JPH0391276A - 波長可変半導体レーザの駆動方法 - Google Patents
波長可変半導体レーザの駆動方法Info
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- JPH0391276A JPH0391276A JP22677389A JP22677389A JPH0391276A JP H0391276 A JPH0391276 A JP H0391276A JP 22677389 A JP22677389 A JP 22677389A JP 22677389 A JP22677389 A JP 22677389A JP H0391276 A JPH0391276 A JP H0391276A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光情報処理、光通信に用いられる波長可変分
布ブラッグ反射型半導体レーザ（以下波長可変ＤＢＲレ
ーザ）の駆動方法に関する。
布ブラッグ反射型半導体レーザ（以下波長可変ＤＢＲレ
ーザ）の駆動方法に関する。
（従来の技術）
波長可変半導体レーザはコヒーレント光通信システムや
光交換システムにおけるキーデバイスの一つである。波
長可変半導体レーザのうちで、波長可変ＤＢＲレーザは
波長可変範囲が最も広い。この波長可変ＤＢＲレーザに
ついては例えば村田らによって報告されたものなどがあ
り、エレクトロニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、）２３巻（１９８７）４０３頁に記載されて
いる。この波長可変ＤＢＲレーザは、活性領域、位相制
御領域、分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域の３領域から
構成される。各領域は独立に電流注入が可能である。位
相制御領域とＤＢＲ領域の電流を変化させることで、発
振波長を変化させる。ただし広い波長範囲にわたって連
続的に波長を変化させるためには、位相制御領域とＤＢ
Ｒ領域の電流をおおよそ一定の比率で同時に変化させる
必要がある。このための駆動方法としては、各領域をあ
らかじめ定めた電流比でそれぞれ独立に駆動する方法の
他に、従来法のような駆動方法が知られている。その一
つは上述の文献にあるように、位相制御領域とＤＢＲ領
域の負荷抵抗を適当に分割して、一つの駆動電源で波長
を変化させる方法である。
光交換システムにおけるキーデバイスの一つである。波
長可変半導体レーザのうちで、波長可変ＤＢＲレーザは
波長可変範囲が最も広い。この波長可変ＤＢＲレーザに
ついては例えば村田らによって報告されたものなどがあ
り、エレクトロニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、）２３巻（１９８７）４０３頁に記載されて
いる。この波長可変ＤＢＲレーザは、活性領域、位相制
御領域、分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域の３領域から
構成される。各領域は独立に電流注入が可能である。位
相制御領域とＤＢＲ領域の電流を変化させることで、発
振波長を変化させる。ただし広い波長範囲にわたって連
続的に波長を変化させるためには、位相制御領域とＤＢ
Ｒ領域の電流をおおよそ一定の比率で同時に変化させる
必要がある。このための駆動方法としては、各領域をあ
らかじめ定めた電流比でそれぞれ独立に駆動する方法の
他に、従来法のような駆動方法が知られている。その一
つは上述の文献にあるように、位相制御領域とＤＢＲ領
域の負荷抵抗を適当に分割して、一つの駆動電源で波長
を変化させる方法である。
また別の方法は、コールトレン（Ｌ、 Ａ、 Ｃｏ１ｄ
ｒｅｎ）らによって提案された方法で、オペアンプの制
御回路を用いて位相制御領域とＤＢＲ領域の電流比を常
に一定に保ちながら変化させる。この方法はアイトリプ
ルイージャナルオブクワンタムエレクトロニクス（ＩＥ
ＢＥ Ｊ、 Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）ＱＥ
−２３巻（１９８７）９０３頁に記載されている。いず
れの方法も一つの制御電源で波長を連続的に変化させる
ことができる。
ｒｅｎ）らによって提案された方法で、オペアンプの制
御回路を用いて位相制御領域とＤＢＲ領域の電流比を常
に一定に保ちながら変化させる。この方法はアイトリプ
ルイージャナルオブクワンタムエレクトロニクス（ＩＥ
ＢＥ Ｊ、 Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）ＱＥ
−２３巻（１９８７）９０３頁に記載されている。いず
れの方法も一つの制御電源で波長を連続的に変化させる
ことができる。
ただし位相制御領域とＤＢＲ領域の電流の増加による光
出力の低下を補正するためには、前面からの光出力をモ
ニタして、活性領域の電流にフィードバックをかける、
いわゆる自動光出力制御回路が必要であった。
出力の低下を補正するためには、前面からの光出力をモ
ニタして、活性領域の電流にフィードバックをかける、
いわゆる自動光出力制御回路が必要であった。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した従来の駆動方法は、波長変化にともなう光出力
の変動を補正するために、前面からの光出力をモニター
する光学系と自動光出力制御回路が必要である。このた
め、駆動回路が複雑になるとともに高速動作が難しいと
いう欠点がある。
の変動を補正するために、前面からの光出力をモニター
する光学系と自動光出力制御回路が必要である。このた
め、駆動回路が複雑になるとともに高速動作が難しいと
いう欠点がある。
本発明の目的は、上述の従来例の欠点を改善し、自動光
出力制御回路とそれに必要な光学系が不要で、高速動作
可能な波長可変ＤＢＲレーザの駆動方法を提供すること
にある。
出力制御回路とそれに必要な光学系が不要で、高速動作
可能な波長可変ＤＢＲレーザの駆動方法を提供すること
にある。
（課題を解決するための手段）
本発明の波長可変半導体レーザの駆動方法は活性領域、
位相制御領域、分布ブラッグ反射領域の３領域から構成
された波長可変半導体レーザの駆動方法において、前記
活性領域に流す電流が前記位相制御領域に流す電流の増
加、減少に対応して増加、減少する部分と一定部分との
和となっていることを特徴とする。
位相制御領域、分布ブラッグ反射領域の３領域から構成
された波長可変半導体レーザの駆動方法において、前記
活性領域に流す電流が前記位相制御領域に流す電流の増
加、減少に対応して増加、減少する部分と一定部分との
和となっていることを特徴とする。
（作用）
本発明の特徴は活性領域に流す電流Ｉａが位相制御領域
の電流ＩＰの増加、減少に対応して増加、減少する部分
を有していることである。ＩＰの増加に応じて減少する
光出力を一定にするため■８を増加させることにより、
光出力を一定に保ったまま波長を変えることが可能にな
る。Ｉａと■、を比例関係にすればこの条件をほぼ流す
ことができ、式で表せばＩ、＝ｋＩＩ、＋ＩａＯ（１） となる。ここで、ｋｌは正の定数、エユ０は一定のバイ
アス電流である。Ｉｐの増加にともない光出力が低下す
る分は、■３の増加によって補正される。したがって従
来例のような自動光出力制御回路やそれに必要な光学系
は不要となる。ｋｌの値は波長可変ＤＢＲレーザの構造
と動作条件によって異なる。（１）式に従って駆動すれ
ば波長変化にともなう光出力の変化は非常に小さくなる
ことが本発明の発明者らの実験から確認されている。な
お、ＩａＯは使用する光出力レベルに応じて設定すれば
よい。ＤＢＲ領域の電流Ｉｄについては、従来例でも用
いられているようにＩ、に比例して変化させればよい。
の電流ＩＰの増加、減少に対応して増加、減少する部分
を有していることである。ＩＰの増加に応じて減少する
光出力を一定にするため■８を増加させることにより、
光出力を一定に保ったまま波長を変えることが可能にな
る。Ｉａと■、を比例関係にすればこの条件をほぼ流す
ことができ、式で表せばＩ、＝ｋＩＩ、＋ＩａＯ（１） となる。ここで、ｋｌは正の定数、エユ０は一定のバイ
アス電流である。Ｉｐの増加にともない光出力が低下す
る分は、■３の増加によって補正される。したがって従
来例のような自動光出力制御回路やそれに必要な光学系
は不要となる。ｋｌの値は波長可変ＤＢＲレーザの構造
と動作条件によって異なる。（１）式に従って駆動すれ
ば波長変化にともなう光出力の変化は非常に小さくなる
ことが本発明の発明者らの実験から確認されている。な
お、ＩａＯは使用する光出力レベルに応じて設定すれば
よい。ＤＢＲ領域の電流Ｉｄについては、従来例でも用
いられているようにＩ、に比例して変化させればよい。
これを式で表せば、
Ｉｄ＝に２Ｉ、＋ＩｄＯ（２）
となる。ここでに２は正の定数で構造によって異なる。
ＩｄＯは一定のバイアス電流であり、常にブラッグ波長
付近で発振させるための調整用の電流である。（１）式
と（２）式を同時に満すような駆動回路を構成すれば、
一つの電流（または電圧）を制御するだけで、光出力を
ほぼ一定に保持しながら波長を変化させることができる
。従って従来例のような自動光出力制御回路や光学系が
不要となり、装置の構成が簡略になり、しかも高速化が
可能となる。
付近で発振させるための調整用の電流である。（１）式
と（２）式を同時に満すような駆動回路を構成すれば、
一つの電流（または電圧）を制御するだけで、光出力を
ほぼ一定に保持しながら波長を変化させることができる
。従って従来例のような自動光出力制御回路や光学系が
不要となり、装置の構成が簡略になり、しかも高速化が
可能となる。
（実施例）
本発明について図面を参照して説明する。第１図は本発
明の駆動方法の第１の実施例を適用した駆動回路と波長
可変ＤＢＲレーザ１００を表すブロック図である。上述
の（１）式と（２）式を満たすような駆動回路はオペア
ンプ２００を用いて作ることができる。第１図はその回
路の一例を示している。制御電圧■、を変化させること
で３つの領域に流す電流■３、■２、Ｉｄを同時に変化
させ、波長と光出力を制御する。電圧ＶａＯは活性領域
１１０に流すバイアス電流工ａｏを制御する電圧である
。また、電圧■ｄｏで、ＤＢＲ領域１３０に流すバイア
ス電流ＩｄＯを制御する。可変抵抗Ｒ１３００とＲ２３
１０の値を変えることで、それぞれ（１）式と（２）式
の比例定数ｋｌとに２の値を設定する。−度可変抵抗Ｒ
１３００とＲ２３１０、電圧ＶａＯとＶｄＯの値を設定
しておけば、後は電圧■、を変化させるだけで、光出力
をほぼ一定に保ったにまま、波長を変化させることかで
きる。なお、駆動回路に使用するオペアンプ２００、定
電流駆動回路４００などは通常市販されているものであ
り、ここでの説明は省略する。また波長可変ＤＢＲレー
ザ１００は従来例に示したものと同じであるため、これ
についても説明は省略する。
明の駆動方法の第１の実施例を適用した駆動回路と波長
可変ＤＢＲレーザ１００を表すブロック図である。上述
の（１）式と（２）式を満たすような駆動回路はオペア
ンプ２００を用いて作ることができる。第１図はその回
路の一例を示している。制御電圧■、を変化させること
で３つの領域に流す電流■３、■２、Ｉｄを同時に変化
させ、波長と光出力を制御する。電圧ＶａＯは活性領域
１１０に流すバイアス電流工ａｏを制御する電圧である
。また、電圧■ｄｏで、ＤＢＲ領域１３０に流すバイア
ス電流ＩｄＯを制御する。可変抵抗Ｒ１３００とＲ２３
１０の値を変えることで、それぞれ（１）式と（２）式
の比例定数ｋｌとに２の値を設定する。−度可変抵抗Ｒ
１３００とＲ２３１０、電圧ＶａＯとＶｄＯの値を設定
しておけば、後は電圧■、を変化させるだけで、光出力
をほぼ一定に保ったにまま、波長を変化させることかで
きる。なお、駆動回路に使用するオペアンプ２００、定
電流駆動回路４００などは通常市販されているものであ
り、ここでの説明は省略する。また波長可変ＤＢＲレー
ザ１００は従来例に示したものと同じであるため、これ
についても説明は省略する。
第２図は本発明の第２の実施例を適用した駆動回路と波
長可変ＤＢＲレーザ１００のブロック図である。
長可変ＤＢＲレーザ１００のブロック図である。
この回路は抵抗だけで構成されているため、構成が単純
で、高速の波長切り換えにも適している。
で、高速の波長切り換えにも適している。
この回路で（１）式と（２）式を満すためには抵抗Ｒａ
５１０とＲ，５２０，Ｒｄ５３０の値がおおよそ次の関
係を満せばよい。
５１０とＲ，５２０，Ｒｄ５３０の値がおおよそ次の関
係を満せばよい。
ｋ１＝Ｒｐ／Ｒａ（３）
ｋ２＝Ｒｐ／Ｒｄ（４）
Ｒａ、 Ｒｐ、 Ｒｄの実際の値は素子構造によって異
なるか、１０Ω〜１００Ωぐらいの範囲で（３）式と（
４）式を満すように設定するとよい。電圧ＶａＯとＶｄ
Ｏは第１の実施例と同様にそれぞれ■ａｏとＩｄＯを設
定するための電圧である。抵抗５４０と抵抗５５０の値
は１００〜３００Ω程度あればよい。−度各抵抗の値と
、電圧ＶａＯ１ＶｄＯの値を設定しておけば、電圧ＶＴ
を変化させるだけで光出力をほぼ一定に保ったまま、波
長を変化させることができる。ただし、この実施例では
、波長可変ＤＢＲレーザ１００の各領域の電流−電圧特
性に非線形線があるために、必ずしも（１）式と（２）
式にしたがって正確に電流を制御することは難しい。し
たがって、第１の実施例と比べると、連続的に変化させ
ることのできる波長範囲は若干狭くなる。しがしより高
速に波長切り換えができる利点がある。
なるか、１０Ω〜１００Ωぐらいの範囲で（３）式と（
４）式を満すように設定するとよい。電圧ＶａＯとＶｄ
Ｏは第１の実施例と同様にそれぞれ■ａｏとＩｄＯを設
定するための電圧である。抵抗５４０と抵抗５５０の値
は１００〜３００Ω程度あればよい。−度各抵抗の値と
、電圧ＶａＯ１ＶｄＯの値を設定しておけば、電圧ＶＴ
を変化させるだけで光出力をほぼ一定に保ったまま、波
長を変化させることができる。ただし、この実施例では
、波長可変ＤＢＲレーザ１００の各領域の電流−電圧特
性に非線形線があるために、必ずしも（１）式と（２）
式にしたがって正確に電流を制御することは難しい。し
たがって、第１の実施例と比べると、連続的に変化させ
ることのできる波長範囲は若干狭くなる。しがしより高
速に波長切り換えができる利点がある。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の駆動方法を用いることによ
って、一つの電流または電圧を制御するだけで、波長可
変ＤＢＲレーザの光出力をほぼ一定に保ちながら、波長
を変化させることができる。
って、一つの電流または電圧を制御するだけで、波長可
変ＤＢＲレーザの光出力をほぼ一定に保ちながら、波長
を変化させることができる。
したがって制御方法が従来のものと比べて簡単になり、
波長制御を高速化できる効果がある。
波長制御を高速化できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を適用した駆動回路と波
長可変ＤＢＲレーザのブロック図、第２図は第２の実施
例を適用した駆動回路と波長可変ＤＢＲレー（８） ザのブロック図である。図において１００は波長可変Ｄ
ＢＲレーザ、１１０は活性領域、１２０は位相制御領域
、１３０はＤＲＢ領域、２００はオペアンプ、３００．
３１０は可変抵抗、４００は定電流駆動回路、５１０．
５２０．５３０は抵抗である。
長可変ＤＢＲレーザのブロック図、第２図は第２の実施
例を適用した駆動回路と波長可変ＤＢＲレー（８） ザのブロック図である。図において１００は波長可変Ｄ
ＢＲレーザ、１１０は活性領域、１２０は位相制御領域
、１３０はＤＲＢ領域、２００はオペアンプ、３００．
３１０は可変抵抗、４００は定電流駆動回路、５１０．
５２０．５３０は抵抗である。
Claims (1)
- 活性領域、位相制御領域、分布ブラッグ反射領域の３領
域から構成された波長可変半導体レーザの駆動方法にお
いて、前記活性領域に流す電流が前記位相制御領域に流
す電流の増加、減少に対応して増加、減少する部分と一
定部分との和となっていることを特徴とする波長可変半
導体レーザの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226773A JP2546387B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 波長可変半導体レーザの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226773A JP2546387B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 波長可変半導体レーザの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391276A true JPH0391276A (ja) | 1991-04-16 |
| JP2546387B2 JP2546387B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16850387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226773A Expired - Lifetime JP2546387B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 波長可変半導体レーザの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546387B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
| EP0703649A2 (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165489A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS6449293A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Nec Corp | Semiconductor laser with variable wavelength |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP1226773A patent/JP2546387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165489A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS6449293A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Nec Corp | Semiconductor laser with variable wavelength |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
| EP0703649A2 (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same |
| EP0703649A3 (en) * | 1994-09-14 | 1996-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for stabilizing the output power of higher harmonics and a short wavelength laser source using the same |
| US5936985A (en) * | 1994-09-14 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same |
| US6323990B1 (en) | 1994-09-14 | 2001-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same |
| US6496299B2 (en) | 1994-09-14 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546387B2 (ja) | 1996-10-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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