JPS63155759A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS63155759A JPS63155759A JP61301691A JP30169186A JPS63155759A JP S63155759 A JPS63155759 A JP S63155759A JP 61301691 A JP61301691 A JP 61301691A JP 30169186 A JP30169186 A JP 30169186A JP S63155759 A JPS63155759 A JP S63155759A
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- JP
- Japan
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- photodiode
- transfer gate
- transfer
- vertical
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はインターラインＣＯＤイメージセンサに関し、
特に高密度化に起因して生じるブルーミングやスメア−
を防止できるイメージセンサに関する。
特に高密度化に起因して生じるブルーミングやスメア−
を防止できるイメージセンサに関する。
第２図に、従来周知のインターライン転送方式のイメー
ジセンサを図示する。このイメージセンサは、ポテンシ
ャル障壁１により互いに仕切ら扛かつポリシリコン転送
電極２が除か扛で形成される複数のフォトダイオード６
と、このフォトダイオード列毎に設けられる垂直転送Ｃ
ＣＤ４とが、転送ゲート５を介して配置された構成から
成っている。
ジセンサを図示する。このイメージセンサは、ポテンシ
ャル障壁１により互いに仕切ら扛かつポリシリコン転送
電極２が除か扛で形成される複数のフォトダイオード６
と、このフォトダイオード列毎に設けられる垂直転送Ｃ
ＣＤ４とが、転送ゲート５を介して配置された構成から
成っている。
（発明が解決しようとする問題点）
処で、上記転送方式のイメージセンサを高密度化すると
、これに伴って、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ間
の実効長りも短かくなる。すなわち、転送ゲートを形成
するＭＯＳ）ランジスタの長さが実質的に短かくなり、
例えば２〜１μｍとなってゲート機能が低下する。この
ため、フォトダイオードで形成された信号電荷は電荷蓄
積期間においても垂直転送ＣＯＤに洩れ易くなったり、
或いは過剰電荷がオーツセーフ０−ドレイルに吸収され
る前に垂直転送ＣＯＤに流れ込んで、ブルーミングやス
メア−を生じる。
、これに伴って、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ間
の実効長りも短かくなる。すなわち、転送ゲートを形成
するＭＯＳ）ランジスタの長さが実質的に短かくなり、
例えば２〜１μｍとなってゲート機能が低下する。この
ため、フォトダイオードで形成された信号電荷は電荷蓄
積期間においても垂直転送ＣＯＤに洩れ易くなったり、
或いは過剰電荷がオーツセーフ０−ドレイルに吸収され
る前に垂直転送ＣＯＤに流れ込んで、ブルーミングやス
メア−を生じる。
本発明の目的は、上記事情に基づいてなされたもので、
高密度化によってもブルーミングやスメア−が発生しに
くいインターライン転送方式のイメージセンサを提供す
ることにある。
高密度化によってもブルーミングやスメア−が発生しに
くいインターライン転送方式のイメージセンサを提供す
ることにある。
すなわち、本発明の上記目的は、光電変換部に縦形また
は横形オーツセーフロードレインによるブルーミング抑
圧手段が設けられたインターラインＣＣＤ形のイメージ
センサにおいて、光電変換部と垂直転送ＣＣＤ間の転送
ゲートが垂直ＭＯＳトランジスタにより形成されること
を特徴とするイメージセンサにより達成される。
は横形オーツセーフロードレインによるブルーミング抑
圧手段が設けられたインターラインＣＣＤ形のイメージ
センサにおいて、光電変換部と垂直転送ＣＣＤ間の転送
ゲートが垂直ＭＯＳトランジスタにより形成されること
を特徴とするイメージセンサにより達成される。
（作用）
垂直ＭＯ８トランジスタ（以下、７ＭＯ８と略称する。
）は、素子の高集積化を可能にすると同時に実効的チャ
坏ル長を長く形成できる。
坏ル長を長く形成できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は、本発明によるイメージセンサの１セルの水平
方向断面図である。
方向断面図である。
図において、ｎ−型半導体基板１０の表面にｐウェル１
１を介して光電変換部１２、転送ゲート１６および垂直
転送ＣＣＤ１４が形成されている。
１を介して光電変換部１２、転送ゲート１６および垂直
転送ＣＣＤ１４が形成されている。
光電変換部１２を形成するフォトダイオードは、ｐＡ接
合により設けられてｈ型基板との間でｎ＋ｐｎ構造を形
成しており、寸り、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ
１４のｐウェル１１は不純物濃度と深さが異っており、
フォトダイオード下に縦型オー・々−フロードレイン（
ＶＯＤ）を設けている。
合により設けられてｈ型基板との間でｎ＋ｐｎ構造を形
成しており、寸り、フォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ
１４のｐウェル１１は不純物濃度と深さが異っており、
フォトダイオード下に縦型オー・々−フロードレイン（
ＶＯＤ）を設けている。
転送ゲート１６は、７ＭＯ８によって形成されている。
すなわち、基板表面に７字形の溝を作り、その傾斜面に
沿ってＭＯＳ トラン・ノスタが形成されている。従っ
て、溝の深さにより実効チャネル長が決定されるため、
高集積化されてもフォトダイオードからの洩れ電流が阻
止できる。特にフォトダイオードに過大な光が入射した
際にも転送ゲートが好適に作用して過剰電荷をＶＯＤに
吸収させる。
沿ってＭＯＳ トラン・ノスタが形成されている。従っ
て、溝の深さにより実効チャネル長が決定されるため、
高集積化されてもフォトダイオードからの洩れ電流が阻
止できる。特にフォトダイオードに過大な光が入射した
際にも転送ゲートが好適に作用して過剰電荷をＶＯＤに
吸収させる。
なお垂直方向のフォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ１４
とからなる画素列はチャネルストップ１５により分離さ
れている。
とからなる画素列はチャネルストップ１５により分離さ
れている。
このようなイメージセンサは以下のプロセスにより製造
される。
される。
すなわち、通常のプロセスに基づいてシリコン基板の表
面に不純物をイオン注入により導入して、ｎ＋のフォト
ダイオードおよびｎ−の垂直転送ＣＯＤを形成する。次
に、フォトダイオードおよび垂直転送ＣＯＤ領域をマス
キングし、転送ゲート領域の基板表面に異方性エツチン
グ（Ｒ工Ｅ）を行い、■形のｖｔｈを制御するチャネル
・ドープを行う。更に、ポリシリコンをデポジション後
パターニングを行ってポリシリコンゲートを形成する。
面に不純物をイオン注入により導入して、ｎ＋のフォト
ダイオードおよびｎ−の垂直転送ＣＯＤを形成する。次
に、フォトダイオードおよび垂直転送ＣＯＤ領域をマス
キングし、転送ゲート領域の基板表面に異方性エツチン
グ（Ｒ工Ｅ）を行い、■形のｖｔｈを制御するチャネル
・ドープを行う。更に、ポリシリコンをデポジション後
パターニングを行ってポリシリコンゲートを形成する。
その後は通常のプロセスに基づいて全面に酸化膜を形成
する。
する。
なお、溝の深さは通常１〜５μｍに形成される。
（発明の効果）
以上記載したとおり、本発明によるインターラインＣＣ
Ｄ形イメージセンサによれば、転送ゲートがＶＭＯ８に
よって形成されているため、素子が高画素化されても短
チヤネル効果によるフォトダイオードからの洩れ電流が
制限され、ブルーミングやスメア−の発生が防止できる
。
Ｄ形イメージセンサによれば、転送ゲートがＶＭＯ８に
よって形成されているため、素子が高画素化されても短
チヤネル効果によるフォトダイオードからの洩れ電流が
制限され、ブルーミングやスメア−の発生が防止できる
。
第１図は、本発明の１実施例による１セルの水平方向断
面図、第２図は従来のインターラインＣＯＤイメージセ
ンサを説明する平面図である。 １０・・・・・・ｎ−型半導体基板、１２・・・・・・
光電変換部、１６・・・・・・転送ゲート、１４・・・
・・・垂直転送ＣＣＤ、１５・・・・・・チャネル・ス
トップ。
面図、第２図は従来のインターラインＣＯＤイメージセ
ンサを説明する平面図である。 １０・・・・・・ｎ−型半導体基板、１２・・・・・・
光電変換部、１６・・・・・・転送ゲート、１４・・・
・・・垂直転送ＣＣＤ、１５・・・・・・チャネル・ス
トップ。
Claims (1)
- 光電変換部に縦形または横形オーバーフロードレインに
よるブルーミング抑圧手段が設けられたインターライン
ＣＣＤのイメージセンサにおいて、光電変換部と垂直転
送ＣＣＤ間の転送ゲートが垂直ＭＯＳトランジスタによ
り形成されることを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301691A JPS63155759A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301691A JPS63155759A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155759A true JPS63155759A (ja) | 1988-06-28 |
Family
ID=17899983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61301691A Pending JPS63155759A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63155759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083173A (en) * | 1986-11-28 | 1992-01-21 | Matsushita Electronics Corporation | Charge coupled device for a solid state image pick-up device |
| KR19990061335A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 윤종용 | 전하 결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| WO1999048152A1 (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Photon Vision Systems, Llc | Photo receptor comprising a trench capacitor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179380A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61301691A patent/JPS63155759A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179380A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083173A (en) * | 1986-11-28 | 1992-01-21 | Matsushita Electronics Corporation | Charge coupled device for a solid state image pick-up device |
| KR19990061335A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 윤종용 | 전하 결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| WO1999048152A1 (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Photon Vision Systems, Llc | Photo receptor comprising a trench capacitor |
| US6194770B1 (en) | 1998-03-16 | 2001-02-27 | Photon Vision Systems Llc | Photo receptor with reduced noise |
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