JPH03201407A

JPH03201407A - 抵抗体製造用組成物

Info

Publication number: JPH03201407A
Application number: JP1338537A
Authority: JP
Inventors: Juichi Nishii; 西井　重一; Naoki Ishiyama; 直希石山
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1989-12-28
Filing date: 1989-12-28
Publication date: 1991-09-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

本発明は、エレクトロニクス分野の抵抗体を製造するた
めに用いる組成物に関し、特に銅伝導体と適合でき且つ
実質的に非酸化性の雰囲気中で焼成可能な抵抗体製造用
組成物に関する。

【従来の技術】

現在のマイクロエレクトロニクス部品の回路形成には、
アルミナ基板等の絶縁基板上に、ＡｕやＡｇ／Ｐｄ等の
貴金属系（厚膜）導体と共にＲｕＯ□やＢ１２ＲｕｚＯ
ｔ等の酸化ルテニウム系〈厚膜）抵抗体が空気中で焼き
付けられて用いられている。一方、最近では、マイクロエレクトロニクス部品の小型
化、高速化、高精度化、及びコストダウンの要求が強く
、貴金属系導体の代わりに卑金属のＣｕを導体として用
いるＣｕシステムの実用化が求められている。これは、
Ｃｕが極めて導電性が高く、Ａｇ系のようなマイグレー
ションを起こさず、ハンダ性にも優れており、価格の低
減も期待できるためである。しかし、Ｃｕ導体は、酸化すると導電効率を減するため
、不活性雰囲気又は還元性雰囲気で焼成する必要がある
。ところが、Ｃｕ導体を前述のような酸化ルテニウム系
抵抗体と共に不活性又は還元性雰囲気で焼成する場合、
酸化ルテニウム系抵抗体か金属ルテニウムに還元されて
しまい、所望の抵抗体を得ることができない。酸化ルテニウム系抵抗体を空気中焼成により形成した後
に、６００℃程度の不活性雰囲気焼成でＣｕ導体を形成
する二元焼成法によって、金属ルテニウムへの還元を抑
える方法も提案されている。しかし、この方法にはＣｕ導体と酸化ルテニウム系抵抗
体間の接触不良の問題がある。更に、Ｃｕ導体の優れた
導電性を生かすには、このような６００℃程度の焼成温
度では低いのであって、Ｃａ粉がｆ＆週な焼結状態にな
る９００℃付近で焼成できる抵抗ペーストが要求されて
いる。９００℃付近の非酸化性雰囲気焼成が可能で、Ｃｕ導体
と共に使うことができる抵抗体としては、これまでに、
Ｌ　ａ　Ｂ　ｔ、系、Ｔ　ａ　／　Ｔ　ａ　Ｎ系、Ｓｎ
Ｏ□系等の抵抗ペーストが提案され、一部実用化の検討
がなされている。しかし、前記空気中焼成用の酸化ルテ
ニウム系抵抗体のような優れた特性のものは得られてい
ない。更に、これらの非酸化性雰囲気焼成用抵抗ペーストでは
、ＩＯＫΩ／口付近を境界にして、低抵抗用（Ｌ　ａ　
Ｂ　６系やＴ　ａ　／　Ｔ　ａ　Ｎ系）と高抵抗用（Ｓ
ｎＯ２系）で異なった導電成分の抵抗ペーストを使い分
けなければならす、前記酸化ルテニウム系抵抗体のよう
に１０１〜１０６Ω／口の広い抵抗範囲を同種の導電成
分の抵抗ペーストでカバーすることができない問題点が
ある。更に、ハイブリッドＩＣで最も使用頻度が高い１
０に０７口付近の抵抗体の特性が実用化レベルに達して
いない問題点もある。特開昭６２−１２２１０１では、Ｌ　ａ　Ｂ　＊に代表
される金属穴ホウ化物の微細粒子を導電粉として用い、
Ｔａ２０５を３０〜５モル％溶解した結晶性ガラスをガ
ラスフリット中に含む抵抗体が開示されている。この抵
抗体では、結晶性ガラス中のＴａ２１ｓが、金属穴ホウ
化物によりＴ　ａ　Ｂ　２やＣａＴａ０＋＋に変化し、
抵抗特性の安定化に寄与するが、５モル％以下ではＣａ
　Ｔ　ａ　Ｏｒ　＋が形成されないとしている。更に、
Ｔ　ａ　２０　Ｓ以外の還元性金属酸化物はガラスの２
モル％以下好ましくはガラスの１モル％以下にすべきと
している。ここに、Ｔａ１Ｏｓ以外の還元性酸化物とし
て、Ｃｒ　２０　ｓ　、Ｍ　ｎ　Ｏ、Ｎ　ｉ　０１Ｆｅ
Ｏ１■２０９、Ｎ　ａｏ、Ｚ　ｎｏ、に２　０．Ｃｄｏ
、　　Ｐ　ｂ　ＯｌＢ　ｉ　２０．　、ＷＯ３、Ｎｂ２
Ｏ，、Ｍｏｂ、等をあげている。このようにＴａ２Ｏ，
以外の還元性酸化物を制限するのは、これらの存在によ
り、導電成分であるＬ　ａ　Ｂ　６とＴ　ａ　Ｂ　２　
、或いは、反応生成物のＣａ　Ｔ　ａ　Ｏ＋　、のコン
トロールか困難となり、結果として電気特性の制御が困
難になるためと予想される。しかし、このように還元性酸化物をコントロールしても
、特開昭６２−１２２１０１の抵抗体の電気特性は、前
記空気中焼成の酸化ルテニウム系抵抗体よりは、劣って
いるのが現状であり、特に１０に０７口付近より高い抵
抗範囲のものを製造することが困難である。尚、抵抗体の特性として、抵抗値の変動係数（ＣＶ）、
抵抗の温度係数（ＴＣＲ）　、ノイズ、静電耐圧特性（
ＥＳＤ）かあり、これらの理想的な値は、ＣＶ＝Ｏ％、
ＴＣＲ＝　Ｏｐ　ｐ　ｍ／”Ｃ、ノイズ＝＜−３０ｄＢ
、ＥＳＣ・ΔＲ＝Ｏ％であり、できるだけ理想値に近い
値が好ましいが、実用的な許容値として第１表に示す値
か望まれている。（この頁以下余白）第１表

【発明か解決しようとする課題】

実質的に非酸化性雰囲気で焼成可能で、ＩＫΩ／口〜１
００ＫΩ／口の抵抗範囲で抵抗の温度係数及び＃４　Ｔ
ｈ圧時特性優れた、銅伝導体と一緒に使えるものは従来
技術では得られていない、ハイブリッドＩＣ回路にＣｕ
システムを広く使用するには、前記特性の改善が要求さ
れている。

【課題を解決するための手段】

上記問題点を解決するために、本発明は、（ａ）希土類
ホウ化物、アルカリ土類ホウ化物、周期律表ＩＶａ族の
ホウ化物、及びＶａ族のホウ化物からなる群から選ばれ
た一種以上の金属ホウ化物、（ｂ）マンガン酸化物及びマンガンホウ化物から選ばれ
た一種以上のマンガン化合物、（ｃ）シリコン又は一酸化珪素、（ｄ）ガラスフリット、及び（ｄ）有機ビヒクル、を構成成分とし、前記マンガン化
合物の量は前記ガラスフリットの５モル％を超え且つ４
０モル％を超えない量で、又前記マンガン化合物の前記
金属ホウ化物に対するモル比が４〜０．４であり、且つ
前記シリコン又は一酸化珪素の量は、前記金属ホウ化物
、マンガン化合物およびガラスフリットの合計量に対し
て０．２〜３重量％とすることにより、銅導体と適合で
き且つ実質的に非酸化性の雰囲気中で焼成可能な抵抗体
製造用組成物が得られることを見いだした。

【作用】

厚膜技術で使われる抵抗ペーストは、一般に、導電粉、
ガラスフリット及び有機ビヒクルを構成成分として、三
本ロールミル等で前記構成成分を混練しペースト化した
後、スクリーン印刷法等でアルミナ基板上に回路パター
ンを形成し、乾燥、焼成して所望の抵抗体とされる。本発明の抵抗体製造用組成物では、導電粉の構成成分が
、金属ホウ化物およびマンガン化合物と、更にシリコン
又は一酸化珪素からなる。金属ホウ化物としては、ＬａＢａ　、Ｃｅ８６等の希土
類ホウ化物、ＢａＢ６．５ｒ８６等のアルカリ土類ホウ
化物、ＴｉＢｚ、Ｚｒ８２等の周期律表ＩＶ　ａ族のホ
ウ化物、ＶＢ２、ＮｂＢ２等のＶａ族のホウ化物から選
ばれた一種以上の金属ホウ化物が使用できる。これらの
金属ホウ化物は、通常ボールミル等の粉砕機を使って微
粉化される。特に、微粉化後のＬ　ａ　Ｂ　ｂは、平均径が５〜０１
μｍ、好ましくは、２〜０．１μｍの平均径のものが良
い、平均径を５μｍ以下にする理由は、本発明では、金
属ホウ化物と後述の微細なマンガン化合物とから実質的
に非酸化性の雰囲気中での焼成により生成する導電性生
成物が重要であり、金属ホウ化物の平均径が５μｍより
大きいと均一な導電性生成物を得ることが困難になるこ
とにある。逆に、平均径を０．１μｍ以上とする理由は
、金属ホウ化物はＲＩＩＩＩＩなほど好ましいが、０．
１μｍより小さな平均径にするには、極めて長時間の粉
砕時間を要する上、粉砕機からの汚染も無視できなくな
り、実用的でないことにある。また、他の構成成分のマンガン化合物としては、Ｍｎ０
１Ｍｎ０ｚ　、Ｍｎｚ　Ｏ３、ＭｎＢ等のマンガン酸化
物やマンガンホウ化物等から選択されたものを使うこと
ができる。これらは、非酸化性雰囲気中８００〜９５０
　’Ｃの焼成により前記金属ホウ化物と反応して、マン
ガンホウ化物（ＭｎＢ等）とマンガンのいずれか一種、
又はこれらの混合物からなる導電物を抵抗体中に生成す
る４抵抗体中に導電性生成物を均一に析出させ、安定な
導電パスを形成するためには、マンガン化合物がガラス
フリットの５モル％を超え且つ４０モル％を超えない量
が必要である。又、マンガン化合物は、平均径が１μｍ
以下が良く、特にＭｎ２０、の場合は０．５μｍ以下の
超微粉が好ましい。マンガン化合物の量がガラスフリットの５モル％以下で
あったり、あるいはマンガン化合物の平均径か１μｍよ
り大きい場合は、いずれも抵抗体中に均一な導電パスが
形成されず、所望の抵抗体特性を得ることができない、
この原因は未反応のマンガン化合物が残存したり、マン
ガン化合物とガラスフリットの反応生成物が生じる場合
があるためである。又、マンガン化合物がカラスフリッ
トの４０モル％を超える場合も、マンガン化合物が残存
したり、マンガン化合物とガラスフリットが優先的に反
応して、反応生成物を生じる場合があり、所定の抵抗体
特性を得ることができない。又、本発明におけるマンガン化合物と金属ホウ化物の合
計重量とガラスフリットの重量比は５／９５〜６０／４
０、好ましくは１０／９０〜５０１５０である。上記重
量比が６０／４０より大きいと膜強度及び基板との接着
強度が得られず、逆に５／９５より小さいと適当な導電
ネットワークが形成されず所望の抵抗特性か得られない
。マンガン化合物の金属ホウ化物に対するモル比は、４〜
０．４の範囲か良く、特に２〜０．４５の範囲が好まし
い、このモル比が４を超えると未反応のマンガン化合物
が多く残ったり、ガラス成分との反応による反応生成物
が増え、導電に寄与する導電物が少なくなったり、抵抗
体の抵抗特性が悪くなる。又上記モル比が０．４より少
ないと、マンガン化合物と金属ホウ化物の反応によって
生成する導電物が少なく、導電に寄与するのは専ら未反
応の金属ホウ化物であり、マンガン化合物添加の効果が
認められず、高抵抗側での抵抗特性が悪くなる。尚、本発明では、前述のように反応によりマンガンホウ
化物やマンガンが抵抗体中に導電物として生成されるが
、最初からこれらのマンガンホウ化物やマンガンを抵抗
ペーストの構成成分とした場合は、導電粉とガラスとの
ぬれ性が悪く、又凝集しやすいため、本発明のような非
酸化性雰囲気中焼成によって得られる均一な導電パスを
得ることは困難である。さらに、本発明の抵抗体製造用組成物は、シリコン又は
一酸化珪素を構成成分として含むことを特徴としている
。シリコン又は一酸化珪素の添加効果は、特に、ハイブ
リッドＩＣで使用頻度が高いＩＫΩ／口〜１００にΩ／
口の抵抗体の抵抗の温度係数（ＴＣＲ）や静電圧特性（
ＥＳＤ＞等の耐電圧特性の向上にある。シリコン又は一
酸化珪素は、前記金属ホウ化物、マンガン化合物及び後
述のガラスフリットの合計量に対して０．２〜３重量％
、好ましくは１〜２重量％添加するのが良い、なぜなら
ば、このような添加量により、抵抗体の抵抗の温度係数
と耐電圧特性が著しく向上することか見出だされたから
である。この重量％が０．２重量％より少ないとシリコ
ン又は一酸化珪素の添加効果は十分ではなく、逆に３重
量％より多くても、０．２〜３重量％添加の効果より顕
著な抵抗体特性の向上は見られず、がえって抵抗値のバ
ラツキ等が大きくなってしまう。シリコンまたは一酸化珪素は、マンガン化合物と反応し
て、導電性マンガンホウ化物、あるいはマンガンを生成
し、金属ホウ化物とマンガン化合物の反応によって形成
される導電パスをより均一化して電気的特性向上に寄与
していると推察される。カラスフリットは、実質的に非酸化性雰囲気中の焼成に
おける軟化、流動、焼結の際に、抵抗体中に導電ネット
ワーク形成を助け、導電物とガラス量による抵抗値調整
の役割と、基板と抵抗体を接着させる役割と、膜強度の
向上の役割を果たしている。ガラスフリットとして、Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＳｒＯ，Ｍｇ
Ｏ，Ｓ　ｉｏ２、Ｂ２０３、Ｚ　ｒ０２．５ｎＯｚ　、
ＴｉＯ□、Ａ１２０ｓ等の複数の酸化物を構成成分とす
るものを使用することができる。例えば、ＢａＯ等のアルカリ土類酸化物が２０〜６０重
量％、Ｂ　２０３が１０〜３０重量％、５ｔＯ２が２０
〜３０重量％、ＺｒＯ２及びＺ　ｒ　０２と置換可能な
ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等の４価の金属酸化物が１０重量％
以下の金属酸化物を構成成分とするものなどを使うこと
ができる。又、前記マンガン化合物としてマンガン酸化物を用いる
場合は、そのマンガン酸化物の一部もしくは全量かカラ
スフリット中に含有されていても構わない。ガラスフリットは通常の方法によって製造することがで
き、Ｂ　ａ　ＣＯ３やＭｇＯ等のガラスフリット構成成
分の炭酸塩や酸化物を所望の割合で混合し、加熱溶融し
、急冷後ボールミル等による粉砕により、平均径を５μ
ｍ程度に調整したものを使うことができる。本発明で使用する有機ビヒクルは特定のものである必要
はなく、抵抗ペーストを製造するのに一般に使用されて
いるもので良い、有機ビヒクルは、溶剤、樹脂及び微量
の添加剤を構成成分とし、上述の金属ホウ化物、マンガ
ン化合物、及びガラスフリットを均一に分散させてペー
スト状にして、このようにして得られた抵抗ペーストを
スクリーン印刷により基板上に所定の回路パターンを形
成し乾燥することができる。溶剤は、その例として、アルコール類、エステル類、エ
ーテル類、ケトン類等をあげることができ、例えば、テ
ルピネオール、プロピオン酸エチル、ジエチルジブチル
エーテル、メチルエチルゲトン等を使うことができる。樹脂としては、例えば、エチルセルロース、ニトロセル
ロース等のセルロース系樹脂やブチルメタアクリレート
、メチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂等を使う
ことかできる。添加剤としては、例えばレシチンやステ
アリン酸等をペーストの粘度調整用等の目的で使うこと
ができる。ビヒクル中の樹脂成分は、通常１〜５０重量
％とするのが良い。有機ビヒクルは、抵抗体製造用組成物全体の約２０〜４
０重量％であり、ビヒクルは多すぎても、少なすぎても
スクリーン印刷により適当な抵抗体パターンが得られな
い、ビヒクルは、乾燥及び焼成過程で揮発又は分解する
。

【実施例】

（実施例１）ＬａＢ６　（新日本金属（株）製、Ｆグレード）をエタ
ノール溶媒中で、ジルコニアボール（５＋ｗ＋φ）の使
用で、ボールミル粉砕し、ＢＥＴ平均径０．６ｐｍのＬ
　ａ　Ｂ　４をｆ重用した。Ｍｎ２Ｏ３、シリコン及び
ＳｉＯは、（株）高純度化学研究新製の粉末を同様に粉
砕し、ＢＥＴ平均径かＭ　ｎ　２０３は０．４μｍ、Ｓ
ｔは０．７μｍ、ＳｉＯは０．８μｍの粉末を用いた。カラスフリットは、ＢａＯが４９．５重量％、Ｂ２０．
か１８．４重量％、５ｉｆ２が２６．７重量％、Ｚ　ｒ
　Ｏ２が５．４重量％の組成で、平均径か約５μｍの粉
末の形で用いた。ビヒクルは、溶剤としてテルピネオール、樹脂としてエ
チルセルロースからなるものを用いた。ビヒクルを抵抗ペーストの３３重量％とし、ＬａＢ６、
Ｍｎ２０ｓ　、Ｓ　ｉ又は５ｉＯ１及びビヒクルを第２
表に示した割合で秤量混合した。具体的な調合の例を示すと、Ｍ　ｎ　２０３／　Ｌ　ａ
Ｂ６＝２．２　（モル比）、および（Ｍｎ２０．＋Ｌａ
Ｂ、）／ガラス＝１５／８５（重量比）、Ｓｔが１．５
％の場合は、Ｍｎ２０ｓ　：　１．２６７ｇ、ＬａＢ６
：　０．７４３ｇ−ガラスフリット＝１１．３９０ｇ、
Ｓｔ　：０．２０１ｇ、ビヒクル：６．６０ｇである。このような混合物を三本ロールミルで混練しペーストと
した。他の調合の場合も、各構成成分の所定重量を秤量
混合して同様に混練しペーストとした。これらのペーストを通常の厚膜法にしたがって、前もっ
てＣｕ電極を形成しであるアルミナ基板上に膜厚的４０
μｍのパターンを形成し、３０分間のレベリング後、１
２０℃で１０分間乾燥し、窒素雰囲気のベルトコンベア
炉で焼成して抵抗体を形成した。焼成は最高温度９００
℃で１０分間保持し、全体で１時間の焼成時間で行った
。抵抗値の変動係数（ＣＶ）は、（１）式を用いて算出し
た。また、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）は、−５５°Ｃ１２５
℃、１２５°Ｃの各々の抵抗値を測定して、（２）およ
び（３）式を用いて冷時温度係数（ＣＴＣＲ）と熱闘温
度係数（ＨＴＣＲ）を算出した。電流ノイズは、ノイズメータ（Ｑｕａｎ−Ｔａｃｈ社製
造）を使用して測定した。実施例１の結果を第２表に示す。（この頁以下余白）Ｒｉ＝試料試料紙抗値（Ω／ロン（２）〜（３）式中、Ｒ−５，ニー５５℃における抵抗値（Ω／口）Ｒ２，：
　　２５℃における抵抗値（Ω／口）Ｒ１□ｓ：１２５
℃における抵抗値（Ω／口）（４）式中、ＲＯ：初期抵抗値（Ω／口）Ｒ×：印加後の抵抗値（Ω／口）（比較例１・２）第２表には、マンガン化合物の金属ホウ化物に対するモ
ル比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の特
許請求範囲外であるが、実施例１と同様に作成された比
較例１と、Ｓｔ又はＳｉＯの量が本発明の特許請求範囲
外であるが、実施例１と同様に作成された比較例２も一
緒に示されている。第２表から明らかなように、比較例１は、ＣＶ値が大き
く、ＴＣＨの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例２は、ＴＣＲ及びＥＳＤ
特性以外の特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗
体に匹敵するものの、ＴＣＲやＥＳＤ特性がやや劣って
いる。一方、本発明の抵抗ペーストから得られた抵抗体
は、ＴＣＲやＥ　Ｓ　Ｄ、特性を含めて良好な抵抗体特
性を示している。（実施例２）Ｍｎ２０．及び５ｒＢ６は（株ン高純度化学研究所製の
粉末を原料とし、Ｖ２０３．５ｒＢ６と共に０．４μｍ
のＢＥＴ平均径まで粉砕した以外は、実施例１と同様に
抵抗ペーストを製造し、アルミナ基板に回路パターンを
スクリーン印刷した後に、窒素雰囲気焼成により得られ
た抵抗体を評価した。その結果を第３表に示す。（比較例３・４）第３表には、マンガン化合物の金属ホウ化物に対するモ
ル比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の特
許請求範囲外であるが、実施例２と同様に作成された比
較例３と、Ｓｔ又はＳｉＯの量が本発明の特許請求範囲
外であるが、実施例１と同様に作成された比較例４も一
緒に示されている。第３表から明らかなように、比較例２は、ＣＶ値が大き
く、ＴＣＨの値がマイナス１大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例４は、ＥＳＣ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＤ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、ＥＳＤ特性も含
めて良好な抵抗体特性を示している。（実施例３）Ｔｉ　Ｂ２　、ＮｂＢ２は新日本金属（株）製の粉末を
、又ＭｎＯ，Ｍｎ２０ｓ　、ＭｎＢ、ＣｅＢ６及び５ｒ
Ｂ６は（株）高純度化学研究新製の粉末を原料とし、こ
れらの粉末を０．３〜０．８μｍのＢＥＴ平均径まで粉
砕した以外は、実施例１と同様に抵抗ペーストを製造し
、アルミナ基板に回路パターンをスクリーン印刷した後
に、窒素雰囲気焼成により得られた抵抗体を評価した。その結果を第４表に示す。（比較例５・６）第４表には、マンガン化合物の金属ホウ化物に対するモ
ル比が４〜０．４の範囲にないという点では本発明の特
許請求範囲外であるが、実施例３と同様に作成された比
較例５と、Ｓｔ又はＳｉＯの量が本発明の特許請求範囲
外であるが、実施例１と同様に作成された比較例６も一
緒に示されている。第４表から明らかなように、比較例５は、ＣＶ値か大き
く、ＴＣＨの値がマイナスに大きすぎて、実用に耐え難
い抵抗体である。また、比較例６は、ＥＳＣ特性以外の
特性は、空気中焼成用酸化ルテニウム系抵抗体に匹敵す
るものの、ＥＳＤ特性がやや劣っている。一方、本発明
の抵抗ペーストから得られた抵抗体は、ＥＳＤ特性も含
めて良好な抵抗体特性を示している。

【発明の効果】

以上のように、本発明による、マンガン化合物、金属ホ
ウ化物、シリコン又は一酸化珪素、ガラスフリット及び
有機ビヒクルを構成成分とする抵抗体製造用組成物を、
実質的に非酸化性雰囲気中で焼成して得られる抵抗体は
、抵抗の温度係数及び耐電圧特性が優れており、銅伝導
体と共に使うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の評価に使用した静電耐圧特性測定装
置の概略説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】（ａ）希土類ホウ化物、アルカリ土類ホウ化物、周期律
表IVａ族のホウ化物、及びＶａ族のホウ化物からなる群
から選ばれた一種以上の金属ホウ化物、（ｂ）マンガン酸化物とマンガンホウ化物から選ばれた
一種以上のマンガン化合物、（ｃ）シリコン又は一酸化珪素（ｄ）ガラスフリット、及び（ｅ）有機ビヒクル、を構成成分とし、前記マンガン化合物の量はガラスフリットの５モル％を
超え且つ４０モル％を超えない量で、又前記マンガン化
合物の前記金属ホウ化物に対するモル比が４〜０．４で
あり、且つ前記シリコン又は一酸化珪素の量は、前記金
属ホウ化物、マンガン化合物およびガラスフリットの合
計量に対して０．２〜３重量％であることを特徴とする
抵抗体製造用組成物。