JPH03201402A

JPH03201402A - 抵抗体製造用組成物

Info

Publication number: JPH03201402A
Application number: JP1338532A
Authority: JP
Inventors: Juichi Nishii; 西井　重一; Naoki Ishiyama; 直希石山
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1989-12-28
Filing date: 1989-12-28
Publication date: 1991-09-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

本発明は、エレクトロニクス分野の抵抗体を製造するた
めに用いる組成物に関し、特に銅伝導体と適合でき且つ
実質的に非酸化性の雰囲気中で焼成可能な抵抗体製造用
組成物に関する。

【従来の技術】

現在のマイクロエレクトロニクス部品の回路形成には、
アルミナ基板等の絶縁基板上に、ＡｕやＡｇ／Ｐｄ等の
貴金属系（厚膜）溝体と共にＲｕＯ２やＢ　ｌ　ｘ　Ｒ
ｕ　２０７等の酸化ルテニウム系（厚！Ｉり抵抗体が空
気中で焼き付けられて用いられている。一方、最近では、マイクロエレクトロニクス部品の小型
化、高速化、高精度化、及びコストタウンの要求が強く
、貴金属系導体の代わりに卑金属のＣｕを導体として用
いるＣｕシステムの実用化が求められている。これは、
Ｃｕが極めて導電性が高く、Ａｇ系のようなマイグレー
ションを起こさず、ハンダ性にも優れており、価格の低
減も期待できるためである。しかし、Ｃｕ導体は、酸化すると導電効率を減するため
、不活性雰囲気又は還元性雰囲気で焼成する必要かある
。ところか、Ｃｕ導体を前述のような酸化ルテニウム系
抵抗体と共に不活性又は還元性雰囲気で焼成する場合、
酸化ルテニウム系抵抗体が金属ルテニウムに還元されて
しまい、所望の抵抗体を得ることができない。酸化ルテニウム系抵抗体を空気中焼成により形成した後
に、６００°Ｃ程度の不活性雰囲気焼成でＣｕ導体を形
成する二元焼成法によって、金属ルテニウムへの還元を
抑える方法も提案されている。しかし、この方法にはＣｕ導体と酸化ルテニウム系抵抗
体間の接触不良の問題かある。更に、Ｃｕ導体の優れた
導電性を生かすには、このような６００℃程度の焼成温
度では低いのであって、Ｃｕ粉が！に適な焼結状態にな
る９　００　’Ｃ付近で焼成できる抵抗ペーストか要求
されている。９００℃付近の非酸化性雰囲気焼成が可能で、Ｃｕ導体
と共に使うことができる抵抗体としては、これまでに、
Ｌ　ａ　Ｂ　ｂ系、Ｔ　ａ　／　Ｔ　ａ　Ｎ系、ＳｎＯ
２系等の抵抗ペーストが提案され、一部実用化の検討が
なされている。しかし、前記空気中焼成用の酸化ルテニ
ウム系抵抗体のような優れた特性のものは得られていな
い。更に、これらの非酸化性雰囲気焼成用抵抗ペーストでは
、ＩＯＫΩ／口付近を口付体して、低抵抗用（Ｌ　ａ　
Ｂ　ｂ系やＴ　ａ　／　Ｔ　ａ　Ｎ系）と高抵抗用（Ｓ
　ｎ　Ｏ２系）で異なった導電成分の抵抗ペーストを使
い分けなければならず、前記酸化ルテニウム系抵抗体の
ように１０１〜１０’Ω／口の広い抵抗範囲を同種の導
電成分の抵抗ペーストでカバーすることかできない問題
点がある。更に、ハイブリッドＩＣ″′Ｃ″最も使用頻
度が高いＩＯＫΩ／口付近の口付体の特性が実用化レベ
ルに達していない問題点もある。本発明者らは、先に特願平０１−３０９５７で、上記問
題点を解決するために、金属ホウ化物、二オフ化合物、
ガラスフリット及び有機ビヒクルを構成成分とする抵抗
体製造用組成物を開示した。この抵抗体製造用組成物から得られる抵抗体は、広い抵
抗範囲をカバーでき有用であるが、ハイブリッドＩＣで
使用頻度が高いＩＫΩ／口〜１００にΩ／口の抵抗範囲
での抵抗の温度係数や耐電圧特性の改良か更に望まれて
いる。これは、エレクトロニクス部品の軽薄短小化に伴
う電気回路のファインパターン化、及び高信頼性化の要
求に対応するためである。なお、抵ｖｃ体の特性として、抵抗値の変動係数（ＣＶ
）、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）　、ノイズ、静電耐圧特
性（ＥＳＤ）があり、これらの理想的な値は、ＣＶ＝Ｏ
％、ＴＣＲ＝Ｏｐｐｍ／’Ｃ、ノイズ＝＜−３０ｄＢ、
ＥＳＣ・ΔＲ＝Ｏ％であり、できるだけ理想値に近い値
が好ましいか、実用的な許容値として第１表に示す値か
望まれている。第　　１　　表

【発明が解決しようとする課題】

実質的に非酸化性雰囲気で焼成可能で、ＩＫΩ／口〜１
００にΩ／口の抵抗範囲で抵抗の温度係数及び耐電圧特
性が優れた抵抗体で、鋼重導体と一緒に使えるものは従
来技術では得られていない。特に、ハイブリッドＩＣ回路にＣｕシステムを広く使用
するには、前記特性の改善が要求されている。

【課題を解決するための手段】

上記問題点を解決するために、本発明は；（ａ）希土類
ホウ化物、アルカリ土類ホウ化物、周期律表■ａ族のホ
ウ化物、及びＶａ族のホウ化物からなる群から選ばれた
一種以上の金属ホウ化物、（ｂ）ニオブ酸化物及びニオブホウ化物から選ばれた一
種以上のニオブ化合物、（Ｃ）シリコンまたは一酸化珪素、（ｄ）ガラスフリット、及び（ｅ）有機ビヒクル、を構成成分とし、前記ニオブ化合
物の量は前記ガラスフリットの５モル％を超え且つ４０
モル％を超えない量で、又前記ニオブ化合物の前記金属
ホウ化物に対するモル比が４〜０．４であり、且つ前記
シリコンまたは一酸化珪素の量は、前記金属ホウ化物、
ニオブ化合物及びガラスフリットの合計量に対して０゜
２〜３重量％とすることにより、銅導体と適合でき且つ
実質的に非酸化性の雰囲気中で焼成可能な低抗体製造用
組成物か得られることを見い出した。

【作用】

厚膜技術で使われる抵抗ペーストは、一般に、導電粉、
ガラスフリット及び有機ビヒクルを構成成分として、三
本ロールミル等で前記構成成分を混練しペースト化した
後、スクリーン印刷法等でアルミナ基板上に回路パター
ンを形成し、乾燥、焼成して所望の抵抗体とされる。本発明の低抗体製造用組成物では、導電粉の構成成分が
、金属ホウ化物およびニオブ化合物、さらにシリコンま
たは一酸化珪素からなる。金属ホウ化物としては、ＬａＢ６、ＣｅＢ６等の希土類
ホウ化物、ＢａＢ６．５ｒＢｓ等のアルカリ土類ホウ化
物、Ｔ　ｉ　Ｂ　２　、Ｚ　ｒ　８２等の周期律表ＩＶ
　ａ族のホウ化物、ＶＢ２　、ＮｂＢ２等のＶａ族のホ
ウ化物から選ばれた一種以上の金属ホウ化物が使用でき
る。これらの金属ホウ化物は、通常ボールミル等の粉砕
機を使って微粉化される。特に、微粉化後のＬ　ａ　Ｂ　６は、平均径が５〜０゜
１μｍ、好ましくは、２〜０．１μｍの平均径のものが
良い、平均径を５μｍ以下にする理由は、本発明では、
金属ホウ化物と後述の微細なニオブホウ化合物とから実
質的に非酸化性の雰囲気中での焼成により生成する導電
性生成物が重要であり、金属ホウ化物の平均径が５μｍ
より大きいと均一な導電性生成物を得ることが困難にな
ることにある。逆に、平均径を０．１μｍ以上とする理
由は、金属ホウ化物は微細なほど好ましいが、０．１μ
ｍより小さな平均径にするには、極めて長時間の粉砕時
間を要する上、粉砕機からの汚染も無視できなくなり、
実用的でないことにある。また、他の構成成分のニオブ化合物としては、Ｎ　ｂ　
Ｏ２、Ｎ　ｂ　２０３、Ｎ　ｂ　２０　ｓ　、Ｎ　ｂ　
Ｂ　２等のニオブ酸化物やニオブホウ化物等がら選択さ
れたものを使うことができる。これらは、非酸化性雰囲気中８００〜９５０℃の焼成に
より前記金属ホウ化物と反応して、ニオブホウ化Ｔｈ　
（Ｎｂ　Ｂ、　Ｎｂ　Ｂ２等）　トニオ７’（１）イず
れか一種、又はこれらの混合物からなる導電物を抵抗体
中に生成する。抵抗体中に導電性生成物を均一に析出させ、安定な導電
パスを形成するためには、ニオブ化合物がガラスフリッ
トの５モル％を超え且つ４０モル％を超えない量が必要
である。又、ニオブ化合物は、平均径が１μｍ以下が良
く、特にＮｂ２Ｏ。の場合は０．５μｍ以下か好ましい、ニオブ化合物の量
かガラスフリットの５モル％以下であったリ、あるいは
ニオブ化合物の平均径か１μｍより大きい場合は、いず
れも抵抗体中に均一な導電パスが形成されず、所望の抵
抗体特性を得ることができない。この原因は未反応のニオブ化合物が残存したり、ニオブ
化合物とガラスフリットの反応生成物であるＢａＮｂ２
Ｏ６等が生じるためである。又、二オフ化合物がガラス
フリットの４０モル％を超える場合も、ニオブ化合物か
残存したり、ニオブ化合物とガラスフリットが優先的に
反応して、ＢａＮｂ２Ｏ６等の反応生成物を生じる場合
かあり、所定の抵抗体特性を得ることかできない。又、本発明におけるニオブ化合物と金属ホウ化物の合計
重量とガラスフリットの重量比は５／９５〜６０／４０
−好ましくは１０／９０〜５０１５０である。上記重量
比が６０／４０より大きいと膜強度及び基板との接着強
度が得られず、逆に５／９５より小さいと適当な導電ネ
ットワークが形成されず所望の抵抗特性が得られない。ニオブ化合物の金属ホウ化物に対するモル比は、４〜０
．４の範囲が良く、特に２〜０．４５の範囲が好ましい
、このモル比が４を超えると未反応のニオブ化合物が多
く残ったり、ガラス成分との反応によって、ＢａＮｔｚ
　０６等の生成物か増え、導電に寄与する導を物が少な
くなったり、抵抗体の抵抗特性か悪くなる。又上記モル
比が０．４より少ないと、ニオブ化合物と金属ホウ化物
の反応によって生成する導電物が少なく、導電に寄与す
るのは専ら未反応の金属ホウ化物であり、ニオブ化合物
添加の効果が認められず、高抵抗側での抵抗特性が悪く
なる。尚、本発明では、前述のように反応によりニオブホウ化
物やニオブが抵抗体中に導電物として生成されるが、最
初からこれらのニオブホウ化物やニオブを抵抗ペースト
の構成成分とした場合は、導電粉とカラスとのぬれ性か
悪く、又凝集しやすいため、本発明のような非酸化性雰
囲気中焼成によって得られる均一な導電パスを得ること
は困難である。さらに、本発明の抵抗体製造用組成物は、シリコンまた
は一酸化珪素を構成成分として含むことを特徴としてい
る。シリコンまたは一酸化珪素の添加効果は、特に、ハ
イブリッドＩＣで使用頻度か高いＩＫΩ／口〜１００Ｋ
Ω／口の抵抗体の抵抗の温度係数（ＴＣＲ）や静電耐圧
特性（ＥＳＤ）等の耐電圧特性の向上にある。シリコン
または一酸化珪素は、前記金属ホウ化物、ニオブ化合物
及び後述のガラスフリットの合計量に対して０．２〜３
重量％、好ましくは１〜２重量％添加するのが良い、な
ぜならば、このような添加量により、抵抗体のＴＣＲと
耐電圧特性が著しく向上することが見出だされたからで
ある。この重量％が０゜２重量％より少ないとシリコン
または一酸化珪素の添加効果は十分ではなく、逆に３重
量％より多くても、０．２〜３重量％添加の効果より顕
著な抵抗体特性の向上は見られず、かえって抵抗値のバ
ラツキ等が大きくなってしまう。シリコンまたは一酸化珪素は、ニオブ化合物と反応して
、導電性ニオブホウ化物、あるいはニオブを生成し、金
属ホウ化物とニオブ化合物の反応によって形成される導
電パスをより均一化して電気的特性向上に寄与している
と推察される。ガラスフリットは、実質的に非酸化性雰囲気中の焼成に
おける軟化、流動、焼結の際に、抵抗体中に導電ネット
ワーク形成を助け、導電物とガラス量による抵抗値調整
の役割と、基板と抵抗体を接着させる役割と、膜強度の
向上の役割を果たしている。ガラスフリットとして、Ｂａｄ、Ｃａｂ、Ｓｒ０１Ｍｇ
０，５ｉｆ２、Ｂ２０ｓ　、ＺｒＯ２、Ｓ　ｎ０２　、
Ｔ　ｉ　０２　、Ａ　Ｉ　２０ｓ等の複数の酸化物を構
成成分とするものを使用することができる。たとえば、ＢａＯ等のアルカリ土類酸化物か２０〜６０
重量％、Ｂ２０．か１０〜３０重量％、ＳｉＯ□が２０
〜３０重量％、Ｚ　ｒ　Ｏ２及びＺｒＯ２と置換可能な
ＳｎＯ□、Ｔ　ｉ　Ｏ２等４価の金属酸化物か１０重量
％以下の金属酸化物を構成成分とするものなどを使うこ
とができる。又、前記ニオブ化合物としてニオブ酸化物を用いる場合
は、そのニオブ酸化物の一部もしくは全量かガラスフリ
ット中に含有されていても構わないガラスフリットは通常の方法によって製造することかて
゛き、１３ａＣＯ３やＭｇＯ等のガラスフリット構成成
分の炭酸塩や酸化物を所望の割合で混合し、加熱溶融し
、急冷後ボールミル等による粉砕により、平均径を５μ
ｍ程度に調整したものを使うことができる。本発明で使用する有機ビヒクルは特定のものである必要
はなく、抵抗ペーストを製造するのに一般に使用されて
いるもので良い、有機ビヒクルは、溶剤、樹脂及び微量
の添加剤を構成成分とし、上述の金属ホウ化物、ニオブ
化合物、シリコンまたは一酸化珪素、及びガラスフリッ
トを均一に分散させてペースト状にして、このようにし
て得られた抵抗ペーストをスクリーン印刷により基板上
に所定の回路パターンを形成し乾燥することができる。溶剤は、その例として、アルコール類、エステル類、エ
ーテル類、ケトン類等をあげることができ、到えは、テ
ルピネオール、プロピオン酸エチル、ジエチルジブチル
エーテル、メチルエチルケトン等を使うことができる。　ｔｌ）ｊ脂としては、例えば、エチルセルロース、ニ
トロセルロース等のセルロース系樹脂やブチルメタアク
リレート、メチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂
等を使うことかできる６添加剤としては、例えばレシチ
ンやステアリン酸等をペーストの粘度調整用等の目的で
使うことかできる。ビヒクル中の樹脂成分は、通常１〜
５０重量％とするのが良い。有機ビヒクルは、抵抗体製造用組成物全体の約２０〜４
０重量％であり、ビヒクルは多すぎても、少なすき°て
もスクリーン印刷により適当な抵抗体パターンか得られ
ない、ビヒクルは、乾燥及び焼成過程で揮発又は分解す
る。

【実施例】

（実施例１）しａＢ６　（新日本金属（株）製、Ｆグレード）をエタ
ノール溶媒中で、ジルコニアボール（５ｎｕｎφ）の使
用で、ボールミル粉砕し、ＢＥＴ平均径０．６μｍのＬ
　ａ　Ｂ　ｂを使用した。Ｎｂ２Ｏ３、シリコン及びＳ
ｉＯは、（株）高純度化学研究精製の粉末を同様に粉砕
し、ＢＥＴ平均径かＮ　ｂ　２０、はＱ、４μｍ、Ｓｔ
は０．７μｍ、ＳｉＯは０．８μｍの粉末を用いた。Ｗ
Ｏ３は、東京鉄鋼（株）製の平均径０．０８μｍの超微
粉を用いた。ガラスフリットは、ＢａＯが４９．５重量％、Ｂ２Ｏ３
か１８．４重量％、Ｓ　ｉ　Ｏ２が２６．７重量％、Ｚ
ｒＯ２が５．４重量％の組成で、平均径か約５μｒｎの
粉末の形で用いた。ビヒクルは、溶剤としてテルピネオール、樹脂としてエ
チルセルロースからなるものを用いた。ビヒクルを抵抗ペーストの３３重量％とし、ＬａＢ６、
Ｎｂ２０ｓ　、Ｓ　ｉまたはＳｉＯ及びビヒクルを第２
表に示した割合で秤量混合した。具体的な調合の例を示すと、Ｎ　ｂ　２０　ｓ　／　Ｌ
　ａＢ、＝２．３　（モル比）、および（Ｎｂ２０３　
十ＬａＢ６）／ガラス＝１５／８５（重量比）、そして
Ｓｔが１．６％の場合は、Ｎｂ２Ｏ３：１５２７ｇ、Ｌ
ａＢ６　：０．４８３ｇ、ガラスフリット：　１１．３
９０ｇ、ＳｉＯ：０．２１４ｇ、ビヒクル：６．６０ｇ
である。このような混合物を三本ロールミルで混練しペ
ーストとした。他の調合の場合も、各構成成分の所定重
量を秤量混合して同様に混練しペーストとした。これらのペーストを通常の厚膜法にしたがって、前もっ
てＣｕ電極を形成しであるアルミナ基板上に膜厚的４０
μｍのパターンを形成し、３０分間のレベリング後、１
２０℃で１０分間乾燥し、窒素雰囲気のベルトコンベア
炉で焼成して抵抗体を形成した。焼成は最高温度９００
℃で１０分間保持し、全体で１時間の焼成時間で行った
。抵抗値の変動係数（ＣＶ）は、（１）式を用いて算出し
た。また、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）は、−５５℃、２５℃
、１２５°Ｃの各々の抵抗値を測定して、（２）および
（３）式を用いて冷時温度係数（ＣＴＣＲ）と然時温度
係数（ＨＴＣＲ）を算出しな。電流ノイズは、ノイズメータ（Ｑ　ｕ　ａ　ｎ　−Ｔ　
ａｃｈ社製造）を使用して測定した。抵抗体の耐電圧特性は、第１図に示したようにＩＭΩの
抵抗Ｒと２００ｐＦのキャパシタＣを有する測定回路の
静電耐圧特性（ＥＳＤ）測定装置を用いて、１００ＯＶ
を時間間隔１秒で、スイッチＳにより５回印加した前後
の抵抗値の変化を（４）式を用いて算出した。実施例１の結果を第２表に示す。（この頁以下余白）Ｒｉ＝試料試料紙抗値（Ω／口） ΣＲｉａｙ（２）〜（３）式中、Ｒ−５５：　　５５℃における抵抗値（Ω／口）Ｒ２，
：　　２５℃における抵抗値（Ω／口）Ｒ１□ｓ：１２
５℃における抵抗値（Ω／口）（４）式中、ＲＯ：初期抵抗値（Ω／口）Ｒ×：印加後の抵抗＠（Ω／口）〈比較例１〜２）第２表には、ニオブ化合物の金属ホウ化物に対するモル
比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の特許
請求範囲外であるか、実施例１と同様に作成された比較
例１、およびＳｉ又はＳｉＯの量か本発明の特許求範囲
外であるが、実施例１と同様に作成された比較例２も一
緒に示されている。第２表から明らかなように、比較例１は、ＣＶ値か大き
く、ＴＣＲの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例２は、ＥＳＤ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＤ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、ＥＳＤ特性も良
好な抵抗体特性を示している。（実施例２）ＳｒＢ６とＮｂＢ２は（株）高純度化学研究新製の粉末
を原料とし、これらの粉末を第３表に示す配合で、共に
０．４μｍのＢＥＴ平均径まで粉砕した以外は、実施例
１と同様に抵抗ペーストを製造し、アルミナ基板に回路
パターンをスクリーン印刷した後に、窒素雰囲気焼成に
より得られた抵抗体を評価した。その結果を第３表に示
す。（比較例３〜４）第３表には、ニオブ化合物の金属ホウ化物に対するモル
比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の特許
請求範囲外であるが、実施例２と同様に作成された比較
例３と、ＳｔまたはＳｉＯの量が本発明の特許求範囲外
であるが、実施例２と同様に作成された比較例４も一緒
に示されている。第３表から明らかなように、比較例３は、ｃＶ値が大き
く、ＴＣＨの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例４は、ＥＳＤ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＤ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、ＥＳＤ特性も良
好な抵抗体特性を示している。（実施例３）第４表に示す配合で用意した粉末を０．３〜０゜８μｍ
のＢＥＴ平均径まで粉砕した以外は、実施例１と同様に
抵抗ペーストを製造し、アルミナ基板に回路パターンを
スクリーン印刷した後に、窒素雰囲気焼成により得られ
た抵抗体を評価した。その結果を第４表に示す。尚、ＴｉＢｚ、ＮｂＯ２及び
Ｖ　Ｂ　２は、（株）新日本金属製の粉末を、又Ｎｂ０
ｚ　、Ｎｔ）ｚ　Ｏｌ、Ｃｅ　Ｂ６及び５ｒＢ６は（株
）高純度化学研究新製の粉末を原料として使用した。（比較例５〜６）第４表には、ニオブ化合物の金属ホウ化物に対するモル
比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の特許
請求範囲外であるが、実施例３と同様に作成された比較
例５と、ＳｔまたはＳｉＯの量が本発明の特許請求範囲
外であるか、実施例３と同様に作成された比較例６も一
緒に示されている。第４表から明らかなように、比較例５は、ＣＶ値が大き
く、ＴＣＲの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例６は、ＥＳＣ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＣ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、ＥＳＣ特性も良
好な抵抗体時・比を示している。

【発明の効果】

以上のように、本発明による、ニオブ化合物、金属ホウ
化物、シリコンまたは一酸化珪素、ガラスフリット及び
有機ビヒクルを′！ｆ４或戒分と成分抵抗体製造用組成
物を、実質的に非酸化性雰囲気中で焼成して得られる抵
抗体は、抵抗の温度係数及び耐電圧特性か優れており、
銅伝導体と共に使うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の評価に使用した静電耐圧特性測定装
置の回路図である。

Claims

【特許請求の範囲】（ａ）希土類ホウ化物、アルカリ土類ホウ化物、周期律
表IVａ族のホウ化物、及びＶａ族のホウ化物からなる群
から選ばれた一種以上の金属ホウ化物、（ｂ）ニオブ酸化物とニオブホウ化物から選ばれた一種
以上のニオブ化合物、（ｃ）シリコンまたは一酸化珪素、（ｄ）ガラスフリット、及び（ｅ）有機ビヒクル、を構成成分とし、前記ニオブ化合物の量はガラスフリットの５モル％を超
え且つ４０モル％を超えない量で、又前記ニオブ化合物
の前記金属ホウ化物に対するモル比が４〜０．４であり
、且つ前記シリコンまたは一酸化珪素の量は、前記金属
ホウ化物、ニオブ化合物及びガラスフリットの合計量に
対して０．２〜３重量％であることを特徴とする抵抗体
製造用組成物。