JPH0354852A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレームの製造方法

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JPH0354852A
JPH0354852A JP19105789A JP19105789A JPH0354852A JP H0354852 A JPH0354852 A JP H0354852A JP 19105789 A JP19105789 A JP 19105789A JP 19105789 A JP19105789 A JP 19105789A JP H0354852 A JPH0354852 A JP H0354852A
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Japan
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lead frame
plating
long strip
long
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JP19105789A
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Masanobu Nakayama
中山 正展
Norinaga Watanabe
渡辺 典永
Yoshinobu Hatano
義信 幡野
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Goto Seisakusho KK
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Goto Seisakusho KK
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ICやLSI等の半導体装置用のリードフレ
ームを112造する方法の改良に関するものである。
(従来の技術) 半導体装置用のリードフレーム10は、第3図に例示す
るように、金属製の長尺帯板材1上に、半導体Sを載せ
る半導体搭載部2と,後に導線によって半導体Sに接続
される複数のリード3とを、長手方向に連続的にプレス
成型して或る。多数のりード3が、長尺帯板材1の長平
方向に一列に並んで形成される第3図の如きリードフレ
ーム10においては、予め長尺征板材}を圧延加工して
、第4図に示すような、リードフレーム10に対応する
異形断面形状を形成し,しかる後に、この長尺帯板材1
を第5図に示すような断面形状にブレス成型する。なお
、各半導体搭械部2及びリード3の先端部」二面には、
銀、ニッケル等の両導電性のメッキ4が施されている。
これは、後に半導体搭載部2の上に半導体Sをハンダ付
けする際のスレ性をよくし、またリード3に対するボン
ディングワイヤの接続を良好にするためのものである。
このメッキ4は,プレス戊型の前に、長尺帯板材1の上
面に長手方向に帯状に施されている。しかして,所要の
異形断面形状に圧延され,かつ征状にメッキ4を施され
た長尺帯板材1は、ロール状態で保管され、プレス加工
場まで運搬される。従って、プレス加工の前には、長尺
帯板材1の湾曲(巻きぐせ)を除去するための前処理工
程が行われる。
ところが、メッキ屑4は、長尺帯板材lの表面から、わ
ずかながら突出しているので、最終的に半導体Sがハン
ダ付けされ,またワイヤボンディングが行われるまでの
過程で、摩擦による損傷を受けやすい。このような摩擦
痕は、長尺帯板材1の湾曲除去のための前処理工程にお
けるレベラーとの摩擦,その他の工程における送り爪,
送りローラとの1′!!擦、衝突などにより生じる。メ
ッキ層4の摩擦痕は、半導体Sのハンダ付けの不良,ワ
イヤボンディングの不良をもたらす。
(発明が解決しようとする課題) 従って,本発明は,長尺帯板材の表面に形成されたメッ
キ層が,リードフレームの製作過程において、摩擦、衝
突等による損傷を受けることを防止し、製作の歩留まり
を向上させることを課題としている。
(課題を解決するための手段) 本発明においては、上記課題を解決するため、長尺帯板
材1の圧延工程において、帯状メツキ4の施行予定部位
に、圧延ローラにて長手方向の凹所5を連続的に圧搾成
型し、その後に、この凹所5内にメッキ4を施して、メ
ツキWi4が長尺帯板材1の表面に突出しないようにす
る方法を採用した。
(作 用) 本発明においては,メソキIn4が、長尺4;2板+才
1の凹所5内に形成されるので、長尺帯板材1の表面に
突出することがない。従って、レベラーや送り爪、送り
ローラとの摩擦、衝突が著しく減少し、メッキ層4の損
傷が防止されることになる。
凹所5は、長尺帯板材1の長手方向に延長するものであ
るから,圧延工程においてローラにより容易に形成する
ことができる。
(実施例) 本発明の一実施例を第1図、第2図に示す。第1図は本
発明に係る長尺帯板材の断面図、第2図は本発明に係る
リードフレームの断面図である。
本発明に係るリードフレーム10の基本的外観形状は、
第3図に示す従来の公知のものと異ならないから具体的
説明を省略する。
本発明においては,メッキRW 4の形成に先だって,
これに対応する位置に凹所5を形成する点で、従来のリ
ードフレームの製造方法と異なる。即ち、本発明におい
ては、素材である長尺帯板材1を所要の基本的異形断面
形状に圧延加工する工程において、全体の外形の成型と
同時に、圧延ローラによって、第I図に示すような長手
方向の凹所5を形成する。この四所5の深さは、3μか
ら10μ程度が適当である。
しかして、こうして形成された凹所5内に、布状に銀、
ニッケル等のメッキ4を施し,しかる後,長尺借板材1
を、従来と同様にプレス加工して,多数の半導体搭載部
2とリード3とを連続的に形成する。凹所5内に形成さ
れたメッキ層4は、長尺帯板材lの表面に突出しない。
従って、後の工程において、レベラーや送り爪、送りロ
ーラとの摩擦、衝突が著しく減少し、メッキ層4の損傷
が防止されることになる。
なお、本発明は図示の実施例に限定されるものではなく
、例えば、メッキ部位は、リード3の先端のワイヤボン
ディング部のみ、あるいは半導体搭載部2のみであって
もよい。
(発明の効果) 以上のように、本発明においては、長尺帝板材上の圧延
工程において IF状メッキ4の施行予定部位に、圧延
ローラにて長手方向の四所5を連続的に圧搾成型し、そ
の後に、この四所5内にメッキ4を施して,メッキ層4
が長尺〈1″r板材1の表面に突出しむいようにする方
法を採用したため、後のコ二不2において、メッキTI
J4と,レベラーや送り爪、送りローラとの摩擦、衝突
が大きく回避され、ハンダ付けやワイヤボンディングの
不良をもたらすメッキ層4の損傷が防止されるので,製
作の歩留まりを向上させることができるという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
第l図,第2図は本発明の一実施例を示すもので、第工
図は本発明に係る長尺帯板材の断面図、第2図は本発明
に係るリードフレームの断面図であり、第3図は従来の
リードフレーム及び長尺帯板材の平面図,第4図は第3
図■−’IV断面図、第5図は第3図■−■断面図であ
る。 ・・長尺帯板材 ・・半導体搭載部 ・・リード ・・メッキ層 ・・凹所 ・・半導体 等3図 第4′3 15図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属製の長尺帯板材を圧延加工してリードフレー
    ムに対応する異形断面形状を形成し、しかる後に、この
    長尺帯板材におけるリードフレームの少なくともリード
    の先端に対応する位置に、長手方向の帯状メッキを施し
    、しかる後に、この長尺帯板材に、プレス成型により、
    多数組のリードと半導体搭載部とを相隣接して連続的に
    形成するリードフレームの製造方法において、 前記長尺帯板材の圧延工程において、前記帯状メッキの
    施行予定部位に、圧延ローラにて長手方向の凹所を連続
    的に圧搾成型し、その後に、この凹所内にメッキを施し
    て、メッキ層が長尺帯板材の表面に突出しないようにし
    たことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造
    方法。
  2. (2)金属製の長尺帯板材を圧延加工してリードフレー
    ムに対応する異形断面形状を形成し、しかる後に、この
    長尺帯板材におけるリードフレームの少なくとも半導体
    搭載部に対応する位置に、長手方向の帯状メッキを施し
    、しかる後に、この長尺帯板材に、プレス成型により、
    多数組のリードと半導体搭載部とを相隣接して連続的に
    形成するリードフレームの製造方法において、 前記長尺帯板材の圧延工程において、前記帯状メッキの
    施行予定部位に、圧延ローラにて長手方向の凹所を連続
    的に圧搾成型し、その後に、この凹所内にメッキを施し
    て、メッキ層が長尺帯板材の表面に突出しないようにし
    たことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造
    方法。
  3. (3)金属製の長尺帯板材を圧延加工してリードフレー
    ムに対応する異形断面形状を形成し、しかる後に、この
    長尺帯板材におけるリードフレームの半導体搭載部及び
    リードの先端に対応する位置に、長手方向の帯状メッキ
    を施し、しかる後に、この長尺帯板材に、プレス成型に
    より、多数組のリードと半導体搭載部とを相隣接して連
    続的に形成するリードフレームの製造方法において、前
    記長尺帯板材の圧延工程において、前記帯状メッキの施
    行予定部位に、圧延ローラにて長手方向の凹所を連続的
    に圧搾成型し、その後に、この凹所内にメッキを施して
    、メッキ層が長尺帯板材の表面に突出しないようにした
    ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
    法。
JP19105789A 1989-07-24 1989-07-24 半導体装置用リードフレームの製造方法 Expired - Lifetime JPH0638461B2 (ja)

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JPH0354852A true JPH0354852A (ja) 1991-03-08
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175578A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Sh Materials Co Ltd 半導体素子搭載用リードフレーム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014175578A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Sh Materials Co Ltd 半導体素子搭載用リードフレーム

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