JPH0399079A - インドリジン誘導体 - Google Patents

インドリジン誘導体

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JPH0399079A
JPH0399079A JP1236600A JP23660089A JPH0399079A JP H0399079 A JPH0399079 A JP H0399079A JP 1236600 A JP1236600 A JP 1236600A JP 23660089 A JP23660089 A JP 23660089A JP H0399079 A JPH0399079 A JP H0399079A
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JP
Japan
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general formula
indolizine
cyanomethyl
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Pending
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JP1236600A
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English (en)
Inventor
Shoichi Kakehi
筧 昭一
Suketaka Itou
伊東 祐隆
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Kissei Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Kissei Pharmaceutical Co Ltd
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  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、医薬品の製造中間体として有用な、一般式 CN (式中のRはアセチル基、低級アルコキシ力ノレボニル
メチル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基
としてノ\ロゲン原子、低級アノレキル基、フェニル基
、ニトロ基を有していてもよいベンゾイル基であり R
lおよびR2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ
低級アノレキノレ基であり、nは0〜2の整数である)
で表される1−シアノインドリジン誘導体 (式中のRはアセチル基、低級アルコキシカルボニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり R lお
よびR2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ低級
アルキル基であり、nは0〜2の整数である〉で表され
るl−シアノインドリジン誘導体に関するものである。
さらに詳しく言えば、本発明は抗アレルギー作用、消炎
作用または鎮痛作用などの薬理作用を有し、医薬品とし
て有用な、一般式 (式中のRSR’SR2およびnは前記と同じ意味をも
つ〉で、表される1−アミノチェノ (3. 2− a
 )インドリジン誘導体の製造中間体である一般式(1
)で表されるインドリジン誘導体に関するものである。
〔従来の技術〕
本発明の一般式(I)で表されるインドリジン誘導体と
して本発明者らは先に、一般式(式中のR3は低級アル
コキシカルボニルメチル基であり、R4は低級アルコキ
シカルボニル基であり、RSおよびRBは水素原子また
は低級アルキル基である〉で表されるインドリジン誘導
体が抗アレルギー作用を有し、抗アレルギー剤として有
用であることを見出し報告している。〔特開昭63− 
238077号〕 〔発明の解決しようとする課題〕 本発明の目的は医薬品として有用な前記一般式(II)
で表される3−アミノチェノ [3, 2− a )イ
ンドリジン誘導体の製造中間体として有用な前記一般式
(I)で表されるインドリジン誘導体を提供することで
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、インドリジン誘導体について鋭意研究を
重ねた結果、インドリジン環とチオフエン環とが縮合し
た前記一般式(n)で表されるチェノ(3. 2− a
 )インドリジン誘導体が良好な薬理活性を有し、医薬
品として有用であることを見出した。さらに本化合物が
、一般式 一般式 CN (式中のRはアセチル基、低級アルコキシ力ルポニルメ
チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
してハロゲン原子、低級アルキル基、フエニル基、ニト
ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、R1およ
びR2は低級アルキル基であり、nはO〜2の整数であ
る〉で表されるl−シアノインドリジン誘導体を出発原
料として用いることにより、きわめて容易に製造できる
ことを見出し、本発明をなすに至った。
ここで、低級アルコキシカルボニルメチル基とは、炭素
数3〜8のアルコキシ力ルポニルメチル基をいい、低級
アルキル基とは炭素数1〜6のアルキル基をいう。また
、ハロゲン原子とは、塩素原子、臭素原子、フッ素原子
等をいう。
本発明の一般式(1)で表される化合物のうち、前記と
同じ意味をもつ)で表されるイヒ合1勿{ま、一脱水素
剤を加えて反応させること(こより製造することができ
る。
また、一般式 (式中のR8はアセチル基、ナフトイル基または置換基
としてハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニ
トロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、RIS
R2およびnは前記と同じ意味をもつ)で表される化合
物は、前記一般式(Ia)で表される化金物を塩基の存
在下、一般式 R8CH2X (V) (式中のXはハロゲン原子であり R8は前記と同じ意
味をもつ)で表される化合物と反応させることにより製
造することができる。
前記一般式(Ia)および前記一般式(Ib)で表され
る化合物の上述した製造方法は、一般に不活性溶媒中行
われる。不活性溶媒としては、例えば、クロロホルム、
塩化メチレン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド等を用いることが
できる。
塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナ}IJ
ウム等の無機塩基、1,8−ジアザビシクロ[:5, 
4. 0 )−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシク
0 〔4,3,O〕ノン−5−エン、t−ブトキシカリ
ウム等の有機塩基を用いることができる。
脱水素剤としては、クロラニル、2,3−ジクロロ−5
.6−ジシアノ p−ペンゾキノン、四酢酸鉛、パラジ
ウムー炭素等を用いることができる。
反応温度は通常、−20℃ないし室温で行うのが適当で
あるが、一般式(Ia)の化合物を製造する方法におい
ては、特に0℃付近が最も適当である。
出発原料として用いられる一般式(IV)の化合物は、
公知化合物である一般式 実施例 1 (式中のRISR2、R7およびnは前記と同じ意味を
もつ)で表されるピリジニウムイリド化合物とプロモア
セトニトリルとを反応させることにより容易に製造する
ことができる。
本発明により得られた一般式(I)で表される化合物は
、エタノール等の不活性溶媒中、1.8−ジアザビシク
ロ[5. 4, 0 ]−7−ウンデセンなどの塩基の
存在下、加熱還流することにより容易に、一般式(II
)で表される1−アミノチェノ(3. 2− a )イ
ンドリジン誘導体に導くことができる。
〔実施例〕
本発明を詳述するために以下に参考例および実施例を挙
げる。
ビリジニウム l一エトキシ力ルボニル−1−[2−(
シアノエチルチオ)チオカルボニル1 メチリド1.1
8g をクロロホルム10艷に溶解し、これにブロムア
セトニトリル0.6gを加え、室温でこのまま3日間放
置した。こうして得られたビリジニウム塩の溶液にさら
にクロロホルム20mlを加えた後、水浴中で冷却した
。この反応液に、攪拌しながら1.8−ジアザビシクロ
(5, 4. 0 )−7−ウンデセン0.8gを滴下
した。このまま10分間攪拌した後、クロラニル0. 
98gを加え、さらに5時間この温度で攪拌を続けた。
この反応液をろ過し、不溶性の物質を除去し、ろ液を濃
縮した。残渣をアルミナ力ラムを用い、クロロホルムを
溶媒として分離後、溶媒を留去して、エチル 1−シア
ノ−2−(2−シアノエチルチオ〉 インドリジン−3
−カルボキシラー} 0. 6gを得た。
融  点 :  129 〜 130℃IR  (KB
r):   1673,2210.2240  ctt
V’’H  liMR  (CDCI.) δ:  1.44(t,  3H).  2.79(b
r−t.  2・H),  3.53(br−t,  
2H),  4.60(q,  2tl),  7.0
9(dt,IH),  7.44(br−t,  IH
),  7.78(br−d,  Ill),9.60
(br−d,  IH) 元素分析値:  (CI5}113N302s として
〉C%   H%   N% 計算値  60.19   4.38   14.04
実測値  60.31   4.33   13.97
実施例 2〜6 相当する誘導体を用いて、実施例1と同様に操作して以
下の化合物を得た。
実施例 7 エチル 1−シアノー2−(2−シアノエチルチオ)イ
ンドリジン−3−カルポキンラート0.3g をN,N
−ジメチルホルムアミド2−に溶解し、t−ブトキシカ
リウム0. 13gを加え、よく攪拌した。室温で10
分間放置した後、フエナシルブロマイド0.2gヲサら
に加え、よく攪拌した。このまま約1時間放置した後、
希塩酸5−、ついで水20ml!を加えた。析出した粗
結晶をろ別した後、これを再びクロロホルムに溶解し、
液相分離ろ紙を通して脱水した。
集めたろ液を濃縮し、残渣をアルミナカラムを用い、ク
ロロホルムを溶媒として分離して、エチル1−シアノー
2−(フエナシルチオ) インドリジン−3カルボキシ
ラー} 0. 33g を得た。
融  点 :  163 〜 165℃IR (KBr
):  1672, 1686, 2200  c+r
r’H NMR (CDCI3) δ :   1.37(t,   3H),   4.
38(q.   2H),   4.79(s,2f{
).  7.00(dt,  1N),  7.3 〜
8.3(m,  7N).9.60(br−d,  L
H) 元素分析値:  (C2J+JtO3S として)C%
   H%   N% 計算値  65.92   4.43   7.69実
測値  65.71   4.55   7.77実施
例 8〜23 相当する誘導体を用いて、実施例7と同様に摸作して、
以下の化合物を得た。なお、表中のBzはベンソイル基
ヲ、p−CIBzはp−クロロベンゾイル基を、p−B
rBzはプロモベンゾイル基を、p − !J e B
 zはp−メチルベンゾイル基’j;− 、p−PhB
zはp−フエニルベンゾイル基をそれぞれ表す。
CN 参考例 1 エチル 2−アセトニルチオ−1−シアノインドリジン
〜3一カルボキシラー}0.15gのエタノール溶液2
0dに、1.8−ジアヂビシクO r5,4,O E 
−7−ウンデセン0.4gを加え、水浴でl2時間加熱
還流した。反応後、この反応液を室温まで冷やした後、
冷凍庫内で一晩放置した。析出した結晶をろ別して、エ
チル 2−アセチルー3−アミノチェノ[:3. 2−
a〕インドリジン−9−カルボキシラー} 0.11g
を得た。
融  点 :  262 〜 263℃If? (Kf
3r):  1673. 3300. 3400  c
m−’H NMR (CDCI3) δ: 1.44(t. :E), 2.36(s. 3
H), 4.40(q,2H) . 6. 90 (b
r−s、2H). 7.10(dt, IH),7.3
9(br−cl, 1)l), 7.8Hbr−d, 
18). 9.86(br−d, IH) 元素分析値’  (CI5814N203S として)
C%   H%   N% 計算値  59.59   4.67   9.27実
測値  59.49   4.78   9.26参考
例 2〜17 相当する化合物を用いて、参考例lと同様に操作して、
以下の化合物を得た。なお、表中のBzはベンゾイル基
ヲ、p−CIBzはp−クロロベンゾイル基を、p−B
rBzはブ0%ベンゾイル基を、p−MeBzはpーメ
チルベンゾイル基を、p−PhBzはp−フエニルベン
ゾイル基をそれぞれ表す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のRはアセチル基、低級アルコキシカルボニルメ
    チル基、シアノメチル基、ナフトイル基または置換基と
    してハロゲン原子、低級アルキル基、フェニル基、ニト
    ロ基を有していてもよいベンゾイル基であり、R^1お
    よびR^2は同じでも異なっていてもよく、それぞれ低
    級アルキル基であり、nは0〜2の整数である)で表さ
    れる1−シアノインドリジン誘導体
JP1236600A 1989-09-12 1989-09-12 インドリジン誘導体 Pending JPH0399079A (ja)

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