KR20110084517A - Ｃｖｄ 전구체 - Google Patents

Ｃｖｄ 전구체 Download PDF

Info

Publication number
KR20110084517A
KR20110084517A KR20117011237A KR20117011237A KR20110084517A KR 20110084517 A KR20110084517 A KR 20110084517A KR 20117011237 A KR20117011237 A KR 20117011237A KR 20117011237 A KR20117011237 A KR 20117011237A KR 20110084517 A KR20110084517 A KR 20110084517A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
feed gas
bisaminosilacyclobutane
nitrogen
film
silicon
Prior art date
Application number
KR20117011237A
Other languages
English (en)
Inventor
시아오빙 초우
Original Assignee
다우 코닝 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다우 코닝 코포레이션 filed Critical 다우 코닝 코포레이션
Publication of KR20110084517A publication Critical patent/KR20110084517A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3148—Silicon Carbide layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31633—Deposition of carbon doped silicon oxide, e.g. SiOC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

비스아미노실라시클로부탄, 및 질소 공급 가스, 산소 공급 가스 및 이들의 혼합물로부터 선택된 공급 가스를 포함하는 반응성 가스 혼합물의 열 중합에 의해 규소 함유 박막을 생성시키는 방법이 기술된다. 증착된 막은, 질화규소, 실리콘 카보니트라이드, 이산화규소 또는 탄소 도핑된 이산화규소일 수 있다. 이들 막은 반도체 장치에서 유전체, 패시베이션 코팅, 배리어 코팅, 스페이서, 라이너 및/또는 스트레서(stressor)로 유용하다.

Description

ＣＶＤ 전구체{CVD PRECURSORS}
이산화규소 및 탄소 도핑된 산화규소의 박막은 반도체 장치의 제조에서 사용되는 일반적인 유전체이다. 저온에서 이들 물질의 박막을 증착시키는 것은 전형적으로 플라즈마 증강된 화학적 기상 증착(PECVD) 공정을 이용하여 실시된다. 그러나, 트랜지스터에 대한 잠재적인 플라즈마 손상에 대한 우려 때문에, 몇몇의 환경에서는 저온 공정이 선호된다.
열 질화규소 또는 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride)는 반도체 장치에서 유전체, 패시베이션 코팅(passivation coating), 배리어 코팅, 스페이서, 라이너 또는 스트레서(stressor)로 사용되어 왔다. 장치 내에서 감열성(heat sensitive) 성분 및 한정된 열적 비용에 의해 제한되기 때문에, 반도체 제작 산업은 감소되는 온도에서 상기한 막을 증착시킬 수 있는 새로운 전구체를 모색하고 있다. 막 증착 온도는 덩어리 생성이 시작되는 경우에 22nm 테크 노드(tech node)에서 400 내지 450℃만큼 낮을 수 있을 것으로 예측된다. 막을 그러한 낮은 온도에서 증착시킬 수 있기 위해서, 전구체는 대략 200℃에서 분해되어야 하면서도, 상기 전구체는 여전히 저장 안정성에 대한 요건을 충족해야 한다. 아마도 지금까지는 그러한 낮은 열 분해 온도 및 양호한 저장성을 갖는 것으로 입증된 유일한 실란 전구체는 에어 프로덕츠(Air Products) 사에 의해 개발된 히드라지노실란이다. 비스(1,1-디메틸히드라지노)에틸실란, HEtSi(NH-NMe2)2가 암모니아 중 370℃에서 15Å/min의 막 성장율을 제공하는 것으로 개시되었다. 약한 N-N 결합을 함유하는 1,1-디메틸히드라지노 리간드는 규소 표면 상에서 200℃ 미만에서 분해되는 것으로 알려져 있다. 그러나, 히드라지노실란으로부터 증착된 실리콘 카보니트라이드 막은 저밀도의 문제점을 지니고 있었다.
비스아미노실라시클로부탄이 규소 함유 막의 저온 증착에 대한 새로운 부류의 전구체로 제안되고 있다. 이들 분자는 저온에서 분해될 수 있는 팽팽한(strained) 4원의 실라시클로부탄 고리를 갖는다. 그러나, 비스아미노실라시클로부탄이 히드라지노실란과는 다른 메커니즘을 통해 분해되기 때문에, 비스아미노실라시클로부탄은 우수한 박막 특성을 제공할 것으로 예측된다. 비스아미노실라시클로부탄은 99+% 순도에서 제조되었고, 200 내지 250℃에서 분해되는 것으로 확인되었다.
본 발명은 비스아미노실라시클로부탄, 및 질소 공급 가스, 산소 공급 가스 및 이의 혼합물로부터 선택된 공급 가스를 포함하는 반응성 가스 혼합물의 열 중합에 의해 규소 함유 박막을 생성시키는 방법에 관한 것이다. 증착된 막은 질화규소, 실리콘 카보니트라이드, 이산화규소 또는 탄소 도핑된 이산화규소일 수 있다. 이들 막은 반도체 장치에서 유전체, 패시베이션 코팅, 배리어 코팅, 스페이서, 라이너 및/또는 스트레서로 유용하다.
도 1은 비스(t-부틸아미노)실라시클로부탄(BTBSCB)을 사용하여 저압 CVD 반응기에서 실리콘 카보니트라이드 막을 증착시키는 공정을 도시한다.
본 발명은 기판 상에서 규소 함유 막을 생성시키는 방법으로서, 상기 막이 질화규소, 실리콘 카보니트라이드, 이산화규소 또는 탄소 도핑된 이산화규소일 수 있는 막 생성 방법에 관한 것이다. 전형적인 기판에는 이들로 제한되지는 않지만, 반도체 기판, 액정 장치, 발광 다이오드 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치가 포함된다. "반도체 기판"은 이들로 제한되는 것은 아니지만, 초점면 배열, 광-전자 장치, 태양광 전지, 광학 장치, 트랜지스터 유사 장치, 3-D 장치, 규소-온-절연체(silicon-on-insulator), 초 격자(super lattice) 장치 등을 포함하는 반도체 부품의 제작에 사용하도록 의도된 비화갈륨 기재 장치, 및 규소 기재 장치를 포함함을 의미한다. 상기 반도체 기판은 하나 이상의 배선 층을 포함할 수 있다. 상기 반도체 기판은 또한 임의의 배선 층이 형성되기 전의 그러한 기판일 수 있다.
본원에서 유용한 비스아미노실라시클로부탄은 하기 화학식으로 표시되는 화합물 및 이들의 혼합물로부터 선택된다:
Figure pct00001
Figure pct00002

상기 식에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 독립적으로 수소, 또는 1 내지 6개의 탄소를 갖는 1가 탄화수소(선형, 분지형 또는 고리형; 포화 또는 불포화된) 기로부터 선택되며, m, n은 0 내지 10의 값을 갖는다. 각각의 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 2차-부틸, 3차-부틸, 시클로헥실, 시클로프로필, 페닐, 비닐, 헥세닐 등으로 예시될 수 있으나, 이들로 제한되지 않는다.
본원에서 유용한 비스아미노실라시클로부탄은 하기 화학식으로 표시되는 화합물로 예시될 수 있다:
Figure pct00003
Figure pct00004

막을 생성시키는데 사용된 반응성 가스 혼합물은 또한 질소 공급 가스, 산소 공급 가스, 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 공급 가스를 조절된 양으로 포함할 수 있다. 공급 가스의 양은 사용된 가스 유형, 또는 막 증착 공정의 조건에 의해 조절될 수 있다.
질소 공급 가스에는 이들로 제한되지 않으나 질소 N2, 암모니아 NH3, 히드라진 N2H4, 히드라조산(hydrazoic acid) NH3, 및 이들의 혼합물이 포함된다. 상기 질소 공급 가스로 전형적인 것은 암모니아지만, 히드라진 및 히드라조산이 저온 증착을 위해 사용될 수 있다. 질소 공급 가스의 양은 전형적으로 비스아미노실라시클로부탄의 용량부(volume part)당 0.1 내지 50 용량부의 질소 공급 가스, 다르게는 비스아미노실라시클로부탄 용량부 당 0.2 내지 7 용량부의 질소 공급 가스이다. 당업자는 질소 공급 가스의 유형 및 증착 조건을 기초로 질소 공급 가스의 양을 용이하게 측정할 수 있을 것이다.
산소 공급 가스에는 이들로 제한되지 않지만 산소, 공기, 일산화질소, 산화질소, 일산화탄소, 과산화물, 이산화황 및 이들의 혼합물이 포함된다. 산소 공급 가스의 양은 전형적으로 비스아미노실라시클로부탄의 용량부 당 0.1 내지 50 용량부의 산소 공급 가스, 다르게는 비스아미노실라시클로부탄 용량부 당 0.2 내지 7 용량부의 산소 공급 가스이다. 당업자는 산소 공급 가스의 유형 및 증착 조건을 기초로 산소 공급 가스의 양을 용이하게 측정할 수 있을 것이다.
다른 물질들이 반응성 가스 혼합물 중에 존재할 수 있다. 예를 들어, 캐리어 가스, 예컨대 헬륨, 질소, 또는 아르곤, 도펀트(dopant), 예컨대 포스핀 또는 디보란, 할로겐, 예컨대 불소, 할로겐 함유 가스, 예컨대 SiF4, CF4, C3F6 및 C4F8, 또는 막에 부가적인 바람직한 특성을 제공하는 임의의 다른 물질이 존재할 수 있다.
상기 반응성 가스 혼합물이 기판, 바람직하게는 반도체 기판을 포함하는 증착 챔버 내로 도입되는데, 여기서 비스아미노실라시클로부탄의 중합이 이루어져서 기판 상에 막이 증착되게 된다. 열 화학적 기상 증착, 예컨대 저압 화학적 기상 증착(LPCVD) 또는 원자층 증착(ALD)이, 사용될 수 있는 저온 및 산업에서의 광범위한 용도 때문에 바람직하다. 플라즈마 보조된 CVD가 또한, 산소 공급 가스를 사용하거나 사용하지 않고 비스아미노실라시클로부탄으로부터 이산화규소 또는 탄소 도핑된 산화규소 막을 증착시키는데, 또는 질소 공급 가스를 사용하거나 사용하지 않고 비스아미노실라시클로부탄으로부터 질화규소 또는 실리콘 카보니트라이드 막을 증착시키는데 사용될 수 있다.
PECVD에서, 가스 혼합물은 플라즈마 장을 통과함으로써 반응한다. 이 공정에 사용된 플라즈마는 다양한 공급원, 예컨대 전기적 방전, 라디오 주파수 또는 극초단파 범위에서의 전자기장, 레이저 또는 입자 빔으로부터 유래한 에너지를 포함한다. 플라즈마 증착 공정에서는 중간 전력 밀도(0.1 내지 5 watt/㎠)에서의 극초단파(1.0 내지 10 GHz) 에너지, 또는 라디오 주파수(10 kHz 내지 102 MHz)를 사용하는 것이 일반적으로 바람직하다. 그러나 특정 주파수, 전력 및 압력이 일반적으로 장치에 대해 조정된다. 바람직하게는 상기 막은 20 내지 1000W의 전력; 0.13 내지 1333Pa의 압력; 및 25 내지 500℃의 온도에서 PECVD를 사용하여 증착된다. 종종 고밀도 플라즈마로도 칭해지는 한정된, 저압(0.13 내지 0.65 Pa) 극초단파 주파수 플라즈마는 CVD 성장 동안에 다양한 표면 지형의 평탄화를 돕는 공정에서 RF 주파수 여기와 조합될 수 있다.
본원에서 증착될 수 있는 막의 한 유형은 실리콘 카보니트라이드 막이다. 이들 막은 전형적으로 화학식 SiwCxHyNz로 표시되고, 여기서 C:Si의 비는 약 0:1 내지 약 10:1의 범위 내일 수 있고, N:Si의 비는 약 0:1 내지 약 1.5:1의 범위 내일 수 있으며, 잔여량은 수소이다. 실리콘 카보니트라이드 막을 증착시키기 위해서, 공동-반응물은 질소 공급 가스이다. 막이 비스아미노실라시클로부탄 및 질소 공급 가스로부터 증착되는 경우에, 아미노 기는 트랜스아미노화를 통해 질소 공급 가스로 대체되고, 상기 실라시클로부탄 기는 분해되어 유기 가스 종을 방출시키는 것으로 이론화되어 있다. 따라서, 막 중의 C:Si의 비는 전구체 중의 C:Si의 비와는 매우 다를 것으로 예상된다. 질소 공급 가스에 대한 비스아미노실라시클로부탄의 양은 100중량부의 질소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내, 다르게는 10중량부의 질소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내이다.
본원에서 증착될 수 있는 다른 유형의 막은 질화규소 막이다. 이들 막은 전형적으로 화학식 SibHcNd로 표시될 수 있고, 여기서 H:Si의 비는 약 0:1 내지 약 5:1의 범위 내일 수 있고, N:Si의 비는 약 0:1 내지 약 1.5:1의 범위 내일 수 있다. 이러한 막은 전형적으로 공동-반응물로서 질소 공급 가스를 사용하여 증착된다. 질소 공급 가스에 대한 비스아미노실라시클로부탄의 양은 100중량부의 질소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내, 다르게는 10중량부의 질소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내이다.
본원에서 증착될 수 있는 다른 유형의 막은 산화규소 막이다. 이들 막은 전형적으로 화학식 SiOx로 표시될 수 있고, 여기서 x는 0 내지 3이다. 이러한 막은 전형적으로 공동-반응물로서 산소 공급 가스를 사용하여 증착된다. 산소 공급 가스에 대한 비스아미노실라시클로부탄의 양은 100중량부의 산소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내이고, 다르게는 10중량부의 산소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내이다.
본원에서 증착될 수 있는 제 4 유형의 막은 탄소 도핑된 이산화규소 막이다. 이들 막은 전형적으로 화학식 SieCfOgHh로 표시될 수 있고, 여기서 e는 10 내지 33, 다르게는 18 내지 20 원자%의 값이고, f는 1 내지 66, 다르게는 18 내지 21 원자%의 값이고, g는 1 내지 66, 다르게는 31 내지 38 원자%이고, h는 0.1 내지 60, 다르게는 25 내지 32 원자%이고; e + f + g + h = 100 원자%이다. 이들 막은 전형적으로 공동-반응물로 산소 공급 가스를 사용하여 증착된다. 산소 공급 가스에 대한 비스아미노실라시클로부탄의 양은 100중량부의 산소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내이고, 다르게는 10중량부의 산소 공급 가스에 대해 1중량부의 비스아미노실라시클로부탄의 범위 내이다.
본원에서 증착된 막은 변화되는 두께를 지닐 수 있다. 0.01 내지 10 ㎛의 두께를 갖는 막이 본 발명의 방법으로 증착될 수 있다. 다르게는, 상기 막은 0.5 내지 3.0 ㎛의 두께를 갖는다.
본원에서 증착된 막은 이들로 제한되지 않지만 게이트 유전체, 금속전(premetal) 및 금속간 유전체, 및 패시베이션 코팅을 포함하는, 반도체 집적 회로 제작에서의 유전체 또는 배리어 금속 코팅으로서 특히 적합하다.
도 1은 비스아미노실라시클로부탄으로부터 질화규소 또는 실리콘 카보니트라이드 박막을 증착하는 전형적인 공정을 도시하고 있다. 이 공정에서, 웨이퍼 기판이 저압 CVD(LPCVD) 반응기 내로 로딩되고, LPCVD 반응기는 목표 온도로 가열되어 10-4 torr 아래로 배기된다. 암모니아 가스는 희석용 질소 가스와 혼합되고, 혼합된 NH3-N2 가스가 그 후 LPCVD 반응기 내로 계량된다. 질소 캐리어 가스는 액체 BTBSCB를 함유하는 샘플 실린더를 통해 유동한다. 질소 중에 운반된 BTBSCB의 증기는 LPCVD 반응기 내로 계량된다. 막이 증착된 후에, LPCVD 반응기는 냉각되고 대기압의 압력까지 질소로 다시 채워진다. 종국적으로 코팅된 웨이퍼가 LPCVD 반응기로부터 제거된다.
하기 실시예는 본 발명의 구체예를 설명하기 위해 포함된 것이다. 당업자는, 하기 실시예에 개시된 기술이 본 발명의 실시에서 잘 작용하기 위해 발명자에 의해 발견된 기술을 나타냄을 이해해야 한다. 그러나, 당업자는 본원의 개시 내용의 견지에서 많은 변형이, 개시되고 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않고 계속하여 유사한 결과를 나타내는 특정 구체예에서 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 모든 퍼센트는 중량%로 표시된다.
실시예 1
비스(t-부틸아미노)실라시클로부탄(BTBSCB)을 1,1-디클로로실라시클로부탄과 과량의 t-부틸아민을 반응시켜서 합성하였다(반응식 1). 이렇게 하기 위해서, 19.7 ml(0.166 mol)의 1,1-디클로로실라시클로부탄을 0℃에서 1L 헥산 중의 105 ml(0.999 mol)의 t-부틸아민에 첨가하였다. 실온에서 3일 동안 반응시킨 후에, t-부틸아민 염화물 염이 제거되도록 반응 슬러리를 여과하였다. 여과물을 진공 건조하여 미정제 액체 생성물을 수득하고 이것을 진공 증류시켰다. 16 g의 생성물을 50 torr 압력 하 71℃에서 45% 수율에서 99.2%의 순도로 분리하였다. 1H, 13C 및 29Si NMR, FT-IR 및 GC-MS로 분석된 생성물의 구조는 비스(t-부틸아미노)실라시클로부탄과 일치되었다:
Figure pct00005
(반응식 1)
실시예 2
비스(에틸아미노)실라시클로부탄을 1,1-디클로로실라시클로부탄과 과량의 에틸아민을 반응시켜서 합성하였다(반응식 2). 이렇게 하기 위해서, 20.0 ml(0.169 mol)의 1,1-디클로로실라시클로부탄을 -10℃에서 1L 펜탄 중의 66.2 ml(1.01 mol)의 에틸아민에 첨가하였다. 실온에서 하루 동안 반응시킨 후에, 에틸아민 히드로염화물 염이 제거되도록 반응 슬러리를 여과하였다. 여과물을 진공 건조하여 미정제 액체 생성물을 수득하고 이것을 진공 증류시켰다. 9.8 g의 생성물을 30 torr 압력 하 42℃에서 36% 수율에서 적어도 99%의 순도로 분리하였다. 1H, 13C 및 29Si NMR, FT-IR 및 GC-MS로 분석된 생성물의 구조는 비스(에틸아미노)실라시클로부탄과 일치되었다:
Figure pct00006
(반응식 2)
실시예 3
비스(피롤리디노)실라시클로부탄을 1,1-디클로로실라시클로부탄과 과량의 피롤리딘을 반응시켜서 합성하였다(반응식 3). 이렇게 하기 위해서, 23.7 ml(0.200 mol)의 1,1-디클로로실라시클로부탄을 -10℃에서 1L 헥산 중의 100.0 ml(1.20 mol)의 피롤리딘에 첨가하였다. 실온에서 2일 동안 반응시킨 후에, 피롤리딘 염화물 염이 제거되도록 반응 슬러리를 여과하였다. 여과물을 진공 건조하여 미정제 액체 생성물을 수득하고 이것을 진공 증류시켰다. 15.4 g의 생성물을 1 torr 압력 하 51℃에서 34% 수율에서 99.7%의 순도로 분리하였다. 1H, 13C 및 29Si NMR, FT-IR 및 GC-MS로 분석된 생성물의 구조는 비스(피롤리디노)실라시클로부탄과 일치되었다:
Figure pct00007
(반응식 3)
실시예 4: 비스아미노실라시클로부탄의 열 분해 온도의 측정
실시예 1 내지 3에서 생성된 비스아미노실라시클로부탄을 시차 주사 열량계(DSC)로 분석하였다. 분자의 열 분해는, 발열 곡선이 DSC 스펙트럼 상에서 경사지기 시작하는 온도에서 시작한다. 열 분해 온도는 각각 비스(t-부틸아미노)실라시클로부탄(BTBSCB), 비스(에틸아미노)실라시클로부탄 및 비스(피롤리디노)실라시클로부탄에 대해 200℃, 200℃ 및 250℃인 것으로 측정되었다. 열 처리가 실시된 DSC 샘플을 이들 물질의 분해를 확인하기 위해 GC-MS로 분석하였다. BTBSCB의 분해를 200℃ 및 295℃에서 헤드스페이스(headspace) GC를 사용하여 추가로 확인하였다.

Claims (25)

  1. 비스아미노실라시클로부탄, 및 질소 공급 가스, 산소 공급 가스 및 이들의 혼합물로부터 선택된 공급 가스를 포함하는 반응성 가스 혼합물을 열 중합시키는 것을 포함하여, 기판 상에서 규소 함유 막을 생성시키는 방법.
  2. 제 1항에서, 비스아미노실라시클로부탄이 하기 화학식으로 표시되는 화합물의 군으로부터 선택되는, 방법:
    Figure pct00008

    Figure pct00009

    상기 식에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 독립적으로 수소, 또는 1 내지 6개의 탄소를 갖는 1가 탄화수소 기로부터 선택되며, m, n은 0 내지 10의 값을 갖는다.
  3. 제 2항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄이 비스(t-부틸아미노)실라시클로부탄인, 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄이 비스(에틸아미노)실라시클로부탄인, 방법.
  5. 제 2항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄이 비스(피롤리디노)실라시클로부탄인, 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 공급 가스가 질소 공급 가스인, 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 공급 가스가 질소 N2, 암모니아 NH3, 히드라진 N2H4, 히드라조산(hydrazoic acid) NH3, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 방법.
  8. 제 6항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄의 용량부(volume part) 당 0.1 내지 50 용량부의 질소 공급 가스가 존재하는, 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄의 용량부 당 0.2 내지 7 용량부의 질소 공급 가스가 존재하는, 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 공급 가스가 암모니아인, 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 공급 가스가 산소 공급 가스인, 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 공급 가스가 산소, 공기, 일산화질소, 산화질소, 일산화탄소, 과산화물, 이산화황 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 방법.
  13. 제 11항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄의 용량부 당 0.1 내지 50 용량부의 산소 공급 가스가 존재하는, 방법.
  14. 제 11항에 있어서, 비스아미노실라시클로부탄의 용량부 당 0.2 내지 7 용량부의 산소 공급 가스가 존재하는, 방법.
  15. 제 1항에 있어서, 캐리어 가스, 도펀트(dopant), 할로겐 및 할로겐 함유 가스로부터 선택되는 물질이 또한 존재하는, 방법.
  16. 제 1항에 있어서, 기판이 반도체 기판인, 방법.
  17. 제 1항에 있어서, 열 중합이 저압 화학적 기상 증착에 의해 실시되는, 방법.
  18. 제 1항에 있어서, 열 중합이 원자층 증착에 의해 실시되는, 방법.
  19. 제 1항에 있어서, 증착된 막이 실리콘 카보니트라이드(silicon carbonitride) 막인, 방법.
  20. 제 1항에 있어서, 증착된 막이 질화규소 막인, 방법.
  21. 제 1항에 있어서, 증착된 막이 산화규소 막인, 방법.
  22. 제 1항에 있어서, 증착된 막이 탄소 도핑된 이산화규소 막인, 방법.
  23. 제 1항에 있어서, 증착된 막이 0.01 내지 10 ㎛의 두께를 갖는, 방법.
  24. 비스(에틸아미노)실라시클로부탄을 포함하는 조성물.
  25. 비스(피롤리디노)실라시클로부탄을 포함하는 조성물.
KR20117011237A 2008-10-20 2009-08-11 Ｃｖｄ 전구체 KR20110084517A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10670608P 2008-10-20 2008-10-20
US61/106,706 2008-10-20

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167005023A Division KR101639432B1 (ko) 2008-10-20 2009-08-11 Ｃｖｄ 전구체

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110084517A true KR20110084517A (ko) 2011-07-25

Family

ID=42119599

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20117011237A KR20110084517A (ko) 2008-10-20 2009-08-11 Ｃｖｄ 전구체
KR1020167005023A KR101639432B1 (ko) 2008-10-20 2009-08-11 Ｃｖｄ 전구체

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167005023A KR101639432B1 (ko) 2008-10-20 2009-08-11 Ｃｖｄ 전구체

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8772524B2 (ko)
EP (1) EP2373830B1 (ko)
JP (2) JP5491512B2 (ko)
KR (2) KR20110084517A (ko)
CN (2) CN102187011B (ko)
TW (1) TWI468542B (ko)
WO (1) WO2010047869A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3929326A3 (en) * 2011-06-03 2022-03-16 Versum Materials US, LLC Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films
WO2016126911A2 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films
US9777025B2 (en) * 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
KR102458923B1 (ko) 2016-02-01 2022-10-25 삼성전자주식회사 집적회로 소자 및 그 제조 방법
US10049882B1 (en) 2017-01-25 2018-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device including forming a dielectric layer on a structure having a height difference using ALD
EP3844318A4 (en) * 2018-10-03 2022-06-01 Versum Materials US, LLC METHODS FOR MAKING FILMS CONTAINING SILICON AND NITROGEN
US11492364B2 (en) 2020-03-31 2022-11-08 Entegris, Inc. Silicon hydrazido precursor compounds
US11447865B2 (en) * 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1268400A (en) * 1969-11-17 1972-03-29 Midland Silicones Ltd Organosilicon compounds
US5049611A (en) * 1989-10-16 1991-09-17 Dow Corning Corporation Silacyclobutane functional polymers and their production
US5001187A (en) * 1989-10-16 1991-03-19 Dow Corning Corporation Emulsions of silicone elastomer
JPH06298938A (ja) 1993-04-12 1994-10-25 Mitsubishi Rayon Co Ltd 熱硬化性重合体及びその製造方法
US6180552B1 (en) * 1999-04-07 2001-01-30 Equistar Chemicals, L.P. Transition metal complexes containing neutral, multidentate azacyclic ligands
US6649540B2 (en) * 2000-11-09 2003-11-18 The Boc Group, Inc. Organosilane CVD precursors and their use for making organosilane polymer low-k dielectric film
US7074489B2 (en) * 2001-05-23 2006-07-11 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
US6716770B2 (en) * 2001-05-23 2004-04-06 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
WO2003005438A2 (en) * 2001-07-02 2003-01-16 Dow Corning Corporation Improved metal barrier behavior by sic:h deposition on porous materials
US7446217B2 (en) * 2002-11-14 2008-11-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films
US7531679B2 (en) * 2002-11-14 2009-05-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
US7122222B2 (en) 2003-01-23 2006-10-17 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof
JP5235673B2 (ja) 2006-10-27 2013-07-10 東邦チタニウム株式会社 エチレン・プロピレンブロック共重合体の製造方法
US20080124946A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films
JP5394747B2 (ja) 2006-11-29 2014-01-22 東邦チタニウム株式会社 オレフィン類重合用触媒成分および触媒並びにこれを用いたオレフィン類重合体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110195582A1 (en) 2011-08-11
TWI468542B (zh) 2015-01-11
JP5816235B2 (ja) 2015-11-18
EP2373830A4 (en) 2013-05-29
EP2373830A1 (en) 2011-10-12
JP2012506147A (ja) 2012-03-08
KR20160029862A (ko) 2016-03-15
JP5491512B2 (ja) 2014-05-14
CN103467506A (zh) 2013-12-25
CN103467506B (zh) 2016-03-23
US8772524B2 (en) 2014-07-08
CN102187011B (zh) 2014-04-09
US9117664B2 (en) 2015-08-25
WO2010047869A1 (en) 2010-04-29
TW201016878A (en) 2010-05-01
EP2373830B1 (en) 2014-04-30
US20140256159A1 (en) 2014-09-11
JP2014017502A (ja) 2014-01-30
KR101639432B1 (ko) 2016-07-13
CN102187011A (zh) 2011-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102478568B1 (ko) 질화규소 막을 증착시키는 방법
JP5816235B2 (ja) Ｃｖｄ前駆体
KR102251774B1 (ko) 콘포말한 금속 또는 메탈로이드 실리콘 니트라이드 막을 증착시키는 방법 및 얻어진 막
CN106367730B (zh) 用于沉积第13族金属或类金属氮化物膜的方法
TWI386414B (zh) 包含碳氮化矽及氧碳氮化矽薄膜之含矽薄膜之低溫化學氣相沉積用組成物及方法
TWI623543B (zh) 含硼化合物、組合物及含硼膜的沉積方法
US10290493B2 (en) Method for manufacturing silicon-containing thin film
JP2022070966A (ja) シクロペンタジエニル配位子を含む金属錯体
KR102308644B1 (ko) 실리콘 전구체 화합물, 제조 방법, 및 이를 이용하는 실리콘-함유 막 형성 방법
KR102138707B1 (ko) 희토류 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
US20220396592A1 (en) Silicon precursor compound, composition for forming silicon-containing film including the same, and method of forming silicon-containing film
TWI746554B (zh) 胺基氯氫二矽烷
WO2004092441A2 (en) Methods for producing silicon nitride films by vapor-phase growth
TW202311273A (zh) 矽前驅物
KR20240110961A (ko) 다층 질화규소 필름

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101003660; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160622

Effective date: 20180702

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018201007361; APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018201007361; JUDGMENT (PATENT COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180903

Effective date: 20180910

J122 Written withdrawal of action (patent court)