JPH03201404A

JPH03201404A - 抵抗体製造用組成物

Info

Publication number: JPH03201404A
Application number: JP1338534A
Authority: JP
Inventors: Juichi Nishii; 西井　重一; Naoki Ishiyama; 直希石山
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1989-12-28
Filing date: 1989-12-28
Publication date: 1991-09-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

本発明は、エレクトロニクス分野の抵抗体を製造するた
めに用いる組成物に関し、特に銅伝導体と適合でき且つ
実質的に非酸化性の雰囲気中で焼成可能な抵抗体製造用
組成物に関する。

【従来の技術】

現在のマイクロエレクトロニクス部品の回路形成には、
アルミナ基板等の絶縁基板上に、ＡｕやＡ　ｇ／　Ｐ　
ｄ等の貴金属系（厚膜）導体と共にＲｕＯ２やＢｉ２Ｒ
ｕ２Ｏ７等の酸化ルテニウム系（厚膜）抵抗体か空気中
で焼き付けられて用いられている。一方、最近では、マイクロエレクトロニクス部品の小型
化、高速化、高精度化、及びコストタウンの要求が強く
、貴金属系導体の代わりに卑金属のＣｕを導体として用
いるＣｕシステムの実用化か求められている。これは、
Ｃｕが極めて導電性が高く、Ａｇ系のようなマイクレー
ジョンを起こさす、ハンダ性にも優れており、価格の低
減も期待できるためである。しかし、Ｃｕ導体は、酸化すると導電効率を減するため
、不活性雰囲気又は還元性雰囲気で焼成する必要がある
。ところか、Ｃｕ導体を前述のような酸化ルテニウム系
抵抗体と共に不活性又は還元性雰囲気で焼成する場合、
酸化ルテニウム系抵抗体か金属ルテニウムに還元されて
しまい、所望の抵抗体を得ることかできない。酸化ルテニウム系抵抗体を空気中焼成により形成した後
に、６００°Ｃ程度の不活性雰囲気焼成でＣｕ導体を形
成する二元焼成法によって、金属ルテニウムへの還元を
抑える方法も提案されている。しかし、この方法にはＣｕ導体と酸化ルテニウム系抵抗
体間の接触不良の問題がある。更に、Ｃｕ導体の優れた
導電性を生かすには、このような６００℃程度の焼成温
度では低いのであって、Ｃｕ粉が最適な焼結状態になる
９００℃付近で焼成できる抵抗ペーストが要求されてい
る。９００℃付近の非酸化性雰囲気焼成が可能で、Ｃｕ導体
と共に使うことができる抵抗体としては、これまでに、
Ｌ　ａ　Ｂ　ａ系、Ｔ　ａ　／　Ｔ　ａ　Ｎ系、ＳｎＯ
２系等の抵抗ペーストが提案され、一部実用化の検討が
なされている。しかし、前記空気中焼成用の酸化ルテニ
ウム系抵抗体のような優れた特性のものは得られていな
い。更に、これらの非酸化性雰囲気焼成用抵抗ペーストでは
、ＩＯＫΩ／口付近を境界にして、低抵抗用（ＬａＢ、
系やＴ　ａ　／　Ｔ　ａ　Ｎ系）と高抵抗用（Ｓｎ０２
系）で異なった導電成分の抵抗ペーストを使い分けなけ
ればならす、前記酸化ルテニウム系抵抗体のように１０
’〜１０’Ω／口の広い抵抗範囲を同種の導電成分の抵
抗ペーストでカバーすることかできない問題点がある。更に、ハイブリッドＩＣで最も使用頻度が高い１０に０
７口付近の抵抗体の特性が実用化レベルに達していない
問題点もある。本発明者らは、先に特願平０１−３０９５９で、上記問
題点を解決するために、金属ホウ化物、モリブデン化合
物、ガラスフリット及び有機ビヒクルを構成成分とする
抵抗体製造用組成物を開示した。この抵抗体製造用組成
物から得られる抵抗体は、広い抵抗範囲をカバーでき有
用であるが、ハイブリッドＩＣで使用頻度が高いＩＫΩ
／口〜Ｉ００にΩ／口の抵抗範囲での抵抗の温度係数や
耐電圧特性の改良が更に望まれている。これは、エレク
トロニクス部品の軽薄短小化に伴う電気回路のファイン
パターン化、及び高信頼性化の要求に対応するためであ
る。なお、抵抗体の特性として、抵抗値の変動係数（ＣＶ）
　、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）　、ノイズ、静電耐圧特
性（ＥＳＤ）があり、これらの理想的な値は、ＣＶ＝Ｏ
％、ＴＯＲ＝　Ｏｐ　ｐ　ｍ／”Ｃ、ノイズ’＝＜−３
０ｄＢ、ＥＳＤ・△Ｒ＝ｏ％であり、できるだけ理想値
に近い値が好ましいが、実用的な許容値として第１表に
示す値が望まれている。第１表

【発明が解決しようとする課題】

実質的に非酸化性雰囲気で焼成可能で、ＩＫΩ／口〜１
００ＫΩ／口の抵抗範囲で抵抗の温度係数及び耐電圧特
性が優れた抵抗体で、鋼重導体と一緒に使えるものは従
来技術では得られていない。特に、ハイブリッドＩＣ回路にＣｕシステムを広く使用
するには、前記特性の改善が要求されている。

【課題を解決するための手段）上記問題点を解決するために、本発明は、（ａ）希土類
ホウ化物、アルカリ土類ホウ化物、周期律表■ａ族のポ
ウ化物、及びＶａ族のホウ化物からなる群から選ばれた
一種以上の金属ホウ化物、（ｂ）モリブデン酸化物及びモリブデンホウ化物から選
ばれた一種以上のモリブデン化合物、（ｃ）シリコン又
は一酸化珪素、（ｄ）ガラスフリット、及び（ｅ）有機ビヒクル、を構成成分とし、前記モリブデン
化合物の量は前記ガラスフリットの５モル％を超え且つ
４０モル％を超えない量で、又前記モリブデン化合物の
前記金属ホウ化物に対するモル比が４〜０．４であり、
且つ前記シリコン又は一酸化珪素の量は、前記金属ホウ
化物、モリブデン化合物及びガラスフリットの合計量に
対して０．２〜３重量％とすることにより、銅導体と適
合でき且つ実質的に非酸化性の雰囲気中で焼成可能な抵
抗体製造用組成物が得られることを見いだした。【作用】厚膜技術で使われる抵抗ペーストは、一般に、’Ｎ　Ｔ
ｏ粉、ガラスフリット及び有機ビヒクルを構成成分とし
て、三本ロールミル等で前記構成成分を混練しペースト
化した後、スクリーン印刷法等でアルミナ基板上に回路
パターンを形成し、乾燥、焼成して所望の抵抗体とされ
る。本発明の抵抗体製造用組成物では、導電粉の構成成分か
、金属ホウ化物およびモリブデン化合物、さらにシリコ
ン又は一酸化珪素からなる。金属ホウ化物としては、ＬａＢ６、Ｃｅ　Ｂ６等の希土
類ホウ化物、ＢａＢ６．５ｒ８６等のアルカリ上類ホウ
化物、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２等の周期律表■ａ族のホウ化
物、ＶＢ２　、ＮｂＢ２等のＶａ族のホウ化物から選ば
れた一種以上の金属ホウ化物が使用できる。これらの金
属ホウ化物は、通常ボールミル等の粉砕機を使って微粉
化される。特に、微粉化後のＬ　ａ　Ｂ　６は、平均径が５〜０゜
１μｍ、好ましくは、２〜０．１μｍの平均径のものが
良い、平均径を５μｍ以下にする理由は、本発明では、
金属ホウ化物と後述の＠細なモリブデン化合物とから実
質的に非酸化性の雰囲気中での焼成により生成する導電
性生成物か重要であり、金属ホウ化物の平均径か５μｍ
より大きいと均一な導電性生成物を得ることか困難にな
ることにある。逆に、平均径を０．１μｍ以上とする理
由は、金属ホウ化物は微細なほど好ましいが、０．１μ
ｍより小さな平均径にするには、極めて長時間の粉砕時
間を要する上、粉砕機がらの汚染も無視できなくなり、
実用的でないことにある。　また、他の構成成分のモリ
ブデン化合物としては、Ｍ。０２　、ＭＯＯ３、ＭＯＢ、ＭＯＢ２等のモリブデン酸
化物やモリブデンホウ化物等がら選択されたものを使う
ことができる。これらは、非酸化性雰囲気中８００〜９
５０″Ｃの焼成により前記金属ホウ化物と反応して、モ
リブデンホウ化物（ＭｏＢ、ＭＯ２ＢＳ等）とモリブデ
ンのいずれか一種、又はこれらの混合物からなる導電物
を抵抗体中に生成する。抵抗体中に′Ｓ電性生成物を均一に析出させ、安定な導
電バスを形成するためには、モリブデン化合物はガラス
フリットの５モル％を超え且つ４０モル％を超えない量
か必要である。また、モリブデン化合物は、平均径が１
μｍ以下が長く、特にＭ　ｏ　Ｏｓの場合は０．５μｍ
以下が好ましい、モリブデン化合物の量がガラスフリッ
トの５モル％以下であったり、あるいはモリブデン化合
物の平均径か１μｍより大きい場合は、いずれも抵抗体
中に均一な導電パスか形成されず、所望の抵抗体特性を
得ることかできない、この原因は未反応のモリブデン化
合物が残存したり、モリブデン化合物とガラスフリット
の反応生成物であるＢａＭ。０４等が生じるためである。また、モリブデン化合物が
ガラスフリットの４０モル％を超える場合も、モリブデ
ン化合物か残存したり、モリブデン化合物とガラスフリ
ットが優先的に反応して、ＢａＭｏＯ４等の反応生成物
を生じる場合があり、所定の抵抗体特性を得ることかで
きない。又、本発明におけるモリブデン化合物と金属ホウ化物の
合計重量とガラスフリットの重量比は５／９５〜６０／
４０、好ましくは１０／９０〜５０１５０である。上記
重量比が６０／４０より大きいと膜強度及び基板との接
着強度が得られず、逆に５／９５より小さいと適当な導
電ネットワークが形成されず所望の抵抗特性か得られな
い。モリブデン化合物の金属ホウ化物に対するモル比は、４
〜０．４の範囲が良く、特に２〜０．４５の範囲が好ま
しい、このモル比が４を超えると未反応のモリブデン化
合物が多く残ったり、カラス成分との反応によって、Ｂ
　ａＭ　ｏ　０４等の生成物が増え、導電に寄与する導
電物か少なくなったり、抵抗体の抵抗特性が悪くなる。又上記モル比が０．４より少ないと、モリブデン化合物
と金属ホウ化物の反応によって生成する導電物が少なく
、導電に寄与するのは専ら未反応の金属ホウ化物であり
、モリブデン化合物添加の効果が認められず、高抵抗側
での抵抗特性が悪くなる。尚、本発明では、前述のように反応によりモリブデンホ
ウ化物やモリブデンが抵抗体中に導電物として生成され
るが、最初からこれらのモリブデンホウ化物やモリブデ
ンを抵抗ペーストの構成成分とした場合は、導電粉とガ
ラスとのぬれ性が悪く、又凝集しやすいため、本発明の
ような非酸化性雰囲気中焼成によって得られる均一な導
電ノ＜スを得ることは困難である。さらに、本発明の抵抗体製造用組成物は、シリコン又は
一酸化珪素を構成成分として含むことを特徴としている
。シリコン又は一酸化珪素の添加効果は、特に、ハイブ
リッドＩＣで使用頻度が高いＩＫΩ／口〜１００にΩ／
口の抵抗体の抵抗の温度係数（ＴＣＲ）や静電耐圧特性
（ＥＳＤ）等の耐電圧特性の向上にある。シリコン又は
一酸化珪素は、前記金属ホウ化物、モリブデン化合物及
び後述のガラスフリットの合計量に対して０．２〜３重
量％、好ましくは１〜２重量％添加するのか良い。なぜ
ならば、このような添加量により、抵抗体のＴＣＲや耐
電圧特性が著しく向上することが見出だされたからであ
る。この重量％力５０２重量％より少ないとシリコン又
は一酸化珪素の添加効果は十分ではなく、逆に３重量％
より多くても、０．２〜３重量％添加の効果より顕著な
抵抗体特性の向上は見られず、かえって抵抗値のバラツ
キ等が大きくなってしまう。シリコンまたは一酸化珪素は、モリブデン化合物と反応
して、導電性モリブデンホウ化物、あるいはモリブデン
を生成し、金属ホウ化物とモリブデン化合物の反応によ
って形成される導電パスをより均一化して電気的特性向
上に寄与していると推察される。ガラスフリットは、実質的に非酸化性雰囲気中の焼成に
おける軟化、流動、焼結の際に、抵抗体中に導電ネット
ワーク形成を助け、導電物とガラス量による抵抗値調整
の役割と、基板と抵抗体を接着させる役割と、膜強度の
向上の役割を果たしている。ガラスフリットとして、Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＳｒＯ５Ｍｇ
Ｏ，ＳｉＯ２、Ｂ２０ｓ　、ＺｒＯ２、ＳｎＯ，、Ｔｉ
ｏ、　、Ａｌ１０３等の複数ノ酸化物を構成成分とする
ものを使用することができる。たとえば、ＢａＯ等のアルカリ土類酸化物が２０〜６０
重量％、Ｂ２Ｏ３が１０〜３０重量％、Ｓ　ｉ　Ｏ２が
２０〜３０重量％、Ｚ　ｒ　Ｏ２及びＺｒＯ２と置換可
能なＳ　ｎ　Ｏ＊　、Ｔ　ｉ　Ｏ２等４価の金属酸化物
が１０重量％以下の金属酸化物を構成成分とするものな
どを使うことができる。又、前記モリブデン化合物としてモリブデン酸化物を用
いる場合は、そのモリブデン酸化物の一部もしくは全量
かガラスフリット中に含有されていても楕わない。ガラスフリットは通常の方法によって製造することがで
き、Ｂ　ａ　ＣＯｓやＭｇＯ等のガラスフリット構成成
分の炭酸塩や酸化物を所望の割合で混合し、加熱溶融し
、急冷後ボールミル等による粉砕により、平均径を５μ
ｍ程度に調整したものを使うことができる。本発明で使用する有機ビヒクルは特定のものである必要
はなく、抵抗ペーストを製造するのに一般に使用されて
いるもので良い、有機ビヒクルは、溶剤、樹脂及びＷｊ
、量の添加剤を構成成分とし、上述の金属ホウ化物、モ
リブデン化合物、シリコン又は一酸化珪素、及びガラス
フリットを均一に分散させてペースト状にして、このよ
うにして得られた抵抗ペーストをスクリーン印刷により
基板上に所定の回路パターンを形成し乾燥することがで
きる。溶剤は、その例として、アルコール類、エステル類、エ
ーテル類、ケトン類等をあけることができ、例えば、テ
ルピネオール、プロピオン酸エチル、ジエチルジブチル
エーテル、メチルエチルゲトン等を使うことができる。樹脂としては、例えば、エチルセルロース、ニトロセル
ロース等のセルロース系樹脂やブチルメタアクリレート
、メチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂等を使う
ことができる。添加剤としては、例えばレシチンやステ
アリン酸等をペーストの粘度調整用等の目的で使うこと
かできる。ビヒクル中の樹脂成分は、通常１〜５０重量
％とするのが良い。有機ビヒクルは、抵抗体製造用組成物全体の約２０〜４
０重量％であり、ビヒクルは多すぎても、少なすぎても
スクリーン印刷により適当な抵抗体パターンが得られな
い、ビヒクルは、乾燥及び焼成過程で揮発又は分解する
。

【実施例】

（実施例１）ＬａＢ６　（新日本金属（株）Ｉ！！、Ｆグレード）を
エタノール溶媒中で、ジルコニアボール（５Ｌｌ＋ｎφ
）の使用で、ボールミル粉砕し、ＢＥＴ平均径０．６μ
ｍのＬ　ａ　Ｂ　ｓを使用した。Ｍｏ５ｓ　、シリコン
及びＳｉＯは、（株）高純度化学研究新製の粉末を同様
に粉砕し、ＢＥＴ平均径がＭ　ｏ　Ｏｓは０．４μｍ、
Ｓｔは０．７μｍ、ＳｉＯはＯ８μｍの粉末を用いた。ガラスフリットは、ＢａＯが４９．５重量％、Ｂ２Ｏ３
が１８．４重量％、Ｓｉｎ、が２６．７重量％、ＺｒＯ
□が５．４重量％の組成で、平均径が約５μｍの粉末の
形で用いた。ビヒクルは、溶剤としてテルピネオール、樹脂としてエ
チルセルロースからなるものを用いた。ビヒクルを抵抗ペーストの３３を量％とし、しａＢｓ　
、Ｍｏ５ｓ　、Ｓｔ又はＳｉＯ及びビヒクルを第２表に
示した割合で秤量混合した。具体的な調合例を示すと、Ｍ　ｏ　Ｏｓ　／　Ｌ　ａ　
Ｂ　ｂ＝２．　１　（モル比）、及び（Ｍｏｓｓ　＋Ｌ
ａＢ６）／ガラス＝１５／８５（重量比〉で、そしてＳ
ｔが１．５％の場合は、Ｍｏ５３：　１．２０１ｇ、Ｌ
ａＢ６　：０．８０９ｇ、ガラスフリット：１１゜３９
０ｇ、Ｓｔ　：　０．２０１ｇ、ビヒクル＝６゜６０ｇ
である。このような混合物を三本ロールミルで混練しペ
ーストとした。＠の調合の場合も、各構成成分の所定重
量を秤量混合して同様に混練しペーストとした。これらのペーストを通常の厚膜法にしたかって、前もっ
てＣｕ電極を形成しであるアルミナ基板上に膜厚的４０
μｍのパターンを形成し、３０分間のレベリング後、１
２０°Ｃで１０分間乾燥し、窒素雰囲気のベルトコンベ
ア炉で焼成して抵抗体を形成した。焼成は最高温度９０
０℃で１０分間保持し、全体で１時間の焼成時間で行っ
た。抵抗値の変動係数（ＣＶ）は、（１）式を用いて算出し
た。また、抵抗の温度係数（Ｔ（、Ｒ）は、−５５°Ｃ１２
５℃、１２５℃の各々の抵抗値を測定して、（２）およ
び（３）式を用いて冷時温度係数（ＣＴＣＲ）と熟時温
度係数（ＨＴＣＲ）を算出した。電流ノイズは、ノイズメータ（Ｑｕａｎ−Ｔａｃｈ社製
造）を使用して測定した。抵抗体の耐電圧特性は、第１図に示したように１ＭΩの
抵抗Ｒと２００ｐＦのキャパシタＣを有する測定回路の
静電耐圧特性（ＥＳＤ）測定装置を用いて、１ｏｏｏｖ
を時間間隔１秒で、スイッチＳにより５回印加した前後
の抵抗値の変化を〈４）式を用いて算出した。実施例１の結果を第２表に示す。（この頁以下余白）Ｒｉ＝試料試料紙抗値（Ω／口）（２）〜（３）式中、凡−、、ニー５５°Ｃにおける抵抗値（Ｓ２７０）Ｒ２
，：　　２５℃における抵抗値（（２／口）Ｒ１□、：
１２５℃における抵抗値、＜ｒｚｙ口）（４）式中、ＲＯ：初期抵抗値（Ω／口）Ｒｘ：印加後の抵抗値（Ω／口）（比較例１〜２）第２表には、モリブデン化合物の金属ホウ化物に対する
モル比が４〜０，４の範囲にないという点では本発明の
特許請求範囲外であるが、実施例１と同様に作成された
比較例１、及びＳｔ又はＳ１０の量が本発明の請求範囲
外であるが、実施例１と同様に作成された比較例２も一
緒に示されている。第２表から明らかなように、比較例１は、ＣＶ値か大き
く、ＴＣＲの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例２は、ＴＣＲ及びＥＳＤ
特性以外の特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗
体に匹敵するものの、ＴＣＲやＥＳＤ特性がやや劣って
いる。一方、本発明の抵抗ペーストから得られた抵抗体
は、ＴＣＲやＥＳＤ特性も良好な抵抗体特性を示してい
る。（実施例２）Ｍ　ｏ　Ｏ２及びＳ　ｒ　Ｂ　６は（株）高純度化学研
究新製の粉末を原料とし、これらの粉末を第３表に示す
配合で、ＭｏＯ２は０　、３１ｔｍ、　Ｓ　ｒ　Ｂ６は
０．４μｍＴμｍ後まで粉砕した以外は、実施例１と同
様に抵抗ペーストを製造し、アルミナ基板に回路パター
ンをスクリーン印刷した後に、窒素雰囲気焼成により得
られた抵抗体を評価した。その結果を第３表に示す。〈比較例３〜４）第３表には、モリブデン化合物の金属ホウ化物に対する
モル比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の
請求範囲外であるが、実施例２と同様に作成された比較
例３と、Ｓｉ又はＳｉＯの量が本発明の請求範囲外であ
るが、実施例２と同様に作成された比較例４も一緒に示
されている。第３表から明らかなように、比較例３は、ＣＶ値が大き
く、ＴＣＨの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例４は、ＥＳＤ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＤ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、Ｆ、ＳＤ特性も
良好な抵抗体特性を示している。（実施例３）第４表に示す配合で用意した粉末を０．３〜０８μｍの
ＢＥＴ平均径まで粉砕した以外は、実施例１と同様に抵
抗ペーストを製造し、アルミナ基板に回路パターンをス
クリーン印刷したあとに、窒素雰囲気焼成により得られ
た抵抗体を評価した。その結果を第４表に示す。尚、Ｚ　ｒ　Ｂ２　、Ｎｂ　
Ｂ２は新日本金属（株）製の粉末を、ＭＯＯ２、Ｍｏ０
ｉ　、ＭｏＢ、ＣｅＢ６及び５ｒＢ６は、（株）高純度
化学研究断裂の粉末を使用した。（比較例５〜６）第４表には、モリブデン化合物の金属ホウ化物に対する
モル比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の
特許請求範囲外であるが、実施例３と同様に作成された
比較例５と、Ｓｔ又はＳｉＯの量が本発明の請求範囲外
であるが、実施例３と同様に作成された比較例６も一緒
に示されている。第４表から明らかなように、比較例５は、ＣＶ値が大き
く、ＴＣＲの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例６は、ＥＳＣ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＣ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、ＥＳＤ特性も良
好な抵抗体特性を示している。

【発明の効果】

以上のように、本発明による、モリブデン化合物、金属
ホウ化物、シリコン又は一酸化珪素、ガラスフリット及
び有機ビヒクルを構成成分とする抵抗体製造用組成物を
、実質的に非酸化性雰囲気中で焼成して得られる抵抗体
は、抵抗の温度係数及び耐電圧特性が優れており、銅伝
導体と共に使うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の評価に使用した静電耐圧特性測定装
置の回路図である。

Claims

【特許請求の範囲】（ａ）希土類ホウ化物、アルカリ土類ホウ化物、周期律
表IVａ族のホウ化物、及びＶａ族のホウ化物からなる群
から選ばれた一種以上の金属ホウ化物、（ｂ）モリブデン酸化物とモリブデンホウ化物から選ば
れた一種以上のモリブデン化合物、（ｃ）シリコン又は一酸化珪素、（ｄ）ガラスフリット、及び（ｅ）有機ビヒクル、を構成成分とし、前記モリブデン化合物の量はガラスフリットの５モル％
を超え且つ４０モル％を超えない量で、又前記モリブデ
ン化合物の前記金属ホウ化物に対するモル比が４〜０．
４であり、且つ前記シリコン又は一酸化珪素の量は、前
記金属ホウ化物、モリブデン化合物及びガラスフリット
の合計量に対して０．２〜３重量％であることを特徴と
する抵抗体製造用組成物。