JPH036724B2 - - Google Patents
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- JPH036724B2 JPH036724B2 JP8754083A JP8754083A JPH036724B2 JP H036724 B2 JPH036724 B2 JP H036724B2 JP 8754083 A JP8754083 A JP 8754083A JP 8754083 A JP8754083 A JP 8754083A JP H036724 B2 JPH036724 B2 JP H036724B2
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Landscapes
- Processing Of Terminals (AREA)
- Cable Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばゴム、プラスチツク絶縁ケー
ブルの接続部等における絶縁体層上への半導電層
の形成方法に関するものである。
ブルの接続部等における絶縁体層上への半導電層
の形成方法に関するものである。
一般に、例えばケーブル接続部におけるモール
ド接続部は、導体接続部上に内部半導電層、絶縁
体層及び外部半導電層が夫々設けられるが、前記
半導電層及び絶縁体層はモールド成形されるのが
普通である。
ド接続部は、導体接続部上に内部半導電層、絶縁
体層及び外部半導電層が夫々設けられるが、前記
半導電層及び絶縁体層はモールド成形されるのが
普通である。
そして具体的にかかるケーブル接続部において
は該半導電層及び絶縁体層は夫々半導電性テープ
及び絶縁テープを巻回したのちこれを金型により
モールドされるのである。
は該半導電層及び絶縁体層は夫々半導電性テープ
及び絶縁テープを巻回したのちこれを金型により
モールドされるのである。
ところでかかる内部半導電層、絶縁体層及び外
部半導電層の３層を同時にモールドする場合は、
各層の材料が未加硫状態にあるため、該モールド
時にテープ巻目が動き易く形状が不安定化し上記
半導体層に突起あるいは波立ち現象を発生させそ
の結果形成された絶縁体層などの電気特性の低下
を招くなどの欠点が免がれない。
部半導電層の３層を同時にモールドする場合は、
各層の材料が未加硫状態にあるため、該モールド
時にテープ巻目が動き易く形状が不安定化し上記
半導体層に突起あるいは波立ち現象を発生させそ
の結果形成された絶縁体層などの電気特性の低下
を招くなどの欠点が免がれない。
このために上述の各層毎にモールドを行うと
か、あるいは特に内部半導電層及び絶縁体層の成
形後に外部半導電層を再モールドするなどの方法
もとられている。
か、あるいは特に内部半導電層及び絶縁体層の成
形後に外部半導電層を再モールドするなどの方法
もとられている。
しかしかかるモールド作業回数の増加は徒らに
その作業工程を煩雑化し作業性を低下させる欠点
が避けられない。
その作業工程を煩雑化し作業性を低下させる欠点
が避けられない。
ここに発明者等はかかる欠点を解決すべく鋭意
検討を重ね、導電性カーボンの複合粉末の塗布及
び半導電性熱収縮性チユーブの外被の併用によ
り、単に熱処理と云う簡単な作業により驚くほど
この問題が解決されることを見出しこの発明を完
成した。
検討を重ね、導電性カーボンの複合粉末の塗布及
び半導電性熱収縮性チユーブの外被の併用によ
り、単に熱処理と云う簡単な作業により驚くほど
この問題が解決されることを見出しこの発明を完
成した。
即ち本発明は、電気絶縁体層上に、所望の合成
樹脂粉末の表面に導電性カーボンを複合してなる
複合粉末を塗布した後、この上に半導電性熱収縮
性チユーブをかぶせ、ついでこれを加熱処理して
該チユーブを収縮させることを特徴とする電気絶
縁体層上への半導電層の形成方法である。
樹脂粉末の表面に導電性カーボンを複合してなる
複合粉末を塗布した後、この上に半導電性熱収縮
性チユーブをかぶせ、ついでこれを加熱処理して
該チユーブを収縮させることを特徴とする電気絶
縁体層上への半導電層の形成方法である。
この発明において所望の合成樹脂とは、処理す
る絶縁体層及び後記する半導電性熱収縮性チユー
ブに用いられる樹脂と相溶性の高い樹脂を意味す
るものである。
る絶縁体層及び後記する半導電性熱収縮性チユー
ブに用いられる樹脂と相溶性の高い樹脂を意味す
るものである。
かかる樹脂を例示すると、ポリエチレン、エチ
レンアクリル酸エチル系樹脂（EEA）、エチレン
酢酸ビニル系樹脂（EVA）等があり、具体的に
次のような組合せ例が適例として挙げられる。
レンアクリル酸エチル系樹脂（EEA）、エチレン
酢酸ビニル系樹脂（EVA）等があり、具体的に
次のような組合せ例が適例として挙げられる。
（絶縁体
用樹脂） （収縮性チ
ユーブ用
ベースポ
リマー） （複合粉末用
樹脂）
(1) 架橋ポリエ
チレン ポリエチレン ポリエチレン
(2) 架橋ポリエ
チレン EEA ポリエチレン又
はエチレンアク
リル酸あるいは
これらの混和物
上記電導性カーボンとしてはこの種の用途に使
用される導電性カーボンブラツクが概ね制限なく
用いられ、そしてそれらの樹脂との複合割合はベ
ースポリマー100部に対して導電性カーボンブラ
ツクは30部〜150部の範囲である。
用される導電性カーボンブラツクが概ね制限なく
用いられ、そしてそれらの樹脂との複合割合はベ
ースポリマー100部に対して導電性カーボンブラ
ツクは30部〜150部の範囲である。
具体的にはその複合はベースポリマーを軟化点
以上でかつ溶融点以下の温度に加熱後、導電性カ
ーボンブラツクをそのベースポリマーの樹脂表面
にまぶし、ベースポリマーの粒子の周りにカーボ
ンブラツクが付着するようにミキサーを使用して
撹拌することで行われる。
以上でかつ溶融点以下の温度に加熱後、導電性カ
ーボンブラツクをそのベースポリマーの樹脂表面
にまぶし、ベースポリマーの粒子の周りにカーボ
ンブラツクが付着するようにミキサーを使用して
撹拌することで行われる。
かかる複合粉末は、絶縁体層上に絶縁体を若干
加熱後すりこむようにして塗布され、これに半導
電性収縮チユーブをかぶせ熱処理することにより
該複合粉末は該絶縁体及び収縮性チユーブ間にあ
つて導電性の接着剤の如く作用し隣接層相互の均
質な一体化が行われるのである。
加熱後すりこむようにして塗布され、これに半導
電性収縮チユーブをかぶせ熱処理することにより
該複合粉末は該絶縁体及び収縮性チユーブ間にあ
つて導電性の接着剤の如く作用し隣接層相互の均
質な一体化が行われるのである。
そしてかかる複合粉末の塗布はその塗布厚を
10μ以上にすることは困難であるが、本発明は半
導電性熱収縮チユーブとの収縮一体化により必要
充分な半導電層が形成されることになる。
10μ以上にすることは困難であるが、本発明は半
導電性熱収縮チユーブとの収縮一体化により必要
充分な半導電層が形成されることになる。
本発明は上述のケーブル絶縁体層上に半導電層
を形成する場合に限られず、他の各種電機機々器
等の例えば遮蔽用半導電層を設ける目的物等にも
適用し得る。
を形成する場合に限られず、他の各種電機機々器
等の例えば遮蔽用半導電層を設ける目的物等にも
適用し得る。
図面は本発明をケーブル接続部１０に適用した
一実施態様の部分的断面図であつて、１は該接続
部における露出させた導体２の接続用スリーブ、
３は絶縁体である。
一実施態様の部分的断面図であつて、１は該接続
部における露出させた導体２の接続用スリーブ、
３は絶縁体である。
そして４はその外側周囲上に設置した内部半導
電層で、該半導電層４を覆つて補強絶縁体５を設
ける。
電層で、該半導電層４を覆つて補強絶縁体５を設
ける。
次にこの補強絶縁体５上に上述の複合粉末６を
所望の厚さに塗布し、しかるのち、半導電性の熱
収縮性チユーブ７をかぶせ熱処理収縮させるので
ある。
所望の厚さに塗布し、しかるのち、半導電性の熱
収縮性チユーブ７をかぶせ熱処理収縮させるので
ある。
本発明は上記及び後記実施例からも明らかなよ
うに絶縁体層及び半導電性収縮性チユーブ間に上
述の如き複合粉末を介在させた構成にて熱処理収
縮させ、これら相互の一体化を行なうようにした
ので、その作業性は非常に良くしかも例えばケー
ブル特性を安定して維持得るなど上記の問題を解
決し得るのであり、その工業的利用効果は非常に
大である。
うに絶縁体層及び半導電性収縮性チユーブ間に上
述の如き複合粉末を介在させた構成にて熱処理収
縮させ、これら相互の一体化を行なうようにした
ので、その作業性は非常に良くしかも例えばケー
ブル特性を安定して維持得るなど上記の問題を解
決し得るのであり、その工業的利用効果は非常に
大である。
以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例
154KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブルを接続
するに際して、先づ被接続ケーブル端部を略鉛筆
状に先細となるように削つて導体を露出させ、圧
縮スリーブを用いて導体相互を接続した。
するに際して、先づ被接続ケーブル端部を略鉛筆
状に先細となるように削つて導体を露出させ、圧
縮スリーブを用いて導体相互を接続した。
次にこの接続部上に半導電性テープ（日本ユニ
カー社、商品名DFDG0580をテープ化したもの）
を巻付け、150℃で約４時間加熱成形して内部半
電層を形成した。そして更にこの導電層外周に架
橋剤入りポリエチレン絶縁テープを28mm厚に巻回
しこの上に、金型を装着して210℃、約７時間モ
ールド成形して一体化した絶縁層を形成した。
カー社、商品名DFDG0580をテープ化したもの）
を巻付け、150℃で約４時間加熱成形して内部半
電層を形成した。そして更にこの導電層外周に架
橋剤入りポリエチレン絶縁テープを28mm厚に巻回
しこの上に、金型を装着して210℃、約７時間モ
ールド成形して一体化した絶縁層を形成した。
次にポリエチレン粉末の表面に導電性カーボン
ブラツクを被覆してなる複合粉末（商品名CPA
−83、東亜合成化学社、ポリエチレン：導電性カ
ーボン＝70：30重量％）を該絶縁層上に２〜3μ
厚で塗布し、その上にポリエチレンポリマーにカ
ーボンを添加してなる熱収縮性導電性チユーブを
かぶせ、更にその上にベルト状のシリコンゴム絶
縁ヒーターを巻回し、200℃、１時間加熱して該
チユーブを収縮させた。得られたケーブル接続部
の特に上記絶縁体と外部導電層との界面を顕微鏡
観察を行つたところボイドあるいは空隙は全く認
められず良好な密着状態を示していた。
ブラツクを被覆してなる複合粉末（商品名CPA
−83、東亜合成化学社、ポリエチレン：導電性カ
ーボン＝70：30重量％）を該絶縁層上に２〜3μ
厚で塗布し、その上にポリエチレンポリマーにカ
ーボンを添加してなる熱収縮性導電性チユーブを
かぶせ、更にその上にベルト状のシリコンゴム絶
縁ヒーターを巻回し、200℃、１時間加熱して該
チユーブを収縮させた。得られたケーブル接続部
の特に上記絶縁体と外部導電層との界面を顕微鏡
観察を行つたところボイドあるいは空隙は全く認
められず良好な密着状態を示していた。
又この接続部の交流破壊値は650KVであり充
分満足し得る値を示した。
分満足し得る値を示した。
比較例
比較のために実施例１における複合粉末の被覆
を行わなかつた外は同様に実施してケーブルの接
続を行つた。
を行わなかつた外は同様に実施してケーブルの接
続を行つた。
得られたケーブル接続部に関し、前記と同様の
顕微鏡観察を行つたところ絶縁体と収縮チユーブ
層との界面に多数の空隙及びボイドが認められ
た。
顕微鏡観察を行つたところ絶縁体と収縮チユーブ
層との界面に多数の空隙及びボイドが認められ
た。
そしてこの接続部の交流破壊値は400KVと低
く、しかも該破壊は絶縁体と収縮チユーブ層との
界面の密着不良部を起点として発生していた。
く、しかも該破壊は絶縁体と収縮チユーブ層との
界面の密着不良部を起点として発生していた。
図面は本発明の一実施態様を説明するケーブル
接続部の部分的断面図である。 １……導体接続スリーブ、２……導体、３，５
……絶縁体、６……複合粉末、７……半導電性収
縮チユーブ。
接続部の部分的断面図である。 １……導体接続スリーブ、２……導体、３，５
……絶縁体、６……複合粉末、７……半導電性収
縮チユーブ。
Claims (1)
- １ 電気絶縁体層上に、所望の合成樹脂粉末の表
面に導電性カーボンを複合してなる複合粉末を塗
布した後、この上に半導電性熱収縮性チユーブを
かぶせ、ついでこれを加熱処理して該チユーブを
収縮させることを特徴とする電気絶縁体層上への
半導電層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8754083A JPS59216410A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 電気絶縁体層上への半導電層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8754083A JPS59216410A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 電気絶縁体層上への半導電層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59216410A JPS59216410A (ja) | 1984-12-06 |
| JPH036724B2 true JPH036724B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=13917813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8754083A Granted JPS59216410A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 電気絶縁体層上への半導電層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59216410A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260427A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-17 | 株式会社フジクラ | ゴム・プラスチツクケ−ブルの接続方法 |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP8754083A patent/JPS59216410A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59216410A (ja) | 1984-12-06 |
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