JPH0399079A - インドリジン誘導体 - Google Patents
インドリジン誘導体Info
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- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医薬品の製造中間体として有用な、一般式
CN
(式中のRはアセチル基、低級アルコキシ力ノレボニル
メチル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基
としてノ\ロゲン原子、低級アノレキル基、フェニル基
、ニトロ基を有していてもよいベンゾイル基であり R
lおよびR2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ
低級アノレキノレ基であり、nは0〜2の整数である)
で表される1−シアノインドリジン誘導体 (式中のRはアセチル基、低級アルコキシカルボニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり R lお
よびR2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ低級
アルキル基であり、nは0〜2の整数である〉で表され
るl−シアノインドリジン誘導体に関するものである。
メチル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基
としてノ\ロゲン原子、低級アノレキル基、フェニル基
、ニトロ基を有していてもよいベンゾイル基であり R
lおよびR2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ
低級アノレキノレ基であり、nは0〜2の整数である)
で表される1−シアノインドリジン誘導体 (式中のRはアセチル基、低級アルコキシカルボニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり R lお
よびR2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ低級
アルキル基であり、nは0〜2の整数である〉で表され
るl−シアノインドリジン誘導体に関するものである。
さらに詳しく言えば、本発明は抗アレルギー作用、消炎
作用または鎮痛作用などの薬理作用を有し、医薬品とし
て有用な、一般式 (式中のRSR’SR2およびnは前記と同じ意味をも
つ〉で、表される1−アミノチェノ (3. 2− a
)インドリジン誘導体の製造中間体である一般式(1
)で表されるインドリジン誘導体に関するものである。
作用または鎮痛作用などの薬理作用を有し、医薬品とし
て有用な、一般式 (式中のRSR’SR2およびnは前記と同じ意味をも
つ〉で、表される1−アミノチェノ (3. 2− a
)インドリジン誘導体の製造中間体である一般式(1
)で表されるインドリジン誘導体に関するものである。
本発明の一般式(I)で表されるインドリジン誘導体と
して本発明者らは先に、一般式(式中のR3は低級アル
コキシカルボニルメチル基であり、R4は低級アルコキ
シカルボニル基であり、RSおよびRBは水素原子また
は低級アルキル基である〉で表されるインドリジン誘導
体が抗アレルギー作用を有し、抗アレルギー剤として有
用であることを見出し報告している。〔特開昭63−
238077号〕 〔発明の解決しようとする課題〕 本発明の目的は医薬品として有用な前記一般式(II)
で表される3−アミノチェノ [3, 2− a )イ
ンドリジン誘導体の製造中間体として有用な前記一般式
(I)で表されるインドリジン誘導体を提供することで
ある。
して本発明者らは先に、一般式(式中のR3は低級アル
コキシカルボニルメチル基であり、R4は低級アルコキ
シカルボニル基であり、RSおよびRBは水素原子また
は低級アルキル基である〉で表されるインドリジン誘導
体が抗アレルギー作用を有し、抗アレルギー剤として有
用であることを見出し報告している。〔特開昭63−
238077号〕 〔発明の解決しようとする課題〕 本発明の目的は医薬品として有用な前記一般式(II)
で表される3−アミノチェノ [3, 2− a )イ
ンドリジン誘導体の製造中間体として有用な前記一般式
(I)で表されるインドリジン誘導体を提供することで
ある。
本発明者らは、インドリジン誘導体について鋭意研究を
重ねた結果、インドリジン環とチオフエン環とが縮合し
た前記一般式(n)で表されるチェノ(3. 2− a
)インドリジン誘導体が良好な薬理活性を有し、医薬
品として有用であることを見出した。さらに本化合物が
、一般式 一般式 CN (式中のRはアセチル基、低級アルコキシ力ルポニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フエニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、R1およ
びR2は低級アルキル基であり、nはO〜2の整数であ
る〉で表されるl−シアノインドリジン誘導体を出発原
料として用いることにより、きわめて容易に製造できる
ことを見出し、本発明をなすに至った。
重ねた結果、インドリジン環とチオフエン環とが縮合し
た前記一般式(n)で表されるチェノ(3. 2− a
)インドリジン誘導体が良好な薬理活性を有し、医薬
品として有用であることを見出した。さらに本化合物が
、一般式 一般式 CN (式中のRはアセチル基、低級アルコキシ力ルポニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フエニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、R1およ
びR2は低級アルキル基であり、nはO〜2の整数であ
る〉で表されるl−シアノインドリジン誘導体を出発原
料として用いることにより、きわめて容易に製造できる
ことを見出し、本発明をなすに至った。
ここで、低級アルコキシカルボニルメチル基とは、炭素
数3〜8のアルコキシ力ルポニルメチル基をいい、低級
アルキル基とは炭素数1〜6のアルキル基をいう。また
、ハロゲン原子とは、塩素原子、臭素原子、フッ素原子
等をいう。
数3〜8のアルコキシ力ルポニルメチル基をいい、低級
アルキル基とは炭素数1〜6のアルキル基をいう。また
、ハロゲン原子とは、塩素原子、臭素原子、フッ素原子
等をいう。
本発明の一般式(1)で表される化合物のうち、前記と
同じ意味をもつ)で表されるイヒ合1勿{ま、一脱水素
剤を加えて反応させること(こより製造することができ
る。
同じ意味をもつ)で表されるイヒ合1勿{ま、一脱水素
剤を加えて反応させること(こより製造することができ
る。
また、一般式
(式中のR8はアセチル基、ナフトイル基または置換基
としてハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニ
トロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、RIS
R2およびnは前記と同じ意味をもつ)で表される化合
物は、前記一般式(Ia)で表される化金物を塩基の存
在下、一般式 R8CH2X (V) (式中のXはハロゲン原子であり R8は前記と同じ意
味をもつ)で表される化合物と反応させることにより製
造することができる。
としてハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニ
トロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、RIS
R2およびnは前記と同じ意味をもつ)で表される化合
物は、前記一般式(Ia)で表される化金物を塩基の存
在下、一般式 R8CH2X (V) (式中のXはハロゲン原子であり R8は前記と同じ意
味をもつ)で表される化合物と反応させることにより製
造することができる。
前記一般式(Ia)および前記一般式(Ib)で表され
る化合物の上述した製造方法は、一般に不活性溶媒中行
われる。不活性溶媒としては、例えば、クロロホルム、
塩化メチレン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド等を用いることが
できる。
る化合物の上述した製造方法は、一般に不活性溶媒中行
われる。不活性溶媒としては、例えば、クロロホルム、
塩化メチレン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド等を用いることが
できる。
塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナ}IJ
ウム等の無機塩基、1,8−ジアザビシクロ[:5,
4. 0 )−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシク
0 〔4,3,O〕ノン−5−エン、t−ブトキシカリ
ウム等の有機塩基を用いることができる。
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナ}IJ
ウム等の無機塩基、1,8−ジアザビシクロ[:5,
4. 0 )−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシク
0 〔4,3,O〕ノン−5−エン、t−ブトキシカリ
ウム等の有機塩基を用いることができる。
脱水素剤としては、クロラニル、2,3−ジクロロ−5
.6−ジシアノ p−ペンゾキノン、四酢酸鉛、パラジ
ウムー炭素等を用いることができる。
.6−ジシアノ p−ペンゾキノン、四酢酸鉛、パラジ
ウムー炭素等を用いることができる。
反応温度は通常、−20℃ないし室温で行うのが適当で
あるが、一般式(Ia)の化合物を製造する方法におい
ては、特に0℃付近が最も適当である。
あるが、一般式(Ia)の化合物を製造する方法におい
ては、特に0℃付近が最も適当である。
出発原料として用いられる一般式(IV)の化合物は、
公知化合物である一般式 実施例 1 (式中のRISR2、R7およびnは前記と同じ意味を
もつ)で表されるピリジニウムイリド化合物とプロモア
セトニトリルとを反応させることにより容易に製造する
ことができる。
公知化合物である一般式 実施例 1 (式中のRISR2、R7およびnは前記と同じ意味を
もつ)で表されるピリジニウムイリド化合物とプロモア
セトニトリルとを反応させることにより容易に製造する
ことができる。
本発明により得られた一般式(I)で表される化合物は
、エタノール等の不活性溶媒中、1.8−ジアザビシク
ロ[5. 4, 0 ]−7−ウンデセンなどの塩基の
存在下、加熱還流することにより容易に、一般式(II
)で表される1−アミノチェノ(3. 2− a )イ
ンドリジン誘導体に導くことができる。
、エタノール等の不活性溶媒中、1.8−ジアザビシク
ロ[5. 4, 0 ]−7−ウンデセンなどの塩基の
存在下、加熱還流することにより容易に、一般式(II
)で表される1−アミノチェノ(3. 2− a )イ
ンドリジン誘導体に導くことができる。
本発明を詳述するために以下に参考例および実施例を挙
げる。
げる。
ビリジニウム l一エトキシ力ルボニル−1−[2−(
シアノエチルチオ)チオカルボニル1 メチリド1.1
8g をクロロホルム10艷に溶解し、これにブロムア
セトニトリル0.6gを加え、室温でこのまま3日間放
置した。こうして得られたビリジニウム塩の溶液にさら
にクロロホルム20mlを加えた後、水浴中で冷却した
。この反応液に、攪拌しながら1.8−ジアザビシクロ
(5, 4. 0 )−7−ウンデセン0.8gを滴下
した。このまま10分間攪拌した後、クロラニル0.
98gを加え、さらに5時間この温度で攪拌を続けた。
シアノエチルチオ)チオカルボニル1 メチリド1.1
8g をクロロホルム10艷に溶解し、これにブロムア
セトニトリル0.6gを加え、室温でこのまま3日間放
置した。こうして得られたビリジニウム塩の溶液にさら
にクロロホルム20mlを加えた後、水浴中で冷却した
。この反応液に、攪拌しながら1.8−ジアザビシクロ
(5, 4. 0 )−7−ウンデセン0.8gを滴下
した。このまま10分間攪拌した後、クロラニル0.
98gを加え、さらに5時間この温度で攪拌を続けた。
この反応液をろ過し、不溶性の物質を除去し、ろ液を濃
縮した。残渣をアルミナ力ラムを用い、クロロホルムを
溶媒として分離後、溶媒を留去して、エチル 1−シア
ノ−2−(2−シアノエチルチオ〉 インドリジン−3
−カルボキシラー} 0. 6gを得た。
縮した。残渣をアルミナ力ラムを用い、クロロホルムを
溶媒として分離後、溶媒を留去して、エチル 1−シア
ノ−2−(2−シアノエチルチオ〉 インドリジン−3
−カルボキシラー} 0. 6gを得た。
融 点 : 129 〜 130℃IR (KB
r): 1673,2210.2240 ctt
V’’H liMR (CDCI.) δ: 1.44(t, 3H). 2.79(b
r−t. 2・H), 3.53(br−t,
2H), 4.60(q, 2tl), 7.0
9(dt,IH), 7.44(br−t, IH
), 7.78(br−d, Ill),9.60
(br−d, IH) 元素分析値: (CI5}113N302s として
〉C% H% N% 計算値 60.19 4.38 14.04
実測値 60.31 4.33 13.97
実施例 2〜6 相当する誘導体を用いて、実施例1と同様に操作して以
下の化合物を得た。
r): 1673,2210.2240 ctt
V’’H liMR (CDCI.) δ: 1.44(t, 3H). 2.79(b
r−t. 2・H), 3.53(br−t,
2H), 4.60(q, 2tl), 7.0
9(dt,IH), 7.44(br−t, IH
), 7.78(br−d, Ill),9.60
(br−d, IH) 元素分析値: (CI5}113N302s として
〉C% H% N% 計算値 60.19 4.38 14.04
実測値 60.31 4.33 13.97
実施例 2〜6 相当する誘導体を用いて、実施例1と同様に操作して以
下の化合物を得た。
実施例 7
エチル 1−シアノー2−(2−シアノエチルチオ)イ
ンドリジン−3−カルポキンラート0.3g をN,N
−ジメチルホルムアミド2−に溶解し、t−ブトキシカ
リウム0. 13gを加え、よく攪拌した。室温で10
分間放置した後、フエナシルブロマイド0.2gヲサら
に加え、よく攪拌した。このまま約1時間放置した後、
希塩酸5−、ついで水20ml!を加えた。析出した粗
結晶をろ別した後、これを再びクロロホルムに溶解し、
液相分離ろ紙を通して脱水した。
ンドリジン−3−カルポキンラート0.3g をN,N
−ジメチルホルムアミド2−に溶解し、t−ブトキシカ
リウム0. 13gを加え、よく攪拌した。室温で10
分間放置した後、フエナシルブロマイド0.2gヲサら
に加え、よく攪拌した。このまま約1時間放置した後、
希塩酸5−、ついで水20ml!を加えた。析出した粗
結晶をろ別した後、これを再びクロロホルムに溶解し、
液相分離ろ紙を通して脱水した。
集めたろ液を濃縮し、残渣をアルミナカラムを用い、ク
ロロホルムを溶媒として分離して、エチル1−シアノー
2−(フエナシルチオ) インドリジン−3カルボキシ
ラー} 0. 33g を得た。
ロロホルムを溶媒として分離して、エチル1−シアノー
2−(フエナシルチオ) インドリジン−3カルボキシ
ラー} 0. 33g を得た。
融 点 : 163 〜 165℃IR (KBr
): 1672, 1686, 2200 c+r
r’H NMR (CDCI3) δ : 1.37(t, 3H), 4.
38(q. 2H), 4.79(s,2f{
). 7.00(dt, 1N), 7.3 〜
8.3(m, 7N).9.60(br−d, L
H) 元素分析値: (C2J+JtO3S として)C%
H% N% 計算値 65.92 4.43 7.69実
測値 65.71 4.55 7.77実施
例 8〜23 相当する誘導体を用いて、実施例7と同様に摸作して、
以下の化合物を得た。なお、表中のBzはベンソイル基
ヲ、p−CIBzはp−クロロベンゾイル基を、p−B
rBzはプロモベンゾイル基を、p − !J e B
zはp−メチルベンゾイル基’j;− 、p−PhB
zはp−フエニルベンゾイル基をそれぞれ表す。
): 1672, 1686, 2200 c+r
r’H NMR (CDCI3) δ : 1.37(t, 3H), 4.
38(q. 2H), 4.79(s,2f{
). 7.00(dt, 1N), 7.3 〜
8.3(m, 7N).9.60(br−d, L
H) 元素分析値: (C2J+JtO3S として)C%
H% N% 計算値 65.92 4.43 7.69実
測値 65.71 4.55 7.77実施
例 8〜23 相当する誘導体を用いて、実施例7と同様に摸作して、
以下の化合物を得た。なお、表中のBzはベンソイル基
ヲ、p−CIBzはp−クロロベンゾイル基を、p−B
rBzはプロモベンゾイル基を、p − !J e B
zはp−メチルベンゾイル基’j;− 、p−PhB
zはp−フエニルベンゾイル基をそれぞれ表す。
CN
参考例 1
エチル 2−アセトニルチオ−1−シアノインドリジン
〜3一カルボキシラー}0.15gのエタノール溶液2
0dに、1.8−ジアヂビシクO r5,4,O E
−7−ウンデセン0.4gを加え、水浴でl2時間加熱
還流した。反応後、この反応液を室温まで冷やした後、
冷凍庫内で一晩放置した。析出した結晶をろ別して、エ
チル 2−アセチルー3−アミノチェノ[:3. 2−
a〕インドリジン−9−カルボキシラー} 0.11g
を得た。
〜3一カルボキシラー}0.15gのエタノール溶液2
0dに、1.8−ジアヂビシクO r5,4,O E
−7−ウンデセン0.4gを加え、水浴でl2時間加熱
還流した。反応後、この反応液を室温まで冷やした後、
冷凍庫内で一晩放置した。析出した結晶をろ別して、エ
チル 2−アセチルー3−アミノチェノ[:3. 2−
a〕インドリジン−9−カルボキシラー} 0.11g
を得た。
融 点 : 262 〜 263℃If? (Kf
3r): 1673. 3300. 3400 c
m−’H NMR (CDCI3) δ: 1.44(t. :E), 2.36(s. 3
H), 4.40(q,2H) . 6. 90 (b
r−s、2H). 7.10(dt, IH),7.3
9(br−cl, 1)l), 7.8Hbr−d,
18). 9.86(br−d, IH) 元素分析値’ (CI5814N203S として)
C% H% N% 計算値 59.59 4.67 9.27実
測値 59.49 4.78 9.26参考
例 2〜17 相当する化合物を用いて、参考例lと同様に操作して、
以下の化合物を得た。なお、表中のBzはベンゾイル基
ヲ、p−CIBzはp−クロロベンゾイル基を、p−B
rBzはブ0%ベンゾイル基を、p−MeBzはpーメ
チルベンゾイル基を、p−PhBzはp−フエニルベン
ゾイル基をそれぞれ表す。
3r): 1673. 3300. 3400 c
m−’H NMR (CDCI3) δ: 1.44(t. :E), 2.36(s. 3
H), 4.40(q,2H) . 6. 90 (b
r−s、2H). 7.10(dt, IH),7.3
9(br−cl, 1)l), 7.8Hbr−d,
18). 9.86(br−d, IH) 元素分析値’ (CI5814N203S として)
C% H% N% 計算値 59.59 4.67 9.27実
測値 59.49 4.78 9.26参考
例 2〜17 相当する化合物を用いて、参考例lと同様に操作して、
以下の化合物を得た。なお、表中のBzはベンゾイル基
ヲ、p−CIBzはp−クロロベンゾイル基を、p−B
rBzはブ0%ベンゾイル基を、p−MeBzはpーメ
チルベンゾイル基を、p−PhBzはp−フエニルベン
ゾイル基をそれぞれ表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRはアセチル基、低級アルコキシカルボニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、R^1お
よびR^2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ低
級アルキル基であり、nは0〜2の整数である)で表さ
れる1−シアノインドリジン誘導体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1236600A JPH0399079A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | インドリジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1236600A JPH0399079A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | インドリジン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0399079A true JPH0399079A (ja) | 1991-04-24 |
Family
ID=17003049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1236600A Pending JPH0399079A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | インドリジン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0399079A (ja) |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP1236600A patent/JPH0399079A/ja active Pending
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