JPH0337192A - 気相法ダイヤモンド膜の合成法 - Google Patents
気相法ダイヤモンド膜の合成法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は気相法によるダイヤモンド〔ダイヤモンドライ
ク炭素（以下、ＤＬＣという）をも含む】膜の合成法に
関し、さらに詳しくはＳｉ、 Ｍｏ、ＳｉＣ等の基板の
表面に気相法により高強度のダイヤモンド膜を析出させ
るダイヤモンド膜の合成法に関する。 〔従来の技術〕 気相法によるダイヤモンドの合成はメタン、エタン、メ
チルアルコール、アセトン等の有機化合物を用い、プラ
ズマによりダイヤモンド生成反応を起こさせＳｉ、 Ｎ
ｏ等の基板に膜状あるいは粒状のダイヤモンドを析出さ
せるのが通常である。 この場合、基板の上にダイヤモンド、ＳｉＣ等の微粒子
を撒布しておき、この微粒子表面にダイヤモンドを析出
させる方法もある。 しかし、これらは−殻内にダイヤモンドの析出ＪＦ５態
や結晶性の選択制御が十分でなく、薄膜では母地との付
着強度や薄膜自身の強度不足等から用途が限定されてい
る。
ク炭素（以下、ＤＬＣという）をも含む】膜の合成法に
関し、さらに詳しくはＳｉ、 Ｍｏ、ＳｉＣ等の基板の
表面に気相法により高強度のダイヤモンド膜を析出させ
るダイヤモンド膜の合成法に関する。 〔従来の技術〕 気相法によるダイヤモンドの合成はメタン、エタン、メ
チルアルコール、アセトン等の有機化合物を用い、プラ
ズマによりダイヤモンド生成反応を起こさせＳｉ、 Ｎ
ｏ等の基板に膜状あるいは粒状のダイヤモンドを析出さ
せるのが通常である。 この場合、基板の上にダイヤモンド、ＳｉＣ等の微粒子
を撒布しておき、この微粒子表面にダイヤモンドを析出
させる方法もある。 しかし、これらは−殻内にダイヤモンドの析出ＪＦ５態
や結晶性の選択制御が十分でなく、薄膜では母地との付
着強度や薄膜自身の強度不足等から用途が限定されてい
る。
ダイヤモンド生成領域中に設置した基板表面へダイヤモ
ンドを析出する場合、その形態や結晶性は基板の種類（
例えばＳｉ、 Ｍｏ、 ＳｉＣ等の基板の種類）ある
いは表面状態（例えば欠陥密度の大小）の依存性が大き
く、十分な選択制御ができないという問題があり、又析
出構造の緻密性や均一性の不足により十分な強度が得ら
れないこと等から用途が限定されていた。 本願の目的は析出ダイヤモンド粒子サイズな微細化し、
且つその微細化粒子間の結合状態を緻密、均一に制御す
ることによる高強度ダイヤモンド膜を合成することにあ
る。 〔課題を解決するための手段〕 本件発明者は上記の目的を達成するため鋭意研究した結
果、特定の振動モードで基板を振動させることにより、
ダイヤモンド形態、結晶性が大きく変化し、析出状態が
微粒子で結合状態が緻密、均一なダイヤモンド膜が得ら
れることを見出し、本件発明を完成するに至った。 すなわち、本件発明の要旨は、気相法によりダイヤモン
ド膜を合成する方法において、基板をダイヤモンド生成
領域中で１ＫＨｚ以上の振動数で振動させることにより
基板表面に高強度のダイヤモンド膜を析出させることを
特徴とする気相法ダイヤモンド膜の合成法にある。 以下、本発明の実施に用いられる装置の一例を図面に示
し、これを参考にして具体的に本発明を説明するが、本
発明はこれら図示に限定されるものではない。 図１は熱フイラメント法による場合を示したもので、１
がＭｏ製の皿状容器、２はこの容器を振動させる為の軸
棒、３はタングステンフィラメント、４はＭｏ基板であ
る。 容ＷＮ ｌはｌＪｏの他、Ｗ、 ＳＵＳなどの材質で
もよい。形状は円、長方形など特に限定はない。深さは
５〜’ＪＯｍｍ程度が好ましい。基板４はダイヤモンド
、Ｓｉ％ ＳｉＣ％Ｗ％ＷＣ１等でもよい。 基板を入れた容器のおかれる位置は基板がダイヤモンド
生成領域内にあるようにする。図１で示すフィラメント
の場合では、振動中における基板表面とフィラメントの
下端部の距離は２〜７ ｍｍが適当で、その位置で基板
を容器下端部へ固定する。励起法がマイクロ波、高周波
、燃焼炎法等の場合にも、ダイヤモンド生成領域はその
出力等により予めわかるので、その領域に基板があるよ
うにする。ダイヤモンドが析出する基板温度は６５０〜
１２００℃程度である。 基板を振動させるには一つの方法として容器を軸棒２に
連結した振動装置（図示せず）により振動させる。振動
は上下方向でもよいがこれはわずかな横方向の振動を加
えてもよい。振幅は０．１〜２ｍｍの範囲が好ましい。 本発明の主眼となるのは振動数である。即ちＩＫ）Ｉｚ
以上の高振動数ではサブミクロン以下の微細ダイヤモン
ド粒子から成る緻密で均一な膜状物質が得られる。１Ｋ
Ｈｚ以下の低振動数ではミクロンオーダーの単結晶に近
い微粒ダイヤモンドが析出する。さらに振動を停止した
場合は基板の種類や表面状態により生成ダイヤモンドは
薄膜あるいは粒状と形態が一定しないのみならず結晶性
もまちまちであり結晶子間結合強度も低い。 本発明においてダイヤモンド合成の他の条件は公知のも
のと特に変りはない。原料ガスとしてはメタン、エタン
、ベンゼン等の炭化水素、メタノール、エタノール、ア
セトン、酢酸等の含酸素化合物、その他Ｃ，Ｈ以外にＮ
、Ｃ１等を含む化合物も使用できる。そして、これらに
Ｈ２、Ａｒ等のキャリアガスを混合して使用されるのが
普通である。励起は熱フィラメント、マイクロ波、高周
波、直流アーク放電、電子線照射、燃焼炎法などにより
行なわれる。 以下、実施例、比較例により本発明をさらに詳しく説明
する。 〔実施例１ 容積約４２の反応槽（直径２０ｃｍ、高さ２０ｃｍ）内
に図１に示すようなタングステンフィラメント及びモリ
ブデン製の皿状容器をセットし、皿の底面にモリブデン
基板を取付け、フィラメント（らせんの下端）との距離
を５ｒｎｍとした。皿には１．２ＫＨｚの振動を与え基
板を振動させた。振幅は約Ｉｎｌ１１である。 ダイヤモンド合成はエチルアルコール２容積％を含有す
る水素ガスを用い、その流量を８０ｃｃ／分とし、熱ソ
イ２メントの温度を２２００℃、反応槽内の圧力は１０
０Ｔｏｒｒの条件で行った。この条件で７時間保った。 その結果ＳＥＭ観察により緻密なサブミクロン−２μｍ
径のダイヤモンド薄膜が基板表面を田っていた。ダイヤ
モンド薄膜の厚さは約３５ＬＬＩ１１であった。 このダイヤモンド薄膜のラマンスペクトルは１３３４ｃ
ｍ−’のかなり鋭いダイヤモンドビークのみを検出した
。 次にダイヤモンド薄膜の付着しているモリブデン基板を
酸溶解し、薄膜強度を測定した。薄膜強度測定としては
ヤング率を用い１．２ＫＨｚで振動させ合成した薄膜は
４６００ｋｇ−ｆ ／ ｍ ｒｎ’であった。 比較例１ 振動数を５０Ｈｚの条件とした以外は実施例と同様の実
験を行い、ＳＥＭ観察した結果、単結晶状の６〜８μｍ
のダイヤモンド粒がＭｏ基板に付着していた。 比較例２ 振動を停止した以外は実施例と同様の実験を行ない、Ｓ
ＥＭ観察した結果、１〜４μｍのダイヤモンド粒子から
成る薄膜がＭｏ基板に付着していた。 このダイヤモンド薄膜のラマンスペクトルは１３３４ｃ
ｍ−’のかなり鋭いダイヤモンドビークのみを検出した
。 次に薄膜強度を実施例のものと比較する為、Ｍ。 基板を酸溶解し、約３５μｍ厚みの部分についてヤング
率を測定したところ３８００ｋｇ−ｆ ／ ｍ ｒｎ”
であった。 ［発明の効果〕 本発明の方法により微細構造で且つ高強度のダイヤモン
ド膜が合成できることになり、切削工具、研削工具、ダ
イヤモンド複合砥粒等の用途に好適に用いられる。
ンドを析出する場合、その形態や結晶性は基板の種類（
例えばＳｉ、 Ｍｏ、 ＳｉＣ等の基板の種類）ある
いは表面状態（例えば欠陥密度の大小）の依存性が大き
く、十分な選択制御ができないという問題があり、又析
出構造の緻密性や均一性の不足により十分な強度が得ら
れないこと等から用途が限定されていた。 本願の目的は析出ダイヤモンド粒子サイズな微細化し、
且つその微細化粒子間の結合状態を緻密、均一に制御す
ることによる高強度ダイヤモンド膜を合成することにあ
る。 〔課題を解決するための手段〕 本件発明者は上記の目的を達成するため鋭意研究した結
果、特定の振動モードで基板を振動させることにより、
ダイヤモンド形態、結晶性が大きく変化し、析出状態が
微粒子で結合状態が緻密、均一なダイヤモンド膜が得ら
れることを見出し、本件発明を完成するに至った。 すなわち、本件発明の要旨は、気相法によりダイヤモン
ド膜を合成する方法において、基板をダイヤモンド生成
領域中で１ＫＨｚ以上の振動数で振動させることにより
基板表面に高強度のダイヤモンド膜を析出させることを
特徴とする気相法ダイヤモンド膜の合成法にある。 以下、本発明の実施に用いられる装置の一例を図面に示
し、これを参考にして具体的に本発明を説明するが、本
発明はこれら図示に限定されるものではない。 図１は熱フイラメント法による場合を示したもので、１
がＭｏ製の皿状容器、２はこの容器を振動させる為の軸
棒、３はタングステンフィラメント、４はＭｏ基板であ
る。 容ＷＮ ｌはｌＪｏの他、Ｗ、 ＳＵＳなどの材質で
もよい。形状は円、長方形など特に限定はない。深さは
５〜’ＪＯｍｍ程度が好ましい。基板４はダイヤモンド
、Ｓｉ％ ＳｉＣ％Ｗ％ＷＣ１等でもよい。 基板を入れた容器のおかれる位置は基板がダイヤモンド
生成領域内にあるようにする。図１で示すフィラメント
の場合では、振動中における基板表面とフィラメントの
下端部の距離は２〜７ ｍｍが適当で、その位置で基板
を容器下端部へ固定する。励起法がマイクロ波、高周波
、燃焼炎法等の場合にも、ダイヤモンド生成領域はその
出力等により予めわかるので、その領域に基板があるよ
うにする。ダイヤモンドが析出する基板温度は６５０〜
１２００℃程度である。 基板を振動させるには一つの方法として容器を軸棒２に
連結した振動装置（図示せず）により振動させる。振動
は上下方向でもよいがこれはわずかな横方向の振動を加
えてもよい。振幅は０．１〜２ｍｍの範囲が好ましい。 本発明の主眼となるのは振動数である。即ちＩＫ）Ｉｚ
以上の高振動数ではサブミクロン以下の微細ダイヤモン
ド粒子から成る緻密で均一な膜状物質が得られる。１Ｋ
Ｈｚ以下の低振動数ではミクロンオーダーの単結晶に近
い微粒ダイヤモンドが析出する。さらに振動を停止した
場合は基板の種類や表面状態により生成ダイヤモンドは
薄膜あるいは粒状と形態が一定しないのみならず結晶性
もまちまちであり結晶子間結合強度も低い。 本発明においてダイヤモンド合成の他の条件は公知のも
のと特に変りはない。原料ガスとしてはメタン、エタン
、ベンゼン等の炭化水素、メタノール、エタノール、ア
セトン、酢酸等の含酸素化合物、その他Ｃ，Ｈ以外にＮ
、Ｃ１等を含む化合物も使用できる。そして、これらに
Ｈ２、Ａｒ等のキャリアガスを混合して使用されるのが
普通である。励起は熱フィラメント、マイクロ波、高周
波、直流アーク放電、電子線照射、燃焼炎法などにより
行なわれる。 以下、実施例、比較例により本発明をさらに詳しく説明
する。 〔実施例１ 容積約４２の反応槽（直径２０ｃｍ、高さ２０ｃｍ）内
に図１に示すようなタングステンフィラメント及びモリ
ブデン製の皿状容器をセットし、皿の底面にモリブデン
基板を取付け、フィラメント（らせんの下端）との距離
を５ｒｎｍとした。皿には１．２ＫＨｚの振動を与え基
板を振動させた。振幅は約Ｉｎｌ１１である。 ダイヤモンド合成はエチルアルコール２容積％を含有す
る水素ガスを用い、その流量を８０ｃｃ／分とし、熱ソ
イ２メントの温度を２２００℃、反応槽内の圧力は１０
０Ｔｏｒｒの条件で行った。この条件で７時間保った。 その結果ＳＥＭ観察により緻密なサブミクロン−２μｍ
径のダイヤモンド薄膜が基板表面を田っていた。ダイヤ
モンド薄膜の厚さは約３５ＬＬＩ１１であった。 このダイヤモンド薄膜のラマンスペクトルは１３３４ｃ
ｍ−’のかなり鋭いダイヤモンドビークのみを検出した
。 次にダイヤモンド薄膜の付着しているモリブデン基板を
酸溶解し、薄膜強度を測定した。薄膜強度測定としては
ヤング率を用い１．２ＫＨｚで振動させ合成した薄膜は
４６００ｋｇ−ｆ ／ ｍ ｒｎ’であった。 比較例１ 振動数を５０Ｈｚの条件とした以外は実施例と同様の実
験を行い、ＳＥＭ観察した結果、単結晶状の６〜８μｍ
のダイヤモンド粒がＭｏ基板に付着していた。 比較例２ 振動を停止した以外は実施例と同様の実験を行ない、Ｓ
ＥＭ観察した結果、１〜４μｍのダイヤモンド粒子から
成る薄膜がＭｏ基板に付着していた。 このダイヤモンド薄膜のラマンスペクトルは１３３４ｃ
ｍ−’のかなり鋭いダイヤモンドビークのみを検出した
。 次に薄膜強度を実施例のものと比較する為、Ｍ。 基板を酸溶解し、約３５μｍ厚みの部分についてヤング
率を測定したところ３８００ｋｇ−ｆ ／ ｍ ｒｎ”
であった。 ［発明の効果〕 本発明の方法により微細構造で且つ高強度のダイヤモン
ド膜が合成できることになり、切削工具、研削工具、ダ
イヤモンド複合砥粒等の用途に好適に用いられる。
図１は本発明の方法に用いられる装置の一部断面図であ
る。
る。
Claims (1)
- １、気相法によりダイヤモンド膜を合成する方法におい
て、基板をダイヤモンド生成領域中で１ＫＨｚ以上の振
動数で振動させることにより基板表面に高強度のダイヤ
モンド膜を析出させることを特徴とする気相法ダイヤモ
ンド膜の合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172738A JP2798713B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 気相法ダイヤモンド膜の合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172738A JP2798713B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 気相法ダイヤモンド膜の合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337192A true JPH0337192A (ja) | 1991-02-18 |
| JP2798713B2 JP2798713B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=15947402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1172738A Expired - Lifetime JP2798713B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 気相法ダイヤモンド膜の合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798713B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177152A (ja) * | 2006-03-22 | 2006-07-06 | Wayne-Dalton Corp | 建物の開口部を被覆するウィンドロック機構 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232933A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Canon Inc | 研磨方法及び研磨装置 |
| JPS63309187A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Toyo Jozo Co Ltd | 新規なビリルビン．オキシダーゼおよびその製造法 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1172738A patent/JP2798713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232933A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Canon Inc | 研磨方法及び研磨装置 |
| JPS63309187A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Toyo Jozo Co Ltd | 新規なビリルビン．オキシダーゼおよびその製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177152A (ja) * | 2006-03-22 | 2006-07-06 | Wayne-Dalton Corp | 建物の開口部を被覆するウィンドロック機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798713B2 (ja) | 1998-09-17 |
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