JPH03504617A - 基板上への窒化けい素及び二酸化けい素フイルムのプラズマデポジシヨン法 - Google Patents
基板上への窒化けい素及び二酸化けい素フイルムのプラズマデポジシヨン法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
基板上への窒化けい素及び二酸化けい素フィルムのプラズマデポジション法
本発明は、基板上窒化けい素又は二酸化けい素のプラズマポジション法に関する
。特に、本発明は、基板上窒化けい素又は二酸化けい素のプラズマポジション法
であって、これらのフィルムのためけい素源としてジー１−ブチルシランが用い
られる方法に関する。
薄いフィルムデポジションを半電導化又は絶縁化するため化学蒸着法（ＣＶＤ）
がミクロエレクトロニクス工業全体に使用されている。窒化けい素（ＳｉｓＮａ
）又は二酸化けい素（５ｔｙ２）等のフィルムをデポジションさせる時には、ガ
ス状けい素源としてシラン（ＳｉＨ，）が一般に使用される。
窒化及び二酸化けい素は、集積回路の生産において重要な材料であり、ゲート誘
電体、拡散マスク及びパッシベーションフィルムとして使用される。窒化けい素
は、高い絶縁耐力、不純物の拡散に対するすぐれた関門特性及び良好な化学的安
定性を有している。二酸化けい素は、良好な絶縁特性を有し、これらの適用の場
合化学的に安定である。
シランは毒性が高く、空気中自然発火性である。高価なガスキャビネット及び交
さパージングガス供給系を必要とする。デポジション装置中に導入する前に特別
なパ−ジング操作を要する。窒化物及び酸化物ＣＶＤ法のためのけい素源として
いくつかのけい素含有化学物質が使用されるか提案されている。これらの中には
テトラ塩化けい素（ＳｉＣ（２＊） 、テトラ臭化けい素（ＳｉＢｒ、） 、テ
トラフッ化けい素（ＳｉＦ、） 、ジクロロシラン（ＳｉＨ，Ｃ（２，）及びジ
シラン（Ｓｉ２Ｈ，）が含まれる。テトラエチルオルトシリケト（ＴＥＯＳ、
５ｉ（ＯＣｚＨｓ）ａ）及びテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ
、 Ｃ４Ｈ，、Ｓｉ、０．）等の他の化学物質が二酸化物デポジションの場合に
のみ使用されている。上記のハロゲン含有シランはすべて、有毒な腐食性の副生
物を生じることの外に、それ自体有毒かつ腐食性である。
ジシランは、シランと同様の取扱操作を要する可燃性の有毒ガスである。現在、
マイクロエレクトロニクス製造業者がシランの使用を制限しようとする場合には
、７ＭＯ５゜ＴＥＯＳ及びＴＭＣＴＳが、二酸化けい素デポジションの場合唯一
の市販の代替物である。窒素けい素デポジションの場合シランに対する市販の代
替品はない。
したがって、これらのＣＶＤ法中よりよいシランへの代替品の必要がある。
別に、ジ−ｔ−ブチルシラン（ＤＴＢＳ）は、既知の化学物質であり、ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ登録番号（３０７３６−０７−３）をもつ。ＤＴ
ＢＳの製法は、ｗａｔａｎａｂｅらの「ジ−ｔ−ブチルシランの簡便製法Ｊ 、
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ １３２１〜１３２２頁。
１９８１’； Ｄｏｙｌｅら［立体障害有機けい素化合物。ジ−ｔ−ブチル−、
ジ−ｔ−ブチルメチル−及びトリーｔ−ブチルシランの合成と性質Ｊ Ｊ、
Ａｍ、 Ｃｈｅｒｌｌ、 Ｓｏｃ、 ９７．３７７３〜３７８２頁（１９７５）
及びｙｒｌｐｔｅｔｔら、「いくつかのｔ−ブチル−ジシラン及びジゲルマンの
合成と反応性Ｊ、Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｈｅ
ｍｉｓｔｒｙ＋ １０７巻、 ２３−３２頁（１９７６）によって開示されてい
る。ＤＴＢＳは、ヒドロキシ化合物に対するシリル化剤として（ＣＡ １０１
＝ ９１２１８ｖ ）及びジ−ｔ−ブチルジクロロシランの生産の際中間体とし
て（ＣＡ９８ ： １２６３７５ ｔ ）使用されている。
ジ−ｔ−ブチルシランは、空気中安定な非腐食性の液体である。多くの有機溶媒
中可溶性であり、水と反応しない。室温におけるその高い蒸気圧によってＣＶＤ
反応器中に容易に導入することができる。ＣＶＤ反応器中ニの化学物質を使用す
るためにガスキャビネットも交さパージング系も必要ではない。分解副生物は本
来腐食性ではない。その故に、本発明によれば、ジ−ｔ−ブチルシランは、窒化
物及び酸化物のデポジシヨンの両方の場合に使用することができるけい素源であ
る。
したがって、本発明は、基板上に窒化けい素を又は二酸化けい素をフィルムを形
成させるためのプラズマＣＶＤ法であって
（ａ）窒化けい素型が又は二酸化けい素型フィルムが形成されるべき該基板を含
有するＣＶＤ反応ゾーン中にジ−ｔ−ブチルシラン及び少なくとも１種の他の反
応剤ガスを導入し、
（ｂ）該ゾーン及び該基板の温度を約１００°Ｃ〜約３５０℃に（ｃ）該ゾーン
中圧力を約０．１〜約５トル（＃ ＋ｕＨｇ）に保ち；そして
（ｄ）該ガス混合物をプラズマで励起しながら該ガス混合物を該基質とその上に
窒化けい素を又は二酸化けい素型フィルムを形成させる時間接触させ、該プラズ
マが約ｌＯ〜約５００ワットのＲＦ比出力よって励起される工程を特徴とする方
法。
本発明のＣＶＤ法は、約２．０±０．２の範囲の至適屈折率（Ｎｒ）を有する窒
化けい素型又はＳｔ、Ｎ、型フィルムを得るために製造することができる。この
範囲において屈折率が低いほど、Ｎの百分率が高く、この範囲において屈折率が
高いほど、Ｓｉの百分率が高い。ここで使用される用語「窒化けい素型フィルム
」及びｒｓｉ、Ｎ、型フィルム」とは、上の至適範囲の屈折率をもつように形成
されるフィルムを意味する。
本発明のＣＶＤ法は又、約１．４６±０，２の範囲の至適屈折率を有する二酸化
けい素型又はＳｉｎ、フィルムを得るためにも使用することができる。この範囲
において屈折率が低いほど、０の百分率が高く、この範囲において屈折率が高い
ほど、Ｓｉの百分率が高い。ここで使用され、る用語「二酸化けい素型フィルム
」及びｒ Ｓｉｎ、型フィルム」とは、上の至適範囲の屈折率をもつように形成
されたフィルムを意味する。
基板は、窒化けい素、二酸化けい素型フィルムがその上に望まれる材料のいずれ
か、例えばＳｉウェーハ、プラスチック、樹脂、ガラス又は金属物体又はフィル
ムＨＧａＡｓ層；集積回路技術におけるＮＭＯＳシステムゲート等の■〜Ｖ族元
素又は化合物を用いる半導体層又はデバイスのいずれかであってよい。ガスが導
入される反応チャンバー中抵抗部材によるか又は誘導加熱によって基質は反応温
度に加熱される。
決定的ではないが、反応チャンバーを恒温に保つことが好ましく、このことはい
かなるときでも２℃、好ましくは±ｌ′Ｃ未満の温度変動を有することを意味す
る。反応剤ガスは、コーティングされるべきウェーハからガスがプラズマが始業
される点において約り００℃〜約３５０℃の反応温度に達することができるよう
な距離をおいて室温で導入される。ウェーハ体と対比して、ガスは室温において
はウェーハを認められる程は冷却しない。
ガスは、別の入口ラインによってチャンバー中に導入されてよく、又は混合多岐
管中子め混合されてよい。反応ガスは、基板表面上実質的に層流として導入され
る。
ウェーハ上実質的な濃度変動をなくすために基板上滞留時間を短かくする。基板
は、典型的にはＳｉウェーハであり、本発明の方法によって得られる窒化けい素
型又は二酸化けい素型フィルムがウェーハの表面を横切って実質的に均一である
、即ち実質的な凹面（縁の形成）又は凸面（中心もり上り）を示さないように、
反応チャンバー壁対ウェーハ縁の間隔取り及びウェーハ対隣接ウェーハの間隔取
りを得るような方式に限られることが好ましい得られるフィルムの均一性は、バ
・７チ又は生産実施においてウェーハ内（横切って）及びウェーハからウェーハ
まで共に、±３％未満の厚さの変動を示すことが好まし典型的なガスの流速は、
ＤＴＢＳの場合約５０〜約３００標準ｃｃ／分（ｓｃｃｍ） （好ましくは約７
５〜２００ｓｅｃｍ） 、他のＤＴＢＳと反応して窒化けい素又は酸化けい素を
生成することができる反応性ガス（例えば無水アンモニアもしくはヒドラジン、
又は例えば亜酸化窒素又は酸化窒素又はそれらの混合物）の場合約２標準ｃｃ／
分〜４０ｏＯ標準ｃｃ／分の程度であってよい。好ましいガスの流速は、Ｎ、の
場合的２００＝ ７００ｓｅｃｍ、無水アンモニアの場合約２〜約３０００ｓｅ
ｃｍ。
亜酸化窒素の場合的２００〜４０００ｓｅｃｍ、そして酸化窒素の場合的０〜４
０００ｓｅｃｍの範囲である。最も好ましい亜酸化窒素の流速範囲は約３００〜
約３０００ｓｃｃｍの範囲である。最も好ましい酸化窒素の流速はθ〜約２００
０ｓｅｃｍである。いずれか一方の反応剤の反応チャンバー圧力及び流速の設定
は、屈折率（Ｎｒ）で表わされるフィルム特性のコントロールを可能にする。即
ち、ある圧力及びＤＴＢＳの流速について、ＮＨ３、Ｎ、Ｏ又はＮＯのいずれか
の流速を減少又は増大させるとフィルムのＮ、が変る。反応チャンバー圧力は、
両方の型のデポジションの場合共に約０．ｌトルー約５トルの範囲にコントロー
ルされる。二酸化物及び窒化物生成の場合共に、好ましい範囲は約０．２〜約４
トルである。
上述したように、これらの型のプラズマデポジションの反応温度は、約１００
’Ｏ〜３５０ ’Ｏである。二酸化物及び窒化物デポジションの場合共に好まし
い温度範囲は約２００〜約３２５℃、更に好ましくは約２０θ℃〜約３００”Ｃ
である。
プラズマは、ＣＶＤ反応器ゾーン中のラジオ周波数（ＲＦ）発生器及び電極によ
って始業（開始）される。現在プラズマＣＶＤ領域において２種の広く使用され
るＲＦ発生器がある。１つは、約１０〜約２００ワツト、好ましくは約１２〜７
５ワツトの出力において１３．５６ ＭＨ２のプラズマを発生することができる
。＄２の広く使用されるプラズマ発生周波数は、約１００〜約５００ワツト、好
ましくは約１５０〜約４００ワツトの出力において５０ ＫＨｚである。しかし
、本発明の１％ 最も広い態様はこれらの２種の周波数だけに限定されるべき
でない。１３−５６ ＭＨｚの発生器を用いて無水アンモニアの最も好ましい流
速は約２〜２ｏｓｃｃＩＩ＋である。１３．５６ＭＨｚの発生器を用いてＮ、の
最も好ましい流速は約２００〜約７００ｓｅｃ＋ｎである。５０ ＫＨｚの発生
器を用いると、ＮＨ，の最も好ましい流速は約１５００ｓｅｃｍ−約２５００ｓ
ｅｃｍ？’ ア’）、カスハ、約１．０トル〜約３．０トルの範囲の圧力を維持
するために最も好ましい流速でＣＶＤ反応ゾーンを通してポンプ送りされる。
デポジションを開始するために、ＤＴＢＳ、アンモニア及びＮＺ（ただし窒化け
い素型フィルムが望まれる場合）又は亜酸化窒素（ＮＺＯ）もしくは亜酸化窒素
と硝酸（Ｎｏ）との混合物（ただし二酸化けい素型フィルムが望まれる場合）を
入口を通して（可能性として希釈剤、例えばヘリウム又はアルゴンと共に） Ｃ
ＶＤ反応ゾーンに導入され、ＲＦ発生器を通って送られ、基板の上に送られる。
プラズマは、基板上窒化けい素型フィルム又は二酸化けい素型フィルムを迅速に
形成する。
フィルム生成速度は典型的には約１０〜約５００オングストローム／分の範囲で
あり、典型的な操作速度は約３０〜３００ Ａ ／分の程度であり、至適には約
０．２〜４．０トルの圧力におｌ、％テ、約２ｏＯ〜３ｏｏ℃ニオイテｌｏｏ〜
２ｏｏＡ／分テする。即ち、反応剤の相対的流速及び圧力のこのコントロールに
よってフィルムの特性を精密にコントロールすることができる。更に、低い反応
温度により、十分フントロールできるが尚商業生産に適している高さの生長速度
が得られる。
次の実施例は本発明を更に例示する。別に明示しないかぎり部及び百分率はすべ
て重量による。
実施例 １
ジ−ｔ−ブチルシラン（ＤＴＢＳ）の製造ヘキサン（約２ＱＯｍｄ）を含有する
２リツトルのフラスコＩこ窒素雰囲気中室温においてペンタン中ｔ−ブチルリチ
ウム（ＣＨｓ）ｓｃＬｉ （１−１２リツトル（１，９モル）〕を添加した。
次に７ラスコを一５℃に冷却した。指形冷却器を用いて冷却したフラスコ中の混
合物にジクロロシランＣｌ２２ＳｉＨ＊（６５，５３ｇ（１，０モル）〕をゆっ
くり添加した。直ちに発熱反応及び白色固体沈殿が生じた。
添加の後、混合物を２時間−５℃において、次に２時間室温において撹拌した。
次に白色固体、塩化リチウム副生物をか過によって除去し、ペンタンで３回洗浄
しＩ；。
洗液を炉液と合した。次に合した炉液及び洗液を分別蒸留（ペンタン及びヘキサ
ンは約７０℃において、そして所望の生成物ＤＴＢＳは約１２６℃において取り
出される）して約９０％の収量でＤＴＢＳを回収した。
回収された生成物は、プロトンＮＭＲ及び赤外分光分析によってジ−ｔ−ブチル
シランと同定された。
実施例 ２
ジ−ｔ−ブチルシラン（ＤＴＢＳ）の別の製造空の５００ｍｆｆのフラスコに窒
素雰囲気下ｏ℃においてペンタン中む−ブチルリチウム（ＣＨｓ）！ｃＬｉ （
０−３０リツトル（０，５１モル）〕を添加した。次に冷却したフラスコにテｔ
−５りｏ ｏ シ５ ン５ｉｃ（２４（４２，５９（０，２５％Ａ＝） ） 全
添加ｔ。
た。この混合物を３０分間θ℃において撹拌した。直ちには反応は観察されなか
った。次に反応混合物を１２時間室温において撹拌した。その時白色固体沈殿が
観察された。
次ｌ二、ペンタンの大部分を真空蒸留によって除去し、ヘプタン３００ｒｔｒＱ
で文様した。この新しい反応混合物を４８時間継続して還流加熱した。この後、
窒素雰囲気を保ちながら冷却した溶液を水素化リチウムアルミニウムＬｉＡ１２
Ｈａ（９，５９（０，２５モル）〕と合した。この反応溶液を５時間還流加熱し
、次に室温に冷却し、反応混合物を濾過して副生物の塩を除去した。得られたか
液をゆっくり氷に注ぎ、２相の溶液が得られた。有機相を水相から分離し、次に
硫酸マグネシウムを使用して乾燥した。次に乾燥した有機相を分別蒸留（ヘプタ
ンは９８°Ｃにおいて、所望の生成物ＤＴＢＳは約１２６℃において取り出され
る）して約８０％の収量でＤＴＢＳを回収した。
回収された生成物は、プロトンＮＭＲ及び赤外分光分析によってジ−ｔ−ブチル
シランと同定された。
実施例 ３
反応剤としてＤＴＢＳを用いる二酸化けい素（ＳｉＯｚ）のプラズマデポジショ
ン
この実施例及び次の実施例については、Ｐｌａｓｍａ−Ｔｈｅｒｍ５３０１５３
０シュエルデポジション平行プレート反応器（Ｋｒｅｓｓｏｎ、 Ｎｅｗ Ｊｅ
ｒｓｅｙ（７）Ｐｌａｓｎｎａ−Ｔｈｅｒｍ Ｉｎｃ、製造）が用いられた。真
空ポンプ処理系及びガス供給系を反応器につけ、反応器の底部電極上に４つのけ
い素ウェーハ〔直径４インチ（約１１ｃｍ） ）を水平Ｊこ置いた。
ウェーハを負荷して後、反応器の底部電極を３００°Ｃに加熱した。次に、０．
０２０１−ルの基本圧力まで反応器を脱気しＩ；。
反応器に６５０ｓｅｃｍの流速で亜酸化窒素（Ｎ、Ｏ）を導入した。！５ワット
において１３．５６ ＭＨｚの周波数を使用して連続プラズマを始業した。１９
２ｓｅｃｍの流速でＤＴＢＳ蒸気を反応器中に導入した。真空下わずかに加温（
約３０℃）することによって導入前にＤＴＢＳを気化させた。
２種のガスの反応及びデポジションによって反応器中けい素ウェーハの表面に二
酸化けい素が形成された。デポジション圧力は０．２００ トルにコントロール
された。１０分後、プラズマを停止し、ガス混合物を止めた。次に、系を排気し
、けい素ウェーハを取り出しＩ；。
けい素ウェーハ上の二酸化けい素フィルムを検査した。
エリピッメーターを用いて求めた平均二酸化けい素厚さは１３４４オングストロ
ームであった。エリピッメーターによって求めた平均屈折率は１．４９６であっ
た。
これらの結果は、けい素ウェーハ上良好な二酸化けい素ウェーハがデポジション
されたことを示す。
実施例 ４
反応剤としてＤＴＢＳを用いる窒化けい素（Ｓｉ、Ｎ、）のプラズマデポジショ
ン実施例３と同じ装置を使用し、４つのけい素ウェーハ〔直径４インチ（約１１
ｃｍ） ）の添加の後反応器を３００℃に窒素を６５０ｓｅｃｍの流速で導入し
、次に１３．５６ ＭＨｚの周波数及び１７ワツトでプラズマを始業させた。無
水アンモニア蒸気を５．０ｓｅｃｍの流速で導入した。次に、ＤＴＢＳ蒸気を１
９２ｓｅｃｍの流速で導入した。ＤＴＢＳは、真空下わずかに加温（約３０℃）
することによって導入前気化させた。
３種のガスの反応及びデポジションによって反応器中けい素ウェーハの表面に窒
化けい素フィルムが形成された。デポジション圧力は、反応器中２．０トルにコ
ントロールされた。５分後、プラズマを停止し、アンモニア及びＤＴＢＳの蒸気
を止めた。窒素ガスはそのまま流して系をパージングした。次に系を排気し、け
い素ウェーハを取り出した。
けい素ウェーハ上の窒化けい素フィルムを検査した。
エリピンメーターを用いて求めた平均窒化フィルム厚さは１９９０オングストロ
ームであった。エリピッメーターによって求めた平均屈折率は１．９０であった
。
このデータは、良好な窒化けい素フィルムがけい素つ工−ハ上にデポジションさ
れたことを示す。
実施例 ５
反応剤としてＤＴＢＳを用いる二酸化けい素（ＳｉＯｘ）のプラズマデポジショ
ン
この実施例及び次の実施例については、ＡＳＭ Ａｍｅｒｉｃａパルスプラズマ
化学蒸着系（Ｐｈｏｅｎｉｘ、 Ａｒ１ｚｏｎａのＡＳＭＡｍｅｒｉｃａ、
Ｉｎｃ、製造）が用いられた。反応器に真空ポンプ処理系及びガス供給系をつけ
た。プラズマ反応器に垂直位置に保たれた７８のけい素ウェーハ〔直径４インチ
（約１１ｃｍ） ）を入れた。
ウェーハを負荷して後、電極及びウェーノーを３００℃に加熱した。次に、反応
器を０．０５０トルの基本圧力まで脱気した。
３０００ｓｅｃｍの流速で亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を１５００ｓｅｃｍの流速の酸
化窒素（ＮＯ）と共に反応器中に導入した。ＤＴＢＳ蒸気を７４ｓｅｃｍの流速
で反応器中に導入し、平均１０１ワツトにおいて５０ ＫＨｚの周波数を使用し
てパルスプラズマを始業させた。パワーパルスのシーケンスは、２０ミリ秒オン
の後２５０ミリ秒オフの交互であった。ＤＴＢＳは、真空下わずかに加温（約３
０°Ｃ）することによって導入前気化されに 。
３種のガスの反応及びデポジションによって反応器中けい素ウェーハの表面に二
酸化けい素（ＳｉＯ□）フィルムが形成された。デポジション圧力は１．２４ト
ルにコントロールされた。５分後、プラズマを停止し、ガス混合物を止めた。窒
素ガスを導入して系をパージングした。次に系を排気し、けい素ウェーハを取り
出した。
けい素ウェーハ上の二酸化けい素フィルムを検査した。
エリピッメーターを用いて求めた平均二酸化けい素フィルム厚さは１０５５オン
グストロームであった。エリピッメーターによって求めた平均屈折率は１．５０
であった。スパッタリングされたオージェプロフィルは、フィルムがフィルム中
４原千％未満の炭素を含有するＳｉＯ，であることを示した。
これらの結果は、良好な二酸化けい素フィルムがけい素ウェーハ上にデポジショ
ンされたことを示す。
実施例 ６
反応剤としてＤＴＢＳを用いる窒化けい素（Ｓｉ、Ｎ４）のプラズマデポジショ
ン実施例５と同じ装置を使用し、７８のけい素ウェー／＼〔直径４インチ（約１
１ｃｍ） ）の添加の後反応器を３００℃に加熱した。次に反応器を０．０５０
トルの基本圧力まで脱気し Ｉこ 。
無水アンモニアを２３００ｓｅｃｍの流速で導入した。次に、Ｄ丁ＢＳ蒸気を１
５９ｓｅｃｍの流速で導入し、パルスプラズマを５０ ＫＨｚの周波数及び３９
１ワツトの平均出力において始業させた。パワーパルスシーケンスは、７０ミリ
秒オンの後１６０ミリ秒オフの交互であっＩ；。ＤＴＢＳは、真空下わずかに加
温（約３０℃）することによって導入前気化された。
２種のガスの反応及びデポジションによって反応器中けい素ウェーハの表面に窒
化けい素（ＳｉｓＮ４）フィルムが形成された。デポジション圧力を２．０トル
にコントロールしｔ；。２．５分後、プラズマを停止し、ガスを止めた。
窒素ガスを導入して系をパージングした。次に系を排気し、けい素つェーノ・を
取り出した。
けい素ウェーハ上の窒化けい素フィルムを検査した。
エリピッメーターを用いて求めた平均窒化けい素フィルム厚さは４５０オングス
トロームであった。エリピッメーターによって求めた平均屈折率は１．８９であ
った。
補正書の翻訳文提出書
（特許法第１８４条の８）
平成２年１１月３０日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．基板上に窒化けい素型又は二酸化けい素型フィルムを形成させるためのプラ ズマＣＶＤ法であって（ａ）窒化けい素型が又は二酸化けい素型フイルムが形成 されるべき該基板を含有するＣＶＤ反応ゾーン中にジ−ｔ−ブチルシラン及び少 なくとも１種の該ジ−ｔ−ブチルシランと反応して窒化けい素か又は二酸化けい 素を生成することができる他の反応剤ガスを導入し； （ｂ）該ゾーン及び該基板の温度を約１００℃〜約３５０℃に保ち； （ｃ）該ゾーン中圧力を約０．１〜約５トルに保ち；そして （ｄ）該ガス混合物をプラズマで励起しながら該ガス混合物を該基板とその上に 窒化けい素型又は二酸化けい素型フイルムを形成させる時間接触させ、該プラズ マが約１０〜約５００ワットのＲＦ出力によって励起される工程を特徴とする方 法。 ２．窒化けい素型フィルムが形成され、そして他のガスが無水アンモニアである 請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 ３．プラズマが５０ＫＨｚの周波数において、かつ約１００〜約５００ワットの 出力において形成される請求項２記載のプラズマＣＶＤ法。 ４．該ゾーン中への該ジ−ｔ−ブチルシランの流速が約５０ｓｃｃｍ〜約３００ ｓｃｃｍであり、そして該ゾーン中への該無水アンモニアの流速が約１０００Ｓ ｃｃｍ〜約３０００ｓｃｃｍである請求項２記載のプラズマＣＶＤ法。 ５．窒化けい素型フィルムが形成され、そして該他のガスが窒素及び無水アンモ ニアの混合物である請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 ６．プラズマが約１０〜約１００ワットにおいて１３．５６ＭＨｚの周波数にお いて形成される請求項記載のプラズマＣＶＤ法。 ７．該ゾーン中への該ジ−ｔ−ブチルシランの流速が約５０ｓｃｃｍであり、該 ゾーン中への該窒素の流速が約２００ｓｃｃｍ〜約７００ｓｃｃｍであり、そし て該ゾーン中への該無水アンモニアの流速が約２ｓｃｃｍ〜約２０ｓｃｃｍであ る請求項６記載のプラズマＣＶＤ法。 ８．該ゾーンの温度及び該基板の温度が約１２５℃〜約３２５℃である請求項１ 記載のプラズマＣＶＤ法。 ９．二酸化けい素型フィルムが形成され、そして該他のガスが亜酸化窒素又は亜 酸化窒素と酸化窒素との混合物であり、該ジ−ｔ−ブチルシランの流速が約５０ ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍであり、該ゾーン中への亜酸化窒素の流速が約２０ ０ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍであり、そして酸化窒素の流速が０〜約４００ ０ｓｃｃｍである請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 １０．該プラズマが約１０〜約５００ワットにおいて５０ＫＨｚにおいて形成さ れる請求項９記載のプラズマＣＶＤ法。 １１．該プラズマが約１０〜約１００ワットにおいて１３．５６ＭＨｚにおいて 形成される請求項９記載のプラズマＣＶＤ法。 １２．該基板が樹脂物体及びフィルム、ガラス物体及びフィルム、金属物体又は フイルム、並びに半導体又はデバイスよりなる群から選択される請求項１記載の プラズマＣＶＤ法。 １３．該ゾーンの圧力が約０．２トル〜約４トルである請求項１記載のプラズマ ＣＶＤ法。 １４．該フイルム形成速度が約１０〜約５００オングストローム／分に保たれる 請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 １５．基板上に窒化けい素型フィルムを形成するためのプラズマＣＶＤ法であっ て （ａ）該窒化けい素型フイルムが形成されるべき該基板上を含有するＣＶＤ反応 ゾーン中にジ−ｔ−ブチルシラン及び少なくとも１種の該ジ−ｔ−ブチルシラン と反応して窒化けい素を生成することができる他の反応剤ガスを導入し； （ｂ）該ゾーン及び該基板の温度を約１２５℃〜約３２５℃に保ち； （ｃ）該ゾーン中圧力を約０．２〜約４トルに保ち；そして （ｄ）該ガス混合物をプラズマで励起しながら該ガス混合物を該基質とその上に 約２．０±０．２の屈折率を有する窒化けい素型フィルムを形成させる時間接触 させ、該プラズマが約１００〜約５００ワットにおいて５０ＫＨｚのＲＦ周波数 によるか又は約１０〜約１００ワットにおいて１３．５６ＭＨｚの周波数によっ て励起される工程を特徴とする方法。 １６．該他の反応剤ガスが無水アンモニアである請求項１５記載のプラズマＣＶ Ｄ法。 １７．該プラズマが５０ＫＨｚの周波数において始業され、該ゾーン中への該ジ −ｔ−ブチルシランの流速が約７５ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍであり、そして 該無水アンモニアの流速が約１５００ｓｃｃｍ〜約２５００ｓｃｃｍである請求 項１６記載のプラズマＣＶＤ法。 １８．該ゾーンの温度及び該基板の温度が約２００℃〜約３００℃であり、そし て該ゾーンの圧力が約１トル〜約３トルである請求項１７記載のプラズマＣＶＤ 法。 １９．該基質が樹脂物体又はフィルム、ガラス物体又はフィルム、金属物体又は フィルム並びに半導体層又はデバイスよりなる群から選択される請求項１８記載 のプラズマＣＶＤ法。 ２０．基板上に二酸化けい素型フィルムを形成させるためのプラズマＣＶＤ法で あって （ａ）二酸化けい素フイルムがその上に形成されるべき該基質を含有するＣＶＤ 反応ゾーン中にジ−ｔ−ブチルシラン及び少なくとも１種の該ｔ−ブチルシラン と反応して二酸化けい素を生成することができる他の反応剤ガスを導入し； （ｂ）該ゾーン及び該基板の温度を約１２５℃〜約３２５℃に保ち； （ｃ）該ゾーン中存在を約０．２〜約４トルに保ち；そして （ｄ）該ガス混合物をプラズマで励起しながら該ガス基板とその上に１．４６± ０．２の屈折率を有する二酸化けい素型フイルムを形成させる時間接触させ、該 プラズマが約１００〜約５００ワットの出力において５０ＫＨｚのＲＦ周波数に よるか又は約１０〜約１００ワットの出力において１３．５６ＭＨｚの周波数に よって励起されることを特徴とする方法。 ２１．該他の反応剤ガスが亜酸化窒素又は亜酸化窒素と酸化窒素との混合物であ る請求項２０記載のプラズマＣＶＤ法。 ２２．該ゾーン中への該ジ−ｔ−ブチルシランの流速が約７５ｓｃｃｍ〜約２０ ０ｓｃｃｍであり、そして該亜酸化窒素の流速が約３００ｓｃｃｍ〜約３０００ ｓｃｃｍであり、そして該酸化窒素の流速が０〜約２０００ｓｃｃｍである請求 項２１記載のプラズマＣＶＤ法。 ２３．該ゾーンの温度が約２００℃〜約３００℃である請求項２３記載のプラズ マＣＶＤ法。 ２４．該基板が樹脂物体又はフィルム、ガラス物体又はフィルム、金属物体又は フィルム、並びに半導体層又はデバイスよりなる群から選択される請求項２３記 載のプラズマＣＶＤ法。
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