KR900701035A - 질화규소와 이산화규소 막을 기판위에 플라즈마 증착시키는 방법 - Google Patents

질화규소와 이산화규소 막을 기판위에 플라즈마 증착시키는 방법

Info

Publication number
KR900701035A
KR900701035A KR1019890702098A KR890702098A KR900701035A KR 900701035 A KR900701035 A KR 900701035A KR 1019890702098 A KR1019890702098 A KR 1019890702098A KR 890702098 A KR890702098 A KR 890702098A KR 900701035 A KR900701035 A KR 900701035A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sccm
zone
plasma cvd
film
substrate
Prior art date
Application number
KR1019890702098A
Other languages
English (en)
Inventor
에스. 도리 토마스
Original Assignee
브루스 이.버딕
오린 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 브루스 이.버딕, 오린 코포레이션 filed Critical 브루스 이.버딕
Publication of KR900701035A publication Critical patent/KR900701035A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

질화규소와 이산화규소 막을 기판위에 플라즈마 증착시키는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (24)

  1. (a) 디―3급―부틸실란 및 이러한 디―3급―부틸실란과 반응하여 질화규소 또는 이산화규소를 형성할 수 있는 적어도 하나의 다른 반응물 가스를 질화규소 형태 또는 이산화규소 형태의 막이 형성될 기판을 포함하는 CVD반응대역에 도입하고; (b) 상기 대역과 기판의 온도를 약 100°C내지 약 350°C로 유지하며; (c) 상기 대역 속의 압력을 약 0.1내지 약5Torr로 유지하고; (d) 질화규소 형태 또는 이산화규소 형태의 막을 형성시키기에 충분한 시간 동안. 약 10내지 약 200Watt의 RF전력으로 여기시킨 플라즈마로 상기 가스 혼합물을 여기시키면서, 상기 기판과 접촉하도록 가스 혼합물을 통과시키는 단계를 특징으로 하는, 질화규소 형태 또는 이산화규소 형태의 막을 기판 위에 형성시키는 플라즈마 CVD방법.
  2. 제1항에 있어서, 질화규소 형태의 막을 형성시키며, 상기의 다른 가스가 무수 암모니아임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  3. 제2항에 있어서, 플라즈마를 50KHz의 주파수 및 약 100내지 500Watt의 전력에서 성시킴을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  4. 제3항에 있어서, 디―3급―부틸실란의 상기 대역속으로의 유동속도가 약 50sccm내지 약 300sccm이고, 무수 암모니아의 상기 대역 속으로 유동속도가 약 1000sccm 내지 약 3000sccm임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  5. 제1항에 있어서, 질화규소 형태의 막을 형성시키며, 상기의 다른 가스들이 질소와 무수 암모니아의 혼합물임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  6. 제5항에 있어서, 플라즈마를 13.56MHz의 주파수 및 약 10내지 약 100Watt에서 생성시킴을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  7. 제6항에 있어서, 디―3급―부틸실란의 상기 대역속으로의 유동속도가 약 50sccm내지 약 300sccm이고, 질소의 상기 대역 속으로의 유동속도가 약 200sccm내지 약 700sccm이며, 무수 암모니아의 상기 대역 속으로의 유동속도가 약 2sccm내지 약 20sccm임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 대역 온도와 기판온도가 약 125°C내지 약 325°C임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  9. 제1항에 있어서, 이산화규소 형태의 막을 형성시키고, 상기의 다른 가스가 이산화질소 또는 이산화질소와 이산화질소의 혼합물이며, 디―3급―부틸실란의 유동속도가 약 50sccm내지 약 300sccm이고, 이산화질소의 대역속으로의 유동속도가 약 200sccm내지 약 4000sccm이며, 산화질소의 유동속도가 0내지 약 4000sccm임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  10. 제9항에 있어서, 플라즈마를 50KHz 및 약 100내지 약 500Watt에서 생성시킴을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  11. 제9항에 있어서, 플라즈마를 13.56MHz 및 약 10내지 약 100Watt에서 생성시킴을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  12. 제1항에 있어서, 기판을 수지물질 및 필름, 유리물질 및 필름, 금속물질 또는 필름 및 반전도체 층 또는 장치로 이루어진 그룹 중에서 선택함을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 대역 압력이 약 0.2Torr내지 약 4Torr임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  14. 제1항에 있어서, 필름 형성 속도를 약 10내지 약 500A/min로 유지함을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  15. (a) 디-3급-부틸실란 및 이러한 디-3급-부틸실란과 반응하여 질화규소를 형성할 수 있는 적어도 하나의 다른 반응물 가스를 질화규소 형태의 막이 형성될 기판을 포함하는 CVD반응대역에 도입하고; (b) 상기 대역과 기판의 온도를 약 125°C내지 약 325°C로 유지하며; (c) 상기 대역속의 압력을 약 0.2내지 약 4Torr로 유지하고; (d) 굴절율이 약 2.0±0.2인 질화규소 형태의 막을 형성시키기에 충분한 시간 동안, 약 100내지 약 500Watt에서 50KHz의 RF주파수로 또는 약 10내지 약 100Watt에서 13.56MHz의 RF주파수로 여기시킨 플라즈마로 상기 가스 혼합물을 유지시키는 단계를 특징으로 하는, 질화규소 형태의 막을 기판 위에 형성시키는 플라즈마 CVD방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 다른 반응물 가스가 무수암모니아임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  17. 제16항에 있어서, 플라즈마를 50KHz의 주파수에서 생성시키고, 디-3급-부틸실란의 상기 대역 속으로의 유동속도가 약 75sccm내지 약 200sccm이며, 무수 암모니아의 유동속도가 약 1500sccm내지 약 2500sccm임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 대역 온도와 기판온도가 약 200°C내지 약 300°C이고, 대역 압력이 약 1Torr 내지 약 3Torr임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  19. 제18항에 있어서, 기판을 수지물질 또는 필름, 유리물질 또는 필름, 금속물질 또는 필름, 및 반전도체층 또는 장치로 이루어진 그룹 중에서 선택함을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  20. (a) 디-3급-부틸실란 및 이러한 디-3급-부틸실란과 반응하여 이산화규소를 형성할 수 있는 적어도 하나의 다른 반응물 가스를 이산화규소 형태의 막이 형성될 기판을 포함하는 CVD반응대역에 도입하고; (b) 상기 대역과 기판의 온도를 약 125°C내지 약 325°C로 유지하며; (c) 상기 대역 속의 압력을 약 0.2내지 약 4Torr로 유지하고; (d) 굴절율이 약 1.46±0.2인 이산화규소 형태의 막을 형성시키기에 충분환 시간 동안, 약 100내지 약 500Watt의 전력에서 50KHz의 RF주파수로 또는 약 10내지 약 100Watt의 전력에서 13.56MHz의 RF주파수로 여기시킨 플라즈마로 상기 가스 혼합물을 여기시키면서, 상기 기판과 접촉하도록 가스들을 통과시키는 단계를 특징으로 하는, 이산화규소 형태의 막을 기판위에 형성기키는 플라즈마 CVD방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 다른 반응물가스가 아산화질소 또는 아산화질소와 산화질소의 혼합물임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  22. 제22항에 있어서, 디-3급-부틸실란의 상기 대역속으로의 유동속도가 약 75sccm내지 약200sccm이고, 아산화질소의 유동속도가 약 300sccm내지 약 3000sccm이며, 산화질소의 유동속도가 0내지 약 2000sccm임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 대역 온도가 약 200°C내지 약 300°C임을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
  24. 제23항에 있어서, 기판을 수지제품 또는 필름, 유리물질 또는 필름, 금속물질 또는 필름 및 반전도체 층 또는 장치로 이루어진 그룹 중에서 선택함을 특징으로 하는 플라즈마 CVD방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890702098A 1988-05-31 1989-05-22 질화규소와 이산화규소 막을 기판위에 플라즈마 증착시키는 방법 KR900701035A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US?200,202? 1988-05-31
US07/200,202 US4877641A (en) 1988-05-31 1988-05-31 Process for plasma depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate
PCT/US1989/002227 WO1989012507A1 (en) 1988-05-31 1989-05-22 Process for plasma depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900701035A true KR900701035A (ko) 1990-08-17

Family

ID=22740733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890702098A KR900701035A (ko) 1988-05-31 1989-05-22 질화규소와 이산화규소 막을 기판위에 플라즈마 증착시키는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4877641A (ko)
EP (1) EP0417170B1 (ko)
JP (1) JPH03504617A (ko)
KR (1) KR900701035A (ko)
AU (1) AU3745689A (ko)
WO (1) WO1989012507A1 (ko)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ZA884511B (en) * 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
US5316639A (en) * 1989-06-05 1994-05-31 Sachiko Okazaki Dielectric material used for an ozone generator and a method of forming a film to the dielectric material
JPH0740569B2 (ja) * 1990-02-27 1995-05-01 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション Ｅｃｒプラズマ堆積方法
JP2814009B2 (ja) * 1990-06-05 1998-10-22 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5053255A (en) * 1990-07-13 1991-10-01 Olin Corporation Chemical vapor deposition (CVD) process for the thermally depositing silicon carbide films onto a substrate
US5061514A (en) * 1990-07-13 1991-10-29 Olin Corporation Chemical vapor deposition (CVD) process for plasma depositing silicon carbide films onto a substrate
US5120680A (en) * 1990-07-19 1992-06-09 At&T Bell Laboratories Method for depositing dielectric layers
EP0469791A1 (en) * 1990-08-02 1992-02-05 AT&T Corp. Soluble oxides for integrated circuits
JPH04332115A (ja) * 1991-05-02 1992-11-19 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜
JP3670277B2 (ja) 1991-05-17 2005-07-13 ラム リサーチ コーポレーション 低い固有応力および／または低い水素含有率をもつＳｉＯ▲Ｘ▼フィルムの堆積法
US5525550A (en) * 1991-05-21 1996-06-11 Fujitsu Limited Process for forming thin films by plasma CVD for use in the production of semiconductor devices
US5204138A (en) * 1991-12-24 1993-04-20 International Business Machines Corporation Plasma enhanced CVD process for fluorinated silicon nitride films
DE4202652C2 (de) * 1992-01-30 1996-03-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Aufbringen einer UV- und/oder elektronenstrahlempfindlichen Lackschicht
US5286344A (en) * 1992-06-15 1994-02-15 Micron Technology, Inc. Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride
US5880036A (en) 1992-06-15 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for enhancing oxide to nitride selectivity through the use of independent heat control
DE4232390A1 (de) * 1992-09-26 1994-03-31 Roehm Gmbh Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung
JP2875945B2 (ja) * 1993-01-28 1999-03-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｃｖｄにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法
US5344792A (en) * 1993-03-04 1994-09-06 Micron Technology, Inc. Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2
US5305344A (en) * 1993-04-29 1994-04-19 Opto Power Corporation Laser diode array
US5382550A (en) * 1993-08-05 1995-01-17 Micron Semiconductor, Inc. Method of depositing SiO2 on a semiconductor substrate
JP2899600B2 (ja) * 1994-01-25 1999-06-02 キヤノン販売 株式会社 成膜方法
US5736423A (en) * 1995-11-16 1998-04-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method for depositing very thin PECVD SiO2 in 0.5 micron and 0.35 micron technologies
US6127261A (en) * 1995-11-16 2000-10-03 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating an integrated circuit including a tri-layer pre-metal interlayer dielectric compatible with advanced CMOS technologies
US5968324A (en) * 1995-12-05 1999-10-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing antireflective coating
EP0865663A1 (de) * 1995-12-08 1998-09-23 Balzers Aktiengesellschaft Hf-plasmabehandlungskammer bzw. pecvd-beschichtungskammer, deren verwendungen und verfahren zur beschichtung von speicherplatten
KR100267418B1 (ko) * 1995-12-28 2000-10-16 엔도 마코토 플라스마처리방법및플라스마처리장치
US5976993A (en) 1996-03-28 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Method for reducing the intrinsic stress of high density plasma films
US5898211A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode package with heat sink
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
AU3145197A (en) 1996-06-28 1998-01-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition
US6127262A (en) 1996-06-28 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing an etch stop layer
US6083569A (en) * 1996-10-25 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Discharging a wafer after a plasma process for dielectric deposition
US6562544B1 (en) 1996-11-04 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving accuracy in photolithographic processing of substrates
US6184158B1 (en) 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
TW344859B (en) * 1997-09-23 1998-11-11 United Microelectronics Corp Method for increasing the etching rate of silicon-oxy-nitride
US5913108A (en) 1998-04-30 1999-06-15 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6417041B1 (en) * 1999-03-26 2002-07-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating high permitivity dielectric stacks having low buffer oxide
US6636538B1 (en) * 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6368988B1 (en) * 1999-07-16 2002-04-09 Micron Technology, Inc. Combined gate cap or digit line and spacer deposition using HDP
US6509217B1 (en) 1999-10-22 2003-01-21 Damoder Reddy Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same
US6700913B2 (en) 2001-05-29 2004-03-02 Northrop Grumman Corporation Low cost high integrity diode laser array
EP2249413A3 (en) * 2002-04-01 2011-02-02 Konica Corporation Support and organic electroluminescence element comprising the support
US6777308B2 (en) * 2002-05-17 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Method of improving HDP fill process
JP2004193585A (ja) * 2002-11-29 2004-07-08 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法と半導体装置
JP2006024670A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP4961111B2 (ja) * 2005-02-28 2012-06-27 富士フイルム株式会社 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法
US7305016B2 (en) * 2005-03-10 2007-12-04 Northrop Grumman Corporation Laser diode package with an internal fluid cooling channel
KR20070102764A (ko) * 2006-04-17 2007-10-22 주식회사 엘지화학 Ｐｅｃｖｄ 법에 기반한 다층 박막 구조의 제조방법
US7656915B2 (en) * 2006-07-26 2010-02-02 Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction
US20080056314A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Northrop Grumman Corporation High-power laser-diode package system
JP2009138210A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Sony Corp 成膜装置および成膜方法ならびに発光装置の製造方法
KR100962044B1 (ko) * 2007-12-06 2010-06-08 성균관대학교산학협력단 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법
US7724791B2 (en) * 2008-01-18 2010-05-25 Northrop Grumman Systems Corporation Method of manufacturing laser diode packages and arrays
JP2009263731A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Fujifilm Corp 成膜方法及び装置
US8345720B2 (en) 2009-07-28 2013-01-01 Northrop Grumman Systems Corp. Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance
US9590388B2 (en) 2011-01-11 2017-03-07 Northrop Grumman Systems Corp. Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system
US8586487B2 (en) * 2012-01-18 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films
US8937976B2 (en) 2012-08-15 2015-01-20 Northrop Grumman Systems Corp. Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier
US10047614B2 (en) 2014-10-09 2018-08-14 Rolls-Royce Corporation Coating system including alternating layers of amorphous silica and amorphous silicon nitride
US10280770B2 (en) 2014-10-09 2019-05-07 Rolls-Royce Corporation Coating system including oxide nanoparticles in oxide matrix
US9748093B2 (en) 2015-03-18 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Pulsed nitride encapsulation
US9646818B2 (en) 2015-03-23 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Method of forming planar carbon layer by applying plasma power to a combination of hydrocarbon precursor and hydrogen-containing precursor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3540926A (en) * 1968-10-09 1970-11-17 Gen Electric Nitride insulating films deposited by reactive evaporation
US4279947A (en) * 1975-11-25 1981-07-21 Motorola, Inc. Deposition of silicon nitride
US4142004A (en) * 1976-01-22 1979-02-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of coating semiconductor substrates
US4158717A (en) * 1977-02-14 1979-06-19 Varian Associates, Inc. Silicon nitride film and method of deposition
US4500483A (en) * 1982-03-19 1985-02-19 United Technologies Corporation Manufacture of hollow CVD silicon nitride articles
US4681653A (en) * 1984-06-01 1987-07-21 Texas Instruments Incorporated Planarized dielectric deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition
US4702936A (en) * 1984-09-20 1987-10-27 Applied Materials Japan, Inc. Gas-phase growth process
JPS61117841A (ja) * 1984-11-14 1986-06-05 Hitachi Ltd シリコン窒化膜の形成方法
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
US4696834A (en) * 1986-02-28 1987-09-29 Dow Corning Corporation Silicon-containing coatings and a method for their preparation
US4720395A (en) * 1986-08-25 1988-01-19 Anicon, Inc. Low temperature silicon nitride CVD process

Also Published As

Publication number Publication date
EP0417170B1 (en) 1993-01-07
WO1989012507A1 (en) 1989-12-28
EP0417170A4 (en) 1991-06-26
US4877641A (en) 1989-10-31
EP0417170A1 (en) 1991-03-20
AU3745689A (en) 1990-01-12
JPH03504617A (ja) 1991-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900701035A (ko) 질화규소와 이산화규소 막을 기판위에 플라즈마 증착시키는 방법
Schmidt-Szalowski et al. Thin films deposition from hexamethyldisiloxane and hexamethyldisilazane under dielectric-barrier discharge (DBD) conditions
US5204141A (en) Deposition of silicon dioxide films at temperatures as low as 100 degree c. by lpcvd using organodisilane sources
KR100443085B1 (ko) 헥사 클로로 디실란 및 암모니아를 사용한 원자층의적층을 이용하여 실리콘을 함유하는 박막을 형성하는 방법
US7064088B2 (en) Method for forming low-k hard film
WO2002043119A3 (en) An ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device, a method for fabricating the same, and an electronic device containing the same
Denisse et al. Plasma‐enhanced growth and composition of silicon oxynitride films
US4900591A (en) Method for the deposition of high quality silicon dioxide at low temperature
US8343594B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
EP0964441A3 (en) Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino)silane
JPH09186153A (ja) 無定形ＳｉＮＣ被膜を蒸着する方法
KR960032641A (ko) 반도체장치 및 절연막의 형성방법
US5250473A (en) Method of providing silicon dioxide layer on a substrate by means of chemical reaction from the vapor phase at a low pressure (LPCVD)
ZA955235B (en) Membrane pore size reduction and sealing of membrane defects by interfacial chemical vapor deposition with ozone and another gas phase reactant
WO1990005994A1 (en) Dry-etching method
Tanskanen et al. Tailoring of Optoelectronic Properties of ϵ‐Fe2O3 Thin Films Through Insertion of Organic Interlayers
Seth et al. Fluorohydrogenated amorphous carbon (aC: H, F) films prepared by the rf plasma decomposition of 1, 3-butadiene and carbon tetrafluoride
WO2004044898A3 (en) Nitridation of high-k dielectrics
Hähnel et al. Diagnostics of SiOx‐Containing Layers Deposited on Powder Particles by Dielectric Barrier Discharge
Smirnova et al. Boron nitride films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapour deposition from borazine (B3N3H6)
ATE307914T1 (de) Cvd-abscheidung von hf und zr enthaltenden oxinitride filmen
ES2006119A6 (es) Procedimiento de obtencion de nitruro de silicio.
JP4546675B2 (ja) 多段型の放電プラズマ処理方法及び装置
US11935759B2 (en) High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition
KR970063761A (ko) 피막 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee