、前記反応室に所望の第２のガスを導入して、第２の
被膜を形成する間及び終了後に前記反応室内を第２の排
気手段で排気する第２の工程とをそなえ、前記第１の工
程と前記第２の工程との間に，前記被処理用基板を大気
にさらすことなしに，前記第１の排気手段と前記第２の
排気手段とを随時切り替えて用いる膜形成方法である。
配置された被処理用基板上に、前記反応室に所望の第１
のガスを導入して、第１の被膜を形成する間及び終了後
に前記反応室内を第１の排気手段で排気する第１の工程
と、前記反応室に所望の第２のガスを導入して、第２の
被膜を形成する間及び終了後に前記反応室内を第２の排
気手段で排気する第２の工程とをそなえ、前記第１の工
程と前記第２の工程との間に，前記被処理用基板を大気
にさらすことなしに，前記第１の排気手段と前記第２の
排気手段とを随時切り替えて用いる膜形成方法である。
また、本発明は、被処理用基板を大気からの減圧下で
移動させる機構の搬送室を央部にして，周辺に，各々ゲ
ートバルブを介して配設された複数の処理室のうちの任
意の一の前記処理室内に配置された前記被処理用基板上
に、前記一の処理室に所望の第１のガスを導入して、第
１の被膜を形成する間及び終了後に前記一の処理室内を
第１の排気手段で排気する第１の工程と、前記ゲートバ
ルブを操作し、前記被処理用基板を前記搬送室と前記一
の処理室及び任意の他の処理室との相互間で移動させ、
ついで、前記他の処理室に所望の第２のガスを導入し
て、第２の被膜を形成する間及び終了後に前記他の処理
室内を第２の排気手段で排気する第２の工程とをそな
え、前記第１の工程と前記第２の工程との間に前記被処
理用基板を大気にさらすことなく、かつ前記第１の排気
手段と前記第２の排気手段とを、前記第１のガスと前記
第２のガスとが相交わらないように，随時、切り替えて
用いる膜形成方法である。
移動させる機構の搬送室を央部にして，周辺に，各々ゲ
ートバルブを介して配設された複数の処理室のうちの任
意の一の前記処理室内に配置された前記被処理用基板上
に、前記一の処理室に所望の第１のガスを導入して、第
１の被膜を形成する間及び終了後に前記一の処理室内を
第１の排気手段で排気する第１の工程と、前記ゲートバ
ルブを操作し、前記被処理用基板を前記搬送室と前記一
の処理室及び任意の他の処理室との相互間で移動させ、
ついで、前記他の処理室に所望の第２のガスを導入し
て、第２の被膜を形成する間及び終了後に前記他の処理
室内を第２の排気手段で排気する第２の工程とをそな
え、前記第１の工程と前記第２の工程との間に前記被処
理用基板を大気にさらすことなく、かつ前記第１の排気
手段と前記第２の排気手段とを、前記第１のガスと前記
第２のガスとが相交わらないように，随時、切り替えて
用いる膜形成方法である。
さらに、本発明は、上記第１の被膜を形成する第１の
工程で前記基板上に気相反応生成物を形成し、上記第２
の被膜を形成する第２の工程で前記気相反応生成物の表
面に酸化物を形成することを含む膜形成方法である。
工程で前記基板上に気相反応生成物を形成し、上記第２
の被膜を形成する第２の工程で前記気相反応生成物の表
面に酸化物を形成することを含む膜形成方法である。
作用 本発明は、上述の構成によって、例えば、ポリシリコ
ン膜形成と同一の膜形成で、連続的に前記ポリシリコン
膜表面を酸化させるか、または、膜形成から減圧下で酸
化処理に移送するときに、大気にさらされることがな
く，余分な自然酸化膜の形成やダスト付着によるピンホ
ール等の発生を極めて低く抑えることができると共に、
排気系内の残留ガスと次の処理の工程のために導入さ
れ，続いて排気されるガスとが，排気系内で混合気体と
なる際に生じる爆発等の安全上の問題を、容易に解決す
ることが可能である。
ン膜形成と同一の膜形成で、連続的に前記ポリシリコン
膜表面を酸化させるか、または、膜形成から減圧下で酸
化処理に移送するときに、大気にさらされることがな
く，余分な自然酸化膜の形成やダスト付着によるピンホ
ール等の発生を極めて低く抑えることができると共に、
排気系内の残留ガスと次の処理の工程のために導入さ
れ，続いて排気されるガスとが，排気系内で混合気体と
なる際に生じる爆発等の安全上の問題を、容易に解決す
ることが可能である。
実施例 （実施例１） 第１図は本発明の一実施例において使用した処理装置
の概略構成図を示す。同図において、石英でできた基板
ホルダー10に基板11が載置され、外周に加熱ヒーター12
を持つ石英チューブ13中に設置される。該石英チューブ
13は５系統のマスフローコントローラ（図中MFC1〜MFC5
と記載）を介して反応ガスを導入する反応ガス導入系14
と、四方弁15を介して３系統の排気ポンプ16、17、18に
接続されている。この装置で三基のポンプを設置してい
るのは、SiH4、NH3およびO2等のガスが排気系内の残留
ガスと混合して起こる影響を除くこと、例えば、排気系
の爆発等のような安全上の問題を解決するためである。
の概略構成図を示す。同図において、石英でできた基板
ホルダー10に基板11が載置され、外周に加熱ヒーター12
を持つ石英チューブ13中に設置される。該石英チューブ
13は５系統のマスフローコントローラ（図中MFC1〜MFC5
と記載）を介して反応ガスを導入する反応ガス導入系14
と、四方弁15を介して３系統の排気ポンプ16、17、18に
接続されている。この装置で三基のポンプを設置してい
るのは、SiH4、NH3およびO2等のガスが排気系内の残留
ガスと混合して起こる影響を除くこと、例えば、排気系
の爆発等のような安全上の問題を解決するためである。
このような装置を用いて容量絶縁膜を形成する際のプ
ロセスフローを第２図に示す。
ロセスフローを第２図に示す。
第２図において、トランジスタ領域等が作り込まれた
Si基板20上に、一部を開口したSiO2膜21を第１図に示す
膜形成および処理装置の基板ホルダー10に設置する。そ
してMFC1よりHe希釈したSiH4ガス、MFC2より同じくHe希
釈したPH3ガスを導入し、加熱ヒーター12により基板温
度を620℃に制御して、ポンプ16により一定の真空度に
制御して、第２図（ａ）のように第１のポリシリコン電
極22を形成する。
Si基板20上に、一部を開口したSiO2膜21を第１図に示す
膜形成および処理装置の基板ホルダー10に設置する。そ
してMFC1よりHe希釈したSiH4ガス、MFC2より同じくHe希
釈したPH3ガスを導入し、加熱ヒーター12により基板温
度を620℃に制御して、ポンプ16により一定の真空度に
制御して、第２図（ａ）のように第１のポリシリコン電
極22を形成する。
続いて、第２図（ｂ）のように、シリコン窒化膜23を
形成する。この形成は第１図の装置でポリシリコン電極
22を形成した後、MFC1とMFC2からの反応ガスを止めて残
留ガスを排気し、さらに加熱ヒーター12で基板温度を75
0℃に上昇させて、四方弁15をポンプ17側に切り換え
て、MFC3からSiH3Cl2ガス、MFC4からNH3ガスを導入して
シリコン窒化膜23を形成する。
形成する。この形成は第１図の装置でポリシリコン電極
22を形成した後、MFC1とMFC2からの反応ガスを止めて残
留ガスを排気し、さらに加熱ヒーター12で基板温度を75
0℃に上昇させて、四方弁15をポンプ17側に切り換え
て、MFC3からSiH3Cl2ガス、MFC4からNH3ガスを導入して
シリコン窒化膜23を形成する。
その後、MFC3とMFC4からの反応ガスを止めて残留ガス
を排気し、さらに加熱ヒーター12で基板温度を850℃に
変化させて、四方弁15をポンプ18側に切り換える。この
状態で第２図（ｃ）のシリコン酸化膜24を形成するため
に、MFC5からO2ガスを導入して、シリコン窒化膜23表面
を酸化してシリコン酸化膜24を形成する。この段階で、
容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に形成され
る。
を排気し、さらに加熱ヒーター12で基板温度を850℃に
変化させて、四方弁15をポンプ18側に切り換える。この
状態で第２図（ｃ）のシリコン酸化膜24を形成するため
に、MFC5からO2ガスを導入して、シリコン窒化膜23表面
を酸化してシリコン酸化膜24を形成する。この段階で、
容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に形成され
る。
ついで、第２図（ｄ）のように、容量領域となる部分
をフォトレジスト25でパターニングし、同図（ｅ）のよ
うに、シリコン酸化膜24、シリコン窒化膜23、第１のポ
リシリコン電極22をエッチングする。
をフォトレジスト25でパターニングし、同図（ｅ）のよ
うに、シリコン酸化膜24、シリコン窒化膜23、第１のポ
リシリコン電極22をエッチングする。
さらに、第２図（ｆ）のように、エッチングしたポリ
シリコン電極22側壁部の酸化を行い、同図（ｇ）のよう
に、第２図（ａ）と同じ工程で第２のポリシリコン電極
26を形成し、フォトレジスト27のパターニングを行う。
シリコン電極22側壁部の酸化を行い、同図（ｇ）のよう
に、第２図（ａ）と同じ工程で第２のポリシリコン電極
26を形成し、フォトレジスト27のパターニングを行う。
ついで同図（ｈ）のように、第２のポリシリコン電極
26をエッチングし、容量部分を完成させる。
26をエッチングし、容量部分を完成させる。
このようにして形成した基板内に複数の容量絶縁膜
で、第１のポリシリコン電極22と第２のポリシリコン電
極間に電圧を印加したときの絶縁不良の歩留と、同一基
板内の複数個の容量のばらつきの標準偏差と、10回の繰
り返し形成での基板内同一箇所の容量のばらつきの標準
偏差を従来例と共に記載したものを表に示す。
で、第１のポリシリコン電極22と第２のポリシリコン電
極間に電圧を印加したときの絶縁不良の歩留と、同一基
板内の複数個の容量のばらつきの標準偏差と、10回の繰
り返し形成での基板内同一箇所の容量のばらつきの標準
偏差を従来例と共に記載したものを表に示す。
表からも明らかなように本発明によって容量絶縁膜の
ショートが減少し、絶縁不良が改善される。これはシリ
コン窒化膜形成と酸化処理を連続で行うことでダスト付
着による容量絶縁膜のピンホール発生を低く抑えること
ができるためである。また、基板内あるいはバッチ間の
容量のばらつきを現す標準偏差が従来の半分以下に抑え
られていることがわかる。さらに膜形成における基板面
内の膜厚ばらつきが数％程度あることからみて、本発明
における標準偏差は膜厚ばらつき程度のきわめて低い値
が実現できた。このように余分な自然酸化膜やピンホー
ル、突起を生じさせないことで良好な容量絶縁膜の形成
を行うことができる。
ショートが減少し、絶縁不良が改善される。これはシリ
コン窒化膜形成と酸化処理を連続で行うことでダスト付
着による容量絶縁膜のピンホール発生を低く抑えること
ができるためである。また、基板内あるいはバッチ間の
容量のばらつきを現す標準偏差が従来の半分以下に抑え
られていることがわかる。さらに膜形成における基板面
内の膜厚ばらつきが数％程度あることからみて、本発明
における標準偏差は膜厚ばらつき程度のきわめて低い値
が実現できた。このように余分な自然酸化膜やピンホー
ル、突起を生じさせないことで良好な容量絶縁膜の形成
を行うことができる。
（実施例２） 第３図は本発明の他の実施例における膜形成および処
理装置の概略構成図を示す。
理装置の概略構成図を示す。
同図（ａ）は装置上面よりみた状態を示す。同装置
は、基板をセットし、また取り出すためのロードロック
室30（図中L/Lと記載）と、ゲートバルブ31を介して基
板を移送するためのハンドリングアームを備えた搬送室
32と、同じく搬送室32とは各々ゲートバルブ31を介した
ポリシリコン電極の膜形成室33と、シリコン窒化膜形成
室34とシリコン窒化膜等を酸化する酸化炉35よりなって
いる。
は、基板をセットし、また取り出すためのロードロック
室30（図中L/Lと記載）と、ゲートバルブ31を介して基
板を移送するためのハンドリングアームを備えた搬送室
32と、同じく搬送室32とは各々ゲートバルブ31を介した
ポリシリコン電極の膜形成室33と、シリコン窒化膜形成
室34とシリコン窒化膜等を酸化する酸化炉35よりなって
いる。
同図（ｂ）はポリシリコン電極膜或いはシリコン窒化
膜の形成室、または酸化炉の断面の概略図を示す。同図
において、基板温度は、基板を設置した基板ホルダー10
が形成室または炉内におかれて、加熱ランプ36によって
制御される。そして反応ガス導入系14から反応ガスが導
入され、排気ポンプ37によって反応圧力は制御される。
この場合は基板１枚づつの枚葉処理である。
膜の形成室、または酸化炉の断面の概略図を示す。同図
において、基板温度は、基板を設置した基板ホルダー10
が形成室または炉内におかれて、加熱ランプ36によって
制御される。そして反応ガス導入系14から反応ガスが導
入され、排気ポンプ37によって反応圧力は制御される。
この場合は基板１枚づつの枚葉処理である。
本実施例では基板を膜形成装置から減圧下で他の膜形
成装置あるいは酸化処理装置に移送するため、実施例１
と同様に絶縁不良が改善され、また基板内あるいはバッ
チ間の容量のばらつきを現す標準偏差が従来の半分程度
に低く抑えられる。特に本実施例では枚葉処理装置のた
めに膜形成における基板面内の膜厚ばらつきが数％以下
と低く抑えることが可能で絶縁容量のばらつきをきわめ
て小さくすることが可能となり、良好な容量絶縁膜の膜
形成を行うことができる。
成装置あるいは酸化処理装置に移送するため、実施例１
と同様に絶縁不良が改善され、また基板内あるいはバッ
チ間の容量のばらつきを現す標準偏差が従来の半分程度
に低く抑えられる。特に本実施例では枚葉処理装置のた
めに膜形成における基板面内の膜厚ばらつきが数％以下
と低く抑えることが可能で絶縁容量のばらつきをきわめ
て小さくすることが可能となり、良好な容量絶縁膜の膜
形成を行うことができる。
（実施例３） 第４図は本発明の他の実施例による膜形成および処理
装置の概略構成図を示す。同図は装置上面より見た状態
を示す。第４図の装置は、基板をセットし、また取り出
すためのロードロック室30（図中L/Lと記載）と、ゲー
トバルブ31を介して基板を移送するためのハンドリング
アームを備えた搬送室32と、同じく搬送室32とは各々ゲ
ートバルブを介したシリコン窒化膜形成室34と、シリコ
ン窒化膜等を酸化する酸化炉35よりなっている。
装置の概略構成図を示す。同図は装置上面より見た状態
を示す。第４図の装置は、基板をセットし、また取り出
すためのロードロック室30（図中L/Lと記載）と、ゲー
トバルブ31を介して基板を移送するためのハンドリング
アームを備えた搬送室32と、同じく搬送室32とは各々ゲ
ートバルブを介したシリコン窒化膜形成室34と、シリコ
ン窒化膜等を酸化する酸化炉35よりなっている。
本装置を用いて容量絶縁膜形成時のプロセスフローを
第５図に示す。
第５図に示す。
第５図（ａ）でシリコン基板50に一部開口したSiO2膜
51にWSi2電極52か形成されている。
51にWSi2電極52か形成されている。
第５図（ｂ）でこの上にシリコン窒化膜53を形成す
る。この形成はシリコン窒化膜形成室34内の加熱ランプ
で基板温度を750℃に上昇させて、SiH2Cl2ガスとNH3ガ
スを導入してシリコン窒化膜53を形成する。
る。この形成はシリコン窒化膜形成室34内の加熱ランプ
で基板温度を750℃に上昇させて、SiH2Cl2ガスとNH3ガ
スを導入してシリコン窒化膜53を形成する。
その後、第４図の酸化炉35に基板を減圧下で移送した
後、加熱ランプで基板温度を850℃に変化させて、酸素
ガスを導入して、第５図（ｃ）のように、シリコン窒化
膜53表面を酸化して、シリコン酸化膜54を形成する。こ
の段階で、容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に
形成される。
後、加熱ランプで基板温度を850℃に変化させて、酸素
ガスを導入して、第５図（ｃ）のように、シリコン窒化
膜53表面を酸化して、シリコン酸化膜54を形成する。こ
の段階で、容量絶縁膜形成は真空を破ることなく連続に
形成される。
ついで第５図（ｄ）のように容量領域となる部分をフ
ォトレジスト55でパターニングし、同図（ｅ）のように
シリコン酸化膜54、シリコン窒化膜53をエッチングす
る。さらに同図（ｆ）のようにポリシリコン電極56を形
成し、フォトレジスト57のパターニングを行う。
ォトレジスト55でパターニングし、同図（ｅ）のように
シリコン酸化膜54、シリコン窒化膜53をエッチングす
る。さらに同図（ｆ）のようにポリシリコン電極56を形
成し、フォトレジスト57のパターニングを行う。
ついで同図（ｇ）のようにポリシリコン電極56をエッ
チングし、容量部分が完成する。
チングし、容量部分が完成する。
なお本実施例ではWSi2電極を用いた場合を述べたが、
高融点金属シリサイドや高融点金属であれば特にこだわ
るものではない。
高融点金属シリサイドや高融点金属であれば特にこだわ
るものではない。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明は、シリコン
窒化膜を膜形成装置により形成後、同じ膜形成装置を処
理装置として用いて、そのシリコン窒化膜を酸化させる
か、膜形成装置によりポリシリコン電極とシリコン窒化
膜を形成後、同じ膜形成装置を処理装置として用いて、
そのポリシリコン窒化膜を酸化させるか、あるいは独立
に設けた膜形成装置と酸化処理装置の間を減圧下で移送
する構成を備えたもので、シリコン窒化膜と同一の膜形
成装置で連続的にシリコン窒化膜を酸化させたり、ある
いは膜形成装置から減圧下で酸化処理装置に移送するた
めに大気にさらされることがなく、余分な自然酸化膜の
形成やダスト付着によるピンホール等の発生をきわめて
低く抑えることが可能となるため、容量絶縁膜のショー
トが減少し、絶縁不良が改善され、また、基板内あるい
はバッチ間の容量のばらつきを現す標準偏差が従来の半
分程度以下と極めて低く抑えられた，良好な容量絶縁膜
の膜形成を行うことが出来る装置を実現する、という効
果を有するものである。
窒化膜を膜形成装置により形成後、同じ膜形成装置を処
理装置として用いて、そのシリコン窒化膜を酸化させる
か、膜形成装置によりポリシリコン電極とシリコン窒化
膜を形成後、同じ膜形成装置を処理装置として用いて、
そのポリシリコン窒化膜を酸化させるか、あるいは独立
に設けた膜形成装置と酸化処理装置の間を減圧下で移送
する構成を備えたもので、シリコン窒化膜と同一の膜形
成装置で連続的にシリコン窒化膜を酸化させたり、ある
いは膜形成装置から減圧下で酸化処理装置に移送するた
めに大気にさらされることがなく、余分な自然酸化膜の
形成やダスト付着によるピンホール等の発生をきわめて
低く抑えることが可能となるため、容量絶縁膜のショー
トが減少し、絶縁不良が改善され、また、基板内あるい
はバッチ間の容量のばらつきを現す標準偏差が従来の半
分程度以下と極めて低く抑えられた，良好な容量絶縁膜
の膜形成を行うことが出来る装置を実現する、という効
果を有するものである。
さらに、本発明によると、反応室に所望のガスを導入
するための複数のガス導入系機構及び前記反応室のガス
を排気するための複数の排気系機構を備えているので、
ガス導入系機構及び排気系機構を選択的に自在に切り替
えて、排気系内の残留ガスと次に処理装置内に導入され
続いて排気されるガスとが排気系内で混合気体となる際
に生じる爆発等の安全上の問題を、容易に解決すること
が可能である。
するための複数のガス導入系機構及び前記反応室のガス
を排気するための複数の排気系機構を備えているので、
ガス導入系機構及び排気系機構を選択的に自在に切り替
えて、排気系内の残留ガスと次に処理装置内に導入され
続いて排気されるガスとが排気系内で混合気体となる際
に生じる爆発等の安全上の問題を、容易に解決すること
が可能である。
第１図は本発明の第１の実施例における膜形成および処
理装置の概略構成図、第２図は容量絶縁膜形成のプロセ
スフロー図、第３図は本発明の第２の実施例における膜
形成および処理装置の概略構成図、第４図は本発明の第
３の実施例における膜形成および処理装置の概略構成
図、第５図は容量絶縁膜形成のプロセスフロー図であ
る。 10…基板ホルダー、11…基板、12…加熱ヒーター、13…
石英チューブ、14…反応ガス導入系、15…四方弁、16〜
18…ポンプ、30…L/L室、32…搬送室、33,34…膜形成
室、35…酸化炉。
理装置の概略構成図、第２図は容量絶縁膜形成のプロセ
スフロー図、第３図は本発明の第２の実施例における膜
形成および処理装置の概略構成図、第４図は本発明の第
３の実施例における膜形成および処理装置の概略構成
図、第５図は容量絶縁膜形成のプロセスフロー図であ
る。 10…基板ホルダー、11…基板、12…加熱ヒーター、13…
石英チューブ、14…反応ガス導入系、15…四方弁、16〜
18…ポンプ、30…L/L室、32…搬送室、33,34…膜形成
室、35…酸化炉。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−189114（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−252126（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−298115（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−152264（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189962（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−112312（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/205 C23C 16/40
Claims (3)
- 【請求項１】反応室内に配置された被処理用基板上に、
前記反応室に所望の第１のガスを導入して、第１の被膜
を形成する間及び終了後に前記反応室内を第１の排気手
段で排気する第１の工程と、前記反応室に所望の第２の
ガスを導入して、第２の被膜を形成する間及び終了後に
前記反応室内を第２の排気手段で排気する第２の工程と
をそなえ、前記第１の工程と前記第２の工程との間に，
前記被処理用基板を大気にさらすことなしに，前記第１
の排気手段と前記第２の排気手段とを随時切り替えて用
いることを特徴とする膜形成方法。 - 【請求項２】被処理用基板を大気からの減圧下で移動さ
せる機構の搬送室を央部にして，周辺に，各々ゲートバ
ルブを介して配設された複数の処理室のうちの任意の一
の前記処理室内に配置された前記被処理用基板上に、前
記一の処理室に所望の第１のガスを導入して、第１の被
膜を形成する間及び終了後に前記一の処理室内を第１の
排気手段で排気する第１の工程と、前記ゲートバルブを
操作し、前記被処理用基板を前記搬送室と前記一の処理
室及び任意の他の処理室との相互間で移動させ、つい
で、前記他の処理室に所望の第２のガスを導入して、第
２の被膜を形成する間及び終了後に前記他の処理室内を
第２の排気手段で排気する第２の工程とをそなえ、前記
第１の工程と前記第２の工程との間に前記被処理用基板
を大気にさらすことなく、かつ前記第１の排気手段と前
記第２の排気手段とを、前記第１のガスと前記第２のガ
スとが相交わらないように，随時、切り替えて用いる請
求項１に記載の膜形成方法。 - 【請求項３】第１の被膜を形成する工程で前記基板上に
気相反応生成物を形成し、第２の被膜を形成する工程で
前記気相反応生成物の表面に酸化物を形成する請求項１
または請求項２に記載の膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233537A JP2932646B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233537A JP2932646B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113621A JPH04113621A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2932646B2 true JP2932646B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16956610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233537A Expired - Fee Related JP2932646B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932646B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2980667B2 (ja) * | 1990-10-26 | 1999-11-22 | 富士通株式会社 | 反応処理装置 |
| JPH1154721A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| KR100498467B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 배기 경로에서의 파우더 생성을 방지할 수 있는 원자층증착 장비 |
| GB0322602D0 (en) * | 2003-09-26 | 2003-10-29 | Boc Group Inc | Vent-run gas switching systems |
| JP5195227B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこの使用方法 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2233537A patent/JP2932646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04113621A (ja) | 1992-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6544906B2 (en) | Annealing of high-k dielectric materials | |
| US5236868A (en) | Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system | |
| US6902681B2 (en) | Method for plasma etching of high-K dielectric materials | |
| JP3355236B2 (ja) | 半導体メモリ装置のキャパシタ製造方法 | |
| JP2003068731A (ja) | 絶縁膜の形成方法および形成システム | |
| JP2001274154A (ja) | 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法 | |
| US6855643B2 (en) | Method for fabricating a gate structure | |
| US6177305B1 (en) | Fabrication of metal-insulator-metal capacitive structures | |
| JP2903884B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH10340857A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2932646B2 (ja) | 膜形成方法 | |
| JP3421483B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002094057A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20050106894A1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating same | |
| JP4966582B2 (ja) | 基板処理方法、コンピュータ可読記録媒体、基板処理装置、および基板処理システム | |
| JPH07202189A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI329340B (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2847645B2 (ja) | 半導体集積回路素子の製造方法及び半導体素子のチタニウムシリサイド形成装置 | |
| JP3686163B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法およびその製造装置 | |
| US6531394B1 (en) | Method for forming gate electrode of semiconductor device | |
| JP2795691B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000232077A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07106264A (ja) | 熱処理方法 | |
| JP3352246B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06209049A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |