JP2980667B2 - 反応処理装置 - Google Patents
反応処理装置Info
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- JP2980667B2 JP2980667B2 JP2289166A JP28916690A JP2980667B2 JP 2980667 B2 JP2980667 B2 JP 2980667B2 JP 2289166 A JP2289166 A JP 2289166A JP 28916690 A JP28916690 A JP 28916690A JP 2980667 B2 JP2980667 B2 JP 2980667B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 成膜装置等の反応処理装置に関し, 爆発・燃焼性のあるガスの混合を防止して安全な反応
処理装置の提供を目的とし, 1)複数のガスを導入する反応室と,該反応室を排気す
る複数の排気系と,該反応室に導入するガスの種類によ
り異なった排気系を選ぶ選択手段とを有するように構成
する。
処理装置の提供を目的とし, 1)複数のガスを導入する反応室と,該反応室を排気す
る複数の排気系と,該反応室に導入するガスの種類によ
り異なった排気系を選ぶ選択手段とを有するように構成
する。
2)前記複数のガスが酸化性ガスを含むガスおよび還元
性ガス含むガスであるように構成する。
性ガス含むガスであるように構成する。
本発明は成膜装置等の反応処理装置に関する。
近年,成膜装置はNF3やClF3等の酸化性ガスを用いて
反応室を洗浄するようになった。
反応室を洗浄するようになった。
しかし,成膜用の還元性ガスや反応生成物とこれらの
洗浄ガスとが1つの排気系内で出会うと爆発・燃焼反応
を起こす危険がある。
洗浄ガスとが1つの排気系内で出会うと爆発・燃焼反応
を起こす危険がある。
本発明はこのような危険性を回避した反応処理装置と
して利用することができる。
して利用することができる。
爆発・燃焼反応防止のための従来技術はつぎの2通り
が主なものであった。
が主なものであった。
還元性ガス(SiH4,H2等)や酸化性ガス(NF3,ClF3,
O2等)をN2で希釈し,両方のガスがたとえ出会っても燃
焼しない濃度以下にする。
O2等)をN2で希釈し,両方のガスがたとえ出会っても燃
焼しない濃度以下にする。
この場合の問題点は, (a) 高価な高純度N2を多量に使用し,経費高とな
る。
る。
(b) 他の装置の排気系と合流していると,ガスどう
しのインターロックのため安全管理が複雑になる。
しのインターロックのため安全管理が複雑になる。
従来例のように1つの排気系しかない同一反応室で還
元性ガスと酸化性ガスを時分割で使用する場合,残留ガ
ス等により両方のガスが混合して爆発・燃焼を起こす危
険がある。
元性ガスと酸化性ガスを時分割で使用する場合,残留ガ
ス等により両方のガスが混合して爆発・燃焼を起こす危
険がある。
本発明は爆発・燃焼性のあるガスの混合を防止した安
全な反応処理装置の提供を目的とする。
全な反応処理装置の提供を目的とする。
上記課題の解決は,複数のガスを導入する反応室と,
反応室を排気する複数の排気系と,反応室に導入するガ
スの種類により異なった排気系を選ぶ選択手段を有し,
排気系は少なくとも酸化性ガスに対する排気系と還元性
ガスに対する排気系とからなり,それぞれの排気系が独
立して除害装置を備え,酸化性ガスがフッ素化合物を含
む洗浄用ガスである反応処理装置により達成される。
反応室を排気する複数の排気系と,反応室に導入するガ
スの種類により異なった排気系を選ぶ選択手段を有し,
排気系は少なくとも酸化性ガスに対する排気系と還元性
ガスに対する排気系とからなり,それぞれの排気系が独
立して除害装置を備え,酸化性ガスがフッ素化合物を含
む洗浄用ガスである反応処理装置により達成される。
本発明は反応室に還元性ガスと酸化性ガスの排気系を
別々に設け,反応室に導入するガスの種類により排気系
を切り換えるようにしているため,すなわち,両方のガ
スの分離が従来例のように時間的に行われるのではな
く,空間的に行われるため,両方のガスがどのような濃
度であっても混合することはなく,安全性が保たれるよ
うにしたものである。
別々に設け,反応室に導入するガスの種類により排気系
を切り換えるようにしているため,すなわち,両方のガ
スの分離が従来例のように時間的に行われるのではな
く,空間的に行われるため,両方のガスがどのような濃
度であっても混合することはなく,安全性が保たれるよ
うにしたものである。
第1図は本発明の一実施例を説明する装置の構成図で
ある。
ある。
この例では,プラズマ気相成長(CVD)装置について
説明する。
説明する。
図において,1は反応室,2Aは成膜用の還元性ガスAの
導入口,2Bは洗浄用の酸化性ガスBの導入口,3は排気口,
3Aは還元性ガスAの排気系,3Bは酸化性ガスBの排気系,
4は希釈用窒素導入口,5はドライポンプ,6は吸着式除害
装置である。
導入口,2Bは洗浄用の酸化性ガスBの導入口,3は排気口,
3Aは還元性ガスAの排気系,3Bは酸化性ガスBの排気系,
4は希釈用窒素導入口,5はドライポンプ,6は吸着式除害
装置である。
また,2AV,2BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガスBの
導入バルブ,3AV,3BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガス
Bの排気バルブ(選択手段)である。
導入バルブ,3AV,3BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガス
Bの排気バルブ(選択手段)である。
両方のガスの排気系3A,3Bはそれぞれ別の中和塔に導
かれる。
かれる。
つぎに,成膜種別の成膜ガスと洗浄ガスの分離例を示
す。
す。
第2図は2つの反応室を並列使用したときの実施例を
示す。
示す。
この場合は,A排気系どうし,およびB排気系どうし一
括して接続してそれぞれ別の中和塔に導かれる。
括して接続してそれぞれ別の中和塔に導かれる。
実施例の装置において,安全のためにガス導入バルブ
2AV,2BVと排気バルブ3AV,3BVを同期信号で切り換えるよ
うにする。
2AV,2BVと排気バルブ3AV,3BVを同期信号で切り換えるよ
うにする。
また,A,Bは開/閉の逆相の信号で駆動するようにす
る。
る。
以上説明したように本発明によれば,爆発・燃焼性の
あるガスの混合を防止して安全な反応処理装置が得られ
た。
あるガスの混合を防止して安全な反応処理装置が得られ
た。
また,空間的に排気系を分離することで,安全確保の
ための制御論理が簡単になる(従来の時間分割では他の
装置,設備,事故,故障を組み合わせて考えなければな
らない)。
ための制御論理が簡単になる(従来の時間分割では他の
装置,設備,事故,故障を組み合わせて考えなければな
らない)。
さらに,除害対象となるガスの性質を系ごとに揃えら
れるので,除害効率が向上する。この結果,除害装置の
吸着剤の種類を減らすことができ,簡便な安全管理が可
能である。
れるので,除害効率が向上する。この結果,除害装置の
吸着剤の種類を減らすことができ,簡便な安全管理が可
能である。
第1図は本発明の一実施例を説明する装置の構成図, 第2図は2つの反応室を並列使用したときの実施例の構
成図である。 図において, 1は反応室, 2Aは成膜用の還元性ガスAの導入口, 2Bは洗浄用の酸化性ガスBの導入口, 2AV,2BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガスBの導入バ
ルブ, 3AV,3BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガスBの排気バ
ルブ, 3は排気口, 3Aは還元性ガスAの排気系, 3Bは酸化性ガスBの排気系, 4は希釈用窒素導入口, 5はドライポンプ, 6は吸着式除害装置 である。
成図である。 図において, 1は反応室, 2Aは成膜用の還元性ガスAの導入口, 2Bは洗浄用の酸化性ガスBの導入口, 2AV,2BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガスBの導入バ
ルブ, 3AV,3BVはそれぞれ還元性ガスA,酸化性ガスBの排気バ
ルブ, 3は排気口, 3Aは還元性ガスAの排気系, 3Bは酸化性ガスBの排気系, 4は希釈用窒素導入口, 5はドライポンプ, 6は吸着式除害装置 である。
フロントページの続き (72)発明者 三重野 文健 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大場 隆之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 土岐 雅彦 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−20875(JP,A) 特開 平4−113621(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】複数のガスを導入する反応室と, 該反応室を排気する複数の排気系と, 該反応室に導入するガスの種類により異なった排気系を
選ぶ選択手段とを有し, 前記排気系は少なくとも酸化性ガスに対する排気系と還
元性ガスに対する排気系とからなり,それぞれの排気系
が独立して除害装置を備え,前記酸化性ガスがフッ素化
合物を含む洗浄用ガスであることを特徴とする反応処理
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2289166A JP2980667B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2289166A JP2980667B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 反応処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04162713A JPH04162713A (ja) | 1992-06-08 |
JP2980667B2 true JP2980667B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=17739618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2289166A Expired - Fee Related JP2980667B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 反応処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2980667B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4113755B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2008-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4788315B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-10-05 | 信越半導体株式会社 | 気相エピタキシャル成長装置 |
JP4438850B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、このクリーニング方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6220875A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
JP2932646B2 (ja) * | 1990-09-03 | 1999-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 膜形成方法 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2289166A patent/JP2980667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04162713A (ja) | 1992-06-08 |
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