JPS598324A - 端面接触形チユ−ブラコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特許請求の範囲第１項の前文に記載の端面接
触形チューブラコンデンサおよヒソの製造方法に関する
。

このような全合成＃１脂巻体の接触形成は公知のスクー
プ法によって行なわれ、この方法では火炎噴射によって
例えばアルミニウムーホワイトメオルまたは亜鉛が巻体
の端面に塗着される。端面金属層と再生可能な宵い電極
との間に所要の雷気接帥を保証するためには、例えば１
顧ずつ偏位させて個々の合成仙脂箔を巻く必要がある。

このような巻回偏位に関連して巻かれた合成樹脂店の形
状安定性が重要である。特にこの形状安定性１〆ま、曲
率半径すなわちチューブラコンデンサの場合には巻き半
径の関数である。合成樹脂’Ｉ＾は巻き径が増加するに
伴って形状安定性が小さくなり、従って箔の引張り力が
一定の場合にはｉ凸はますますひどく変形される。その
結果消は巻回偏位により縁部領域が狭くなり、従って必
然的に先行する層に保持されることになる。

この作用は原理的にすべてのチューブラコンデ／すの場
合に見られ、チューブラコンデンサの箔要素を湾曲した
殻帯とみなせば、充分な精度で計算することができる。

材料の形状安定性および撓みｆは弾性係数Ｅに比例する
。例えばＭ、Ｐの弾性係数とポリプロピレンＰＰの弾性
係数とをその他のパラメータが一定の場合に比較すれ（
ば、次式が成立する。

ｆＰ／ｆＰＰ〜　Ｅｐｐ　／　Ｂｐ 室温ではｆｐ　／　ｆｐｐは約％であり、従って紙チュ
ーブラコンデンサでは上述の狭−作用は起らない。

これに関連してスクープ処理における消の縁部領域の熱
負荷も軽視することはできない。温度の増υ口に伴って
合成４ｆｉ、ｒ脂Ｙ省の弾性係数は著しく低下するが、
他方スクープ温度の領域における紙の弾性係数は殆んど
変化しない。従ってｆｐ／ｆｐｐの化ｉ−ｉポリプロピ
レンに対しては温度の増加と共にますます不都合になり
、即ち変）（４が一層増加する。

箔のｔ−ｔ、部領域の前ｍｔ狭欅は、ン＾の上に設けら
れた欲属層被檀をスクープ負荷に加えて損傷する危険を
伴って箔の横方向に著しい一機械的な呻びを生じる。

本発明の目的は、箔の縁部領域（で前記狭搾作用が起ら
ず、しかもスクープ処理によって良好な接触が得られる
ような冒頭に記載した種類のコンでンザを提供すること
にある。

この目的は本発明によれば特許請求の範囲第１項の特徴
部分に記載のコンデンサによって達成される。本発明の
好適な実施態様は特許請求の範囲の実籏態庫噴に記載さ
れている。

本発明の特長を下記の実施例によって詳細に説明する。

机１図をでは、２つの合成４１．↑脂／ｉｌ；２が互に
巻かれたコンデンサの構造が示されている。例えばポリ
プロピレンまたはポリカーボネートからなる合成樹脂油
１，２の上に１例えばアルミニウムからなる再生可能な
薄い金属層３．１かそれぞれ設けられる。さらに消１，
２の異なる縦側に金１くのない自由縁部領域５，６が設
けられる。合成樹脂ｉ”４Ｌ２の縁部は、自由縁部領域
５，６の部分に。

娠幅Ａ、波長λの波状または階段状の切れ込みを備えて
いる。箔１．２１ｒｉＯ乃至０．２　ｒｒｔｓの偏位て
互に巻かれている。

本発明による波状または階段状の切れ込みを自由縁部領
域の範囲に設けることによって、接触の低下をもたらす
ことなしに、巻体の形状安定性か著しく増大される。

巻体の損傷のおそれのある縁部領域における前記箔要素
を考慮し、湾曲による形状安定性が無視されるまで幅を
小さくすれば、均一に分布された負荷状態で佛与が容易
に定められる。波状切れ込みを備えた合成イ釘脂消によ
って部分的に支持された同一寸法の箔要素は、［川に負
荷状態で、一方の側が固定されたおよび両側が支持され
た層状要素として取扱うことができる。従って近似的（
Ｃ次の剛性関係式が得られる。

Ｗ　〜　１／６０　、　ｆ、　ｔ ここで、ｆ＝湾曲支持体の撓みまたは曲り、Ｗ＝殻喪素
の撓み、 ｔ＝波状切れ込みの振幅へと等しいス ノζン 前記関係式においてｆ〜１．４ｆｆＪ、／〜Ｉ　ＬＩＩ
Ｊとすれぼ、箔線部領域の補強は倍率が約・１０になる
。

第２図には、再生可能な薄い金属層９によび１０が合成
１釣脂箔７の上側または下側に設けられた巻体構造が示
されている。合成樹脂箔７け、金属層のない合成樹脂支
持肩８と共に巻かれている。合成樹脂’Ｉｈ　７の自由
縁部領域１１およびＩ２の範囲において、支持Ｊ６８は
波状または階段状の切れ込みを両方の縁部に備えている
。第２図に示された実施例において箔７および８は最大
０６２朋の偏位Ｖで巻かれている。

第３図には支持肩８が平面図で示されている。

この１図から明らかなように、支持肩の縁部領域には振
幅Ａ、波長λの波状切れ込みが設けられている。この場
合振Ｉｌｖ、ＩＡは、約０．５乃至約２朋て自由縁部領
域の幅より小さいことが好ましい。ａ、良λは例えば約
１乃至約５闇である。

第１Ｎは、第２図に示されたコンデンサ々１４造の縁部
・「ａ域を切欠（／また拡大図を示している。合成樹脂
箔７および合成樹脂支持肩８からなる巻体の端面は、ス
パッタリングによってつくられた単１層または複ノーの
層１３によって核形成されている。この層１３の上にス
クープ層１４が設けられている。

スクープ処理に際して接触は点崗状（点状）にのみ生じ
、一方力ソードスパッタリングによって平面接触が得ら
れるため、この構造によって金＠層９およびＪＯの一層
確実な接触が保証される。

さらに、金＠層９および１０の上にある酸化物層（空気
酸化物層の厚さ約４ｎｍ）をスパッタエツチング（逆ス
パツタリング）またはイオンビームエツチング、プラズ
マエツチングを先に行うことによって除去することも可
能である。これに関連して、酸化物のない接触層を設け
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施ｆｉ１を示す側断面図、ｍ２図
は本発明の別の実施例を示す偶［すｆ面図、第３図は第
２図のＩｌｌ　−ＩＩＩ線平部平面図４図は第２図にお
いて一点鎖線の円で囲む部分ＩＶを拡大して詳細に示す
切欠側断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）誘電体が偏位されて巻かれた合成僚［脂泪からなり
   、少くとも１つの合成８ｆ脂２＾の上に金属のない自由
   縁部を備え電極として作用する再生可能な薄い金属層が
   設けられた端面接触形チューブラコンデンサにおいて、
   合成樹脂箔（］、２；７，８）の縁部が金属のない領域
   に振幅Ａ、彼長λの波状′または階段状の切れ込みを備
   え、偏位Ｖは０乃至０．２Ｉ馴であることを特徴とする
   端面妾ｆ独Ｊ杉チューフ゛ラコンテンサ。 ２）両電極（３，４）がそれぞれ別の合成（釘脂箔（ｔ
   ＋ｌａ一方の面上に設けられ、両合成樹脂；ｉ（１，２
   ）は自由縁部（５，６）が巻体の異なる側に設けられる
   ように互に巻かれることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のチューブラコンデンサ。 ３）両電極（９，１，０）が−゛つの合成便「脂消（７
   ）の両面上に設けられ、自由縁部（］、　１．　、１２
   　）は該合成樹脂箔（７）の異なる縁部領域に設けられ
   、合成樹脂箔（７）ｉ１″１：金属がｌ７ｔ４されてい
   ない合成樹脂支持Ｆｉ’ｉ　（８）と共に巻かれている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のチューブ
   ラコンデンサ。 ４）合成樹脂箔（１，，２；７）なカし合成樹脂支持、
   ’ｉ　（８）がポリプロピレンまたはポリカーボネート
   からなることを特徴とする特許請求の範囲第１墳乃至第
   ３頃のいずれかに記載のチューブラコンデンサ。 ５）合成樹脂箔（１，２）ないし合成樹脂支持消（８）
   は振幅Ａが約０．５乃至約２　ｔｒｓで彼長、１か約１
   乃至約５　ｙｔｕｎの波状または階段状の切れ込みを備
   えることを特徴とする特許ｎｎ求の範囲第１項乃至第４
   頃のいずれかに記載のチューブラコンデンサ。 ６）合成象４脂消（７）および合成樹脂支持箔（８）は
   同じ金属からなることを特徴とする特許請求の範囲第３
   項記載のチューブラコンデンサ。 ７）巻体の端面は、火炎噴射（スクープ）Ｋよって端面
   接触層（１４）を設ける前に、単！鐙または複層のスパ
   ッタ層（１３）によって核形成されることを特徴とする
   誘電体が偏位されて巻かれた合成樹脂油からなり、少く
   とも１つの合成撓脂箔の上に金属のなめ自由縁部を備え
   電極として作用する再生可能な薄い金ざ層が設けられた
   端面接触形チューブラコンデンサの製造方法。 ８）核形成の前に、端面部の金属層（３，４；９．１．
   ０）上の酸化物層がスパッタリング（逆スパツタリング
   ）、イオンビームエツチングまたはプラズマ１ソチング
   によって除去されることを特徴とする特許請求の範囲Ｉ
   料７項記載の方法。