JPH0354112A - 単結晶育成原料の製造方法 - Google Patents

単結晶育成原料の製造方法

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JPH0354112A
JPH0354112A JP19170989A JP19170989A JPH0354112A JP H0354112 A JPH0354112 A JP H0354112A JP 19170989 A JP19170989 A JP 19170989A JP 19170989 A JP19170989 A JP 19170989A JP H0354112 A JPH0354112 A JP H0354112A
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barium
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Hikari Kouda
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、非線形光学結晶ベータバリウムボレイト(
p  BaB2O4以下、β−BBOと略記する)単結
晶の育成原料を製造する方法の改良に関する。
(従来の技術) 育戒原料に化学沈i殿法により得られたバリウムボレイ
ト水和物(BaB2O44H2O、以下BBO水和物と
略記する)を焼威したものを使用し、種結晶の代わりに
白金線を用いて通常の高周波炉によりフランクスを用い
ない直接引き上げ法によりp−BBOを育成することが
可能であることがわかった(特願昭63−3252O7
)。育戒に使用する原料の製造方法は、ほう酸(HaB
Oa)と塩化バリウム(BaCl・2H2O)の水溶液
のpHを12以上にする必要があり、その調整に水酸化
ナトリウム(NaOH)を使用していた。
(発明が解決しようとする課題) 化学沈澱法によりBBO水和物を得るためのpH調整に
水酸化ナトリウム(NaOH)を使用していたため、沈
澱したBBO水和物のなかにナトリつムイオンが不純物
として含まれてしまっていた。焼成後乾燥、洗浄した育
成原料の中にもナトリウムイオンが混入し、この原料を
不π屯物分析した結果約1000ppmのナトリウムイ
オンが検出された。これを原料として育威した結晶の中
にも、不純物としてナトリウムイオンが混入することは
まぬがれられない。結晶中にこの様な金属イオンが入る
と結晶の品質が悪くなり、非線形光学材料としての性能
が落ちてしまうという問題があった。
(課題を解決するための手段) ほう酸と塩化バリウムの水溶液からBBOの水和ち物を
沈澱させる際、pHの調整に水酸化テトラメチルアンモ
ニウム(以後、TMAHと略記する)水溶液を使用する
ことにより、沈澱物の中に結晶の品質にとって有害な金
属イオン不純物が混入することなく、こうして得られた
育戒原料を用いることにより、不純物混入のない高品質
な43−BBO単結晶を育戒することができる。
(作用) 水溶液のpHを強アルカリ性に調整するのには、通常ア
ルカリ金属の水酸化物を用いる。ほう酸と塩化バリウム
の水溶液からBBO水和物を沈澱させるにはpHを12
以上にする必要があるので、従来までは水酸化ナトリウ
ムを用いてpHの調整を行っていた。しかしこの方法だ
と溶液の中にアルカリ金属イオンが含まれてしまい、こ
の金属イオンは焼威しても蒸発することはなく、不純物
として育戒原料中に含まれてしまう。しかしpHの調整
にTMAHを使用して沈;殿させたBBO水和物だと、
焼戒時に有機成分は蒸発してしまうので育成原料中に不
純物が混入することがない。またTMAHは半導体材料
の前処理などにも利用され、金属不純物がlppb以下
のものが容易に入手できる。この方法で得られた原料を
使用すれば不純物混入のない高品質なβ−BBO単結晶
が得られる。
(実施例) ほう酸(H3BO3)と塩化バリウム(BaCl24H
2O)を2:1のモル比で混合した粉末を50’C以上
にならないように注意深く加熱した水に少しずつ加えて
いき、水に飽和する少し手前まで溶かした。次にpHを
12以上になるように濃厚TMAH水溶液を少しずつ加
えてBBO水和物を沈澱させた。このとき、反応熱によ
り溶液の温度が506C以上に上がらないように容器を
冷却しながら行った(50’C以上になると沈澱は非品
質になってしまう)。沈}殿したBB○水和物を洗浄、
乾燥後、白金の容器に移し、電気炉で1250°Cまで
加熱し約3時間その温度を保ち、その後電気炉の電源を
切って常温まで自然冷却した。こうして得られた育成原
料の不純物分析をした結果、結晶の品質とって有害な金
属イオンは検出限界以下(0。lppm以下)であった
この原料をアルミナ耐火物で保温した内径40mm、深
さ40mm、厚さ1.5mmの白金るつぼに、加熱、融
解して充填し、直径1.5mmの白金線を種結晶の代わ
りに用いて通常の高周波単結晶引き上げ装置で育成を行
った。るつぼ上部は高さ12cmの通常のアルミナ耐火
物で保温した。育戒雰囲気は空気中とし、白金線の回転
速度は14rpm、引き上げ速度は4mm/hrとした
。この条件で育成を試みたところ、直胴部8mm,長さ
12mmのβ−BBO単結晶を育戒できた。育威した結
晶の不純物分析をした結果、金属イオンは検出限界以下
(0.1ppm以下)であった。
(発明の効果) 本発明によれば、BBO融液から引き上げ法でp一BB
Oを育成する際、不糸屯物混入のない高品質なp一BB
O単結晶育戒原料を得ることが出来る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ベータバリウムボレイト(β−BaB_2O_4)単結
    晶を融液から引き上げ法で育成するときの原料であるバ
    リウムボレイト水和物(BaB_2O_4・4H_2O
    )の製造において、ほう酸(H_3BO_3)と塩化バ
    リウム(BaCl・2H_2O)の水溶液から目的の化
    合物を沈澱によって製造する際に、水酸化テトラメチル
    アンモニウム ((CH_3)_4NOH)水溶液をpHの調整に用い
    ることを特徴とする単結晶育成原料の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5454345A (en) * 1992-06-18 1995-10-03 Nec Corporation Method of growing single crystal of β-barium borate
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JP4619946B2 (ja) * 2003-02-13 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 ボレート系結晶の製造方法とレーザー発振装置

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