JPH034501A - 厚膜抵抗体形成用組成物 - Google Patents
厚膜抵抗体形成用組成物Info
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- JPH034501A JPH034501A JP1139978A JP13997889A JPH034501A JP H034501 A JPH034501 A JP H034501A JP 1139978 A JP1139978 A JP 1139978A JP 13997889 A JP13997889 A JP 13997889A JP H034501 A JPH034501 A JP H034501A
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Landscapes
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック基体上に厚膜抵抗体を形成するため
の厚膜抵抗体形成用組成物に関する。
の厚膜抵抗体形成用組成物に関する。
軟化点４００〜７００σのガラスフリットに所要の抵抗
値になるように導電性粉末を混合し、これを有機ビヒク
ルに分散したペーストを、アルミナ等のセラミック基体
上にスクリーン印刷法や転写法により所要形状に塗布し
、６００〜９００σで焼成して、基体上に電子回路部品
としての厚膜抵抗体を形成することが行なわれている。
値になるように導電性粉末を混合し、これを有機ビヒク
ルに分散したペーストを、アルミナ等のセラミック基体
上にスクリーン印刷法や転写法により所要形状に塗布し
、６００〜９００σで焼成して、基体上に電子回路部品
としての厚膜抵抗体を形成することが行なわれている。
この導電、粉末としてＲｕＯや工ｒＯ２を使用すること
により抵抗値の安定性を改善したり、ＭｎやＣｕの酸化
物を添加することによって抵抗温度係数（ＴＯＲ）を小
さくすることは公知である。又、ＲｕＯと鉛系ガラスを
用い、これにＮｂ酸化物を添加することによって、更に
ＴＣＲを小さくすることも提案されている。
により抵抗値の安定性を改善したり、ＭｎやＣｕの酸化
物を添加することによって抵抗温度係数（ＴＯＲ）を小
さくすることは公知である。又、ＲｕＯと鉛系ガラスを
用い、これにＮｂ酸化物を添加することによって、更に
ＴＣＲを小さくすることも提案されている。
本発明は従来よりもＴＯＨの小さい主として低抵抗値を
有する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを課題と
する。
有する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを課題と
する。
本発明は、Ｐｂ０３０〜６０重量％、５ｉＯ３９〜３７
重量％を含有する組成のガラス粉末１０〜６５重量部、
ＲｕＯ粉末１０〜４０重量部、有機ビヒクル２０２ 〜４０重量部、Ｔｉ化合物粉末をＴｉとして０．０６〜
０．６重量部の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成
用組成物、及びＰｂ０３０〜６０重量％、８１０２９〜
３７重量％、ＴｉＯをＴｉとして０．１０〜６重量％を
含有する組成のガラス粉末１０〜６５重量部、ＲｕＯ粉
末１０〜４０重量部、有機ビヒクル２０〜４０重量部の
割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組成物を課題
を解決するための手段とするものである。
重量％を含有する組成のガラス粉末１０〜６５重量部、
ＲｕＯ粉末１０〜４０重量部、有機ビヒクル２０２ 〜４０重量部、Ｔｉ化合物粉末をＴｉとして０．０６〜
０．６重量部の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成
用組成物、及びＰｂ０３０〜６０重量％、８１０２９〜
３７重量％、ＴｉＯをＴｉとして０．１０〜６重量％を
含有する組成のガラス粉末１０〜６５重量部、ＲｕＯ粉
末１０〜４０重量部、有機ビヒクル２０〜４０重量部の
割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組成物を課題
を解決するための手段とするものである。
固形物粉末は、ビヒクルと混合してペースト状トシ、１
５０〜４００メツシユスクリーンを通して基体に塗布す
るため、ペーストが円滑にスクリーンを通過しつるよう
にするため、平均粒径１０μｍ以下の粉末として用いる
。
５０〜４００メツシユスクリーンを通して基体に塗布す
るため、ペーストが円滑にスクリーンを通過しつるよう
にするため、平均粒径１０μｍ以下の粉末として用いる
。
有機ビヒクルは、従来と同様にターピネオール、ブチル
カルピトールアセテート、トルエンなどの溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂等を溶解したものが用
いられる。
カルピトールアセテート、トルエンなどの溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂等を溶解したものが用
いられる。
Ｔｉ化合物としてはＴｉＯ、ＢａＴｉ０ などの無機
化３ 合物のほか有機化合物を用いることもでき、Ｔｉ化合物
はガラス中に配合しても、ガラスの外に配合しても良い
。
化３ 合物のほか有機化合物を用いることもでき、Ｔｉ化合物
はガラス中に配合しても、ガラスの外に配合しても良い
。
上記のガラス粉末、ＲｕＯ粉末、Ｔｉ化合物粉末、有機
ビヒクル以外に、従来からＴＯＲを小さくするために用
いられているＭｎＯ％ Ｍｎ ＯＳＭｎ Ｏ１２２３３
４ Ｃ！ｕｏ、 Ｎｂ Ｏ、Ｓｂ Ｏを添加することも出来
る。
ビヒクル以外に、従来からＴＯＲを小さくするために用
いられているＭｎＯ％ Ｍｎ ＯＳＭｎ Ｏ１２２３３
４ Ｃ！ｕｏ、 Ｎｂ Ｏ、Ｓｂ Ｏを添加することも出来
る。
２ ３ ２ ３
上記のガラスとしては、ＰｂＯ１ＳｉＯのほかにガラス
成分として通常配合されているＺｎＯ１Ｂ ０ 。
成分として通常配合されているＺｎＯ１Ｂ ０ 。
３
Ａｔ Ｏ、ＣａＯ等を一種３〜３５重量％を熱膨張率、
３ 軟化点などを調節するために添加することができる０ 〔作用〕 本発明におけるガラス組成において、ＰｂＯの含有量を
６０重量％までとするのは、ＰｂＯが６０重量％を超え
るようになると、基体に塗布したペーストを焼成して被
膜とするとき最高焼成温度での軟化が著しくパターン形
状がくずれるようになるからである。ＰｂＯが３０重量
％よりも少ないかＳｉＯ□が３７重量％を超えるように
なると、逆に焼成の際の軟化が不充分となるため、焼成
した被膜が多孔質となり弱くなる。ＳｉＯが９重量％未
満ではガラス化しにくくなる。以上からＰｂＯ３０〜６
０重量％、８１０９〜３７重１％とした。
３ 軟化点などを調節するために添加することができる０ 〔作用〕 本発明におけるガラス組成において、ＰｂＯの含有量を
６０重量％までとするのは、ＰｂＯが６０重量％を超え
るようになると、基体に塗布したペーストを焼成して被
膜とするとき最高焼成温度での軟化が著しくパターン形
状がくずれるようになるからである。ＰｂＯが３０重量
％よりも少ないかＳｉＯ□が３７重量％を超えるように
なると、逆に焼成の際の軟化が不充分となるため、焼成
した被膜が多孔質となり弱くなる。ＳｉＯが９重量％未
満ではガラス化しにくくなる。以上からＰｂＯ３０〜６
０重量％、８１０９〜３７重１％とした。
ガラス粉末は、導電成分であるＲｕＯの１０〜４０重量
部に対して、６５重量部を超えると抵抗値が高くなりす
ぎ、１０重量部未満では被膜の基体に対する接着強度が
低下するので、１０〜６５重量部とする。
部に対して、６５重量部を超えると抵抗値が高くなりす
ぎ、１０重量部未満では被膜の基体に対する接着強度が
低下するので、１０〜６５重量部とする。
ＲｕＯ粉末が、ガラス粉末１０〜６５重量部に対して４
０重量部を超えるようになると、焼成後の被膜が極端に
多孔質となり被膜強度が弱くなり信頼性が低下し、１０
重量部より少ないと抵抗値の変動が大きくなるので、Ｒ
ｕＯの添加範囲を１０〜４０重量部の範囲とする。
０重量部を超えるようになると、焼成後の被膜が極端に
多孔質となり被膜強度が弱くなり信頼性が低下し、１０
重量部より少ないと抵抗値の変動が大きくなるので、Ｒ
ｕＯの添加範囲を１０〜４０重量部の範囲とする。
Ｔｉ化合物は、ＴＣＲを小さくするために添加するもの
であるが、ガラス粉末１０〜６５重量部に対してＴｉと
して０．０６重量部未満では添加効果がなく、０．６重
量部を超えても添加効果が薄れてくるのでで１の添加量
を０．０６〜０．６重量部とした。
であるが、ガラス粉末１０〜６５重量部に対してＴｉと
して０．０６重量部未満では添加効果がなく、０．６重
量部を超えても添加効果が薄れてくるのでで１の添加量
を０．０６〜０．６重量部とした。
ガラス内にＴｉＯとしてＴｉを添加する場合も同様の理
由により、ガラス外に添加する場合と同比率で添加する
ものである。
由により、ガラス外に添加する場合と同比率で添加する
ものである。
有４ｍビヒクルはこの組成物をインキ状にして印刷する
には欠かせないものであるが、ガラス粉末及びＲｕＯ粉
末の量に対して２０重量部未満ではインキ状にすること
が困難となり、４０重量部を超えると現在一般に使用さ
れている印刷条件では被膜が薄くなり過ぎ抵抗値が大き
く変動するようになるので、有機ビヒクルの配合比率を
２０〜４０−ｆｇ重量部する。
には欠かせないものであるが、ガラス粉末及びＲｕＯ粉
末の量に対して２０重量部未満ではインキ状にすること
が困難となり、４０重量部を超えると現在一般に使用さ
れている印刷条件では被膜が薄くなり過ぎ抵抗値が大き
く変動するようになるので、有機ビヒクルの配合比率を
２０〜４０−ｆｇ重量部する。
Ｔｉはガラス中に分散してガラス中に分相を生ぜしめ、
ガラス相を安定化することによりＴＣＨの変化を小さく
するのではないかと考えられる。
ガラス相を安定化することによりＴＣＨの変化を小さく
するのではないかと考えられる。
ＲｕＯ、ＴｉＯ、ＥａＴｉＯ、ｉ ＭｎＯ、Ｐｄ粉末と
して平２ ２ ３
２均粒径０．１μｍ以下のものを、Ａｇ粉末として
平均粒径１．２μｍのものを、ガラス粉末として２００
メツシユの篩を全部通過した第１表に示す組成のものを
使用した。
して平２ ２ ３
２均粒径０．１μｍ以下のものを、Ａｇ粉末として
平均粒径１．２μｍのものを、ガラス粉末として２００
メツシユの篩を全部通過した第１表に示す組成のものを
使用した。
第 １
表
（重量％）
これらの無機粉末にエチルセルロース１０重量％を含有
するターピネオール溶液３０重量部を添加して３本ロー
ルミルで混練して第２表に示す組成の低抵抗体用ペース
トを調製した。
するターピネオール溶液３０重量部を添加して３本ロー
ルミルで混練して第２表に示す組成の低抵抗体用ペース
トを調製した。
純度９６％のアルミナ基板の上に、Ａｇ／Ｐｄペースト
からなる導電ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
て、ピーク温度１５０Ｃ’のベルト炉で溶剤を乾燥し、
次いでピーク温度８５０σ×９分間の温度分布を有する
ベルト炉を通して焼成して電極を形成する。
からなる導電ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
て、ピーク温度１５０Ｃ’のベルト炉で溶剤を乾燥し、
次いでピーク温度８５０σ×９分間の温度分布を有する
ベルト炉を通して焼成して電極を形成する。
電極間を橋渡しするように１社のペーストを印刷し電極
と同じ方法で乾燥焼成して抵抗体被膜を形成した。抵抗
体被膜の大きさはｌｓｍ角である。
と同じ方法で乾燥焼成して抵抗体被膜を形成した。抵抗
体被膜の大きさはｌｓｍ角である。
抵抗体は一組成当り２０個作成し、まずデジタルマルチ
メーターで抵抗値を測定した。この中から任意に５個選
択しＴＯＲを測定した。
メーターで抵抗値を測定した。この中から任意に５個選
択しＴＯＲを測定した。
ＴＣＲの測定は、恒温槽中に外部にあるデジタルマルチ
メーターと電極が接続された抵抗体を配置し、一般にＴ
ＯＨの指標としている高温ＴＯＲと低温ＴＯＲとを２５
σ、１２５σ、−５５Ｃの順序でその温度での抵抗値を
測定し次式で求めた。
メーターと電極が接続された抵抗体を配置し、一般にＴ
ＯＨの指標としている高温ＴＯＲと低温ＴＯＲとを２５
σ、１２５σ、−５５Ｃの順序でその温度での抵抗値を
測定し次式で求めた。
Ｒ１２５−２５
５
但し Ｒ：２５σの測定抵抗値
６
Ｒ！１２５σの測定抵抗値
２６
Ｒ−，５ニー５５σの測定抵抗値
第２表にその結果を示す。
手
続
補
正
ｔ
（自発）
第２表に示すように、
本発明によればＴ
Ｒを
従来よりも小さい土５０以内の抵抗被膜を形成しつる組
成物を提供できる。
成物を提供できる。
１゜
事件の表示
平成
年
特
許
願
第１３９９７８
号
発明の名称
厚膜抵抗体形成用組成物
３、 補正をする者
事件との関係
Claims (2)
- （１）ＰｂＯ３０〜６０重量％、ＳｉＯ＿２９〜３７重
量％を含有する組成のガラス粉末１０〜６５重量部、Ｒ
ｕＯ＿２粉末１０〜４０重量部、有機ビヒクル２０〜４
０重量部、Ｔｉ化合物粉末をＴｉとして０．０６〜０．
６重量部の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組
成物。 - （２）ＰｂＯ３０〜６０重量％、ＳｉＯ＿２９〜３７重
量％、ＴｉＯ＿２をＴｉとして０．１０〜６重量％を含
有する組成のガラス粉末１０〜６５重量部、ＲｕＯ＿２
１０〜４０重量部、有機ビヒクル２０〜４０重量部の割
合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139978A JPH0770370B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139978A JPH0770370B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034501A true JPH034501A (ja) | 1991-01-10 |
| JPH0770370B2 JPH0770370B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15258098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139978A Expired - Fee Related JPH0770370B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770370B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200706A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-07-18 | Ceratec Co Ltd | アレイ型多重チップ素子及びその製造方法 |
| KR100819200B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2008-04-04 | (주)조은포장 | 절첩식 포장상자 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130813A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-16 | ||
| JPS53100496A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Method of manufacturing paste for resistance body |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1139978A patent/JPH0770370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130813A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-16 | ||
| JPS53100496A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Method of manufacturing paste for resistance body |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200706A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-07-18 | Ceratec Co Ltd | アレイ型多重チップ素子及びその製造方法 |
| KR100819200B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2008-04-04 | (주)조은포장 | 절첩식 포장상자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770370B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |