JPH04112775U - ダイヤモンドブレード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本考案は、ダイヤモンドブレードにおいて、
切れ味を向上させるだけでなく、切削圧を減少させると
共に、切削時における冷却水による冷却効果を向上させ
ることのできる二層又は三層構造から成る多層ダイヤモ
ンドチップを有するダイヤモンドブレードを提供する。 【構成】 本考案のダイヤモンドブレードＳは、鋼製円
形基板１の外周面に複数個のダイヤモンドチップ２を固
着したダイヤモンドブレードＳにおいて、前記ダイヤモ
ンドチップ２は平行な２側面を備えた単層ダイヤモンド
チップ２からなる標準チップ２ａの少なくとも一方の側
面の一部分に、前記標準チップ２ａよりダイヤモンド砥
粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層２ｂを形成させて多
層ダイヤモンドチップ２としたものである。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、主として石材、コンクリート等の硬脆材料を切断するのに使用され るダイヤモンドブレードに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

一般に、石材等を切断するダイヤモンドブレードとしては、複数のダイヤモン ド砥粒を含む単層チップを用いて、等間隔に鋼製円形基板の外周面に取付けられ たものが使用されている。しかし、上記単層チップを取着したダイヤモンドブレ ードには、切削作業が進行するにつれて、チップの外周面と側面との境界部（い わゆる肩部）が丸みを帯びて、いわゆる「肩だれ」を起こして、切れ味が低下す るという問題がある。この問題を解決するために、米国特許第３，０２８，７１ ０号に開示されたような三層構造のダイヤモンドチップを用いたダイヤモンドブ レードが提案された。この三層構造のダイヤモンドチップは、図１１乃至図１３ に示されるように、外側層５２ｂ、中央層５２ａ、下地層５２ｃから成り、鋼製 基板５１の外周面に固着されている。外側層５２ｂに含まれているダイヤモンド 砥粒の集中度は、中央層５２ａに含まれているダイヤモンド砥粒の集中度より遥 かに高く構成され、このため切削作業の進行に伴い、中央層５２ａが外側層５２ ｂより多く摩耗して、チップ５２の外周面５２ｄが、図１３の如き凹状を呈し、 ダイヤモンドブレードの切れ味が向上するという効果がある。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、上記従来技術のような三層構造のダイヤモンドチップは、各チ ップの両側側面の全体が平行な側面となり、各チップ側面の全域が切削作業に直 接関与するので、従前からの問題である切削圧（側面抵抗）が高くなると共に、 機械の電力消費量も多くなり、また切削時における冷却水による冷却効果も不十 分である等の問題は解決されていない。

【０００４】 本考案の目的は、ダイヤモンドブレードにおいて、切れ味を向上させるだけで なく、切削圧を減少させると共に、切削時における冷却水による冷却効果を向上 させることのできる二層又は三層構造から成る多層ダイヤモンドチップを有する ダイヤモンドブレードを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

本考案は上記課題を解決するためになされたものであり、本考案のダイヤモン ドブレードは、鋼製円形基板の外周面に複数個のダイヤモンドチップを固着した ダイヤモンドブレードにおいて、前記ダイヤモンドチップは平行な２側面を備え た単層ダイヤモンドチップからなる標準チップの少なくとも一方の側面の一部分 に、前記標準チップよりダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を形 成させて多層ダイヤモンドチップとしたものである。

【０００６】 上記高集中度のダイヤモンド砥粒層は、上記標準チップの両側面の一部分に形 成させて部分的な三層構造にしたり、または標準チップの片側面の一部分に形成 させて、部分的に二層構造にした多層ダイヤモンドチップを、標準チップよりダ イヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層の位置が隣の多層ダイヤモンド チップと反対位置になるように配置すると好適である。

【０００７】

【実施例】

次に、本考案の実施例を添付図面を参照して説明する。なお、以下に説明する 部材、配置等は本考案を限定する趣旨ではなく、本考案の趣旨に反しない範囲に おいて、種々改変することができるものである。

【０００８】 図１乃至図３は本考案の第１実施例を説明するものであり、図１はダイヤモン ドブレードの部分側面図、図２は図１の部分外周展開図、図３は図２の拡大Ｃ− Ｃ断面図である。本例のダイヤモンドブレードＳは、鋼製円形基板１と、複数の ダイヤモンドチップ２とからなり、図１乃至図３で示されるように、円形基板１ の外周には複数のダイヤモンドチップ２が、割溝３を介して互いに所定間隔毎に ロー付け又はレーザー溶接等の周知技術によって固着されている。

【０００９】 本例のダイヤモンドチップ２は、平行な２側面２ｃ，２ｃをそなえた単層チッ プからなる標準チップ２ａの部分と、この標準チップ２ａの一部で且つ両側の側 面に形成されたダイヤモンド砥粒層２ｂと、を備えた部分的な三層構造から構成 され、標準チップ２ａとダイヤモンド砥粒層２ｂは同時に焼結して形成されてい る。 標準チップ２ａの部分は、図２及び図３で示すように、厚さＴ、高さＸ、長さ Ｌ１で構成されている。またダイヤモンド砥粒層２ｂの部分は、厚さｔ１、高さ Ｘ、長さＬ２（Ｌ２はＬ１の約半分前後）からなり、上記標準チップ２ａの回転 方向（矢印Ｒで示す）前部の両側面に位置するように、標準チップ２ａと一体に 形成されており、ダイヤモンド砥粒層２ｂの側面は切削面２ｄとなっている。こ のように本例では、標準チップ２ａとダイヤモンド砥粒層２ｂとの高さＸは同じ に形成し、長さは標準チップ２ａの略半分にして構成されている。そしてダイヤ モンド砥粒層２ｂに含まれているダイヤモンド砥粒の集中度は、標準チップ２ａ のダイヤモンド砥粒集中度より高く構成されている。

【００１０】 ダイヤモンドチップ２を本例のような構成にすると、ダイヤモンド砥粒層２ｂ の両側面である切削面２ｄが切削に直接関与し、標準チップ２ａの両側面２ｃが 切削作業には直接関与しないので、切削圧（側面抵抗）が減少する。

【００１１】 上記実施例では、ダイヤモンド砥粒層２ｂの側面形状を略四角形として形成し ているが、逆台形等の他の形状にしてもよい。また、ダイヤモンド砥粒層２ｂの 回転方向前端が標準チップ２ａの前端と一致させて形成しているが、ダイヤモン ド砥粒層２ｂを標準チップ２ａの中央部付近の側面に形成してもよい。さらに、 標準チップ２ａの厚さＴを円形基板１の厚さと同じにしてもよい。

【００１２】 図４及び図５は本考案の第２実施例を示すものである。なお、本例を含めて以 下の実施例においては、上記第１実施例と同一部材等には同一符号を付してその 説明を省略する。 本例のダイヤモンドチップ１２は、標準チップ１２ａの両側面の各２個所（前 部と後部）に、厚さｔ２、高さＸ、長さＬ３のダイヤモンド砥粒層１２ｂが形成 されたものである。ダイヤモンド砥粒層１２ｂのダイヤモンド砥粒集中度は、第 １実施例と同様に、標準チップ１２ａより高くなっている。その他の構成、効果 などは第１実施例と同一であり、説明を省略する。

【００１３】 図６乃至図８は本考案の第３実施例を示すものである。この例のダイヤモンド チップ２２は、標準チップ２２ａの回転方向前部の片側面に、厚さｔ３、高さＸ 、長さＬ４のダイヤモンド砥粒層２２ｂが形成されている。本例は、部分的な二 層構造のダイヤモンドチップであり、ダイヤモンド砥粒層２２ｂの位置が隣接す るダイヤモンドチップ２２と交互に反対位置に形成されており、切断作業に直接 関与する左側面の総面積が右側面の総面積と同一になっている（但し、チップ２ ２の数が偶数の場合）。なお、本実施例の場合も、ダイヤモンド砥粒層２２ｂの ダイヤモンド砥粒集中度は厚さＴの標準チップ２２ａより高くなっている。

【００１４】 ダイヤモンドチップを上記実施例のような構成にすれば、標準チップ２２ａの ダイヤモンド砥粒層側の側面２２ｃが切削作業に直接関与しないので、切削圧（ 側面抵抗）が減少する。

【００１５】 上記実施例では、第１実施例と同様に、ダイヤモンド砥粒層２２ｂの側面形状 が略四角形になっているが、逆台形などの他の形状にしてもよい。なお、本例で はダイヤモンド砥粒層２２ｂの位置が隣接するダイヤモンドチップ２２と交互に 反対位置に形成しているが、ダイヤモンドチップの数が多い場合等においては、 ダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を同一方向に２つ連続したも のを交互にしてもよい。このときにも切断作業に直接関与する左右の総面積が左 右同一にすると、回転バランス及び切削バランス上で好適である。

【００１６】 図９及び図１０は本考案の第４実施例を示すもので、本例のダイヤモンドチッ プ３２は、標準チップ３２ａの片側面の２個所（前部と後部）に、厚さｔ４、高 さＸ、長さＬ５のダイヤモンド砥粒層３２ｂが形成されたものである。本例のダ イヤモンドチップ３２は第３実施例と同様に、部分的な二層構造となっており、 切削作業に直接関与する左側面の総面積が右側面の総面積と同一になっている。 その他の構成、効果などは第３実施例と同一であり、説明を省略する。なお本例 においても、上記第３実施例と同様に、ダイヤモンドチップのダイヤモンド砥粒 集中度の高いダイヤモンド砥粒層を同一方向に２つ連続したものを交互にしても よい。このときにも切断作業に直接関与する左右の総面積が左右同一にすると、 回転バランス及び切削バランス上で好適である。

【００１７】 なお、上記第３及び第４実施例に示した二層構造のダイヤモンドチップのダイ ヤモンド砥粒層の厚さｔ３及びｔ４は、切削作業の進行に伴うチップ外周面の凹 状化を配慮して、三層構造チップのｔ１及びｔ２（第１及び第２実施例）より厚 くなっている。 上記各構成に係るダイヤモンドブレードは外径が２５０ｍｍ程度乃至２，５０ ０ｍｍ程度のものに好適に用いられるものであり、ダイヤモンドチップ２の具体 的な寸法として、標準チップの厚さＴとしては１．５乃至６ｍｍ程度，ダイヤモ ンド砥粒層の厚さｔ１，ｔ２としては０．５乃至２．０程度，厚さｔ３，ｔ４と しては１．０乃至４．０程度が好ましく、標準チップ或はダイヤモンド砥粒層の 高さＸとしては５乃至１０ｍｍ程度，標準チップの長さＬ１としてはは３５乃至 ５０ｍｍ程度が好ましい。また各実施例におけるダイヤモンド砥粒層の全体の厚 さとしては２．５≦Ｔ＋２×ｔ１≦１０（単位ｍｍ），２．５≦Ｔ＋２×ｔ２≦ １０（単位ｍｍ）、２．５≦Ｔ＋ｔ３≦１０（単位ｍｍ），２．５≦Ｔ＋ｔ４≦ １０（単位ｍｍ）とすることが好ましい。

【００１８】

【考案の効果】

上記構成からなる本考案によれば、ダイヤモンドチップが標準チップとダイヤ モンド砥粒層とから構成された部分的な多層チップとして、円形基板の外周に固 着することによって、従来の三層チップと同様に、切削作業の進行に伴うチップ 外周面の凹状化という利点を有したまま、切削圧（側面抵抗）の低いダイヤモン ドブレードを提供することができる。従って、本考案のダイヤモンドブレードを 使って石材等を切断すれば、切れ味を維持したまま切削圧が減少するので、生産 性が向上する。

【００１９】 また、各チップの側面の一部が被削材の切削面に直接接触しないので、側面全 域が切削作業に直接関与していた従来のダイヤモンドブレードに比べて、切削作 業中の切削圧（側面抵抗）が低減すると共に、冷却水の回りがよくなり、機械の 電力消費量も低減する。 さらに、冷却水の回りがよくなると、切削作業中の摩擦抵抗が小さくなり、切 削による切屑の排出が改善されるので、作業能率も上がる。

【００２０】 このように、本考案によれば、多層チップ本来の切れ味を低下させることなく 、側面抵抗の低いブレードを作ることができるので、冷却水を用いない乾式切削 の場合でも、生産性向上に大きく寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る第１実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。

【図２】図１におけるダイヤモンドブレードの部分外周
展開図である。

【図３】図２の拡大Ｃ−Ｃ断面図である。

【図４】本考案に係る第２実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。

【図５】図４おけるダイヤモンドブレードの部分外周展
開図である。

【図６】本考案に係る第３実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。

【図７】図６におけるダイヤモンドブレードの部分外周
展開図である。

【図８】図７の拡大Ｃ−Ｃ断面図である。

【図９】本考案に係る第４実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。

【図１０】図９におけるダイヤモンドブレードの部分外
周展開図である。

【図１１】従来例のダイヤモンドブレードの部分側面図
である。

【図１２】図１１の拡大Ｂ−Ｂ断面図である。

【図１３】従来例の使用されたダイヤモンドチップ部分
の拡大断面図である。

【符号の説明】

１ 鋼製円形基板 ２，１２，２２，３２ ダイヤモンドチップ ２ａ，１２ａ，２２ａ，３２ａ 標準チップ ２ｂ，１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ ダイヤモンド砥粒層 ２ｄ 側面（切削側面） Ｓ ダイヤモンドブレード

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 鋼製円形基板の外周面に複数個のダイヤ
   モンドチップを固着したダイヤモンドブレードにおい
   て、前記ダイヤモンドチップは平行な２側面を備えた単
   層ダイヤモンドチップからなる標準チップの少なくとも
   一方の側面の一部分に、前記標準チップよりダイヤモン
   ド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を形成させて多
   層ダイヤモンドチップとしたことを特徴とするダイヤモ
   ンドブレード。
2. 【請求項２】 前記標準チップの両側面の一部分に標準
   チップよりダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド
   砥粒層を形成させて、多層ダイヤモンドチップを部分的
   に三層構造としたことを特徴とする請求項１記載のダイ
   ヤモンドブレード。
3. 【請求項３】 前記標準チップの一方の側面の一部分に
   標準チップよりダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモ
   ンド砥粒層を形成させて、部分的に二層構造にした多層
   ダイヤモンドチップを、前記標準チップよりダイヤモン
   ド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層の位置が隣の多
   層ダイヤモンドチップと反対位置になるように配置した
   ことを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドブレー
   ド。