JPH04109520U - 端面接触形チユーブラコンデンサ - Google Patents

端面接触形チユーブラコンデンサ

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JPH04109520U
JPH04109520U JP1991065996U JP6599691U JPH04109520U JP H04109520 U JPH04109520 U JP H04109520U JP 1991065996 U JP1991065996 U JP 1991065996U JP 6599691 U JP6599691 U JP 6599691U JP H04109520 U JPH04109520 U JP H04109520U
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foil
tubular capacitor
metal
layer
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ハラルト、フエツター
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シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
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    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 箔の縁部領域に狭窄作用を生じないように
し、スクープ処理によって良好な接触が得られる端面接
触形チューブラコンデンサを提供する。 【構成】 誘電体が偏位されて巻かれた合成樹脂箔から
なり、少なくとも１つの合成樹脂箔の上に金属のない自
由縁部を備え電極として作用する再生可能な薄い金属層
が設けられ、合成樹脂箔の縁部が金属のない領域に０．
５乃至２ｍｍの振幅Ａ、１乃至５ｍｍの波長λの波状ま
たは階段状の切れ込みを備え、偏位ｖを０乃至０．２ｍ
ｍとする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、誘電体が偏位されて巻かれた合成樹脂箔からなり、少なくとも１つ の合成樹脂箔の上に金属のない自由縁部を備え電極として作用する再生可能な薄 い金属層が設けられた端面接触形チューブラコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような合成樹脂巻体の接触形成は公知のスクープ法によって行われ、この 方法では火炎噴射によって例えばアルミニウム‐ホワイトメタルまたは亜鉛が巻 体の端面に塗着される。端面金属層と再生可能な薄い電極との間に所要の電気接 触を保証するためには、例えば１ｍｍずつ偏位させて個々の合成樹脂箔を巻く必 要がある。
【０００３】 このような巻回偏位に関連して巻かれた合成樹脂箔の形状安定性が重要である 。特にこの形状安定性は、曲率半径すなわちチューブラコンデンサの場合には巻 き半径の関数である。合成樹脂箔は巻き径が増加するのに伴って合成樹脂箔の形 状安定性が小さくなり、それによって箔にかかる引張り力が一定の場合箔の変形 度はますます大きくなる。その結果箔は巻回偏位を備える縁部領域において狭め られ、従って必然的に先行する層に支持されることになる。
【０００４】 この作用は原理的にはすべてのチューブラコンデンサにおいて見られ、チュー ブラコンデンサの箔要素を湾曲した条帯とみなせば、充分な精度で計算すること ができる。材料の形状安定性および撓みｆは弾性係数Ｅに比例する。例えば紙Ｐ の弾性係数とポリプロピレンＰＰの弾性係数とをその他のパラメータが一定の場 合に比較すれば、次式が成立する。 ｆp ／ｆpp〜Ｅpp／Ｅp 室温ではｆp ／ｆppは約１／４であり、従って紙チューブラコンデンサでは上述 の狭窄作用は起こらない。
【０００５】 これに関連してスクープ処理における箔の縁部領域の熱負荷も軽視することは できない。温度の増加に伴って合成樹脂箔の弾性係数は著しく低下するが、他方 スクープ温度の領域における紙の弾性係数は殆んど変化しない。従ってｆp ／ｆ pp の比はポリプロピレンに対しては温度の増加と共にますます不都合になり、即 ち変形が一層増加する。
【０００６】 箔の縁部領域の前記狭窄は、箔の上に設けられた金属層被覆をスクープ負荷に 加えて損傷する危険を伴って箔の横方向に著しい機械的な伸びを生じる。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】
本考案の課題は、箔の縁部領域に前記狭窄作用が起こらず、しかもスクープ処 理によって良好な接触が得られるような冒頭に記載した種類のコンデンサを提供 することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題は本考案によれば請求項１の特徴部分に記載のコンデンサによって解 決される。本考案の好適な実施態様は請求項２以下に記載されている。
【０００９】
【実施例】
本考案を下記の実施例によって詳細に説明する。
【００１０】 図１には、２つの合成樹脂箔１、２が互いに巻かれたコンデンサの構造が示さ れている。例えばポリプロピレンまたはポリカーボネートからなる合成樹脂箔１ 、２の上に、例えばアルミニウムからなる再生可能な薄い金属層３、４がそれぞ れ設けられる。さらに箔１、２の異なる縦側に金属のない自由縁部領域５、６が 設けられる。合成樹脂箔１、２の縁部は、自由縁部領域５、６の部分に、振幅Ａ 、波長λの波状または階段状の切れ込みを備えている。箔１、２は０ないし０． ２ｍｍの偏位で互に巻かれている。
【００１１】 本考案による波状または階段状の切れ込みを自由縁部領域の範囲に設けること によって、接触の低下をもたらすことなしに、巻体の形状安定性が著しく増大さ れる。
【００１２】 損傷のおそれのある縁部領域における上述の箔要素幅を湾曲により形状安定性 が無視されるまで小さくすれば、伸び負荷が均一に分布されている場合撓みは容 易に求められる。波状切れ込みを備えた合成樹脂箔によって部分的に支持された 同一寸法の箔要素は、同一の負荷条件のもとでは一方の側で張設され両側で支持 された条帯として取扱うことができる。従って近似的に次の剛性関係式が得られ る。 ｗ〜１／６０・ｆ・ｌ ここで、ｆ＝湾曲支持体の撓みまたは曲がり、 ｗ＝条体の撓み、 ｌ＝波状切れ込みの振幅Ａと等しいスパン
【００１３】 前記関係式においてｆ〜１．４ｍｍ、ｌ〜１ｍｍとすれば、箔縁部領域の補強 は倍率が約４０になる。
【００１４】 図２には、再生可能な薄い金属層９および１０が合成樹脂箔７の上側または下 側に設けられた巻体構造が示されている。合成樹脂箔７は、金属層のない合成樹 脂支持箔８と共に巻かれている。合成樹脂箔７の自由縁部領域１１および１２の 範囲において、支持箔８は波状または階段状の切れ込みを両方の縁部に備えてい る。図２に示された実施例において箔７および８は最大０．２ｍｍの偏位ｖで巻 かれている。
【００１５】 図３には支持箔８が平面図で示されている。この図から明らかなように、支持 箔の縁部領域には振幅Ａ、波長λの波状切れ込みが設けられている。この場合振 幅Ａは、約０．５乃至約２ｍｍで自由縁部領域の幅より小さいことが好ましい。 波長λは例えば約１乃至約５ｍｍである。
【００１６】 図４は、図２に示されたコンデンサ構造の縁部領域を切欠いた拡大図を示して いる。合成樹脂箔７および合成樹脂支持箔８からなる巻体の端面は、スパッタリ ングによってつくられた単層または複層の層１３によって核形成されている。こ の層１３の上にスクープ層１４が設けられている。スクープ処理に際して接触は 点滴状（点状）にのみ生じ、一方カソードスパッタリングによって平面接触が得 られるため、この構造によって金属層９および１０の一層確実な接触が保証され る。
【００１７】 さらに、金属層９および１０の上にある酸化物層（空気酸化物層の厚さ約４ｎ ｍ）をスパッタエッチング（逆スパッタリング）またはイオンビームエッチング 、プラズマエッチングを先に行うことによって除去することも可能である。これ に関連して、酸化物のない接触層を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例を示す側断面図。
【図２】本考案の別の実施例を示す側断面図。
【図３】図２のIII −III 線平面図。
【図４】図２において一点鎖線の円で囲む部分 IV を拡
大して詳細に示す切欠側断面図。
【符号の説明】
１、２ 合成樹脂箔 ３、４ 金属層 ５、６ 自由縁部領域 ７ 合成樹脂箔 ８ 合成樹脂支持箔 ９、１０ 金属層 １１、１２ 自由縁部領域 １３ スパッタ層 １４ スクープ層

Claims (7)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体が偏位されて巻かれた合成樹脂箔
    からなり、少なくとも１つの合成樹脂箔の上に金属のな
    い自由縁部を備え電極として作用する再生可能な薄い金
    属層が設けられ、合成樹脂箔の縁部が金属のない領域に
    振幅Ａ、波長λの波状または階段状の切れ込みを備えた
    端面接触形チューブラコンデンサにおいて、前記振幅Ａ
    は０．５乃至２ｍｍ、波長λは１乃至５ｍｍ、偏位ｖは
    ０乃至０．２ｍｍであることを特徴とする端面接触形チ
    ューブラコンデンサ。
  2. 【請求項２】 両電極（３、４）がそれぞれ別の合成樹
    脂箔（１、２）の一方の面上に設けられ、両合成樹脂箔
    （１、２）は自由縁部（５、６）が巻体の異なる側に設
    けられるように互に巻かれることを特徴とする請求項１
    記載のチューブラコンデンサ。
  3. 【請求項３】 両電極（９、１０）が一つの合成樹脂箔
    （７）の両面上に設けられ、自由縁部（１１、１２）は
    該合成樹脂箔（７）の異なる縁部領域に設けられ、合成
    樹脂箔（７）は金属が積層されていない合成樹脂支持箔
    （８）と共に巻かれていることを特徴とする請求項１記
    載のチューブラコンデンサ。
  4. 【請求項４】 合成樹脂箔（１、２；７）ないし合成樹
    脂支持箔（８）がポリプロピレンまたはポリカーボネー
    トからなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
    か１つに記載のチューブラコンデンサ。
  5. 【請求項５】 合成樹脂箔（７）および合成樹脂支持箔
    （８）が同じ金属からなることを特徴とする請求項３記
    載のチューブラコンデンサ。
  6. 【請求項６】 巻体の端面が、火炎噴射（スクープ）に
    よって端面接触層（１４）を設ける前に、単層または複
    層のスパッタ層（１３）によって核形成されることを特
    徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のチュ
    ーブラコンデンサ。
  7. 【請求項７】 核形成の前に端面部の金属層（３、４；
    ９、１０）上の酸化物層がスパッタエッチング（逆スパ
    ッタリング）、イオンビームエッチングまたはプラズマ
    エッチングによって除去されることを特徴とする請求項
    ６記載のチューブラコンデンサ。
JP1991065996U 1982-06-29 1991-07-26 端面接触形チユーブラコンデンサ Pending JPH04109520U (ja)

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Effective date: 19940906