JPH0360159A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0360159A JPH0360159A JP1196075A JP19607589A JPH0360159A JP H0360159 A JPH0360159 A JP H0360159A JP 1196075 A JP1196075 A JP 1196075A JP 19607589 A JP19607589 A JP 19607589A JP H0360159 A JPH0360159 A JP H0360159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- region
- conversion region
- light shielding
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、固体!l素子に関し、特に、光電変換領域で
発生した過剰な信号電荷を引き抜く機構を有する固体撮
像素子に関する。
発生した過剰な信号電荷を引き抜く機構を有する固体撮
像素子に関する。
[従来の技術]
固体撮像素子では、一部の画素に強い光が入りそこで生
起した信号電荷量が光電変換領域の電荷蓄積能力以上に
なると、過剰な電荷が周囲の光電変換領域に流れ込み、
偽信号を発生させるいわゆるブルーミング現象が起る。
起した信号電荷量が光電変換領域の電荷蓄積能力以上に
なると、過剰な電荷が周囲の光電変換領域に流れ込み、
偽信号を発生させるいわゆるブルーミング現象が起る。
このブルーミング現象を除去するための手段はいくつが
あるが、それらに共通した考えは、あふれた過剰な電荷
を他の画素や電荷転送通路に入らないように、別の脇道
を通して外部回路、もしくは半導体基板中に吸い取るこ
とである。
あるが、それらに共通した考えは、あふれた過剰な電荷
を他の画素や電荷転送通路に入らないように、別の脇道
を通して外部回路、もしくは半導体基板中に吸い取るこ
とである。
この考えに基づ〈従来より用いられている手法としては
、過剰信号電荷を光電変換領域に隣接して設けられたオ
ーバーフロードレイン領域へ引き抜く方式と、撮像素子
を縦型オーバーフロードレイン構造とし、半導体基板側
へ縦方向に引き抜く方式とが知られている。
、過剰信号電荷を光電変換領域に隣接して設けられたオ
ーバーフロードレイン領域へ引き抜く方式と、撮像素子
を縦型オーバーフロードレイン構造とし、半導体基板側
へ縦方向に引き抜く方式とが知られている。
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の方式のうち、前者は光電変換領域に隣接
してオーバーフロードレイン領域を設ける必要があるた
め、素子の微細化、高密度化に対して不利となる。した
がって、現在では後者の方式、すなわち、半導体基板側
へ縦方向に電荷を引き抜く方式が主流となっている。し
かしながら、この方式を達成するためには、半導体基板
表面のウェルの深さを選択的に変えるなど、複雑な製造
プロセスが必要であり、そしてウェル深さのばらつきが
、そのまま各光電変換素子の蓄積可能電荷量のばらつき
となることから、正確なプロセスコントロールが要求さ
れ、製造上の安定化が困難であるという欠点がある。
してオーバーフロードレイン領域を設ける必要があるた
め、素子の微細化、高密度化に対して不利となる。した
がって、現在では後者の方式、すなわち、半導体基板側
へ縦方向に電荷を引き抜く方式が主流となっている。し
かしながら、この方式を達成するためには、半導体基板
表面のウェルの深さを選択的に変えるなど、複雑な製造
プロセスが必要であり、そしてウェル深さのばらつきが
、そのまま各光電変換素子の蓄積可能電荷量のばらつき
となることから、正確なプロセスコントロールが要求さ
れ、製造上の安定化が困難であるという欠点がある。
[課題を解決するための手段]
本発明による固体撮像素子は、半導体基板の表面領域内
に、複数の光電変換領域、電荷読み出し領域および電荷
転送領域が設けられ、半導体基板上には絶縁膜を介して
ゲート電極、および電荷転送領域を遮光する導電性の金
属遮光膜が設けられたものであって、その特徴とすると
ころは、遮光膜と光電変換領域とを直接接触させ、その
接触界面でショットキー障壁を形成させ、金属遮光膜と
光電変換領域との間に適当な電位差が存在するようにす
ることにより形成されるポテンシャル井戸に信号電荷を
蓄積させる点である。この撮像素子においては、次第に
信号電荷の量が増え、これがショットキー障壁以上にな
ると、それ以上の信号電荷は、ショットキー障壁をとび
こえて金属遮光膜へと流れ込んでいく。
に、複数の光電変換領域、電荷読み出し領域および電荷
転送領域が設けられ、半導体基板上には絶縁膜を介して
ゲート電極、および電荷転送領域を遮光する導電性の金
属遮光膜が設けられたものであって、その特徴とすると
ころは、遮光膜と光電変換領域とを直接接触させ、その
接触界面でショットキー障壁を形成させ、金属遮光膜と
光電変換領域との間に適当な電位差が存在するようにす
ることにより形成されるポテンシャル井戸に信号電荷を
蓄積させる点である。この撮像素子においては、次第に
信号電荷の量が増え、これがショットキー障壁以上にな
ると、それ以上の信号電荷は、ショットキー障壁をとび
こえて金属遮光膜へと流れ込んでいく。
[実施例コ
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第1図(a)は、本発明の第1実施例を示す平面図であ
り、第1図(b)は、そのX−Y線断面図である。第1
図(a)、(b)に示されるように、n型半導体基板2
の表面にp型ウェル層3が形成され、その中にn導電型
の光電変換領域4および電荷転送領域6が設けられ、そ
の間の領域は信号電荷読み出し領域9となされており、
そしてこれら各領域はp+型のチャネルストッパ5によ
り包囲され互いに分離されている。半導体基板上には絶
縁膜8を介して電荷転送領域を覆うようにゲート電極7
が形成されているが、このゲート電極は、信号電荷読み
出し領域9の上部にも渡してあり、信号電荷の読み出し
用ゲート電極をも兼ねている。ゲート電極9上にはさら
に絶縁膜8を介して電荷転送領域6および信号電荷読み
出し領域9を遮光する金属遮光膜10が設けられている
。
り、第1図(b)は、そのX−Y線断面図である。第1
図(a)、(b)に示されるように、n型半導体基板2
の表面にp型ウェル層3が形成され、その中にn導電型
の光電変換領域4および電荷転送領域6が設けられ、そ
の間の領域は信号電荷読み出し領域9となされており、
そしてこれら各領域はp+型のチャネルストッパ5によ
り包囲され互いに分離されている。半導体基板上には絶
縁膜8を介して電荷転送領域を覆うようにゲート電極7
が形成されているが、このゲート電極は、信号電荷読み
出し領域9の上部にも渡してあり、信号電荷の読み出し
用ゲート電極をも兼ねている。ゲート電極9上にはさら
に絶縁膜8を介して電荷転送領域6および信号電荷読み
出し領域9を遮光する金属遮光膜10が設けられている
。
この金属遮光膜10には、通常用いられるアルミニウム
などの導電性金属を用い、そして、光電変換領域4の上
部の絶縁膜8にコンタクト孔を開設しておき、該コンタ
クト孔下部の接触部1において、光電変換領域4と金属
遮光膜10とを直接接触させる。ここで光電変換領域4
の不純物濃度が1015〜10 ”/cnl程度である
ので、光電変換領域4とアルミニウムである金属遮光膜
1oとの間の界面にはショットキー障壁が形成される。
などの導電性金属を用い、そして、光電変換領域4の上
部の絶縁膜8にコンタクト孔を開設しておき、該コンタ
クト孔下部の接触部1において、光電変換領域4と金属
遮光膜10とを直接接触させる。ここで光電変換領域4
の不純物濃度が1015〜10 ”/cnl程度である
ので、光電変換領域4とアルミニウムである金属遮光膜
1oとの間の界面にはショットキー障壁が形成される。
次に、このように構成された固体撮像素子の動作につい
て説明する。
て説明する。
第2図に示したように、p型ウェル層3を接地し、金属
遮光膜10に電圧voを印加する。このとき、金属遮光
膜10と光電変換領域4との間に金属遮光11i10側
が負の電位差Vが存在しているものとして、この状態で
の第2図のA−A’線に沿ってみたポテンシャル図を第
3図に示す。
遮光膜10に電圧voを印加する。このとき、金属遮光
膜10と光電変換領域4との間に金属遮光11i10側
が負の電位差Vが存在しているものとして、この状態で
の第2図のA−A’線に沿ってみたポテンシャル図を第
3図に示す。
第3図に示すように、金属遮光膜1oと光電変換領域4
の接触界面に金属のフェルミ準位EPMがらφBの高さ
のショットキー障壁が形成さ、れており、また、n型の
光電変換領域4とp型ウェル層3間にはそれぞれの領域
の不純物濃度で決まるビルトインポテンシャルvbIが
形成されている。ここでは、 V b l>φa + (EPM EC) −−(1
)となるように各々の領域の不純物濃度が選択されてい
るものとする。なお、ECは、光電変換領域4の伝導帯
下端のエネルギー準位である。この状態のもとで、光電
変換領域へ光が入射されると、光電変換により発生した
信号電荷は、上述のショットキー障壁およびpn接合障
壁により形戒されるポテンシャル井戸に順次蓄積されて
いく、その様子を模式的に第4図に示す。信号電荷が、
しだいに蓄積されていくと、ついには、金属遮光膜と光
電変換領域の作るショットキー障壁をとびこえて同図A
に示すように金属遮光膜側へ流れ込む。
の接触界面に金属のフェルミ準位EPMがらφBの高さ
のショットキー障壁が形成さ、れており、また、n型の
光電変換領域4とp型ウェル層3間にはそれぞれの領域
の不純物濃度で決まるビルトインポテンシャルvbIが
形成されている。ここでは、 V b l>φa + (EPM EC) −−(1
)となるように各々の領域の不純物濃度が選択されてい
るものとする。なお、ECは、光電変換領域4の伝導帯
下端のエネルギー準位である。この状態のもとで、光電
変換領域へ光が入射されると、光電変換により発生した
信号電荷は、上述のショットキー障壁およびpn接合障
壁により形戒されるポテンシャル井戸に順次蓄積されて
いく、その様子を模式的に第4図に示す。信号電荷が、
しだいに蓄積されていくと、ついには、金属遮光膜と光
電変換領域の作るショットキー障壁をとびこえて同図A
に示すように金属遮光膜側へ流れ込む。
ここでは、各部の不純物濃度は、(1)式を満足するよ
うに設定されているので、これ以上発生した信号電荷は
、全て金属遮光膜側へ引き抜かれ、他の光電変換領域に
流れ込むことはない。
うに設定されているので、これ以上発生した信号電荷は
、全て金属遮光膜側へ引き抜かれ、他の光電変換領域に
流れ込むことはない。
また、光電変換領域4のポテンシャル井戸に蓄積できる
電荷量、すなわち、最大蓄積電荷量は、金属遮光膜10
に印加する電圧を変えることにより、第2図に示す光電
変換領域−金属遮光膜間の実効電位差Vを適当に設定し
て可変にすることができる。それを説明するための、第
2図のA−A′線に沿った断面のポテンシャル図を第5
図に示す0例えば、第5図に示したように、電位差をV
からそれよりも小さいVlにすると、qV−qVlだけ
ポテンシャル井戸が浅くなり最大蓄積電荷量はその分減
少する。逆に、■よりも大きいV2にすると、qV2
CIVだけポテンシャル井戸は深くなり、それに相当
する分だけ最大蓄積電荷量は増加する。すなわち、金属
遮光膜の電圧を適当に選定することにより光電変換領域
の最大蓄積電荷量を任意に設定することが可能となる。
電荷量、すなわち、最大蓄積電荷量は、金属遮光膜10
に印加する電圧を変えることにより、第2図に示す光電
変換領域−金属遮光膜間の実効電位差Vを適当に設定し
て可変にすることができる。それを説明するための、第
2図のA−A′線に沿った断面のポテンシャル図を第5
図に示す0例えば、第5図に示したように、電位差をV
からそれよりも小さいVlにすると、qV−qVlだけ
ポテンシャル井戸が浅くなり最大蓄積電荷量はその分減
少する。逆に、■よりも大きいV2にすると、qV2
CIVだけポテンシャル井戸は深くなり、それに相当
する分だけ最大蓄積電荷量は増加する。すなわち、金属
遮光膜の電圧を適当に選定することにより光電変換領域
の最大蓄積電荷量を任意に設定することが可能となる。
次に、光電変換領域での信号電荷の蓄積時間を任意に設
定できる可変電子シャッター動作について説明する。定
常状態で金属遮光膜−光電変換領域間に金属遮光膜側1
0が負となる電位差Vが設定されていたとして、いま、
金属遮光膜に高電圧を印加して、金属遮光膜側が正で両
者間の電位差が例えば15Vとなるようにすると、光電
変換領域の形戒するポテンシャル井戸が、第6図に示す
ように、実線aから破線a′に変化する。この状態では
、蓄積されていた信号電荷は全てショットキー障壁をの
りこえることができるので、信号電荷は金属遮光膜側へ
全て引き抜かれる。電子シャッタ動作はこの原理を利用
する。第7図(a)、(b)に、通常動作時とシャッタ
ー動作時のタイミングチャートを示す。同図(a)は、
信号蓄積時間が1/60秒の一般的なフィールド蓄積動
作を示したもので、垂直ブランキング期間内に、ゲート
電極7に読み出しパルスが印加されると蓄積されていた
信号電荷が全て電荷転送領域に読み出され、同時に、光
電変換領域は空となる。次の読み出しパルスが印加され
るまでの1/60秒間が信号電荷蓄積時間となる。同図
(b)は、信号電荷蓄積時間を任意に設定できるシャッ
ター動作を示したもので、垂直ブランキング期間内に印
加される読み出しパルスで光電変換領域の蓄積電荷は空
となり、その後再び光電変換電荷が蓄積されていく。そ
こで次の読み出しパルスが印加される前に、金属遮光膜
に印加しているバイアス電圧を前述のように金属遮光膜
側をプラス、光電変換領域側をマイナスになるように、
例えば15V程度の電位差になるように変化させると、
それまでに蓄積されていた信号電荷は全て金属遮光膜側
へ抜き取られ、光電変換領域は空となる。その後このバ
イアス電圧を元に戻すと、その時点から新たに信号電荷
の蓄積が行なわれる。つまり同図(b)に示したように
、シャッターパルスを印加し、元のバイアス電圧に戻し
た時点から次の読み出しパルスが印加されるまでの時間
が信号電荷の蓄積時間となる。シャッターパルスを印加
するタイミングを任意に設定することができるので、信
号蓄積時間を任意に変えることができる。
定できる可変電子シャッター動作について説明する。定
常状態で金属遮光膜−光電変換領域間に金属遮光膜側1
0が負となる電位差Vが設定されていたとして、いま、
金属遮光膜に高電圧を印加して、金属遮光膜側が正で両
者間の電位差が例えば15Vとなるようにすると、光電
変換領域の形戒するポテンシャル井戸が、第6図に示す
ように、実線aから破線a′に変化する。この状態では
、蓄積されていた信号電荷は全てショットキー障壁をの
りこえることができるので、信号電荷は金属遮光膜側へ
全て引き抜かれる。電子シャッタ動作はこの原理を利用
する。第7図(a)、(b)に、通常動作時とシャッタ
ー動作時のタイミングチャートを示す。同図(a)は、
信号蓄積時間が1/60秒の一般的なフィールド蓄積動
作を示したもので、垂直ブランキング期間内に、ゲート
電極7に読み出しパルスが印加されると蓄積されていた
信号電荷が全て電荷転送領域に読み出され、同時に、光
電変換領域は空となる。次の読み出しパルスが印加され
るまでの1/60秒間が信号電荷蓄積時間となる。同図
(b)は、信号電荷蓄積時間を任意に設定できるシャッ
ター動作を示したもので、垂直ブランキング期間内に印
加される読み出しパルスで光電変換領域の蓄積電荷は空
となり、その後再び光電変換電荷が蓄積されていく。そ
こで次の読み出しパルスが印加される前に、金属遮光膜
に印加しているバイアス電圧を前述のように金属遮光膜
側をプラス、光電変換領域側をマイナスになるように、
例えば15V程度の電位差になるように変化させると、
それまでに蓄積されていた信号電荷は全て金属遮光膜側
へ抜き取られ、光電変換領域は空となる。その後このバ
イアス電圧を元に戻すと、その時点から新たに信号電荷
の蓄積が行なわれる。つまり同図(b)に示したように
、シャッターパルスを印加し、元のバイアス電圧に戻し
た時点から次の読み出しパルスが印加されるまでの時間
が信号電荷の蓄積時間となる。シャッターパルスを印加
するタイミングを任意に設定することができるので、信
号蓄積時間を任意に変えることができる。
第8図(a)は、本発明の第2実施例を示す平面図であ
り、第8図(b)は、そのX−Y線断面図である。この
実施例の第1実施例と相違する点は、第1実施例におい
ては、光電変換領域4の周囲全域にわたって金属遮光膜
10と接触させていたのに対し、本実施例では、光電変
換領域の周囲の一部分において金属遮光膜と接触させて
いる点である。動作については、第1実施例の場合と同
様である。なお、この接触領域は、さらに小さくするこ
とも可能である。
り、第8図(b)は、そのX−Y線断面図である。この
実施例の第1実施例と相違する点は、第1実施例におい
ては、光電変換領域4の周囲全域にわたって金属遮光膜
10と接触させていたのに対し、本実施例では、光電変
換領域の周囲の一部分において金属遮光膜と接触させて
いる点である。動作については、第1実施例の場合と同
様である。なお、この接触領域は、さらに小さくするこ
とも可能である。
第9図(a)は、本発明の第3実施例を示す断面図であ
る。この実施例では、n型の光電変換領域4の表面にp
型拡散層11を形成し、この領域と金属遮光膜10とを
接触させている。この場合p型拡散層11はp型ウェル
層3とは分離されている。この構造により、暗電流とな
る電荷を発生しやすい、半導体と絶縁膜8との界面を光
電変換領域と分離することができるので、暗電流の少な
い固体撮像素子を提供することができる。この構造の場
合、第9図(a)のB−B’線に沿ったポテンシャル分
布は、第9図(b)に示すものとなるが、その動作原理
は前述の各実施例のそれと同様である。
る。この実施例では、n型の光電変換領域4の表面にp
型拡散層11を形成し、この領域と金属遮光膜10とを
接触させている。この場合p型拡散層11はp型ウェル
層3とは分離されている。この構造により、暗電流とな
る電荷を発生しやすい、半導体と絶縁膜8との界面を光
電変換領域と分離することができるので、暗電流の少な
い固体撮像素子を提供することができる。この構造の場
合、第9図(a)のB−B’線に沿ったポテンシャル分
布は、第9図(b)に示すものとなるが、その動作原理
は前述の各実施例のそれと同様である。
第10図(a)は、本発明の第4実施例を示す断面図で
ある0本実施例は、第9図で示した第3実施例と同様、
光電変換領域4の表面にp型拡散層11を形成したもの
であるが、第3実施例と相違している点は、このp型拡
散層11をp型ウェル層3とチャネルストッパ5を介し
て接続してp型ウェル層3と同電位としている点と、金
属遮光g!10との接触部分にはp型拡散層は設けてい
ない点である。従って、第10図(b)で示したように
、第10図(a)のc−c’線のポテンシャル図は第1
、第2実施例の場合と同様になる0本実施例によれば、
暗電流を低減させることができるとともに、光電変換領
域の一部の表面が一定電位に固定されるため、信号電荷
の読み出しが容易になり、残像の少ない固体撮像素子と
することができる。
ある0本実施例は、第9図で示した第3実施例と同様、
光電変換領域4の表面にp型拡散層11を形成したもの
であるが、第3実施例と相違している点は、このp型拡
散層11をp型ウェル層3とチャネルストッパ5を介し
て接続してp型ウェル層3と同電位としている点と、金
属遮光g!10との接触部分にはp型拡散層は設けてい
ない点である。従って、第10図(b)で示したように
、第10図(a)のc−c’線のポテンシャル図は第1
、第2実施例の場合と同様になる0本実施例によれば、
暗電流を低減させることができるとともに、光電変換領
域の一部の表面が一定電位に固定されるため、信号電荷
の読み出しが容易になり、残像の少ない固体撮像素子と
することができる。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明は、金属遮光膜と光電変換
領域とを直接接触させ、適切なバイアス電圧を印加する
ことによりその接触部に形成されるシコットキー障壁を
利用して、過剰に発生した信号電荷を吸収してブルーミ
ングを抑制することができ、また、電子シャッタ動作を
容易に達成することができる。
領域とを直接接触させ、適切なバイアス電圧を印加する
ことによりその接触部に形成されるシコットキー障壁を
利用して、過剰に発生した信号電荷を吸収してブルーミ
ングを抑制することができ、また、電子シャッタ動作を
容易に達成することができる。
また、本発明の固体撮像素子は、従来構造の固体撮像素
子のように、複雑な製造プロセスや、正確なプロセスコ
ントロールも要求されないので、本発明によれば、個々
の光電変換素子の蓄積可能電荷量がばらつかない固体撮
像素子を比較的容易に製造することができる。
子のように、複雑な製造プロセスや、正確なプロセスコ
ントロールも要求されないので、本発明によれば、個々
の光電変換素子の蓄積可能電荷量がばらつかない固体撮
像素子を比較的容易に製造することができる。
第1図(a)は本発明の第1実施例を示す平面図、第1
図(b)はそのX−Y線断面図、第2図乃至第7図(a
)、(b)は第1実施例の動作説明図、第8図(a)は
本発明の第2実施例を示す平面図、第8図(b)はその
X−Y線断面図、第9図(a)は本発明の第3実施例を
示す断面図、第9図(b)はその動作説明図、第10図
(a)は本発明の第4実施例を示す断面図、第10図(
b)はその動作説明図である。 l・・・接触部、 2・・・n型半導体基板、 3・・
・p型ウェル層、 4・・・光電変換領域、 5・・・
チャネルストッパ、 6・・・電荷転送領域、 7・・
・ゲート電極、 8・・・絶縁膜、 9・・・信号電荷
読み出し領域、 10・・・金属遮光膜、 11・・・
p型拡散層。
図(b)はそのX−Y線断面図、第2図乃至第7図(a
)、(b)は第1実施例の動作説明図、第8図(a)は
本発明の第2実施例を示す平面図、第8図(b)はその
X−Y線断面図、第9図(a)は本発明の第3実施例を
示す断面図、第9図(b)はその動作説明図、第10図
(a)は本発明の第4実施例を示す断面図、第10図(
b)はその動作説明図である。 l・・・接触部、 2・・・n型半導体基板、 3・・
・p型ウェル層、 4・・・光電変換領域、 5・・・
チャネルストッパ、 6・・・電荷転送領域、 7・・
・ゲート電極、 8・・・絶縁膜、 9・・・信号電荷
読み出し領域、 10・・・金属遮光膜、 11・・・
p型拡散層。
Claims (1)
- 半導体基板の表面領域内に配列された複数個の光電変換
領域と、前記半導体基板の表面領域内に設けられた前記
光電変換領域において光電変換された信号電荷を転送す
るための電荷転送領域と、前記光電変換領域内に蓄積さ
れた光電変換電荷を前記電荷転送領域へ読み出すための
電荷読み出し領域と、前記電荷転送領域および前記電荷
読み出し領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲー
ト電極と、前記電荷転送領域および前記電荷読み出し領
域を覆うように前記ゲート電極上に絶縁膜を介して形成
された導電性金属からなる遮光膜とを具備する固体撮像
素子において、前記光電変換領域に対し前記遮光膜はシ
ョットキー障壁をもつて接触せしめられていることを特
徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196075A JPH0360159A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 固体撮像素子 |
EP90114392A EP0410465B1 (en) | 1989-07-28 | 1990-07-26 | Solid state image pickup device having photo-shield plate in contact with photo-electric converting region via Schottky barrier |
DE69033345T DE69033345T2 (de) | 1989-07-28 | 1990-07-26 | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung mit einer Photoabschirmungsplatte, die über eine Schottky-Sperrschicht in Kontakt mit dem photoelektrischen Konversionsgebiet steht |
US07/559,035 US5045906A (en) | 1989-07-28 | 1990-07-30 | Solid state image pickup device having photo-shield plate in contact with photo-elecetric converting region via Schottky barrier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196075A JPH0360159A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0360159A true JPH0360159A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16351786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1196075A Pending JPH0360159A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 固体撮像素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5045906A (ja) |
EP (1) | EP0410465B1 (ja) |
JP (1) | JPH0360159A (ja) |
DE (1) | DE69033345T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2575907B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP2722795B2 (ja) * | 1990-08-08 | 1998-03-09 | ヤマハ株式会社 | 楽音合成装置 |
JPH04181774A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP3142327B2 (ja) * | 1991-02-05 | 2001-03-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
WO1992022092A1 (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-10 | Eastman Kodak Company | Ccd electrode structure for image sensors |
KR930009132A (ko) * | 1991-10-04 | 1993-05-22 | 김광호 | 고체 촬영 소자 |
JPH05275673A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
KR970007711B1 (ko) * | 1993-05-18 | 1997-05-15 | 삼성전자 주식회사 | 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치 |
US5736756A (en) * | 1994-09-29 | 1998-04-07 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device with lght shielding film |
JP2797984B2 (ja) * | 1994-10-27 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
US6331873B1 (en) * | 1998-12-03 | 2001-12-18 | Massachusetts Institute Of Technology | High-precision blooming control structure formation for an image sensor |
JP4450454B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2010-04-14 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体受光素子 |
JP4489319B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2010-06-23 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7718459B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-05-18 | Aptina Imaging Corporation | Dual conversion gain pixel using Schottky and ohmic contacts to the floating diffusion region and methods of fabrication and operation |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6089967A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Sony Corp | 光電変換素子 |
US4654683A (en) * | 1985-08-23 | 1987-03-31 | Eastman Kodak Company | Blooming control in CCD image sensors |
JPS62124771A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
US4875100A (en) * | 1986-10-23 | 1989-10-17 | Sony Corporation | Electronic shutter for a CCD image sensor |
JP2506697B2 (ja) * | 1986-12-05 | 1996-06-12 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH02113678A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1196075A patent/JPH0360159A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-26 EP EP90114392A patent/EP0410465B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-26 DE DE69033345T patent/DE69033345T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-30 US US07/559,035 patent/US5045906A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69033345T2 (de) | 2000-06-08 |
EP0410465A3 (en) | 1991-08-14 |
US5045906A (en) | 1991-09-03 |
EP0410465A2 (en) | 1991-01-30 |
DE69033345D1 (de) | 1999-12-16 |
EP0410465B1 (en) | 1999-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4373167A (en) | Solid state image sensor with overflow protection and high resolution | |
EP2805353B1 (en) | Solid-state image sensor and camera | |
KR970007711B1 (ko) | 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치 | |
JPH0271532A (ja) | 高ダイナミックレンジ電荷結合装置 | |
JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS62124771A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0360159A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS5839386B2 (ja) | 電荷転送形イメ−ジセンサ | |
JP2013175785A (ja) | 固体撮像素子 | |
US5614950A (en) | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor | |
EP0453530B1 (en) | Solid-state image sensor | |
JPH0831988B2 (ja) | 固体撮像デバイス | |
JPH06252374A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH03240379A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH05291553A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS62155559A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2805848B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH0697416A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPS6255960A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3178148B2 (ja) | イメージセンサ | |
JP3745251B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
JPH0415666B2 (ja) | ||
JPS63155759A (ja) | イメ−ジセンサ | |
JPH02253658A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH0685233A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |