JPH0393638A - 合成石英ガラス粉の製造方法 - Google Patents
合成石英ガラス粉の製造方法Info
- Publication number
- JPH0393638A JPH0393638A JP1228906A JP22890689A JPH0393638A JP H0393638 A JPH0393638 A JP H0393638A JP 1228906 A JP1228906 A JP 1228906A JP 22890689 A JP22890689 A JP 22890689A JP H0393638 A JPH0393638 A JP H0393638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- methyl silicate
- quartz glass
- silica particles
- sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 110
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 36
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract 1
- -1 methyl silica Chemical compound 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 7
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 5
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010585 Ammi visnaga Nutrition 0.000 description 1
- 244000153158 Ammi visnaga Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000000887 hydrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/20—Wet processes, e.g. sol-gel process
- C03C2203/26—Wet processes, e.g. sol-gel process using alkoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/20—Wet processes, e.g. sol-gel process
- C03C2203/30—Additives
- C03C2203/32—Catalysts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S65/00—Glass manufacturing
- Y10S65/901—Liquid phase reaction process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は合成石英ガラス粉の製造方法、特には高純度で
高温粘度が高いことから半導体用耐熱治具などに好適と
される合成石英ガラス粉の製造方法に関するものである
. 【従来の技術] 合成石英ガラスの製造については■四塩化けい素などの
けい素化合物を酸水素火炎中で加水分解してシリカ粒子
を作り、これを溶融して石英ガラスとする方法、■この
酸水素火炎をプラズマ炎とする方法、■アルコキシシラ
ンをアルコール溶媒中において酸触媒で加水分解してシ
リカを作り、これを焼結して石英ガラスとする、いわゆ
るゾルーゲル法などが知られている. しかし、この酸水素火炎を用いる方法には石英ガラス中
に1,OOOppmものOH基が残留するし、高温粘性
も低く、真空中高温では発泡するという問題点があるし
、プラズマ法はコストが高く、量産化が難しいという不
利があり、ゾルーゲル法には比較的安価に石英ガラスが
得られ゛るものの、これにはOH基が残り易く、製造に
長時間を要し、高温粘性の高いものが得られ難いという
不利がある. [発明が解決しようとする課題] そのため、本発明者らはゾルーゲル法によって高温粘性
の高い合成石英の製造方法についての研究を進め、これ
についてはメチルシリケートをメタノール溶媒中でアン
モニアの存在下に加水分解させて粒径が200〜3,G
OOnmのシリカを作り、焼結、粉砕後1,700℃で
溶融する方法(特願昭63−229333号明細書参照
)、メチルシリケートをアンモニアの存在下に加水分解
して粒径が1次粒子で100 〜500nmのシリカを
作り、これを10〜100μ鵬の凝集粒子としてから固
液分離し、焼結.粉砕,ii別し、1,700℃以上で
溶融成形する方法(特願昭63−335070号明細書
参照)、またメチルシリケートをアンモニアの存在下で
加水分解してシリカを生成させ、これを減圧下に!,5
00〜1,700℃で焼結し、ついで常圧または加圧下
に1.800〜2,000℃で焼結する方法(特願平1
−139819号明細書参照)を提案している. しかし、これらの方法は高温粘性の高い合成石英を与え
るものの、いずれも工程が長いために大量生産性に欠け
るものであるし、焼結などのエネルギーコストが高くつ
くという不利があり、必ずしも満足すべきものではない
. [課題を解決するための手段] 本発明はこのような不利を解決することのできる合成石
英ガラス粉の製造方法に関するもので、これはメチルシ
リケートとアンモニア水とを反応器に同時に滴下し、こ
の連続反応で生戒した球状シリカ粒子を捕集したのち、
p}19〜13の水分散溶液とし、このシリカに対しシ
リカ換算で5〜20%のメチルシリケートを添加して固
化させ、ついで加熱.脱水.脱溶媒.脱炭を行なった後
、1.400〜1,600℃で焼結し、これを粉砕する
ことを特徴とするものである. すなわち、本発明者らはゾルーゲル法によって高温粘性
の高い石英ガラスをさらに効率よく製造する方法につい
て種々検討した結果、メチルシリケートの加水分解によ
るシリカ合成についてはメチルシリケートとアンモニア
とを反応器中に同時に滴下するとメチルシリケートの加
水分解が常に連続的に行なわれるのでこの工程が合理化
されること、この加水分解で得たシリカ粉をpH9〜!
3の水分散溶液とし、これにメチルシリケートを加える
ことで得られるシリカの緻密化が進み、その焼結温度を
従来法の1,500−1,900℃から1,400〜1
,600℃に低下させることができるし、この焼結体は
ロールミルなどで容易に解砕することができ、精細工程
も不要なので工程の省略.エネルギーコストの引下げが
可能になるということを見出すと共に、この方法で作ら
れた石英ガラスは高温粘性の高いものになるということ
を確認して本発明を完成させた. 以下にこれをさらに詳述する. 【作 用] 本発明は改良されたゾルーゲル法によって高温粘性の高
い石英ガラスを製造する方法に関するものである. 本発明におけるアルコキシシランの加水分解によるシリ
カの合成は、メチルシリケートとアンモニア水とを反応
器中に同時に滴下するという方法で行なわれる.これは
例えば第1図に示したようにメチルシリケート貯I11
とアンモニア水貯槽2とから定量ポンプ3を用いてメチ
ルシリケートとアンモニア水の所定量を取り出し、これ
を反応器4の中に同時に滴下すればよい.メチルシリケ
ートの加水分解反応はこの滴下と共に始まり、これは反
応液が攪拌モーター5によって攪拌されていることから
連続的に行なわれ、この反応で発生したシリカは排出口
6からシリカ貯槽7に取り出される. ここに使用されるアルコキシシランはエチルシリケート
やメチルシリケート3量体では反応性が劣り、得られる
シリカが粒子の小さいものとなり、プチルシリケートな
どは疎水性で反応は進まないので、これはメチルシリケ
ートとすることが必要であるし、アンモニア水は濃度が
15〜25重量%のものとすればよいが、この反応温度
は20〜45℃とすればよい. このメチルシリケートの加水分解をアンモニア水と同時
添加という方法で行なうとメチルシリケートの加水分解
反応が常に連続的に行なわれるようになるのでこの工程
が簡易化されるし、これによれば粒径が300〜700
nmという比較的粒子の大きい球状のシリカ粒子が連続
的に得られるが、このものは脱水処理することCよって
含水率が20〜30%のシリカとされる. このシリカはついで水分散溶液とされるのであるが、こ
れにはこのシリカを超純水に分散させたのちこれにアン
モニア水を加えてそのpHを9〜13に調整する.これ
はこのpHが中性や酸性では強度が出ないし、pH13
以上の強アルカリとするとまた粒子ができて強度向上社
ならないので、適度の強度を与えるためにはこのpHを
9〜13とする必要がある。このアルカリ性の水分散溶
液にはついでメチルシリケートを添加してこれを固化さ
せるのであるが、ここに添加されるメチルシリケートは
これが少なすぎると固化が不充分となって強度が出す、
多すぎるとこれを石英ガラスとしたときに石英ガラスの
高温粘度が低下するので、これは水分敗溶液中に存在す
るシリカ量に対し5〜20%の範囲とする必要がある. このようにして得られたシリカの塊はついで加熱して脱
水,脱溶媒.脱炭後焼結するのであるが、この脱水.脱
溶媒.脱炭のための加熱はaOO〜1 , 000℃で
行なえばよい.この脱水.脱溶媒.脱炭されたシリカ塊
はついで焼結することによって合成石英塊とされるので
あるが、この焼結は従来法では1.500〜1,900
℃という高い温度で行なわれていたのであるが、上記し
たような方法で得られた本発明のシリカ塊については1
,400〜1.600℃という比較的低い温度で1〜2
時間焼結すればよく、この焼結によってシリカ塊は合成
石英ガラス塊とされる. この合成石英ガラス塊はこれを粉砕し、篩刑することに
よって本発明の合成石英ガラス粉とされるのであるが、
この合成石英ガラス塊はロールミルなどで容易に解砕す
ることができるので、粉砕が容易であるし、これは上記
した各工程で不純物の混入するおそれはないので精製工
程が不要で、あり、ここに得られた合成石英ガラス粉末
はこれを例えば1,950℃で30分間焼結.溶融成形
すれば高温粘性の高い合成石英ガラス体とすることがで
きるという有利性が与えられる. [実施例] つぎに本発明の実施例をあげる. 実施例1〜3,比較例l〜2 第1図に示した反応装置を使用し、メチルシリケート2
6.5℃/時と20重量%のアンモニア水17.i /
時とを5ftの反応フラスコ中に同時に滴下し、40〜
50℃で反応させ、5時間後に反応を停止したところ、
シリカ濃度23%のシリカゾル液が得られたので、これ
を脱水処理して含水率が2531量%のシリカを作った
. ついでこのシリカ8kgを超純水81に分散させ、これ
に29重量%のアンモニア水350フを加えてそのpH
を11とし、このシリカに対しシリカ換算で5重量%,
10重量%.20重量%.30m量%.40重量%と
なる量のメチルシリケートを添加してこれを固化させ、
1,000℃に加熱して脱水.脱溶媒,脱炭を行なわせ
たのち、1,480±lO℃に加熱して焼結させた. つぎにこれらを石英ガラス製のローラーで粉砕し、テフ
ロン製の網で50〜l00#に分級し、この50〜10
0メッシュのものをアルゴンガス雰囲気下に1.950
℃で30分間、加熱焼結,溶融成形して200 x 2
00 X 100tm鵬の石英ガラス板とし、このもの
の高温粘性をしらべたところ、第1表に示したとおりの
結果が得られた. 第1表 (備考) ◆1 pH調整後に加えたメチルシリケートの量(シ
リカ換算) $2 ハイバーエロンゲーション法による値[発明の
効果] 本発明は合成石英ガラス粉の製造方法に関するものであ
り、これは前記したようじメチルシリケートとアンモニ
ア水を反応器中に同時に滴下して球状シリカ粒子を作り
、これを捕集してp}19〜13の水分散溶液としたの
ちメチルシリケートを添加して固化させ、脱水.脱溶媒
.脱炭後に1,400〜1,600℃で焼結し、粉砕す
ることを特徴とするもので、これによればメチルシリケ
ートの加水分解によるシリカ生成を確実にかつ連続に行
なわせることができ、メチルシリケートで固化したシリ
カ塊の焼結も従来法にくらべて低い温度で焼結させるこ
とができ、さらにはこの粉砕物も精製工程なしで製品と
することができるし、ここに得られk石英ガラス粉を焼
結.溶融成形して得k合成石英ガラスは高温粘度の高い
ものとなる.したがって、本発明の方法によればl》反
応の連続化.2)焼結温度の低減.3)精製工程不要と
いう効果が与えられ、結果において合成石英ガラス粉の
大量生産化.工程省略.省エネルギーが達成されるとい
う有利性が与えられる.
高温粘度が高いことから半導体用耐熱治具などに好適と
される合成石英ガラス粉の製造方法に関するものである
. 【従来の技術] 合成石英ガラスの製造については■四塩化けい素などの
けい素化合物を酸水素火炎中で加水分解してシリカ粒子
を作り、これを溶融して石英ガラスとする方法、■この
酸水素火炎をプラズマ炎とする方法、■アルコキシシラ
ンをアルコール溶媒中において酸触媒で加水分解してシ
リカを作り、これを焼結して石英ガラスとする、いわゆ
るゾルーゲル法などが知られている. しかし、この酸水素火炎を用いる方法には石英ガラス中
に1,OOOppmものOH基が残留するし、高温粘性
も低く、真空中高温では発泡するという問題点があるし
、プラズマ法はコストが高く、量産化が難しいという不
利があり、ゾルーゲル法には比較的安価に石英ガラスが
得られ゛るものの、これにはOH基が残り易く、製造に
長時間を要し、高温粘性の高いものが得られ難いという
不利がある. [発明が解決しようとする課題] そのため、本発明者らはゾルーゲル法によって高温粘性
の高い合成石英の製造方法についての研究を進め、これ
についてはメチルシリケートをメタノール溶媒中でアン
モニアの存在下に加水分解させて粒径が200〜3,G
OOnmのシリカを作り、焼結、粉砕後1,700℃で
溶融する方法(特願昭63−229333号明細書参照
)、メチルシリケートをアンモニアの存在下に加水分解
して粒径が1次粒子で100 〜500nmのシリカを
作り、これを10〜100μ鵬の凝集粒子としてから固
液分離し、焼結.粉砕,ii別し、1,700℃以上で
溶融成形する方法(特願昭63−335070号明細書
参照)、またメチルシリケートをアンモニアの存在下で
加水分解してシリカを生成させ、これを減圧下に!,5
00〜1,700℃で焼結し、ついで常圧または加圧下
に1.800〜2,000℃で焼結する方法(特願平1
−139819号明細書参照)を提案している. しかし、これらの方法は高温粘性の高い合成石英を与え
るものの、いずれも工程が長いために大量生産性に欠け
るものであるし、焼結などのエネルギーコストが高くつ
くという不利があり、必ずしも満足すべきものではない
. [課題を解決するための手段] 本発明はこのような不利を解決することのできる合成石
英ガラス粉の製造方法に関するもので、これはメチルシ
リケートとアンモニア水とを反応器に同時に滴下し、こ
の連続反応で生戒した球状シリカ粒子を捕集したのち、
p}19〜13の水分散溶液とし、このシリカに対しシ
リカ換算で5〜20%のメチルシリケートを添加して固
化させ、ついで加熱.脱水.脱溶媒.脱炭を行なった後
、1.400〜1,600℃で焼結し、これを粉砕する
ことを特徴とするものである. すなわち、本発明者らはゾルーゲル法によって高温粘性
の高い石英ガラスをさらに効率よく製造する方法につい
て種々検討した結果、メチルシリケートの加水分解によ
るシリカ合成についてはメチルシリケートとアンモニア
とを反応器中に同時に滴下するとメチルシリケートの加
水分解が常に連続的に行なわれるのでこの工程が合理化
されること、この加水分解で得たシリカ粉をpH9〜!
3の水分散溶液とし、これにメチルシリケートを加える
ことで得られるシリカの緻密化が進み、その焼結温度を
従来法の1,500−1,900℃から1,400〜1
,600℃に低下させることができるし、この焼結体は
ロールミルなどで容易に解砕することができ、精細工程
も不要なので工程の省略.エネルギーコストの引下げが
可能になるということを見出すと共に、この方法で作ら
れた石英ガラスは高温粘性の高いものになるということ
を確認して本発明を完成させた. 以下にこれをさらに詳述する. 【作 用] 本発明は改良されたゾルーゲル法によって高温粘性の高
い石英ガラスを製造する方法に関するものである. 本発明におけるアルコキシシランの加水分解によるシリ
カの合成は、メチルシリケートとアンモニア水とを反応
器中に同時に滴下するという方法で行なわれる.これは
例えば第1図に示したようにメチルシリケート貯I11
とアンモニア水貯槽2とから定量ポンプ3を用いてメチ
ルシリケートとアンモニア水の所定量を取り出し、これ
を反応器4の中に同時に滴下すればよい.メチルシリケ
ートの加水分解反応はこの滴下と共に始まり、これは反
応液が攪拌モーター5によって攪拌されていることから
連続的に行なわれ、この反応で発生したシリカは排出口
6からシリカ貯槽7に取り出される. ここに使用されるアルコキシシランはエチルシリケート
やメチルシリケート3量体では反応性が劣り、得られる
シリカが粒子の小さいものとなり、プチルシリケートな
どは疎水性で反応は進まないので、これはメチルシリケ
ートとすることが必要であるし、アンモニア水は濃度が
15〜25重量%のものとすればよいが、この反応温度
は20〜45℃とすればよい. このメチルシリケートの加水分解をアンモニア水と同時
添加という方法で行なうとメチルシリケートの加水分解
反応が常に連続的に行なわれるようになるのでこの工程
が簡易化されるし、これによれば粒径が300〜700
nmという比較的粒子の大きい球状のシリカ粒子が連続
的に得られるが、このものは脱水処理することCよって
含水率が20〜30%のシリカとされる. このシリカはついで水分散溶液とされるのであるが、こ
れにはこのシリカを超純水に分散させたのちこれにアン
モニア水を加えてそのpHを9〜13に調整する.これ
はこのpHが中性や酸性では強度が出ないし、pH13
以上の強アルカリとするとまた粒子ができて強度向上社
ならないので、適度の強度を与えるためにはこのpHを
9〜13とする必要がある。このアルカリ性の水分散溶
液にはついでメチルシリケートを添加してこれを固化さ
せるのであるが、ここに添加されるメチルシリケートは
これが少なすぎると固化が不充分となって強度が出す、
多すぎるとこれを石英ガラスとしたときに石英ガラスの
高温粘度が低下するので、これは水分敗溶液中に存在す
るシリカ量に対し5〜20%の範囲とする必要がある. このようにして得られたシリカの塊はついで加熱して脱
水,脱溶媒.脱炭後焼結するのであるが、この脱水.脱
溶媒.脱炭のための加熱はaOO〜1 , 000℃で
行なえばよい.この脱水.脱溶媒.脱炭されたシリカ塊
はついで焼結することによって合成石英塊とされるので
あるが、この焼結は従来法では1.500〜1,900
℃という高い温度で行なわれていたのであるが、上記し
たような方法で得られた本発明のシリカ塊については1
,400〜1.600℃という比較的低い温度で1〜2
時間焼結すればよく、この焼結によってシリカ塊は合成
石英ガラス塊とされる. この合成石英ガラス塊はこれを粉砕し、篩刑することに
よって本発明の合成石英ガラス粉とされるのであるが、
この合成石英ガラス塊はロールミルなどで容易に解砕す
ることができるので、粉砕が容易であるし、これは上記
した各工程で不純物の混入するおそれはないので精製工
程が不要で、あり、ここに得られた合成石英ガラス粉末
はこれを例えば1,950℃で30分間焼結.溶融成形
すれば高温粘性の高い合成石英ガラス体とすることがで
きるという有利性が与えられる. [実施例] つぎに本発明の実施例をあげる. 実施例1〜3,比較例l〜2 第1図に示した反応装置を使用し、メチルシリケート2
6.5℃/時と20重量%のアンモニア水17.i /
時とを5ftの反応フラスコ中に同時に滴下し、40〜
50℃で反応させ、5時間後に反応を停止したところ、
シリカ濃度23%のシリカゾル液が得られたので、これ
を脱水処理して含水率が2531量%のシリカを作った
. ついでこのシリカ8kgを超純水81に分散させ、これ
に29重量%のアンモニア水350フを加えてそのpH
を11とし、このシリカに対しシリカ換算で5重量%,
10重量%.20重量%.30m量%.40重量%と
なる量のメチルシリケートを添加してこれを固化させ、
1,000℃に加熱して脱水.脱溶媒,脱炭を行なわせ
たのち、1,480±lO℃に加熱して焼結させた. つぎにこれらを石英ガラス製のローラーで粉砕し、テフ
ロン製の網で50〜l00#に分級し、この50〜10
0メッシュのものをアルゴンガス雰囲気下に1.950
℃で30分間、加熱焼結,溶融成形して200 x 2
00 X 100tm鵬の石英ガラス板とし、このもの
の高温粘性をしらべたところ、第1表に示したとおりの
結果が得られた. 第1表 (備考) ◆1 pH調整後に加えたメチルシリケートの量(シ
リカ換算) $2 ハイバーエロンゲーション法による値[発明の
効果] 本発明は合成石英ガラス粉の製造方法に関するものであ
り、これは前記したようじメチルシリケートとアンモニ
ア水を反応器中に同時に滴下して球状シリカ粒子を作り
、これを捕集してp}19〜13の水分散溶液としたの
ちメチルシリケートを添加して固化させ、脱水.脱溶媒
.脱炭後に1,400〜1,600℃で焼結し、粉砕す
ることを特徴とするもので、これによればメチルシリケ
ートの加水分解によるシリカ生成を確実にかつ連続に行
なわせることができ、メチルシリケートで固化したシリ
カ塊の焼結も従来法にくらべて低い温度で焼結させるこ
とができ、さらにはこの粉砕物も精製工程なしで製品と
することができるし、ここに得られk石英ガラス粉を焼
結.溶融成形して得k合成石英ガラスは高温粘度の高い
ものとなる.したがって、本発明の方法によればl》反
応の連続化.2)焼結温度の低減.3)精製工程不要と
いう効果が与えられ、結果において合成石英ガラス粉の
大量生産化.工程省略.省エネルギーが達成されるとい
う有利性が与えられる.
第1図は本発明によるメチルシリケートの加水分解工程
を示す縦断面要図である. 1・・・メチルシリケート貯槽,
を示す縦断面要図である. 1・・・メチルシリケート貯槽,
Claims (1)
- 1、メチルシリケートとアンモニア水とを反応器に同時
に滴下し、この連続反応で生成した球状シリカ粒子を捕
集したのち、pH9〜13の水分散溶液とし、このシリ
カに対しシリカ換算で5〜20%のメチルシリケートを
添加して固化させ、ついで加熱、脱水、脱溶媒、脱炭を
行なった後、1,400〜1,600℃で焼結し、これ
を粉砕することを特徴とする合成石英ガラス粉の製造方
法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1228906A JPH0393638A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 合成石英ガラス粉の製造方法 |
US07/576,224 US5021073A (en) | 1989-09-04 | 1990-08-31 | Method of manufacturing synthetic silica glass |
EP90309654A EP0416865B1 (en) | 1989-09-04 | 1990-09-04 | Synthetic silica glass and a manufacturing method thereof |
DE90309654T DE69005063T2 (de) | 1989-09-04 | 1990-09-04 | Synthetisches Quarzglas und Verfahren zu dessen Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1228906A JPH0393638A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 合成石英ガラス粉の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0393638A true JPH0393638A (ja) | 1991-04-18 |
JPH0574535B2 JPH0574535B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=16883709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1228906A Granted JPH0393638A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 合成石英ガラス粉の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5021073A (ja) |
EP (1) | EP0416865B1 (ja) |
JP (1) | JPH0393638A (ja) |
DE (1) | DE69005063T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110263409A1 (en) * | 2008-12-09 | 2011-10-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Dielectric material for plasma display panel and glass plate for plasma display |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6110852A (en) * | 1994-12-26 | 2000-08-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for producing synthetic quartz glass powder |
EP1170253A1 (en) * | 1996-11-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Synthetic quartz powder and silica gel powder |
KR20030068730A (ko) * | 2002-02-16 | 2003-08-25 | 삼성전자주식회사 | 솔-젤 공정의 매크로 버블 제거 방법 |
DE10260320B4 (de) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | Wacker Chemie Ag | Verglaster SiO2-Formkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Vorrichtung |
US9249028B2 (en) | 2010-02-08 | 2016-02-02 | Momentive Performance Materials Inc. | Method for making high purity metal oxide particles and materials made thereof |
US8197782B2 (en) * | 2010-02-08 | 2012-06-12 | Momentive Performance Materials | Method for making high purity metal oxide particles and materials made thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0131057B1 (en) * | 1982-12-23 | 1987-11-04 | Suwa Seikosha Co. Ltd | Process for producing quartz glass |
JPS6191024A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-09 | Seiko Epson Corp | 円筒状シリカ系ガラスの製造方法 |
US4680049A (en) * | 1986-08-15 | 1987-07-14 | Gte Laboratories Incorporated | Process for molding optical components of silicate glass to a near net shape optical precision |
DE3869308D1 (de) * | 1987-09-30 | 1992-04-23 | Shinetsu Chemical Co | Verfahren zur herstellung von kieselglas. |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP1228906A patent/JPH0393638A/ja active Granted
-
1990
- 1990-08-31 US US07/576,224 patent/US5021073A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-04 EP EP90309654A patent/EP0416865B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-04 DE DE90309654T patent/DE69005063T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110263409A1 (en) * | 2008-12-09 | 2011-10-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Dielectric material for plasma display panel and glass plate for plasma display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69005063T2 (de) | 1994-04-21 |
EP0416865B1 (en) | 1993-12-08 |
JPH0574535B2 (ja) | 1993-10-18 |
US5021073A (en) | 1991-06-04 |
DE69005063D1 (de) | 1994-01-20 |
EP0416865A1 (en) | 1991-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3751326B2 (ja) | 高純度透明石英ガラスの製造方法 | |
CN108658451A (zh) | 用于石英玻璃应用的高纯度二氧化硅颗粒及制备所述颗粒的方法 | |
KR20160113573A (ko) | 합성 비정질 실리카 분말 및 그 제조 방법 | |
JPH072513A (ja) | 合成石英ガラス粉の製造方法 | |
JPH0393638A (ja) | 合成石英ガラス粉の製造方法 | |
JPH0940434A (ja) | 高純度石英ガラス及びその製造方法 | |
CN111747422B (zh) | 一种二氧化硅用超纯硅酸钠的制备方法 | |
JPH0280329A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JPH03275527A (ja) | 多孔質シリカガラス粉末 | |
JP5436553B2 (ja) | シリコンを基礎とする未焼結成形体 | |
JPH02307830A (ja) | 石英ガラス粉末の製造方法 | |
JPH03187936A (ja) | 合成石英ガラス粉の製造方法 | |
JPH0912322A (ja) | 高純度透明石英ガラス及びその製造方法 | |
JP3318946B2 (ja) | 粉状乾燥ゲル、シリカガラス粉末及びシリカガラス溶融成形品の製造方法 | |
JP2675819B2 (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
CN114180590B (zh) | 一种硅酸盐水溶液的制备方法 | |
JPH0541565B2 (ja) | ||
JP2780799B2 (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
JPH0563416B2 (ja) | ||
JP3071363B2 (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JPH01270531A (ja) | ガラス成形体の製造方法 | |
JPH01275438A (ja) | ガラス成形体の製造方法 | |
CN111661874A (zh) | 一种降低电熔氧化锆粉氧化硅含量的方法 | |
JPH0521855B2 (ja) | ||
JPH11139818A (ja) | 高純度シリカ粉末の製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |