JPH0362036A - 電子写真記録材料 - Google Patents

電子写真記録材料

Info

Publication number
JPH0362036A
JPH0362036A JP2102754A JP10275490A JPH0362036A JP H0362036 A JPH0362036 A JP H0362036A JP 2102754 A JP2102754 A JP 2102754A JP 10275490 A JP10275490 A JP 10275490A JP H0362036 A JPH0362036 A JP H0362036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
layer
exposure
recording material
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2102754A
Other languages
English (en)
Inventor
David R Terrell
ダビツド・リシヤール・テレル
Meutter Stefaan K De
ステフアーン・カレル・ド・ムツテル
Marcel J Monbaliu
マルセル・ジヤコブ モンバリユー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agfa Gevaert NV
Original Assignee
Agfa Gevaert NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agfa Gevaert NV filed Critical Agfa Gevaert NV
Publication of JPH0362036A publication Critical patent/JPH0362036A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0564Polycarbonates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0596Macromolecular compounds characterised by their physical properties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0624Heterocyclic compounds containing one hetero ring
    • G03G5/0627Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
    • G03G5/0629Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing one hetero atom
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0624Heterocyclic compounds containing one hetero ring
    • G03G5/0635Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered
    • G03G5/0637Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered containing one hetero atom
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0661Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in different ring systems, each system containing at least one hetero ring
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/001Electric or magnetic imagery, e.g., xerography, electrography, magnetography, etc. Process, composition, or product
    • Y10S430/10Donor-acceptor complex photoconductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真に使用するのに好適な感光性記録材料
に関する。
電子写真においては、トナーと称される微粒子化着色材
料で現像しうる静電荷潜像を形成するため光導電性材料
が使用される。
現像された像は次いで光導電性記録材料、例えば光導電
性酸化亜鉛−バインダー層に永久的に定着できる、或い
は光導電体層、例えばセレン層から、受容体材料例えば
紙に転写し、その上に定着することができる。受容体材
料へのトナー転写を用いる電子写真複写及び印刷法にお
いては光導電性記録材料は再使用できる。迅速多数印刷
又は複写を可能にするため、光導電体層は、露光したと
きその電荷を急速に失い、又次の像形成のため充分に高
い静電荷を再び受は入れるべく露光後その絶縁状態を急
速に再び得る光導電体層を使用しなければならない。連
続する帯電/像形成工程の前にその相対に絶縁状態fこ
材料が完全に戻ることの不足は、当業者に「被労」とし
て普通fこ知られている。
光導電性層の疲労は達成しつる複写速度を制限するから
、疲労現像は産業上有用な光導電性材料の選択における
ガイドとして使用されている。
個々の感光性記録材料が電子写真系に好適であるかどう
かを決定する別の重要な性質は、その放電−露光関係で
ある。静電的に帯電した光導電性層を基本fこした従来
の記録材料は、電磁放射線を増大する光導電性に対する
増大する露光の関数として放電に当ってかなりゆっくり
とした増大を示す。10%及び90%放電に対して要求
される放射線量(露光とも称される)は、光導電性記録
材料の選択fこよって約10〜40倍も通常異なる。
かかる光導電性記録材料を71−フトーン像原画の再現
、即ち濃度変化がドツト頻度を変えることfこよって又
はドットサイス及びドツト頻度を変えることによっての
み得られるような等密度スクリーンドツトからなる像の
再現に使用するような電子写真複写法では、リス型ノ\
ロゲン化銀乳剤材料で得られる像と比較したとき、劣化
した品質の像(解像)を生ぜしめる。
かかる光導電性記録材料と共に発光ダイオード又はアナ
ログ信号もしくはディジタル信号変調レーザービームの
如き走査光源を用いて操作する電子写真印刷法は、書き
込みビームの不鮮鋭縁によって生ぜしめられるハロを有
する各ドツトの結果として、ドツトのかすみ及び背景の
増強による劣化したプリントを同様に作る。
従って、狭い範囲の露光線f(E)(E=光子強度(1
)o時間(t)〕内で、電圧N)で表わした電荷におけ
る鮮鋭な減少(導電性の急峻な増大の結果として)を有
する光導電性記録材料を有することが、高品質電子写真
複写及び印刷のために望ましい。更に明らかなことは、
10%及び90%放電に対して要する露光が4.5倍以
下で異なる(こすぎない光導電性記録材料で、行うこと
が前記像品質劣化を避けるために望ましい。
それぞれの光導電性材料が電子写真複写に適しているか
否かを決定する別の重要な性質は、原画から反射される
かなり低い強度の光で動作する複写装置において使用す
るのに充分な高さでなければならないその光感度である
産業の有用性は更に、光導電性層が光源の光例えばレー
ザーの波長にマツチする色感度を有すること、又は例え
ばバランスされて全ての色の再現を可能にするため日光
を使用するとき金色志度を有することを要求する。
前記要求を満足させるため非常な努力がなされて来た、
例えばセレンのスペクトル感度は、セレン、テルル及び
砒素の合金を作ることによって可視スペクトルの長波長
にまで拡げられた。
事実多くの有機光導電体が発見されたが、セレン基光導
電体が長い間唯−の実際に有用な光導電体であった。
最初に出た有機光導電体は、ポリカーボネートの如き不
活性重合体バインダー中に溶解したUS −P 383
0647及び3832171に記載された1、2−ジヒ
ドロ−2,2,4−トリメチルキノリン誘導体の如き電
荷移動分子又はポリ(N−ビニルカルバゾール) (P
VK )の如き重合体状電荷移動材料を、溶解した染料
又は分散した顔料粒子で増感した単一層からなっていた
。後者の例には、光導電体材料5〜99容量%と0.1
〜5容量%の濃度での4.10−ジプロアンタントロン
を含有する光電子注入性(photoinコectin
g )多核牛ノン顔料を含有する新規なゼログラフプレ
ートのため、US −P3877935にRegens
ourger及びJakubowskiによって発表さ
れたものの如きいわゆる光電子放出(photoemi
ssion)活性材料(PEAM )がある。Hack
etも、ポリ(N−ビニルカルバゾール)中に分散した
25重量%のX−フタロシアニンからなるかかる層をt
heJournal of Chemioal Phy
sico第55巻、第3178頁Iこ発表している。
バインダー中で約40重量%のp型電荷移動材$12.
4−ビス(N、N−ジエチルアミノフェニル)オキサゾ
ール、0.5〜10重量%のN。
N′−ジメチルベリルイミダからなる厚さ5〜10pm
のPEAM層を用い、Wiedemannは、正又は負
帯電に対し50〜1 、OOmJ /dの半値電圧降下
露光(工。・12)として表わした光感度を観察した。
ナカムラ、ミド及びツツミは1988年に〔Japan
 Hardoopy PrOaeedingS、 5月
号、16〜18頁〕、金属不含フタロシアニン及び増感
顔料としてのN 、 N’−ビス(3,5−キシリル)
ペリルイミド及び電荷キャリヤ移動材料を用い、正fこ
帯電しうる18μmのPEAM層を発表した、これは金
属不合フタロシアニン濃度0.3重量%、N、N’−(
3,5−キシリル)ペリルイミド濃度5.4重量%及び
電荷キャリヤ移動材料濃度40.4重量%で、238 
mJ /rdの最良光感度(工。・t%)を示した。
かかる単層有機光導電体は、セレン光導電体より重要性
が劣る、何故ならばそれらのより悪い感度、それらの増
大露光線量lこ対する非常に平らな応答及びそれらの大
きな疲労のためである。
しかしながら、ポリ(N−ビニルカルバシー/L/ (
PVC2)中の2.4.7− )リニトロー9−フルオ
レソン(TNF )が強力に光感度を改良する電荷移動
複合体を形成した発見(US −P3484237参照
)は、セレン基機械と匹敵しつる複写機における有機光
導電体の使用の方法を開いた。
TNFは電子受容体として作用し、一方PvC2は電子
供与体として作用する。1:1のモル比でTNF : 
PvCzを有する前記電荷移動複合体からなるフィルム
は暗褐色で殆んど黒色であり、高電荷受容性と低暗崩壊
速度を示す。しかしながら10%及び90%放電に要す
る露光は10倍以上差があった。全体的光感度はアモル
ファスセレンのそれに匹敵するC IBM、 J、 R
es、 Develop。
15.75(1971年)参照〕。
次にチオ−ピリリウム染料、ポリカーボネート重合体及
び芳香族分子例えばビス[4−N。
Nジエチルアミノ−2−メチル−フェニル)フェニルメ
タンを含有する三元系からなり、正にも負にも帯電しう
る光導電体の凝集体を含有する単一層光導電性材料が開
発された。1979年May等は[J、 Appl、P
hys、 50 、8090 (1979年)〕に1発
光限放電及び高強度フラッシュの両方について及び負及
び正帯電の両方を有するかかる光導電性記録材料につい
ての表面電位−露光特性を発表した。全ての場合におい
て、10%及び90%放電に要する露光は10位以上も
異なる。
以後の研究では、PEAM層中で増感顔料を、重合体状
電荷移動材料又は不活性重合体バインダー中に溶解した
伝達分子からなる厚い層lこ隣接した薄層の形でキャス
トすると、非常シこ減少した疲労と露光線量の増大によ
り大きく急峻に応答すると共にセレン光導電体に匹敵す
る感度が観察された発見に導いた。HackettはX
−フタロシアニン及びPVKの系に対して、1971年
にこれを示した( J、 Chem、Phys、 55
 、3178(1971年)〕。Hackettは光導
電性は、PvCz中への孔注入及びフタロシアニン中の
電子孔対の場依存性光電子発生Iこ原因があることを見
出した。正電荷の伝達、即ち正孔導電はPVCz層で容
易に進行した。このときから電荷発生及び電荷移動材料
を二つの隣接層の分けた改良された光導性系を開発する
ために非常に多くの研究がなされた(例えば英国特許第
1577859号参照)。しかしながらかかる機能的に
分離した二重層光導電体は、単一層光導電体よりも増大
する露光線量に対して急峻な応答を一般に示すが、なお
その中の比較実施例に示されている如<10%及び90
%放電lこ対し、10倍以上の差のある露光線量を示す
本発明の目的は、帯電した後、露光線量の特に狭い範囲
内で電圧の非常に鮮鋭な減少〔ΔV〕得る、即ち10%
及び90%放電に要する露光線が4.5倍未満だけ異な
る高い光廊度を有する電子写真記録材料を提供すること
にある。
本発明の他の目的及び利点は以下の説明及び実施例から
明らかになるであろう。
本発明によれば、導電性支持体上に、電気絶縁性有機重
合体バインダー材料中に少なくとも1種の光導電性nf
f1顔料物質及び1種以上のp型光導電性電荷移動物質
を含有する負に帯電しつる光導電性記録層を含有し、前
記層は少な(とも1014Ω・mの容積抵抗率を有する
前記電気絶縁性有機重合体バインダー材料中に分子状に
分散された前記p型電荷移動物質o、oi〜40重量%
及び前記p型顔料物質8〜80重量%を含有し、4〜4
0μmの範囲の厚さを有し、静電的に帯電された状態で
前記記録層はそれぞれ10%及び90%の放電に対し、
4.5倍未満だけ異なる電磁放射線を増大する導電率に
対する露光を必要とし、少なくとも1種のp型電荷移動
物質が下記−紋穴(1)〜(v)に相当する電子写真記
録材料を提供する: 式中Rは水素又は脂肪族もしくは脂環式基例えば飽和脂
肪族基もしくは不飽和脂肪族基(非イオン性置換基で置
換されたこれらの基を含む)を表わし、R1及びR1の
各々は同じか又は異なり、01〜C6アルキル基例えば
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基
、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基及びn
−ヘキシル基、又はアリール基例えばフェニル基を表わ
し、Zは隣接芳香族核例えばベンゼン核、又は芳香族環
系を閉環するのに必要な原子を表わし、かかる核又は環
系は非イオン性の1種以上の置換基で置換されたものを
含む、例えば1つ以上のアルキル基、1つ以上のハロゲ
ン原子例えばF 、 Cl 、 Br又は工、1つ以上
のシアン基、ニトロ基、アルコキシ基、例えばメトキシ
基、もしくはアミノ基例えばモノアルキルアミノ基もし
くはジアルキルアミノ基、ヒドラゾン基例えばホルミル
−1,1−ジフェニルヒドラゾン基、ホルミル−1−メ
チル−1−フェニルヒドラゾン基、アブ基、例えばアブ
ベンゼン基、エナミン基、例えばホルムアルデヒドと一
級アミン基の縮合によって得られる基で置換された式中
Xは例えばアルキル化によって導入しうる種類の2価脂
肪族もしくは、脂環式基、例えばアルキレン基好ましく
はエチレン基、2価芳香族基例えばフェニレン、ナフチ
レン又はアンスラセン基で中断されたアルキレン鎖又は
置換アルキレン基、又は少なくとも二つの炭素原子が、
酸素、硫黄又は窒素(この窒素は1価炭化水素基例えば
アリール基で置換されている)からなる群から選択した
異種原子を介して結合している2価脂肪族基であり、R
’ 、 R”及びZは一般式(1) lこ定義したのと
同じ意義を有する;11 (ii)          Ar 式中R”は−NR’R’ [R’及びR6の各々は同じ
か又は異なり、水素、脂肪族もしくは脂環式基(これら
の置換された基を含む)例えばメチル基もしくはベンジ
ル基、又はアリール基例えばフェニル基を表わし、或い
はR4及びR5は一緒になって窒素含有環(置換された
かかる環を含む)例えばカルバゾイル環を完結するのに
必要な原子を表わす〕又は−N=N−Cp(Cpはアゾ
カップリングに使用する芳香族アミン又は芳香族ヒドロ
キシ化合物からの如きアゾカップラー残基である)、又
は−N = CH−R6(R6は置換された形での基を
含む脂肪族もしくは脂環式基、例えばメチル又はベンジ
ル又はアリール基例えばフェニル基を表わす)であり、
Arは2価芳香族基又は置換されたかかる基、例えばフ
ェニレン基又はビフェニレン基を表わし、HI2及びR
I8の各々は同じであっても異なってもよく、水素、ハ
ロゲン、アルキル基又は−NR’R’基(R7及びR8
の各々は同じであっても異なってもよく、アリール基、
C,401゜アルナル基、置換CI−C,。アルキル基
、例えばアラルキル基、好ましくはメチル、エチル又は
ベンジル基を表わす)を表わす; 式中Xはアルキル化によって導入しつる種類の2価脂肪
族もしくは脂環式基、例えばアルキレン基好ましくはエ
チレン基、置換アルキレン基又は2価芳香族基例えばフ
ェニレン、ナフチレン又はアンスラセン基で中断された
アルキレン基、又は少なくとも二つの炭素原子が、酸素
、硫黄又は窒素(この窒素は1価炭化水素基例えばアリ
ール基で置換されている)からなる群から選択した異種
原子を介して結合している2価脂肪族基であり、Rlm
 、 RIM及びR14は一般式(2)で定義したのと
同意義を有する; 式中R11は−NR”RR4(Rlm及びR14の各々
は同じであっても異なってもよく、C8〜C0゜アルキ
ル基もしくは置換された形でのC1〜01゜アルキル基
例えばアラルキル基、好ましくはベンジル基又はアルコ
キシカルボニル置換01〜C8゜アルキル基を表わす)
、シクロアルキル基又はアリール基を表わし、R22は
水素、アルキル基、置換アルキル基、例えばメチル、ア
ルキルカルボニル置換アルキル又はハロゲン例えば塩素
を表わす。
本発明の記録材料の実施態様によれば、記録層は、前述
した一般式(1)〜(■による少なくとも1種の物質を
含む異なるp型電荷移動物質の混合物を含む。前記記録
材料において、混合電荷移動物質は0.4Vより大きく
異ならない半波酸化電位を有する。
半波酸化電位測定は、分光分析品質のアセトニトリル中
0.1モルの電解質(テトラブチルアンモニウムバーク
ロレート)濃度及び10−4モルの生成物濃度を用い、
室温(20℃)で、標準飽和カロメル電極(8,C,e
、 )及び回転(500rpm )白金盤電極を用いた
ポーラログラフを用いて行う。フェロセンを、+0.4
30Vの半波酸化電位を有する参照物質として使用した
前記一般式(1)又は(II)によるp型電荷移動物質
の例及び製造は、公告されたヨーロッパ特許出願第03
47960号に記載されている。
前記一般式(2)又は(財)によるp型電荷移動物質の
例及び製造は、公告されたヨーロッパ特許出願第034
7967号に記載されている。
前記一般式(V)+こよるp型電荷移動物質の例及び製
造は公告されたヨーロッパ特許出願第0349034号
に記載されている。
前述した一般式(1)〜(7)によるp型電荷移動物質
の1種以上と混合した形で、バインダー例えばポリカー
ボネート樹脂中lこ溶解し使用しうる好適なp型電荷移
動物質の例には、下記の群の一つからの低分子量物質が
ある; (1)トリフェニルアミン、例えば米国特許第3180
730号に記載されている如き、トリ  ス  (p 
 −ト  リ  ル )  ア  ミ  ノ  :(i
i)テトラ−N 、 N 、 N’ 、 N’−テトラ
フェニルベンチジン、例えば米国特許第4265990
号に記載されている如きN 、 N’−ジフェニル−N
 、 N’−ビス(3−メチルフェニル)ベンチジン; (+ii)ヒドラゾン、例えば米国特許第415098
7号に記載されている如き4− N 、 N’−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−11′−ジフェニルヒドラ
ゾン、公開ドイツ特許出願(DE−O8)第29394
83号に記載されている如き3−ホルミル−N−エチル
カルバゾール−1′−フェニル−1′−メチルヒドラゾ
ン、及び例えば公開ドイツ特許出願(DE−O8)第3
020108号に記載されている如き3−ホルミル−N
−エチルカルバゾール−1’  1’−ジフェニルヒド
ラゾン; Ov)ピラゾリン、例えば米国特許第3837851号
に記載されている如きピラゾリン; Mオキシジアゾール、例えば米国特許第2237539
号lこ記載されている如き2.5−ビス(4−N、N−
ジエチルアミノフェニル)オキサゾール−134; (vD トリアリールアミン、米国特許第412741
2号及びドイツ特許(DBP )第1237900号に
記載されている如きビス(4−N、N−ジエチルアミノ
−2−メチル)フェニルメタン がある。
又は例えば下記の群の一つからの重合体状p型電荷移動
物質がある: (1)ポリ(N−ビニルカルバゾール);(ii)ポリ
(ビニル多環式芳香族)、例えばポリ(9−ビニルアン
スラセン); (iii)例えばドイツ特許(DBP )第12182
86号に記載されている如きピレン−ホルムアルデヒド
縮合重合体; (IV)例えばJ、Signal AM 5 、2 、
111 (1977年)に記載されている如きポリキシ
リリデン:(v)重合体状1.2−ジヒドロ−2,2,
4−トノメチルキノリン; 〜O例えばEP 295113 、 EP 29511
5EP 295125 、 BP 295126及びE
P295127に記載されている如き重合体テトラフェ
ニルベンチジン及びトリフェニルアミン がある。
n型顔料は無機又は有機であることができ、白色を含む
任意の色を有しうる。それは前記光導電性記録層の有機
重合体バインダー中に分散しうる微粒子化物質である。
所望によって、前記光導電性記録層の支持体は、3電性
支持体から光導電性記録層中への正孔tq注入を減じ又
は防止するため接着剤層及び/′Zは粘着層(整流層)
で予備被覆する、そして7斬望によって光導電性記録層
は最外保護層で1虜被覆する、前記層についての詳細は
後述する。
好ましい実施態様lこよれば%前記光導電性記録層は5
〜35μmの範囲での厚さを有する、そして10〜70
重量%の前記n型顔料材料及び1〜30重量%の前記p
型電荷移動材料を含有する。
更に好ましい実施態様によれば、前記記録層は5〜35
μmの範囲の厚さを有し、50〜80重量%の前記n型
顔料物質及び0.01〜10重量%の前記p型電荷移動
物質を含有する、又は前記記録層は5〜35μmの範囲
の厚さを有し、15〜30重量%の前記n型顔料物質及
び20〜30重量%の前記p型電荷移動物質を含有する
「n型」材料なる語によって、n型コンダクタンスを有
する材料と理解する、これは、負電気極性を有する照射
された透明電極と組合せたとき前記材料中で発生する光
電流(In )が、正照射された電極と接触したとき発
生する光電流(Ip )より犬である(In/Ip>1
)ことを意味する。
「p型」材料なる語によって、p型コンダクタンスを有
する材料と理解する、これは正極性を有する照射された
透明電極と接触したとき前記材料中に発生する光電流(
Ip )が、負照躬された電極と接触したとき発生する
光電流(In)より大である( 工p、、、/ In 
> 1 )ことを意味する〔Hans Meier著、
○rganic Samicondutors−Dar
k−and  Photoconduotivity 
 of  Organlc  3olids 。
1974年Vsrlag Chmie発行、410頁、
ポイン3参照)。
電気絶縁性バインダーは1016Ω・mより太き(ない
体積抵抗率を有するのが好ましい。
本発明によ電子写真記録材料の負−こ帯電しうる記録層
のバインダー中に分散しうるn型顔料の例は、下記の群
の一つからの有機顔料がある=(a)ペリイミド、ドイ
ツ特許第2237539号lこ記載された例えばC,1
,71/ 30 (C,1,=カラーインデックス)、 (b)多核キノン、例えばドイツ特許第2237678
号に記載されたC、1.59300の如きアンタントロ
ン、 (C)キナクリドン、例えばドイツ特許第223767
9号に記載されたC、1.46500 (d)ペリノンを含むナフタレン−1,4,5,8−テ
トラカルボン酸誘導顔料、例えばドイツ特許第2239
923号に記載されたCI。
71105ニオレンジGR。
(e) n型インジゴ又はチオインジゴ染料、例えばド
イツ特許第2237680号に記載されたC!、1.7
3312、ピグメントレッド88、(f)例えばDAS
 2314501に記載された如き、0−ジアミンとの
縮合生成物を含むペリレン−3,4,9,10−テトラ
カルボン酸誘導顔料、 (g)ビスアゾ、トリスアゾ及びテトラキスアゾを含む
n型ポリアゾ顔料、例えばN 、 N’−ビス−(4−
アブベンゼニル)ペリルイミド。
バインダー材料として使用するため樹脂は、最良の機械
的強度、隣接層に対する接着及び有利な電気的性質を基
準にして選択するのが好ましく、同時に活性層が最外層
でもあるとき、トナー汚染及び摩耗に対する感光性記録
材料の表面の抵抗を改良するため表面エネルギー及び摩
擦係数を減すること及び未転写トナーが除去できる容易
さも基準にして選択するのが好ましい。
本発明の記録材料に使用するのに好適なバインダー材料
には有機樹脂材料、例えばセルロースエステル、アクリ
レート及びメタクリレート樹脂、例えばシアノアクリレ
ート樹脂、ポリビニルクロライド、ビニルクロライドの
共重合体、例えばコポリビニルクロライド/アセテート
及びコポリビニルクロライド/無水マレイン酸、ポリエ
ステル樹脂、例えはイソフタル酸及びテレフタル酸とグ
リコールのコポリエステル、芳香族ポリカーボネート樹
脂及びポリエステルカーボネート樹脂がある。
最外層としての記録層は、米国特許第4772526号
lこ記載されている如き弗素化ポリエーテルブロックを
有するブロックコポリエステル又はコポリカーボネート
を含有する樹脂をその中lこ混入することlこよって低
表面接着性及び低摩擦係数を与えることができる。
芳香族ポリカーボネートバインダーと組合せて使用する
のに特に好適なポリエステル樹脂にはダイナポルL 2
06 (DINAPOL L 206 :テレフタル酸
とイソフタル酸のモル比が3/2であり、テレフタル酸
及びイソフタル酸とエチレングリコール及びネオペンチ
ルグリコ−とのコポリエステルに対する西ドイツ国のH
uels A、、G、の登録商標)がある。前記ポリエ
ステル樹脂は、記録材料の支持体上fこ導電性被覆を形
成しつるアルミニウムlこ対する接着性を改良する。
好適な芳香族ポリカーボネートは、例えばWiley 
an、d 5ons Inc、 1988年発行、En
cyclopediaof Polym@r 5cie
ncs and Engineering第2版、第■
巻、第648頁〜第718頁にり、Freitag等に
よって発表されている如き方法で作ることができ、下記
−紋穴の範囲内の一つ以上の反復単位を有する: HI3 、 H@l 、 R14,R11及びH&8の
各々は同じであるか異なり、水素、ハロゲン、アルキル
基、又はアリ−ル基を表わし、Has及びR“の各々は
同じであるか異なり、水素、アルキル基、アリール基又
は脂環式環例えはシクロヘキサン環を閉環するのに必要
な原子を表わす。
10000〜200000の範囲の分子量を有する芳香
族ポリカーボネートが好ましい。かかる高分子量を有す
る好適なポリカーボネートは西ドイツ国のFarben
fabriken Bayer A、G、の登録商標マ
クロロン(MAKROLON)の名で市販されている。
マクロロンCD 2000は、H*1 == Hfl 
=♂=R84=H,XがR″−〇 −R”で、R85=
R″=CH,であり、12000〜25000の分子量
を有するビスフェノールAポリカーボネートである。
マクロロン5700は、HU =+ Has == H
8″== R84=H,XがR“−〇 −R”で、R8
m−R“=Hであり、50000〜120000の範囲
の分子量を有するビスフェノールAポリカーボネートで
ある。
更に有用なバインダー樹脂には、シリコーン樹脂、ポリ
スチレン及びスチレンと無水マレイン酸の共重合体及び
ブタジェンとスチレンの共重合体がある。
光導電性記録層は更に用いた光導電性化合物のスペクト
ル感度を拡大するた当業者に知られているスペクトル増
感剤例えば(ポリ)メチン染料、及び紫外放射線による
劣化に対する安定剤として作用する化合物、いわゆるU
V安定剤、例えばベンズトリアゾールの如き別の添加、
剤を含有できる。
被覆組成物の粘度を調整するため及びそれらの光学的透
明性を調整するためシリコーン油を使用できる。
導電性支持体及び光導電性記録層の間に所望lこよって
存在させる接着剤層及び/又は粘着層は、例えばポリエ
ステル、ポリアミド、ニトロセルロース、加水分解シラ
ン、又は酸化アルミニウムの1種以上を含有でき、又は
それらからなることもできる。前記層の全体の層厚は2
μmより大でないのが好ましい。
光導電性記録層は、その表面に改良された耐摩耗性、減
少した摩擦係数、トナー汚染の減少した傾向及び未転写
トナーの容易除去を与えるため、薄い最外保護層で場合
によっては被覆してもよい。好ましくは前記最外層は、
前記n型光導電性顔料と混合されていない少なくとも1
種のp型移動物質を含有するバインダー層である。前記
最外層の厚さは7μmより大でないのが好ましく、2μ
mが更に好ましい。最外層中の前記p型電荷移動物質の
濃度は、使用に当って過度の摩耗を避けるため50重量
%を越えないのが好ましい。
低摩擦係数を有する保護層に使用するのに好適な樹脂に
は、例えば米国特許第4772526号に記載されてい
る如き弗素化ポリエーテルブロックを有するブロックコ
ポリエステル又はコポリカーボネートがある、或いはテ
トラフルオロエタン又はヘキサフルオロプロパンの共重
合体、所望によってこれらと相溶性の樹脂、例えばセル
ロースエステル、アクリレ−及びメタクリレート樹脂、
例えばシアノアクリレート樹脂、ポリビニルクロライド
、ビニルクロライドの共重合体、例えばコポリビニルク
ロライド/アセテート及びコポリビニルクロライド/無
水マレイン酸、ポリエステル樹脂、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂又はポリエステル−カーボネート樹脂と組合せ
たものがある。
導電性支持体は任意の好適な導電性材料から作ることが
できる。代表的な導電体にはアルミニウム、鋼、黄銅及
び導電性増強物質を混入又はそれで被覆した紙及び樹脂
、例えば金属を真空蒸着した、カーボンブラック、グラ
ファイト及び導電性単量体塩又は導電性重合体例えばカ
ルボン・コンダクティブ重合体261(米国のペンシル
バニア州、ビッッパーグのCaJonCorporat
ion、 Inc、の商標、米国特許第3832171
号に記載されている)の如き四級化窒素原子を含有する
重合体を分散させた紙及び樹脂材料を含む。
支持体は箔、ウェブの形であることができ、又はドラム
の一部であることができる。
本発明による電子写真記録法は、 (1)例えばコロナ装置で本発明の記録材料を全体的に
負に静電的に帯電させ。
(2)本発明による記録材料を像に従って露光し、かく
して静電潜像を得る 工程を含む。
静電潜像の現像は、好ましくは、静電荷パターンにクー
ロン力によって引きつけられるトナー粒子と称される微
粒子化された静電的に引きつけうる材料を用いて普通に
生せしめる。トナー現像は轟業者に知られている乾燥又
は液体トナー現像である。
ポジーポジ現像においては、トナー粒子は原像に対して
ポジーポジ関係にある電荷担持面のこれらの部域上lこ
付着する。反転現像jこ〆こおいては、トナー粒子は、
原画に対してネガーポジ像値関係にある記録面部域上に
移行し、付着する。後者の場合においては、露光によっ
て放電された部域が、適切にバイアスされた現像電極を
介した誘導によって、トナー粒子の電荷符号に対して反
対の電荷符号の電荷を得、かくしてトナーは像に従った
露光において放電された露光部域に付着されるようにな
る〔ロンドン及びニューヨークのTheFocal P
ress 1975年発行、R,M、 5chaffe
t著、E1e0trophOtOgraphy拡大改訂
版第50頁〜第51頁及びロンドンのAoademic
 Pres 1979年発行、T、 P、 Macle
an著、Electr(Hllo Imaging第2
31頁参照)。
特別の実施態様Iこよれば、例えばコロナによる静電帯
電及び像lこ従った露光は同時lこ行う。
トナー現像後の残存電荷は、次の複写サイクルを開始す
る前fこ、全面露光及び/又は交流コロナ処理によって
消去することができる。
光導電性記録層のスペクトル感度lこよって本発明lζ
よる記録材料は、全ての種類の光子放射線、例えば可視
スペクトルの光、赤外線、近紫外線及び電子正孔対が前
記放射線によって記録層中に形成しうるときは同様にX
線と組合せて使用できる。例えばそれらは、電荷発生物
質及びそれらの混合物のスペクトル感度の適切な選択に
よって、白熱ランプ、蛍光ランプ、レーザー光源又は発
光ダイオードと組合せて使用できる。
得られたトナー像は記録材料上6ζ定着することができ
る。又は受容体材料に転写し、定着後その上に最終可視
像を形成することができる。
特に低疲労効果を示す本発EiAによる記録材料は、全
面帯電、像に従った露光、トナー現像及び受容体材料へ
のトナー転写の逐次工程を含む・急速に続く複写サイク
ルで操作する記録装置で使用できる。
後記実施例の記録材料について測定した電子写真特性の
評価は、再使用しつる光受容体を用いる電子写真法にお
ける記録材料の性能に関係する。性能特性の測定は次の
如く行った:露光の関数として放電を評価するため二つ
の方法を使用した:ゼロ露光を含む8回の異なる露光に
対して放電が得られるような日常の感度測定及び放電を
単一ドラム回転における360回の異なる露光について
得たより精密な測定を使用した。
日常の感度測定においては、光導電性記録シート材料を
、アースし、導電性裏側支持体を接続シたアルミニウム
ドラム上lこその導電性裏側支持体として装着した。ド
ラムは5の7秒の周速で回転させ、順次記録材料をコロ
ナワイヤー1mlごついて約1μAのコロナ電流で操作
する− 4.6 kVの電圧を用い負コロナで帯電させ
、コロナ源に対して45°の角度でドラムの周囲に置い
たモノクロメータ−から得られた単色光で400m秒間
露光しく像に従った露光に擬した)電圧はコロナ源に対
して180°の角度で置いた電気計針で測定し、最後に
新しい複写サイクルを開始する前にコロナ源に対して2
7o0の角度で置いた54000mJ/dを生ずるハロ
ゲンランプで後露光した。
各測定は、一定の光強度(1゜)を用いて5複写サイク
ル毎に変えた露光を用いた4o複写サイクルからなって
いた、即ち始めは光減衰フィルターなしで、次いで逐次
0.5の光学密度を有するフィルター 1゜0の光学密
度を有するフィルター 1.5のの全光学密度を有する
フィルター2、0の光学密度を有するフィルター 2.
5の全光学密度を有するフィルター 3.0の全光学密
度を有するフィルター そして最後に露出光を遮断する
シャッターを用いて行った。これは8回の予め定められ
た露光に対する放電を与える。
帯電レベル(CL )を、ゼロ露光での最後の5サイク
ルでの平均帯電レベルとしてとった。
精密感度測定において、光導電性記録シート材料は前述
したとおりのアルミニウムドラム上に装着する。ドラム
は2cm 7秒の周速度で回転させ、記録材料を逐次、
コロナワイヤー1ffifこついて約0.5μAのコロ
ナ電流で操作する−4.3 kVの電圧で負コロナで帯
電させ、コロナ源に対して40’の角度でドラムの周辺
に置いたモノクロメータ−から得られる単色光で500
ミリ秒間露光しく像lこ従った露光に擬した)、コロナ
源に対して90°の角度で置いた電気計針で電圧を測定
し、最後に新しい複写サイクルを開始する前にコロナ源
に対して300’の角度で置いた2 000 mJ/d
を作るハロゲンランプで後露光した。各測定は単一複写
サイクルからなっていた、この場合、210’のセフタ
−にわたってOの光学密度から2.1の光学密度まで連
続的に変化する光学密度を有する濃度盤をモノクロメー
タ−の前で、ドラムの回転と同期的に回転させ、表面電
位を各回転度毎lこ測定した。これは360回の予め定
められた露光に対する放電を与え、ここで完全な感度測
定曲線を与える、一方日常測定はその曲線上で僅か8個
の点を与えるのみである。
一定のコロナ電圧、コロナ電流、コロナワイヤーの記録
面への分離距離、及びドラム周速度について、帯電レベ
ルCLは電荷移動層の厚さ及びその比抵抗率によっての
み決る。ボルトで表わした実際のCLにおいては、好ま
しくは≧30dであるべきである、dは電荷移動層のμ
mでの厚さである。
添付図面第1図〜第21図において、横軸にmJ /d
で表わした5 40 nmでの露光線量の対数値でCl
ogE=logI  t〕、そして縦軸に一定の露光時
間で増大する露光線量を用いて露光する間帯電された記
録層で測定した電圧値で感度測定曲線を与える。
下記実施例は更に本発明を示す。部、比及び百分率は他
に特記せぬ限り重量による。
比較例 1〜3 比較例1〜3の光導電性記録材料において、アルミニウ
ムの真空蒸着導電性層で前被覆した厚さ100μmのポ
リエステル層を、電荷移動材料2,5−ビス(4−N、
N−ジエチルアミノフェニル)オキシジアゾール−1,
3,4(表1中にOXAで表記した)を含有するN 、
 N’−ジメチルペリルイミド(C,■、ピグメントレ
ッド189、C,1,蕨71130)(表1中にPIM
で表記した)の分散液でドクターブレード被覆した。表
1中には、又濃度(conc )及びμmでの層の厚さ
も示した。
前記分散液は、72時間ボールミル中で、NH4−ジメ
チルペリルイミド、芳香族ポリカーボネート、マクロロ
ンCD2000(登録商標)(表1中でPlで示した)
を表1中lこ示した重量%で、ジクロロメタン中で固体
濃度16.2重量%で混合し、次いで追加のジクロロメ
タンと共lこ、表1に示した重量百分率で表1にP2で
示したポ+Jエステル接着促進添加剤ダイナポールL2
06(登録商標)及び2.5−ビス(4−N、N−ジエ
チルアミノプロピル)−オキシジアゾール1.3.4を
加え、更に30分撹拌して作った。分散液はジクロロメ
タンで更に稀釈することなくキャストし、形成された層
を50℃で16時間乾燥した。
比較例1は米国特許第4668600号に対応する公告
されたEP−A161648の実施例1におけるのと同
じN 、 N’−ジメチルピリルイミド及び2.5−ビ
ス(4−N 、 N−ジエチルアミノプロピル)−オキ
シジアゾール−1,3゜4濃度及び前記特許明細書に好
ましいものとして示されたバインダーを有する。
かくして得られた感光性材料の特性を前述した如く測定
した。単色540 nm光露光に対する感度を、38m
、T/rrtの露光(【、4゜t)での%放電として表
わし、放電露依存性の急峻度(5teepnessを、
12 mJ/d及び38mJ/−の間の露光(Is+o
t)(露光における316倍の差)で観察された%放電
として表わす。結果を表1に示す。
) 実施例 1〜22及び比較例 4〜13感光性記録材料
の製造に当り、アルミニウムの真空蒸着導電性層で前被
覆した厚さ100μmのポリエステルフィルムを、電荷
移動材料を含有する電荷発生顔料(それぞれの組成は表
2に示す)の分散液でμmで厚さ(これも表2に示す)
にドクターブレード被覆した。
前記分散液は、15分間パールミル中で、4゜10−ジ
ブロモアンタントロン(DBA)、12−ビス(1,2
−ジヒドロ−2,2,4−トjメチルキノリンー1−イ
ル)エタン(B15flectol )、ポリエステル
接着促進添加剤ダイナポールL206(登録商標)(表
2でP2として表示した)及び芳香族ポリカーボネート
・マクロロンCD 2000 (登録商標)(表2でP
lとして表示した)を表2にし示した重量%で、被覆溶
媒としてジクロロメタン(17,169/9DBA)を
用いて混合して作った。分散液は更にジクロメタンで稀
釈することなくキャストし、形成された層を15時間5
0℃で乾燥した。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光lこ対する感度を、
36.6 mJ /lriの露光での放電%として表示
し、放電−露光依存性の急峻度を、11.6mJ/mと
36.6 ntJ/d (露光における316倍の差)
の露光(1,4゜t)の間で観察した放電%として示し
た。結果を表2に示す。
感度測定は、前述した精密な感度測定法を用い、比較例
9の感光性記録材料について行った。
形成された感度測定曲線を第1図に示す、10%及び9
0%放電に要した露光は10倍より大なる差があった。
実施例 23〜27及び比較例 14及び15実施例2
3〜27及び比較例14及び15の感光性記録材料を実
施例1〜22に記載した如くして作った、そして組成及
び層の厚さを、36、6 mJ/rdの露(l140t
 )での放電%及び116mJ /−と36.6 mJ
/dの露光(Isnot)の間で観察された放電%と共
に表3に示す。
実施例 28 実施例28の感光性記録材料は、1.2−ビス(1,2
−ジヒドロ−2,2,4−トリメチルキノリン−1−イ
ル)エタンの代りlと電荷移動材料として1.2−ビス
(6−ニトキシー1゜2−ジヒドロ−2,2,4−トリ
メチルキノリン−1−イル)エタンを用いたこと以外は
実施例7に記載した如く作った。層の厚さは12μmで
あった。この感光性記録材料は36.6 mJ/dのI
s4゜を露光したとき89.8%の放電を示し、11、
6 mJ/−と36.6mJ/−の114(It露光の
間は77.2%の放電を示した。
実施例 29 実施例29の光導電性記録材料は、4.10−ジブロモ
アンタントロン(C,Lピグメント・レッド168及び
c、工、59300)の代りに、増感顔料としてN 、
 N’−ビス(3,5−キシリル)ペリルイミドCC,
1,ピグメント・レッド149、c、r、71137]
を用いたこと以外は実施例7に記載した如く作った。層
の厚さは13μmであつた。この感光性記録材料は36
.6 mJ/lriのり、。を露光したとき93.3%
の放電を示し、11.6mJ/lriと36.6mJ/
−のl5let露光間の放電は90.6%であった。前
述した精密感度測定法を用いて得られた感度測定曲線を
第2図に示す。
実施例 30 実施例30の感光性記録材料は、4.10−ジブロモア
ンタントロン(C,1,ピグメント・レッド168c、
r、59300)の代りlこ増感剤としてN 、 N’
−ビス(4−エトキシフェニル)ペリルイミド(C,1
,ピグメント・レッド123、c、工、71145)を
用いたこと以外は実施例7に記載した如く作った。層の
厚さは13μmであった。この感光性記録材料は、36
.6 mJ /ldのh4゜を露光したとき19.2%
の放電を示した。
36、6 mJ/rdと116 mJ/rtのl54o
t露光の間は64.4%の放電であった。
実施例 31 実施例31の感光性記録材料は、ダイナポールL206
(登録商標)及び芳香族ポリカーボネートマクロロンC
D 2000 (登録商標)の混合物の代りに、ダイナ
ポールL206(登録商標)100%からなるバインダ
ー樹脂を用いた以外は実施例7と同様にして作った。層
の厚さは11μmであった。この感光性記録材料は36
.6mJ/rttのり、。を露光したとき94.3%の
放電を示し、11.6mJ/−と36.6mJ/−のl
140を露光の間の放電は75.7%であった。
実施例 32 実施例32の感光性記録材料は、厚さ100μmのポリ
エステルフィルムをアルミニウムの真空蒸着導電性層で
前被覆し、水性メタノール中のT−アミノプロピルトリ
エトキシシランの1%溶液でドクターブレード被覆した
こと以外は実施例7に記載した如く作った。溶媒を蒸発
させ、光導電性記録層の被覆前に30分間100℃で層
を硬化した。光導電性層は12μmの厚さを有していた
、そして36.6 mJ /ryeのlI40を露光し
たとき93.8%の放電を示した、又11.6 mJ/
rdと36.6 mJ /dのII4+1を露光の間は
77.7%の放電であった。
実施例 33 実施例33の感光性記録材料は、感光性層中のバインダ
ー樹脂を、ダイナボールL206(登録商標)と7クロ
ロンCD 2000 (登録商標)の混合物の代りに1
00%の芳香族ポリカーボネートマクロロンCD 20
00 (登録商標)としたこと以外は実施例32に記載
した如く作った。
層の厚さは12μmであった。この感光性記録材料は、
36.6 mJ /−のl5ao’t+露光したとき8
5.3%の放電であり、11.6 mJ/−と36.6
mJ/−のIHoを露光間で放電85.3%を示した。
比較例 16 二重層の機能的に分離した感光性記録材料を、アルミニ
ウムの真空蒸着導電性層で前被覆した厚す100 pm
のポリエステルフィルムを先ず水性メタノール中のT−
アミノプロピルトリエトキシシランの1%溶液でドクタ
ーブレード被覆し、溶媒を蒸発させ、30分間100℃
で硬化した後、かくして得られた接着/粘着層を電荷発
生顔料の分散液でドクターブレード被覆して厚さ0.6
μmの層として作った。
前記分散液は、2gの4,10−ジブロモアンタントロ
ン(C,1,ピグメント・レッド168、C,1,59
300)及び29の芳香族ポリカーボネートマクロロン
cD2000 (登録商標)及び46gのジクロロメタ
ンを24時間ボールミル中で混合して作った。前記分散
液は更に稀釈することなくキャストした。
付与した層を80℃で15分間硬化し、次いで2gの(
1,2−ジヒドロ−2,2,4−トリメチルキノリン−
1−イル)エタン、2gの芳香族ポリカーボネートマク
ロロンCD 2000 (登録商標)及び219のジク
ロロメタンからなる電荷移動材料とバインダーの沖過し
た溶液で厚さ15μmにドクターブード被覆機を用いて
上塗被覆した。次いでこの層を50℃で16時間乾燥し
た。
感度測定は、前述した精密感度測定法を用いてこの記録
材料について行った。二重層の機能的fこ分離した感光
性記録材料lこついて得られたこれらの代表的な得られ
た感度測定曲線を第3図に示す、そして10%と90%
の放電の要した露光は10倍より大きい差があった。
比較例 17 比較例17の感光性記録材料は、p導電性X−フタロシ
アニンを4.10−ジブロモアンタントロン(C,Iピ
グメント・レッド168及びC,■。
59300)の代りtこ増感顔料として用いたこと以外
は実施例7に記載した如く作り、層の厚さは14μmで
あった。この感光性記録材料は83、6 mJ、/−の
I8S。を露光したとき放電は0%を示した。
実施例 34及び35 実施例34及び35の感光性層は、4.10−ジブロモ
−アンタントロン(DBA )を、15分間パールミル
中でジクロロメタン中5重量%の芳香族ポリカーボネー
トマクロロンCD 2000(登録商標)と混合して分
散させ、続いて残余の芳香族ポリカーボネート、ポリエ
ステル接着促進添加剤及び更にジクロロメタンを加工パ
ールミル中で更に5分間混合した。
実施例35の場合には、ジクロロメタン中50重量%の
1.2−ビス(1,2−ジヒドロ−2゜2.4−トリメ
チルキノリン−1−イル)エタン及び50重量%の芳香
族ポリカーボネートマクロロンCD 2000 (登録
商標)の溶液で厚さ15μmの感光性層を上塗被覆し、
50℃で16時間乾燥後厚さ4μmの層を形成した。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光lこ刻する感度を3
6.6 mJ /dの露光(1540t )での放電%
として表わし、電荷−露光依存性の急峻性を1 ]、、
 6 mJ/lriと36.6 mJ /rrlの露光
(l54ot )間で観察された放電%として表わす。
結果を表4に示す。
表 4 34  14    0   −835   95.0
    85.3感度測定を前述した精密感度測定法を
用いこれらの感光性記録材料についても行った。得られ
た感度測定曲線をそれぞれ第4図及び第5図に実施例3
4と35について示す。
実施例 36 実施例36の感光性記録材料は、25重量%の4.10
−ジブロモアンタントロン(C,1,ピグメント・レッ
ド168 、c、工59300)の代りに増感顔料とし
て15重量%のトランスペリノン(c、 工、ピグメン
ト・オレンジ43.C,l71105)を用いたこと以
外は実施例35に記載した如く作った。層の厚さは13
μmであった。この感光性記録材料は36.6 mJ/
rdのrsi。を露光したとき93.3%の放電を示し
、3.66 mJ/rreと11.6 mJ/dのl5
46t I!先光間80.7%の放電を示した。
実施例 37〜45及び比較例 18及び19実施例3
7〜45及び比較例18及び19の感光性記録材料を、
1.2−ビス(ジヒドロ−2,2,4−トリメチルキノ
リン−1−イル)エタン(ここではB15flectO
1と称する)を表5A及び5B#こ示す如く50重量%
から0重量%まで変え、バインダーの濃度を表5A及び
5Bに示す如く適切に変えたこと以外は実施例381こ
記載した如く作った、又層の厚さも表5A及び5Bに示
す。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定し、表5A及び5Bに示す。単色540 nm光露
光に対する感度を、36.6 mJ/rdの露光(h、
。t)での放電%として示し、放電−露光依存性の急峻
度を、感光性記録材料の感度によって、11.6mJ/
−と36.6 mJ /−の露光(1,、、t)間(表
5A参照)、又は36.6 mJ/dと116mJ/−
の露光(l140t )間、又は76 mJ/iと mJ/rdの露光( 154゜t)間で観察された 放電%として示す。
実施例 46〜49及び比較例 20 実施例46〜49及び比較例20の感光性記録材料を、
4.10−ジブロモアンタントロンの濃度を表6A及び
6Bに示す如<40重量%から85重量%まで変えバイ
ンダーの濃度も表6A及び6Bに示す如く適切に変えた
こと以外は実施例1に記載した如く作った。層の厚さも
表6A及び6Bに示す。
かくして得られた感光性記録材料の特性を、前述した如
く測定し、表6A及び6Bに実施例1で得た値と共に集
録する。単色540 nm光露光に対する感度を、36
.6mJ/ポの露光(■、4゜t)での放電%として示
し、放電−露光依存性の急峻度を、感光性記録材料の感
度によって、36.6mJ 、/rrtと11.6 m
J /lrtの露光(l5net )間(表6A参照)
、又は11.6mJ/−と36.6 mJ /dの露光
(Ill、。t)間(表6B参照)で観察された放電%
として示す。
実施例 50及び51 実施例50及び51の感光性記録材料は、4゜10−ジ
ブロモアンタントロンの濃度をそれぞれ10重量%及び
8重量%に下げ、バインダーの濃度を表7A及び7Bに
示す如く適切に変えたこと以外は実施例34に記載した
如くして作った。層の厚さも表7A及び7Bに示す。
かくして得られた光導電性記録材料の特性を前述した如
く測定し、表7A及び7Bに実施例34に対するものと
共に集録した。単色540nm光露光に対する感度を1
16 mJ/ryeの露光(h4゜t)での放電%とし
て示し、放電−露光依存性の急峻度を、感光性記録材料
の感度によって、36.6mJ/−と116mJ/−の
露光(■、4゜t)間(表7A参照)又は11.6mJ
/−と36.6 mJ/ryeの露光(154゜t)間
(表7B参照)で観察された放電%として示す。
実施例 52 実施例52の感光性記録材料は、4.10−ジブロモア
ンタントロン(C,■、ピグメント・レッド168、c
、x、59300)の代りに増感顔料としてN 、 N
’−ビス(4−メチルフェニル)ペリルイミドを用いた
こと以外は実施例7に記載した如くして作った。層の厚
さは14μmであった。この感光性記録材料は36.6
 mJ/−のh4゜を露光したとき5.7%の放電を示
し、36.6wtJ/rrlと116 mJ /rtt
のlI40を露光間の放電89.6%を示した。
実施例 53 実施例53の感光性記録材料は、4.10−ジブロモア
ンタントロン(C,1,ピグメント・レッド168、C
,工、59300)の代りに増感顔料としてN 、 N
’−ビス(2,5−ジメチルフェニル)ペリルイミドを
用いたこと以外は実施例7に記載した如く作った。層の
厚さは15μmであった。この感光性記録材料は36.
6 mJ /rrtの1146を露光したとき4.4%
の放電を示し、36.6mJ/lriと116 mJ/
dのrs*ot露光間の放電87.3%を示した。
実施例 54 実施例54の感光性記録材料は、4.10−ジブロモア
ンタントロン(C,1,ピグメント・レッド168、C
,1,59300)の代りtこ増感染料としてN 、 
N’−ビス(4−シクロへキシルフェニル)ペリルイミ
ドを用いたこと以外は実施例7に記載した如くして作っ
た。層の厚さは15μmであった。この感光性記録材料
は53.8mJ/rdのhost露光したとき3.8%
の放電を示し、538mJ /lriと170mJ/−
のI 1171を露光間で54.7%の放電を示した。
実施例 55 実施例55の感光性記録材料は、4.10−ジブロモア
ンタントロン(C,工、ピグメント・レッド168C,
1,59300)の代りに増感顔料トシてN 、 N’
−ビス(3−メチルフェニル)ペリルイミドを用いたこ
と以外は実施例71こ記載した如く作った。層の厚さは
13μmであった。
この感光性記録材料は53.8 mJ /dのl17S
t露光したとき6.9%の放電を示し、53.8 mJ
、/dと170mJ/−のl5yst露光間で55.6
%の放電を示した。
実施例 56 実施例56の感光記録材料は、4.10−ジブロモアン
タントロン(C,1,ピグメント・レッド168、C,
1,59300)の代りに増感顔料としてN 、 N’
−ビス(2,3,5−トリメチルフェニル)ペリルイミ
ドを使用したこと以外は実施例7に記載した如くして作
った。層の厚さは15μmであった。この感光性記録材
料は、36.6mJ/−のIs4゜を露光したとき1.
2%の放電を示し、36、6 mJ /rdと116 
mJ /ryelのTl40を露光間で71.8%の放
電を示した。
実施例 57 実施例57の感光性記録材料は次の如くして作った。先
ずアルミニウムの真空蒸着した導電性層で前被覆した厚
さ10σμmのポリエステルフィルムを水性メタノール
中のT−アミノプロピルトリエトキシシランの1%溶液
でドクターブレード被覆した。溶媒を蒸発させ、100
℃で30分間形成された接着/粘着層を硬化した後、接
着/粘着層を電荷移動材料を含有する電荷発生顔料の分
散液で16μmの厚さに上塗被覆した。
前記分散液は、2分の4,10−ジブロモアンタントロ
ン、0.789の芳香族ポリカーボネート・マクロロン
CD 2000 (登録商標)及び20、389のジク
ロメタンをパールミル中で155分間混して作った。次
に0.89のα、α′−ビス(6−ニトキシー1.2−
ジヒドロ−2,2゜4−トリメチルキノリン−1−イル
)−p−キシレン、4.429のマクロロンCD 20
00 (登録商標)及び11.69のジクロロメタンを
加え形成された混合物を更に5分間混合して被覆のため
の組成と粘度を生ぜしめた。
感光性層を次いで50℃で16時間乾燥した。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度を、3
8mJ/−の露光(Is、。t)での放電%として示し
、放電−露光依存性の急峻度を12mJ/−と38mJ
/−の露光(■、4゜t)間で観察された放電%として
示し、露光に当って3.16倍の差があった: isn。t = 38 mJ/rdに対する放電%:8
9212 mJ/rdと38mJ/−の!140を間の
放電%ニア2.4実施例 58〜61及び比較例 21 実施例58〜61及び比較例21の製造に当って、アル
ミニウムの真空蒸着した導電性層で前被覆した厚さ10
0μmのポリエステルフィルムを、表8に示す厚さに電
荷移動材料を含有する電荷発生顔料の分散液でドクター
ブレード被覆した。
前記分散液は、2.5gの4.10−ジブロモアンタン
トロン、5.855)の芳香族ポリカーボネート・マク
ロロンCD 2000 (登録商標)(pi)、0.6
59のポリエステル接着促進添加剤ダイナポールL20
6(登録商標)(P2)及び34.459のジクロロメ
タンをバールミル中で155分間混し、次いで表8に示
した割合での1.2−ビス(1,2−ジヒドロ−2,2
゜4−トリメチルキノリン−1−イル)エタン(Bis
flectol )及びトリス(p−トリ/L/ ) 
7 ミン(TTA )の混合物1gを加え、更に5分間
混合して作った。
形成された層を50℃で16時間乾燥した。
前述した如く測定したB15flectol及びTTA
のs、 c、e、に対する半波酸化電位はそれぞれ0.
694V及び0.772 Vで、差は0.078 vで
あった。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度を38
mJ/−の露光(■、4゜t)での放電%として示し、
放電−露光依存性の急峻度を、12mJ/−及び38 
mJ/lvlの露光(Isl。t )間で観察された放
電%として示す、露光に当って3.16倍の差を示した
。結果を表8に示す。
感度測定は、前述した精密感度測定を用いて行った。実
施例58.59.60及び61、及び比較例21の感光
性層に対する形成された感度測定曲線をそれぞれ第6図
、第7図、第8図、第9図及び第10図に示す。10%
及び90%放電iこ要した露光は、実施例58.59.
60及び61、及び比較例21の感光性層に対して、そ
れぞれ2.8 、2.7 、2.5及び〉3.8倍異な
った。
実施例 62及び63及び比較例 22実施例62及び
63、及び比較例22の感光性記録材料は、トリス(p
−トリル)アミンの代りIこ2,5−ビス(4−N、N
−ジエチルアミノフェニル)オキシシア・/−ルー1.
3.4(OXA )を用いたこと以外は実施例58〜6
1及び比較例21に記載した如く作った。形成された感
光性記録材料の組成及び層の厚さを表9に示す。
前述した如く測定した半波酸化電位対B15−flec
tol及びOXAのf9. Q、 flit、はそれぞ
れ0.694■及び0:87Vであった、差は0.17
6 Vであった。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
 mJ/rreの露光(I、4゜t)で放電%として示
し、放電−露光依存性の急峻度は12mJ /−と38
 mJ /dの露光(l540t )間で観察した放電
%として示す、露光に当って3゜16倍の差であった。
結果を表9に実施例58のそれらと共に集録する。
感度測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例62及び63、及び比較例22の感光性層に対する
形成された感度測定曲線を第11図、第12図及び第1
3図に示す。10%及び90%放電に要した露光は、比
較例22に対する47、及び実施例58に対する2、8
(第6図)と匹敵するそれぞれ実施例62に対し2.6
倍及び実施例63に対する2、5倍の差がある。
実施例 64 実施例64の感光性記録材料は、トリス(p−トリル)
アミンの代りに4−N、N−ジエチルアミノベンズアル
デヒド−1′1′−ジフェニルヒドラゾン(DPI()
を用いたこと以外は実施例58〜61及び比較例21に
ついて記載した如く作った。形成された感光性記録材料
の組成及び層の厚さを表101こ示す。
前述した如く測定した半波酸化電位対B15−flsc
tol及びDEHのS、 Q、 e、はそれぞれ0.6
94V及び0.538 Vで差は0.156 Vであっ
た。
かくして得られた壓光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
mJ/−の露光(夏、4゜t)での放電%として示し、
放電−露光依存性の急峻度は12mJ/lriと38m
J/−の露光(fa4ot )間で観察された放電%と
して示した、露光に当って316倍の差であった。結果
を表10に実施例58に対するそれらと共に集録する。
感度測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例64の感光性層に対する得られた感度測定曲線を第
14図に示す。10%及び90%放電に対して要した露
光は、実施例58に対する2、8倍と比較して(第6図
)、4.3倍異なる。
実施例 65 実施例65の感光性記録材料は、トリス(p−トリル)
アミンの代りlこ1,2−ビス(1,2−ジヒドロ−2
,2,4,6,7−ベンタメチルキノリンー1−イル)
エタン(DH)を用い、層の厚さを17μmの代りに1
0μmとしたこと以外は実施例60に記載した如く作っ
た。
前述した如く測定した半波酸化電位対Bis −fle
ctol及びDHのs、 c、 e、はそれぞれ0.6
94 V及び0.595 Vであり、0.099V(1
’)差jコ相当した。
かくして得られた感光性記録材料の特性は前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
 mJ /dの露光(I14゜t)での放電%として示
し、放電−露光依存性の急峻度は12mJ/lri及び
38 mJ /lriの露光(l540t )間で観察
された放電%として示す、露光に当っては3.16倍の
差であった。結果を表11に実施例58のそれらと共に
集録する。
感度測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例65の感光性層に対する形成された感度測定曲線を
第15図に示す。10%及び90%放電に要した露光は
40倍の差があった。
比較例 23 比較例23の感光性材料は、B18flectO1の代
りに電荷移動材料N−(4−N、N−ジベンジルフェニ
ル)−カルバゾール(DPPC)ヲ使用シ、層の厚さを
10μmの代りに14μmとした事以外は実施例7に記
載した如く作った。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度を36
.6 mJ /lriの露(lI46t )での放電%
として示し、放電−露光依存性の急峻度は、11、6 
mJ/rtt及び36.6 mJ /lriの露光(r
oot )間で観察された放電%として示す、露光に当
っての差は3.16倍である。
116 mJ/−の露光(I14゜t)に対する残存電
位−104vは帯電レベルニー89Vの10%より大で
あった、これは10%及び90%放電に要した露光が1
0倍より大きい差であることを示している。
実施例 66 実施例66の感光性記録材料は、TTAの代りにDPP
Cを用い、層の厚さは17μmの代りに14μmとした
こと以外は実施例60に記載した如く作った。
前述した如く測定した半波酸化電位対B15−flec
tO1及びDPPCのs、 a、 e、はそれぞれ0.
694■及び0.915Vであった、これは0.221
 Vの差に相当する。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度を38
mJ/−の露光(I、4゜t)での放電%として示し、
放電−露光依存性の急峻度を、露光に当って316倍の
差である12mJ/−と38mJ/−の露光(I、4゜
t)間で観察した放電%として示す。結果を表12に実
施例58及び比較例23に対するものと共に集録する。
感度測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例66の感光性層に対いする得られた感度測定曲線を
第16図に示す。10%及び90%放電に要した露光は
2.2倍異なる。
実施例 67 実施例67の感光性記録材料は、B15flactol
及びTTAの代りにα、α′−ビス(6−ニトキシー1
2−ジヒドロ−2,2、4−トリメチルキノリン−1−
イル)−p−キシレン(EQX )及びOXAを用いた
こと、及び感光性記録材料の層の厚さを17μmの代り
に16μmとしたこと以外は実施例60に記載した如く
作った。
前述した如く測定した半波酸化電位対EQX及びOXA
のs、 c、 e、はそれぞれ0.540 v及び0.
870Vであった、差は0.330 Vであった。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度を38
 mJ/dの露光(I、4゜t)での放電%として示し
、放電−露光依存性の急峻度を、露光において3.16
倍差の12 mJ /rreと38 mJ/dの露光(
ii4゜t)間で観察された放電%として示す。結果を
表13に実施例57及び比較例22に対する結果と共に
集録する。
感度測定は前述した精密感度測定法を用いて行ったっ実
施例67の感光性fitこ対する得られた感度測定曲線
を第17図1こ示す。10%及び90%放電に要した露
光は2.7倍異なる。
実施例 68 実施例68の感光性記録材料は、OXAの代りEこDE
Hを用い、層の厚さを16 ttmの代りlζ13μm
としたこと以外は実施例67に記載した如く作った。
前述した如く測定した半波酸化電位対EQX及びDEH
のs、 c、 e、はそれぞれ0.540 V及び0.
538■であり、差はO,OO2Vであった。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
mJ/−の露光(1540t)での放電%として示し、
放電−露光の急峻度は、露光lこおいて3.16倍の差
の12mJ/−及び38 mJ/−の露光(■、4゜t
)間で観察された放電%として示す。結果を表91こ実
施例57の結果と共に集録する。
座変測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例68の感光性層に対する得られた感度測定曲線を第
18図に示す。10%及び90%放電に要した露光は2
.16倍異なる。
実施例 69 実施例69の感光性記録材料は、OXAの代りに1.2
−ビス(1,2−ジヒドロ−2,24,6,7−ベンタ
メチルキノリンー1−イル)エタン(DH)を用い、層
の厚さを16μmの代りに10μmとしたこと以外は実
施例67に記載した如く作った。
前述した如く測定した半波酸化電位対EQX及びDHの
s、 c、 e、はそれぞれ0.540 V及び059
5Vであり、これは0. O55Vの差に相当した。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
mJ/dの露(1,、。t)での放電%として示し、放
電−露光依存性の急峻度は露光に当って3.16倍の差
である12mJ/−及び38mJ /−の露光(Is4
゜t)間で観察した放電%として示す。結果を表15に
実施例57の結果と共に集録する。
座変測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例69の感光性層に対する得られた感度測定曲線を第
1 9図に示す。
0%及び 0%放電に要した露光は4.4倍異なる。
実施例 70及び比較例 24 実施例70及び比較例24の感光性記録材料は、実施例
70においてB15fleotO1の代りに、1.3.
5− トリス(4−N、N−ビス(4−エチルフェニル
)アミノフェニル]−ベンゼン(TEPAB )を用い
、比較例24においてはOXAの代りにTEPABを用
い、層の厚さをそれぞれ17μmの代りIこ10pm、
14pmの代りlこ16 pmとしたこと以外はそれぞ
れ実施例60及び比較例21について記載した如(作っ
た。
前述した如く測定した半波酸化電位対TEPAB及びO
XA (7) s、 c、 e、はそれぞれ0.885
 V及び0.870Vであり、0.015v(7)差で
あツタ。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
 mJ/rdの露光(IHot)での放電%として示し
、放電−露光依存性の急峻度は、露光に当って3.16
倍の差の12mJ/d及び38mJ/rdの露光(Is
i。t)間で観察された放電%として示す。結果を表1
6に比較例27の結果と共に集録する。
感度測定は前述した精密感度測定法を用いて行った。実
施例70及び比較例24の感光性層に対する得られた感
度測定曲線を第20図及び第21図に示す。10%及び
90%放電に要した露光はそれぞれ実施例70及び比較
例24の感光性層に対し3.3倍及び〉1.9倍異なる
実施例 71〜73 実施例71〜73の感光性記録材料は、全ての場1合に
おいてB15flectol濃度を増大させ、二つの場
合においてDBA濃度をPl及びP2濃度に対応調整し
て変えたこと以外は実施例51こ記載した如く作った。
DBA 、 B15flectol 、P 1及びP2
濃度を、感光性記録材料層の厚さと共に表17に示す。
かくして得られた感光性記録材料の特性を前述した如く
測定した。単色540 nm光露光に対する感度は38
 mJ/rrtの露光(II4゜t)での放電%として
示し、放電−露光依存性の急峻度は、露光における3、
16倍の相異の12mJ/−と38mJ /lriの露
光(■、4゜t)間で観察された放電%として示す。結
果を表17に実施例4.9,10゜15及び19〜21
の結果と共fこ集録する。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第21図は感度測定曲線を示し、縦軸に一定露
光時間での増大する露光線量を用いて露光中帯電した記
録層上で測定した電圧値■)を、横軸にmJ/dで表わ
()た5 40 nmでの露光線量の対数値[log 
E = 1ogI−t ]を示す。 同 安 達 智 ( 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄書(内容に変更なし) ○ 「0 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄書(内容に変更なし) () 図面の浄書(内容に変更なし) Oつ 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄V(内容に変更なし)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電気絶縁性有機重合体バインダー材料中に、少なく
    とも1種の光導電性n型顔料物質及び1種以上のp型光
    導電性電荷移動物質を含有する負に帯電しうる光導電性
    記録層を導電性支持体上に有する電子写真記録材料にお
    いて、前記層が4〜40μmの範囲の厚さを有し、少な
    くとも10^1^4Ω・mの体積抵抗率を有する電気絶
    縁性有機重合体バインダー材料中に分子状に分散してい
    る前記n型顔料物質8〜80重量%及び前記p型電荷移
    動物質0.01〜40重量%を含有し、静電的に帯電し
    た状態で前記記録層が、それぞれ10%及び90%放電
    のため導電性に対する露光を4.5倍未満異なる増大電
    磁放射線を必要とし、少なくとも1種のp型電荷移動物
    質が下記一般式( I )〜(V): ( I )▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Rは水素又は脂肪族もしくは脂環式基(非イオン
    性置換基で置換されたこれらの基を含む)を表わし、R
    ^1及びR^2の各々は同じか又は異なり、C_1〜C
    _6アルキル基又はアリール基を表わしZは隣接芳香族
    核又は芳香族環系(一つ以上の非イオン性の置換された
    かかる核又は環系を含む)を閉環するのに必要な原子を
    表わす〕:(II)▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Xは2価脂肪族もしくは脂環式基又は2価芳香族
    基で中断されたアルキレン鎖、又は少なくとも二つの炭
    素原子が酸素、硫黄又は窒素(窒素は1価炭化水素基で
    置換されている)からなる群から選択した異種原子を介
    して結合している2価脂肪族基であり、R^1、R^2
    及びZは前記一般式( I )に定義したのと同じ意義を
    有する〕:▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中R^1^1は−NR^4R^5(R^4及びR^
    5の各々は同じか又は異なり、水素、置換された形を含
    む脂肪族もしくは脂環式基、又はアリール基を表わし、
    或いはR^4及びR^5は一緒になつて置換された形を
    含む窒素含有環を完結するのに必要な原子を表わす)、
    又は−N=N−Cp(Cpはアゾカップリングに使用す
    る芳香族アミン又は芳香族ヒドロキシ化合物からの如き
    アゾカップラー残基である)、又は−N=CH−R^6
    (R^6は置換された形を含む脂肪族もしくは脂環式基
    を表わす)であり、Arは2価芳香族基又は置換2価芳
    香族基を表わし、R^1^2及びR^1^3の各々は同
    じか又は異なり、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコ
    キシ基又は−NR^7R^8(R^7及びR^8の各々
    は同じか又は異なり、アリール基、C_1〜C_1_0
    アルキル基、又は置換アルキル基を表わす)を表わす〕
    : (IV)▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Xはアルキル化によつて導入できる2価脂肪族も
    しくは脂環式基、又は2価芳香族基で中断されたアルキ
    レン基、又は少なくとも2個の炭素原子が酸素、硫黄又
    は窒素(この窒素は1価炭化水素基で置換されている)
    からなる群から選択した異種原子を介して結合している
    2価脂肪族基であり、R^1^2、R^1^3及びR^
    1^4は式(III)で定義したのと同意義を有する〕: (V)▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^2^1は−NR^2^3R^2^4(R^2
    ^3及びR^2^4の各々は同じか又は異なり、置換さ
    れた形を含むC_1〜C_1_0アルキル基又はアルコ
    キシカルボニル置換C_1〜C_1_0アルキル基を表
    わす)、シクロアルキル基、又はアリール基を表わし、
    R^2^2は水素、置換アルキル基を含むアルキル基、
    アルコキシカルボニル置換アルキル基又はハロゲンを表
    わす〕 に相当することを特徴とする電子写真記録材料。 2、前記記録中に、前記一般式( I )〜(V)による
    少なくとも1種の物質を含む異なるp型電荷移動物質の
    混合物が存在し、混合p型移動物質が0.4V以上異な
    らない半波酸化電位を有する請求項1記載の電子写真記
    録材料。 3、前記光導電性記録層の支持体が、接着剤層及び/又
    は粘着層で予備被覆されている請求項1又は2記載の電
    子写真記録層。 4、光導電性記録層が、最外保護層で上被覆されている
    請求項1、2又は3記載の電子写真記録材料。 5、前記記録材料が、前記光導電性n型顔料と混合され
    ていない少なくとも1種のp型移動物質を含有する最外
    バインダー層を有する請求項1〜4の何れかに記載の電
    子写真記録材料。 6、前記最外層が7μm以下の厚さを有する請求項5記
    載の電子写真記録材料。 7、前記記録層が、5〜35μmの範囲の厚さを有し、
    10〜70重量%の前記n型顔料物質及び1〜30重量
    %の前記p型電荷移動物質を含有する請求項1〜6の何
    れかに記載の方法。 8、前記記録層が、5〜35μmの範囲の厚さを有し、
    50〜80重量%の前記n型顔料物質及び0.01〜1
    0重量%の前記p型電荷移動物質を含有する請求項1〜
    6の何れかに記載の電子写真記録材料。 9、前記記録層が、5〜35μmの範囲の厚さを有し、
    15〜30重量%の前記n型顔料物質及び20〜30重
    量%の前記p型電荷移動物質を含有する請求項1〜6の
    何れかに記載の電子写真記録材料。 10、前記一般式( I )〜(V)によつて表わされる
    ものとは異なる混合されたp型電荷移動物質が、下記の
    群: (i)トリフェニルアミン、 (ii)テトラ−N,N,N′,N′−テトラフェニル
    ベンチジン、 (iii)ヒドラゾン、 (iv)ピラゾリン、 (v)オキサジアゾール、 (vi)トリアリールメタン からのものである請求項2〜9の何れかに記載の電子写
    真記録材料。 11、前記一般式( I )〜(V)によつて表わされる
    ものと異なる混合されたp型電荷移動物質が、下記の群
    : (i)ポリ(ビニルカルバゾール)、 (ii)ポリ(ビニル多環式芳香族)、 (iii)ピレン−ホルムアルデヒド縮合重合体、 (iv)ポリキシリデン、 (v)重合体状1,2−ジヒドロ−2,2,4−トリメ
    チルキノリン (vi)重合体状テトラフェニルベンチジン及びトリフ
    ェニルアミン からのものである請求項2〜9の何れかに記載の電子写
    真記録材料。 12、n型顔料が、下記の群: (a)ペリルイミド、 (b)多核キノン、 (c)キナクリドン、 (d)ペリノンを含むナフタレン−1,4,5,8−テ
    トラカルボン酸誘導顔料。 (e)n型インジゴ及びチオインジゴ染料、 (f)o−ジアミンとの縮合生成物を含むペリレン−3
    ,4,9,10−テトラカルボン酸誘導顔料、 (g)ビスアゾ、トリスアゾ及びテトラキスアゾ染料を
    含むn型ポリアゾ顔料 の少なくとも一つからのものである請求項1〜11の何
    れかに記載の電子写真記録材料。13、重合体バインダ
    ーが、セルロースエステル、アクリレート及びメタクリ
    レート樹脂、ポリビニルクロライド、ビニルクロライド
    の共重合体、コポリビニルクロライド/アセテート及び
    コポリビニルクロライド/無水マレイン酸、ポリエステ
    ル樹脂、芳香族ポリカーボネート樹脂及びポリエステル
    カーボネート樹脂からなる群から選択した有機樹脂材料
    である請求項1〜12の何れかに記載の電子写真記録材
    料。 14、重合体バインダーが、構造中に下記一般式:▲数
    式、化学式、表等があります▼ 〔式中XはS、SO_2、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし
    、R^3^1、R^3^2、R^3^3、R^3^4、
    R^3^7及びR^3^8は同じか又は異なり、水素、
    ハロゲン、アルキル基又はアリール基を表わし、R^3
    ^5及びR^3^6の各々は同じか又は異なり、水素、
    アルキル基、アリール基又は一緒になつて脂環式環を閉
    環するのに必要な原子を表わす〕の範囲内の反復単位を
    有する芳香族ポリカーボネートである請求項1〜13の
    何れかに記載の電子写真記録材料。 15、重合体バインダーが、テレフタル酸とイソフタル
    酸のモル比が3/2であり、テレフタル酸及びイソフタ
    ル酸とエチレングリコール及びネオペンチルグリコール
    のコポリエステル及び芳香族ポリカーボネートの組合せ
    からなる請求項1〜13の何れかに記載の電子写真記録
    材料。 16、n型顔料が、4,10−ジブロモアンタントロン
    である請求項1〜15の何れかに記載の電子写真記録材
    料。 17、p型電荷移動物質が、1,2−ビス(1,2−ジ
    ヒドロ−2,2,4−トリメチル−キノリン−1−イル
    )エタンである請求の範囲1〜16の何れかに記載の電
    子写真記録材料。
JP2102754A 1989-04-21 1990-04-18 電子写真記録材料 Pending JPH0362036A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP89201035 1989-04-21
EP89201035.6 1989-04-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0362036A true JPH0362036A (ja) 1991-03-18

Family

ID=8202371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2102754A Pending JPH0362036A (ja) 1989-04-21 1990-04-18 電子写真記録材料

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5145759A (ja)
EP (1) EP0393787B1 (ja)
JP (1) JPH0362036A (ja)
DE (1) DE69016816T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11246529A (ja) * 1998-03-05 1999-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物
US8030127B2 (en) 2007-02-22 2011-10-04 Nitto Denko Corporation Methods of making carbon-containing semiconducting devices by pyrolyzing a polymer including asphalt or petroleum pitch

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5756248A (en) * 1995-09-06 1998-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and apparatus and process cartridge provided with the same
EP0784248B1 (en) 1996-01-08 2001-09-12 Xeikon Nv Electrostatographic toner image producing station
US20040043314A1 (en) * 2002-08-30 2004-03-04 Nusrallah Jubran Organophotoreceptors with a fluoran-based compound
EP1640807B1 (en) * 2003-11-18 2008-06-18 Kyocera Mita Corporation Wet-developing electrography photoreceptor and wet-developing image forming device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1379387A (en) * 1970-12-11 1975-01-02 Agfa Gevaert Photoconductive recording materials
GB1400993A (en) * 1971-11-10 1975-07-16 Agfa Gevaert Electrophotographic material
GB1441105A (en) * 1972-09-22 1976-06-30 Agfa Gevaert Electrophotographic recording material
DE2737516C3 (de) * 1976-08-23 1981-09-17 Ricoh Co., Ltd., Tokyo Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE3417951A1 (de) * 1984-05-15 1985-11-21 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial
JPS61105550A (ja) * 1984-10-29 1986-05-23 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用感光体
JPS62103650A (ja) * 1985-10-31 1987-05-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPH06105357B2 (ja) * 1986-02-05 1994-12-21 三菱化成株式会社 電子写真感光体
EP0237953B1 (en) * 1986-03-14 1996-10-23 Mitsubishi Chemical Corporation Photosensitive member for electrophotography
JPS63223651A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 Konica Corp 電子写真感光体
JPS6432264A (en) * 1987-07-29 1989-02-02 Mita Industrial Co Ltd Positively chargeable organic laminated photosensitive body
DE68912216T2 (de) * 1988-06-28 1994-07-28 Agfa Gevaert Nv Elektrophotographisches Registriermaterial.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11246529A (ja) * 1998-03-05 1999-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物
US8030127B2 (en) 2007-02-22 2011-10-04 Nitto Denko Corporation Methods of making carbon-containing semiconducting devices by pyrolyzing a polymer including asphalt or petroleum pitch

Also Published As

Publication number Publication date
EP0393787B1 (en) 1995-02-15
US5145759A (en) 1992-09-08
EP0393787A3 (en) 1990-11-07
DE69016816D1 (de) 1995-03-23
DE69016816T2 (de) 1995-08-10
EP0393787A2 (en) 1990-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3679406A (en) Heterogeneous photoconductor composition formed by low-temperature conditioning
US5190817A (en) Photoconductive recording element
JP2989251B2 (ja) 特殊な最外層を有する光導電性記録材料
JPH0272370A (ja) 電子写真感光体
JPH0675389A (ja) 架橋結合剤系を有する光導電性記録材料
US3679408A (en) Heterogeneous photoconductor composition formed by two-stage dilution technique
JPH0362036A (ja) 電子写真記録材料
EP0402979A1 (en) Electrophotographic recording material
JPH05210253A (ja) 感光性記録材料
US7291432B2 (en) Imaging members
JPH032760A (ja) 電子写真用感光体
US4076528A (en) Xerographic binder plate
US5248579A (en) Electrophotographic recording material
GB2129149A (en) Electrophotographic photoconductors
JPH0823699B2 (ja) 電子写真感光体
JPH05232724A (ja) 電子写真用感光体
JP3085736B2 (ja) 電子写真記録材料
US4869986A (en) Multiactive electrophotographic element
US3552958A (en) Electrophotographic composition and element
JPS62201454A (ja) 電子写真感光体
JP2000075517A (ja) 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置
JPS6255654B2 (ja)
JPH0139099B2 (ja)
JPH0224664A (ja) 電子写真感光体
JPH02160248A (ja) 電子写真感光体