JP4788315B2 - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 130
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 79
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 claims description 34
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 18
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 8
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
なお、上記所定値は、気相エピタキシャル成長に使用する反応炉や原料ガス等に応じて適宜設定することができる。
このように、前記圧抜き用弁がマノメータであれば、反応炉内で異常に高まった圧力を逃がし、反応炉等の破損を効果的に防止することができるものをコストをかけずに構成することが可能である。
このように、前記反応炉と前記第一ガス排気ラインと前記第二ガス排気ラインとが、三方弁により接続されたものであれば、より確実に、第一ガス排気ラインおよび第二ガス排気ラインのいずれか一方のみを通して、反応炉からのガスを排気することが可能である。このため、より確実に反応炉やスクラバで廃棄ガスとエアーが混合することがなく、安全性をさらに向上することができる。
このように、前記バルブの開閉を自動制御するシステムを具備するものであれば、人の手を介さずにバルブの開閉を自動的に行うので、より正確にバルブの切り替えを行うことが可能である。
従来の気相エピタキシャル成長装置において、反応炉とスクラバとが一対一で構成されたものでは、装置の占有スペースが大きくなり、設備にかかるコスト等が増加してしまい、生産効率が低下してしまう。また、従来の複数の反応炉に対応したスクラバを備えた気相エピタキシャル成長装置では、反応炉1台に生じたトラブルが他の反応炉に影響を及ぼす可能性が高く、リスクが高くなってしまう。
また、例えば配管等が反応炉内で生じた副生成物の積層によって詰まってしまった場合、廃棄ガスがスクラバへと流れず、反応炉内の圧力が異常に上昇してしまい、反応炉が破損してしまうという問題があった。
図1および図2は、本発明に従う気相エピタキシャル成長装置の一例を示す概略図である。図1に示すように、本発明の気相エピタキシャル成長装置1は複数の反応炉2を有しており、この複数の反応炉2からの廃棄ガスを処理するよう集合スクラバ3が設置された構成となっている。このような構成であるため、設置するスクラバ3の数を抑え、スペースやコストの無駄を省き、効率良く生産性高く低コストでウエーハに気相エピタキシャル成長を行うことが可能である。
なお、スクラバ3は、複数の反応炉からの廃棄ガスを受け入れるものであれば、その数は一つに限定されるものではなく、複数あっても良い。例えば、使用する原料ガスに対応してスクラバ3を複数設け、反応炉2で発生した異なる廃棄ガスを別々に処理するような構成とすることもできる。また、反応炉の設置台数に応じ、スクラバの処理能力に従い、スクラバの数を決めればよい。
まず、第一のガス排気ライン7は、反応炉2から排気された廃棄ガスを処理するためのものであり、反応炉2とスクラバ3とを接続している。すなわち、廃棄ガスを反応炉2からスクラバ3に送る流路となっている。
また、第三のガス排気ライン9は、反応炉2内の圧力を開放するためのものである。この第三ガス排気ライン9には、反応炉2内の圧力が所定値以上に達したときに自動的に開となる圧抜き用弁11が備えられているため、例えば廃棄ガスが流れる第一ガス排気ライン7が閉塞してしまって、反応炉2内の圧力が上昇して前記所定値以上の異常な値をとったときに、上記弁11が開き、該異常な圧力を開放し、反応炉2やライン等が圧力により破損するのを効果的に防止することが可能である。また、通常時は、第一ガス排気ライン7や第二ガス排気ライン8における詰まり状況をモニタする役割を果たすことができ、日常点検や管理に有効である。
なお、所定値に関しては、上述したように、例えば反応炉2の材質や原料ガスの流量、気相エピタキシャル成長時の設定温度、成長速度等の実験条件などに応じて適宜設定することができる。
上記両ライン7、8には排気および排気停止を切り替えるためのバルブ10が備えられている。そして、これらの第一ガス排気ライン7のバルブ10’aと第二ガス排気ライン8のバルブ10’bによって、いずれか一方のみを通してガスを排気するようになっている。
このとき、反応炉2’から排出される廃棄ガスは第一ガス排気ライン7を通してスクラバ3に送られ、排ガス処理が行われた後、外部に排気される。
2、2’、2”、302、402…反応炉、
3、303、403…スクラバ、
4、304、404…原料ガス供給装置、
5、10、10’a、10’b、10’c、10”a、10”b、10”c…バルブ、
6、306、406…パージガス供給装置、 7…第一ガス排気ライン、
8…第二ガス排気ライン、 9…第三ガス排気ライン、
11…圧抜き用弁、 12’、12”…三方弁、 13…コンピュータ、
14…マノメータ、 301、401…従来の気相エピタキシャル成長装置。
Claims (4)
- 少なくとも、ウエーハに気相エピタキシャル成長を施すための複数の反応炉と、該複数の反応炉から排気された廃棄ガスを処理するためのスクラバを備えた気相エピタキシャル成長装置であって、前記複数の反応炉はそれぞれ、少なくとも、互いに独立して設けられた3つのガス排気ラインと接続されており、第一ガス排気ラインは前記スクラバに接続されて前記複数の反応炉から排気された廃棄ガスを処理するためのものであり、第二ガス排気ラインは前記反応炉内のエアーをパージするためのものであり、第三ガス排気ラインは前記反応炉内の圧力を開放するためのものであり、前記第一ガス排気ラインおよび第二ガス排気ラインは排気および排気停止を切り替えるためのバルブを備えていて、該バルブの切り替えにより、それぞれの反応炉ごとに、前記第一ガス排気ラインおよび前記第二ガス排気ラインのいずれか一方のみを通してガスを排気するものであり、前記第三ガス排気ラインは前記反応炉内の圧力が所定値以上に達したときに自動的に開となる圧抜き用弁を備えたものであることを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
- 前記圧抜き用弁はマノメータであることを特徴とする請求項1に記載の気相エピタキシャル成長装置。
- 前記反応炉と前記第一ガス排気ラインと前記第二ガス排気ラインとは、三方弁により接続されたものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の気相エピタキシャル成長装置。
- 前記バルブの開閉を自動制御するシステムを具備するものであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005345139A JP4788315B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005345139A JP4788315B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150138A JP2007150138A (ja) | 2007-06-14 |
JP4788315B2 true JP4788315B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=38211144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005345139A Active JP4788315B2 (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4788315B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116465213A (zh) * | 2023-04-12 | 2023-07-21 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种外延尾气处理安全的连接方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61242994A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-29 | Toshiba Corp | 縦型気相成長装置 |
JP2980667B2 (ja) * | 1990-10-26 | 1999-11-22 | 富士通株式会社 | 反応処理装置 |
JP2937272B2 (ja) * | 1991-07-03 | 1999-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 給排ガスの切替システム |
JPH10214788A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相成長装置 |
JPH10237654A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相成長装置 |
JP3958499B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2007-08-15 | 株式会社荏原製作所 | 半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法 |
JP2003303777A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置及びクリーニング方法 |
JP2005056931A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005216911A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャル成長装置の排ガス処理システム |
-
2005
- 2005-11-30 JP JP2005345139A patent/JP4788315B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007150138A (ja) | 2007-06-14 |
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