JPH0876071A - 光外部変調器バイアス電圧制御回路 - Google Patents
光外部変調器バイアス電圧制御回路Info
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- JPH0876071A JPH0876071A JP20980394A JP20980394A JPH0876071A JP H0876071 A JPH0876071 A JP H0876071A JP 20980394 A JP20980394 A JP 20980394A JP 20980394 A JP20980394 A JP 20980394A JP H0876071 A JPH0876071 A JP H0876071A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光外部変調器に対して最適のバイアス電圧を
与える。 【構成】 入力光Ｐｉが光カプラ７１に入力されると入
力光Ｐｉ１及び入力光Ｐｉ２に分岐される。入力光Ｐｉ
１はＬＮ変調器１０に入力され、出力光Ｐｏが出力され
る。出力光Ｐｏは光カプラ３１に入力されると出力光Ｐ
ｏ１及び出力光Ｐｏ２に分岐され、ＰＤ３２から出力光
Ｐｏの光パワーに比例した電流ｉ１に変換されて出力さ
れる。入力光Ｐｉ２はＰＤ７２から入力光Ｐｉの光パワ
ーに比例した電流ｉ２に変換されて出力される。除算器
８０は、電流ｉ１，ｉ２を入力すると、ＬＮ変調器１０
の平均パワー伝達率に比例した出力電圧が出力する。こ
の平均パワー伝達率が可変基準電圧源４２で決定される
一定の値となるように負帰還回路４０がＬＮ変調器１０
の変調電圧Ｖｍをバイアスする。
与える。 【構成】 入力光Ｐｉが光カプラ７１に入力されると入
力光Ｐｉ１及び入力光Ｐｉ２に分岐される。入力光Ｐｉ
１はＬＮ変調器１０に入力され、出力光Ｐｏが出力され
る。出力光Ｐｏは光カプラ３１に入力されると出力光Ｐ
ｏ１及び出力光Ｐｏ２に分岐され、ＰＤ３２から出力光
Ｐｏの光パワーに比例した電流ｉ１に変換されて出力さ
れる。入力光Ｐｉ２はＰＤ７２から入力光Ｐｉの光パワ
ーに比例した電流ｉ２に変換されて出力される。除算器
８０は、電流ｉ１，ｉ２を入力すると、ＬＮ変調器１０
の平均パワー伝達率に比例した出力電圧が出力する。こ
の平均パワー伝達率が可変基準電圧源４２で決定される
一定の値となるように負帰還回路４０がＬＮ変調器１０
の変調電圧Ｖｍをバイアスする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速光変調器として広
く用いられる、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）マッ
ハツェンダー型光外部変調器（以下、ＬＮ変調器とい
う）のバイアス電圧制御回路に関するものである。
く用いられる、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）マッ
ハツェンダー型光外部変調器（以下、ＬＮ変調器とい
う）のバイアス電圧制御回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＮ変調器は、例えば１０Ｇｂ／ｓ光伝
送装置のような次世代の高速光伝送に使用される高速光
変調器である。ＬＮ変調器は変調された光信号の中心波
長のゆらぎ（チャープ）が少なく、超高速の光信号変調
が可能であり、長距離伝送システムやコヒーレントシス
テムにおける位相変調器等に応用が可能である。しか
し、その問題点としてＬＮ変調器を変調するための変調
電圧特性に時定数の非常に長いＤＣ電圧ドリフトがある
ことが知られている。このＤＣ電圧ドリフトによりＬＮ
変調器の最適の動作点が少しずつ移動して出力の波形歪
が発生し、伝送される光信号に誤差が生じることがあ
る。そのため、このＬＮ変調器のＤＣ電圧ドリフトを補
償し、長期間安定した光信号出力を得るには、ＤＣ電圧
ドリフトに応じてＬＮ変調器に最適な動作電圧を与える
回路技術が必要である。この電圧補償を自動的に行う制
御回路としては、例えば、ＬＮ変調器出力平均光レベル
検出式電圧制御方式がある。これは、ＬＮ変調器の出力
平均光レベルを検出し、それが一定となるように制御系
を組むことにより、ＬＮ変調器のＤＣ電圧ドリフトを調
整する線形負帰還光出力一定回路方式である。
送装置のような次世代の高速光伝送に使用される高速光
変調器である。ＬＮ変調器は変調された光信号の中心波
長のゆらぎ（チャープ）が少なく、超高速の光信号変調
が可能であり、長距離伝送システムやコヒーレントシス
テムにおける位相変調器等に応用が可能である。しか
し、その問題点としてＬＮ変調器を変調するための変調
電圧特性に時定数の非常に長いＤＣ電圧ドリフトがある
ことが知られている。このＤＣ電圧ドリフトによりＬＮ
変調器の最適の動作点が少しずつ移動して出力の波形歪
が発生し、伝送される光信号に誤差が生じることがあ
る。そのため、このＬＮ変調器のＤＣ電圧ドリフトを補
償し、長期間安定した光信号出力を得るには、ＤＣ電圧
ドリフトに応じてＬＮ変調器に最適な動作電圧を与える
回路技術が必要である。この電圧補償を自動的に行う制
御回路としては、例えば、ＬＮ変調器出力平均光レベル
検出式電圧制御方式がある。これは、ＬＮ変調器の出力
平均光レベルを検出し、それが一定となるように制御系
を組むことにより、ＬＮ変調器のＤＣ電圧ドリフトを調
整する線形負帰還光出力一定回路方式である。
【０００３】図２は、前記ＬＮ変調器出力平均光レベル
検出式電圧制御方式の一例を示す従来のＬＮ変調器バイ
アス電圧制御回路の概略の構成ブロック図である。この
図２では、ＬＮ変調器１０の出力側にバイアス電圧制御
回路２０が接続されている。バイアス電圧制御回路２０
は、ＬＮ変調器１０の出力光Ｐｏの平均レベルを検出す
る出力光平均レベル検出手段３０と、出力光平均レベル
検出手段３０の出力側からＬＮ変調器１０の制御入力側
に接続された負帰還回路４０を備えている。出力光平均
レベル検出手段３０は、出力光Ｐｏを出力光Ｐｏ１及び
出力光Ｐｏ２に分岐する光カプラ３１と、出力光Ｐｏの
光パワーに比例した電流に変換するホトダイオード（以
下、ＰＤという）３２とで構成されている。尚、光カプ
ラ３１の出力光Ｐｏ１の出力側は外部の光ファイバに接
続され、出力光Ｐｏ２の出力側はＰＤ３２の入力側に接
続されている。
検出式電圧制御方式の一例を示す従来のＬＮ変調器バイ
アス電圧制御回路の概略の構成ブロック図である。この
図２では、ＬＮ変調器１０の出力側にバイアス電圧制御
回路２０が接続されている。バイアス電圧制御回路２０
は、ＬＮ変調器１０の出力光Ｐｏの平均レベルを検出す
る出力光平均レベル検出手段３０と、出力光平均レベル
検出手段３０の出力側からＬＮ変調器１０の制御入力側
に接続された負帰還回路４０を備えている。出力光平均
レベル検出手段３０は、出力光Ｐｏを出力光Ｐｏ１及び
出力光Ｐｏ２に分岐する光カプラ３１と、出力光Ｐｏの
光パワーに比例した電流に変換するホトダイオード（以
下、ＰＤという）３２とで構成されている。尚、光カプ
ラ３１の出力光Ｐｏ１の出力側は外部の光ファイバに接
続され、出力光Ｐｏ２の出力側はＰＤ３２の入力側に接
続されている。
【０００４】又、このバイアス電圧制御回路２０は、負
帰還回路４０を備えている。ＰＤ３２の出力側は、この
負帰還回路４０の入力側に接続されている。負帰還回路
４０は、演算増幅器（以下、オペアンプという）４１、
基準電圧源４２、抵抗４３、コンデンサ４４、及びコイ
ル４５を備え、オペアンプ４１の反転入力側にはＰＤ３
２の出力側が接続され、非反転入力側とグランドとの間
には可変基準電圧源４２が接続されている。又、オペア
ンプ４１の出力側は抵抗４３を介して反転入力側に接続
され、抵抗４３にはコンデンサ４４が並列接続されてい
る。更に、オペアンプ４１の出力側は、コイル４５を介
してＬＮ変調器１０の制御入力側に接続されている。
又、高速信号Ｓがコンデンサ６０を介してＬＮ変調器１
０の制御入力側に入力されるようになっている。尚、高
速信号Ｓにオペアンプ４１の出力電圧が重畳されて変調
電圧Ｖｍが構成されている。
帰還回路４０を備えている。ＰＤ３２の出力側は、この
負帰還回路４０の入力側に接続されている。負帰還回路
４０は、演算増幅器（以下、オペアンプという）４１、
基準電圧源４２、抵抗４３、コンデンサ４４、及びコイ
ル４５を備え、オペアンプ４１の反転入力側にはＰＤ３
２の出力側が接続され、非反転入力側とグランドとの間
には可変基準電圧源４２が接続されている。又、オペア
ンプ４１の出力側は抵抗４３を介して反転入力側に接続
され、抵抗４３にはコンデンサ４４が並列接続されてい
る。更に、オペアンプ４１の出力側は、コイル４５を介
してＬＮ変調器１０の制御入力側に接続されている。
又、高速信号Ｓがコンデンサ６０を介してＬＮ変調器１
０の制御入力側に入力されるようになっている。尚、高
速信号Ｓにオペアンプ４１の出力電圧が重畳されて変調
電圧Ｖｍが構成されている。
【０００５】図３は、図２中のＬＮ変調器１０の構成図
である。ＬＮ変調器１０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ3 ）の結晶板１１内に、入力光Ｐｉを入力する光導
波路１２を備え、光導波路１２は光導波路１２ａ及び光
導波路１２ｂに分岐されている。光導波路１２ａ及び光
導波路１２ｂは、出力光Ｐｏを出力する光導波路１３に
接続されている。光導波路１２ｂの両側には、この光導
波路１２ｂに電界Ｅを掛けるための電極１４，１５が設
けられている。電極１４はグランドに接続され、電極１
５は制御入力側に接続されている。このＬＮ変調器１０
は、変調電圧Ｖｍによって発生した電界Ｅで光導波路１
２ｂの屈折率を変化させることにより、光導波路１２ｂ
を通過する光の位相を光導波路１２ａを通過する光の位
相に対して変化させ、出力側から双方の光が干渉した光
を出力するものである。
である。ＬＮ変調器１０は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ3 ）の結晶板１１内に、入力光Ｐｉを入力する光導
波路１２を備え、光導波路１２は光導波路１２ａ及び光
導波路１２ｂに分岐されている。光導波路１２ａ及び光
導波路１２ｂは、出力光Ｐｏを出力する光導波路１３に
接続されている。光導波路１２ｂの両側には、この光導
波路１２ｂに電界Ｅを掛けるための電極１４，１５が設
けられている。電極１４はグランドに接続され、電極１
５は制御入力側に接続されている。このＬＮ変調器１０
は、変調電圧Ｖｍによって発生した電界Ｅで光導波路１
２ｂの屈折率を変化させることにより、光導波路１２ｂ
を通過する光の位相を光導波路１２ａを通過する光の位
相に対して変化させ、出力側から双方の光が干渉した光
を出力するものである。
【０００６】次に、図２の動作を説明する。入力光Ｐｉ
がＬＮ変調器１０へ入力されると、ＬＮ変調器１０から
変調電圧Ｖｍで制御された出力光Ｐｏが出力される。こ
の出力光Ｐｏが光カプラ３１で出力光Ｐｏ１及び出力光
Ｐｏ２に分岐される。出力光Ｐｏ２がホトダイオード３
２へ入力されると、出力光Ｐｏの光パワーに比例した電
流に変換されて出力される。この出力信号が増加する
と、減少するように負帰還回路４０がＬＮ変調器１０の
変調電圧Ｖｍをバイアスする。又、この出力信号が減少
すると、増加するように負帰還回路４０がＬＮ変調器１
０の変調電圧Ｖｍをバイアスする。つまり、この出力信
号が可変基準電圧源４２で決定される一定の値となるよ
うに、負帰還回路４０がＬＮ変調器１０の変調電圧Ｖｍ
をバイアスする。
がＬＮ変調器１０へ入力されると、ＬＮ変調器１０から
変調電圧Ｖｍで制御された出力光Ｐｏが出力される。こ
の出力光Ｐｏが光カプラ３１で出力光Ｐｏ１及び出力光
Ｐｏ２に分岐される。出力光Ｐｏ２がホトダイオード３
２へ入力されると、出力光Ｐｏの光パワーに比例した電
流に変換されて出力される。この出力信号が増加する
と、減少するように負帰還回路４０がＬＮ変調器１０の
変調電圧Ｖｍをバイアスする。又、この出力信号が減少
すると、増加するように負帰還回路４０がＬＮ変調器１
０の変調電圧Ｖｍをバイアスする。つまり、この出力信
号が可変基準電圧源４２で決定される一定の値となるよ
うに、負帰還回路４０がＬＮ変調器１０の変調電圧Ｖｍ
をバイアスする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すバイアス電圧制御回路では、次のような課題があっ
た。即ち、ＬＮ変調器１０の出力平均光レベルのみを検
出し、それが一定となるように負帰還回路４０で制御す
ることによってＬＮ変調器１０へのバイアス電圧を制御
するので、ＬＮ変調器１０の入力平均光レベルや信号マ
ーク率が変動すると、ＤＣ電圧ドリフトとは無関係に最
適なバイアス電圧からずれてしまうという問題点があつ
た。
示すバイアス電圧制御回路では、次のような課題があっ
た。即ち、ＬＮ変調器１０の出力平均光レベルのみを検
出し、それが一定となるように負帰還回路４０で制御す
ることによってＬＮ変調器１０へのバイアス電圧を制御
するので、ＬＮ変調器１０の入力平均光レベルや信号マ
ーク率が変動すると、ＤＣ電圧ドリフトとは無関係に最
適なバイアス電圧からずれてしまうという問題点があつ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、ＬＮ変調器バイアス電圧制御回路に、外
部からの印加電圧により発生する電界に基づいて屈折率
が変化する光導波路に入力光の一部を通し該入力光を変
調した出力光を生成するＬＮ変調器の該入力光の平均レ
ベルを検出する入力光平均レベル検出手段と、前記出力
光の平均レベルを検出する出力光平均レベル検出手段
と、前記入力光平均レベルに対する前記出力光平均レベ
ルの割合である光パワー伝達率を検出する光パワー伝達
率検出手段と、前記光パワー伝達率が一定になるように
前記電圧をバイアスする負帰還回路とを、備えている。
決するために、ＬＮ変調器バイアス電圧制御回路に、外
部からの印加電圧により発生する電界に基づいて屈折率
が変化する光導波路に入力光の一部を通し該入力光を変
調した出力光を生成するＬＮ変調器の該入力光の平均レ
ベルを検出する入力光平均レベル検出手段と、前記出力
光の平均レベルを検出する出力光平均レベル検出手段
と、前記入力光平均レベルに対する前記出力光平均レベ
ルの割合である光パワー伝達率を検出する光パワー伝達
率検出手段と、前記光パワー伝達率が一定になるように
前記電圧をバイアスする負帰還回路とを、備えている。
【０００９】
【作用】本発明によれば、以上のようにＬＮ変調器バイ
アス電圧制御回路を構成したので、入力光平均レベル検
出手段は、ＬＮ変調器へ入力される入力光の平均レベル
を検出し、出力光平均レベル検出手段は、ＬＮ変調器の
出力光の平均レベルを検出する。光パワー伝達率検出手
段は、入力光平均レベルに対する出力光平均レベルの割
合である光パワー伝達率を検出する。負帰還回路は、光
パワー伝達率が一定になるようにＬＮ変調器の光導波路
に掛ける電界を発生させる電圧をバイアスし、ＬＮ変調
器の入力光パワーの変動や入力光信号の直流光もしくは
入力光パルスの影響を受けない安定したバイアス電圧の
制御を行う。従って、前記課題を解決できるのである。
アス電圧制御回路を構成したので、入力光平均レベル検
出手段は、ＬＮ変調器へ入力される入力光の平均レベル
を検出し、出力光平均レベル検出手段は、ＬＮ変調器の
出力光の平均レベルを検出する。光パワー伝達率検出手
段は、入力光平均レベルに対する出力光平均レベルの割
合である光パワー伝達率を検出する。負帰還回路は、光
パワー伝達率が一定になるようにＬＮ変調器の光導波路
に掛ける電界を発生させる電圧をバイアスし、ＬＮ変調
器の入力光パワーの変動や入力光信号の直流光もしくは
入力光パルスの影響を受けない安定したバイアス電圧の
制御を行う。従って、前記課題を解決できるのである。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の実施例を示すＬＮ変調器バ
イアス電圧制御回路の概略の構成ブロック図であり、図
２中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。このバイアス電圧制御回路２０Ａは、図２中の従来
のバイアス電圧制御回路２０に入力光平均レベル検出手
段７０及び光パワー伝達率検出手段である除算器８０を
設けたものである。即ち、入力光平均レベル検出手段７
０は、入力光Ｐｉを入力光Ｐｉ１及び入力光Ｐｉ２に分
岐する光カプラ７１と、入力光Ｐｉの光パワーに比例し
た電流に変換するＰＤ７２とで構成されている。尚、光
カプラ７１の入力光Ｐｉ１の出力側はＬＮ変調器の入力
側に接続され、入力光Ｐｉ２の出力側はＰＤ７２の入力
側に接続されている。ＰＤ３２の出力側は除算器８０の
第１の入力端子に接続され、ＰＤ７２の出力側は除算器
８０の第２の入力端子に接続されている。除算器８０
は、入力光Ｐｉの平均レベルに対する出力光Ｐｏの平均
レベルの割合であるＬＮ変調器１０の光パワー伝達率を
検出するものである。除算器８０の出力端子は、オペア
ンプ４１の反転入力側に接続されている。他は、図２と
同様の構成になっている。
イアス電圧制御回路の概略の構成ブロック図であり、図
２中の要素と共通の要素には共通の符号が付されてい
る。このバイアス電圧制御回路２０Ａは、図２中の従来
のバイアス電圧制御回路２０に入力光平均レベル検出手
段７０及び光パワー伝達率検出手段である除算器８０を
設けたものである。即ち、入力光平均レベル検出手段７
０は、入力光Ｐｉを入力光Ｐｉ１及び入力光Ｐｉ２に分
岐する光カプラ７１と、入力光Ｐｉの光パワーに比例し
た電流に変換するＰＤ７２とで構成されている。尚、光
カプラ７１の入力光Ｐｉ１の出力側はＬＮ変調器の入力
側に接続され、入力光Ｐｉ２の出力側はＰＤ７２の入力
側に接続されている。ＰＤ３２の出力側は除算器８０の
第１の入力端子に接続され、ＰＤ７２の出力側は除算器
８０の第２の入力端子に接続されている。除算器８０
は、入力光Ｐｉの平均レベルに対する出力光Ｐｏの平均
レベルの割合であるＬＮ変調器１０の光パワー伝達率を
検出するものである。除算器８０の出力端子は、オペア
ンプ４１の反転入力側に接続されている。他は、図２と
同様の構成になっている。
【００１１】次に、図１の動作を説明する。入力光Ｐｉ
が光カプラ７１に入力されると、入力光Ｐｉ１及び入力
光Ｐｉ２に分岐される。入力光Ｐｉ１はＬＮ変調器１０
に入力され、従来と同様にＰＤ３２から出力光Ｐｏの光
パワーに比例した電流ｉ１に変換されて出力される。一
方、入力光Ｐｉ２はＰＤ７２から入力光Ｐｉの光パワー
に比例した電流ｉ２に変換されて出力される。これらの
２つの電流ｉ１，ｉ２を除算器８０へ入力すると、除算
器８０の出力端子にはＬＮ変調器１０の平均パワー伝達
率に比例した出力電圧が得られる。この出力電圧が増加
すると、減少するように負帰還回路４０がＬＮ変調器１
０の変調電圧Ｖｍをバイアスする。又、この出力電圧が
減少すると、増加するように負帰還回路４０がＬＮ変調
器１０の変調電圧Ｖｍをバイアスする。つまり、この平
均パワー伝達率が可変基準電圧源４２で決定される一定
の値となるように負帰還回路４０がＬＮ変調器１０の変
調電圧Ｖｍをバイアスする。
が光カプラ７１に入力されると、入力光Ｐｉ１及び入力
光Ｐｉ２に分岐される。入力光Ｐｉ１はＬＮ変調器１０
に入力され、従来と同様にＰＤ３２から出力光Ｐｏの光
パワーに比例した電流ｉ１に変換されて出力される。一
方、入力光Ｐｉ２はＰＤ７２から入力光Ｐｉの光パワー
に比例した電流ｉ２に変換されて出力される。これらの
２つの電流ｉ１，ｉ２を除算器８０へ入力すると、除算
器８０の出力端子にはＬＮ変調器１０の平均パワー伝達
率に比例した出力電圧が得られる。この出力電圧が増加
すると、減少するように負帰還回路４０がＬＮ変調器１
０の変調電圧Ｖｍをバイアスする。又、この出力電圧が
減少すると、増加するように負帰還回路４０がＬＮ変調
器１０の変調電圧Ｖｍをバイアスする。つまり、この平
均パワー伝達率が可変基準電圧源４２で決定される一定
の値となるように負帰還回路４０がＬＮ変調器１０の変
調電圧Ｖｍをバイアスする。
【００１２】以上のように、本実施例によれば、ＬＮ変
調器１０の出力光平均レベルを検出するのではなく、Ｌ
Ｎ変調器１０の光パワー伝達率を検出して、それが一定
となるようにＬＮ変調器１０のバイアス電圧の制御を行
っているので、ＬＮ変調器１０の入力光パワーの変動や
入力光信号の直流光もしくは入力光パルスの影響を受け
ない安定したバイアス電圧の制御を行うことができる。
尚、本実施例では、１０Ｇｂ／ｓ光伝送装置に適用した
例を説明したが、周波数に無関係に一般的なＬＮ変調器
を用いた光信号処理回路のドリフト補償技術として適用
できる。
調器１０の出力光平均レベルを検出するのではなく、Ｌ
Ｎ変調器１０の光パワー伝達率を検出して、それが一定
となるようにＬＮ変調器１０のバイアス電圧の制御を行
っているので、ＬＮ変調器１０の入力光パワーの変動や
入力光信号の直流光もしくは入力光パルスの影響を受け
ない安定したバイアス電圧の制御を行うことができる。
尚、本実施例では、１０Ｇｂ／ｓ光伝送装置に適用した
例を説明したが、周波数に無関係に一般的なＬＮ変調器
を用いた光信号処理回路のドリフト補償技術として適用
できる。
【００１３】
【発明の効果】ＬＮ変調器バイアス電圧制御回路に、Ｌ
Ｎ変調器の入力光の平均レベルを検出する入力光平均レ
ベル検出手段と、出力光の平均レベルを検出する出力光
平均レベル検出手段と、入力光平均レベルに対する前記
出力光平均レベルの割合である光パワー伝達率を検出す
る光パワー伝達率検出手段と、光パワー伝達率が一定に
なるようにＬＮ変調器のバイアス電圧の制御を行う負帰
還回路とを備えたので、ＬＮ変調器の入力光パワーの変
動や入力光信号フォーマットの影響を受けない安定した
バイアス電圧の制御を行うことができる。
Ｎ変調器の入力光の平均レベルを検出する入力光平均レ
ベル検出手段と、出力光の平均レベルを検出する出力光
平均レベル検出手段と、入力光平均レベルに対する前記
出力光平均レベルの割合である光パワー伝達率を検出す
る光パワー伝達率検出手段と、光パワー伝達率が一定に
なるようにＬＮ変調器のバイアス電圧の制御を行う負帰
還回路とを備えたので、ＬＮ変調器の入力光パワーの変
動や入力光信号フォーマットの影響を受けない安定した
バイアス電圧の制御を行うことができる。
【図１】本発明の実施例を示すＬＮ変調器バイアス電圧
制御回路の概略の構成ブロック図である。
制御回路の概略の構成ブロック図である。
【図２】従来のＬＮ変調器バイアス電圧制御回路の概略
の構成ブロック図である。
の構成ブロック図である。
【図３】図２中のＬＮ変調器１０の構成図である。
１０ ＬＮ変調器 ２０Ａ ＬＮ変調器バイアス電圧制御回路 ３０ 出力光平均レベル検出手段 ４０ 負帰還回路 ７０ 入力光平均レベル検出手段 ８０ 光パワー伝達率検出手段
Claims (1)
- 【請求項１】 外部からの印加電圧により発生する電界
に基づいて屈折率が変化する光導波路に入力光の一部を
通し該入力光を変調した出力光を生成する光外部変調器
の該入力光の平均レベルを検出する入力光平均レベル検
出手段と、 前記出力光の平均レベルを検出する出力光平均レベル検
出手段と、 前記入力光平均レベルに対する前記出力光平均レベルの
割合である光パワー伝達率を検出する光パワー伝達率検
出手段と、 前記光パワー伝達率が一定になるように前記電圧をバイ
アスする負帰還回路とを、 備えたことを特徴とする光外部変調器バイアス電圧制御
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20980394A JPH0876071A (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 光外部変調器バイアス電圧制御回路 |
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|---|---|---|---|
| JP20980394A JPH0876071A (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 光外部変調器バイアス電圧制御回路 |
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| JPH0876071A true JPH0876071A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16578862
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP20980394A Pending JPH0876071A (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 光外部変調器バイアス電圧制御回路 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0876071A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067679A3 (en) * | 1998-04-08 | 2000-03-16 | Nz Applied Technologies Inc | High-speed electro-optic modulator |
| US6404537B1 (en) | 2000-03-06 | 2002-06-11 | Corning Applied Technologies Corporation | Polarization transformer |
| WO2003075422A1 (en) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical transmitter and optical module |
| US7006771B1 (en) | 1999-02-19 | 2006-02-28 | Fujitsu Limited | Optical communication apparatus and optical add/drop apparatus |
-
1994
- 1994-09-02 JP JP20980394A patent/JPH0876071A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067679A3 (en) * | 1998-04-08 | 2000-03-16 | Nz Applied Technologies Inc | High-speed electro-optic modulator |
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| US8521039B2 (en) | 1999-02-19 | 2013-08-27 | Fujitsu Limited | Optical communication apparatus and optical add/drop apparatus |
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