JPH02149412A - ダイヤモンドの合成法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、気相合成によるダイヤモンドの製造方法に関
するものである。
するものである。
［従来の技術および解決しようとする課題］熱プラズマ
ＣＶＤ法は、高速でダイヤモンドを合成できるが、均一
性が悪くダイヤモンドと母材との付着性が劣化している
。他の合成法では５ｉＨａ、 ＴｉＨａ等の水素化物、
５ｉＣＩｉ 、 ＴｉＣ１ｎ等の塩化物または有機金属
化合物等を添加し、生成速度、付着力等を向上させてい
るが生成速度が十分でなく、またこれらの添加ガスは毒
性。
ＣＶＤ法は、高速でダイヤモンドを合成できるが、均一
性が悪くダイヤモンドと母材との付着性が劣化している
。他の合成法では５ｉＨａ、 ＴｉＨａ等の水素化物、
５ｉＣＩｉ 、 ＴｉＣ１ｎ等の塩化物または有機金属
化合物等を添加し、生成速度、付着力等を向上させてい
るが生成速度が十分でなく、またこれらの添加ガスは毒
性。
引火性が強く取扱いが難しい。
［課題を解決するための手段］
本発明は取扱いが容易なＳｉＣ、ＴｉＣ等の炭化物の微
粉末をプラズマ中へ添加することにより、高速度かつ高
付着性を有ザるダイヤモンドの合成法であり、この微粉
末の粒径を０，０１〜１０ＩＩＭどするものである。Ｓ
ｉｎ、ＴｉＣ等微粉末の粒径が０．０１．未満では導入
が難しく、１０膚を越えると核としての効果が十分でな
くなり、粒径は特に０．１〜１Ｒが好ましい。
粉末をプラズマ中へ添加することにより、高速度かつ高
付着性を有ザるダイヤモンドの合成法であり、この微粉
末の粒径を０，０１〜１０ＩＩＭどするものである。Ｓ
ｉｎ、ＴｉＣ等微粉末の粒径が０．０１．未満では導入
が難しく、１０膚を越えると核としての効果が十分でな
くなり、粒径は特に０．１〜１Ｒが好ましい。
［実施例１
モリブデンを基板としてアルゴン４０４ ／１ｎ。
水素４ Ｊ ／ｎ＋ｉｎ、メタン４０−／ｍｉｎ圧力２
００Ｔｏｒｒにおいてプラズマジェットを発生させて、
ＳｉＣ微粉末（粒径０．５ｍ）を１０ｍｇ／ｗｉｎで添
加し、１０１ｎダイヤモンドの生成を行った。基板上に
約２０ｇの析出物が生成した。析出物の硬さはビッカー
ス硬度８０００を示し、Ｘ線回折よりダイヤモンドと同
定された。このダイヤモンドが析出したモリブデンを１
８０°に折曲げたが、ダイヤモンドは剥離することなく
強い付着力を示した。
００Ｔｏｒｒにおいてプラズマジェットを発生させて、
ＳｉＣ微粉末（粒径０．５ｍ）を１０ｍｇ／ｗｉｎで添
加し、１０１ｎダイヤモンドの生成を行った。基板上に
約２０ｇの析出物が生成した。析出物の硬さはビッカー
ス硬度８０００を示し、Ｘ線回折よりダイヤモンドと同
定された。このダイヤモンドが析出したモリブデンを１
８０°に折曲げたが、ダイヤモンドは剥離することなく
強い付着力を示した。
［作用］
ダイヤモンドの生成において核発生の中心となるＳＩＣ
、ＴｉＱ等の微粒子が、母材の表面にプラズマジェット
の流れにより運ばれ熱により反応し母材表面に結合する
。ＳｉＣ，ＴｉＣ等の炭化物微粒子を核としてダイヤモ
ンドが生成する。
、ＴｉＱ等の微粒子が、母材の表面にプラズマジェット
の流れにより運ばれ熱により反応し母材表面に結合する
。ＳｉＣ，ＴｉＣ等の炭化物微粒子を核としてダイヤモ
ンドが生成する。
ＳｉＣ，ＴｉＣ等が母材とダイヤモンドのバインダーと
して作用しているため、母材の材質に左右されることな
く強い付着力が得られる。
して作用しているため、母材の材質に左右されることな
く強い付着力が得られる。
［発明の効果コ
本発明により、プラズマ中に添加されたＳｉＣ。
ＴｉＣ等の炭化物の微粉末が母材表面において、ダイヤ
モンド生成の核となるために均一にダイヤモンドが生成
し、またＳｉＣ，ＴｉＣ等がバインダーとして作用する
ため付着力が強くなるという効果があった。５ｉＣ１４
，ＴｉＣｌ４の等の塩化物、Ｓ！Ｈａ、 Ｔ！）Ｉｚ等
の水素化物および′４−Ｊｉ金属化合物は有毒または引
火性であるが、本発明による添加物であるＳｉＣ，Ｔｉ
Ｃ等は炭化物であるために取扱いが容易である。したが
って本発明によるダイヤモンドコーティングにより各種
の機能材料を供することができるようになった。
モンド生成の核となるために均一にダイヤモンドが生成
し、またＳｉＣ，ＴｉＣ等がバインダーとして作用する
ため付着力が強くなるという効果があった。５ｉＣ１４
，ＴｉＣｌ４の等の塩化物、Ｓ！Ｈａ、 Ｔ！）Ｉｚ等
の水素化物および′４−Ｊｉ金属化合物は有毒または引
火性であるが、本発明による添加物であるＳｉＣ，Ｔｉ
Ｃ等は炭化物であるために取扱いが容易である。したが
って本発明によるダイヤモンドコーティングにより各種
の機能材料を供することができるようになった。
第１図は本発明を実施づるための装置の概略図。
１：プラズマトーチ
２・アルゴンガスボンベ
３；水素ガスボンベ
４；メタンガスボンベ
５；フィーダー用ガスボンベ
６：粉末フィーダー
７：基板
８；チャンバー
９：ロータリーポンプ
特許出願人 並木精密宝石株式会社
Claims (2)
- （１）プラズマジェットを用いた熱プラズマＣＶＤ法に
よるダイヤモンドの合成法において、プラズマ中へＳｉ
Ｃ、ＴｉＣ等炭化物の微粉末を添加することを特徴とし
たダイヤモンドの合成法。 - （２）微粉末の粒径が０．０１〜１０μｍである請求項
（１）記載のダイヤモンドの合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302050A JP2691220B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | ダイヤモンドの合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302050A JP2691220B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | ダイヤモンドの合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149412A true JPH02149412A (ja) | 1990-06-08 |
| JP2691220B2 JP2691220B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=17904307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302050A Expired - Fee Related JP2691220B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | ダイヤモンドの合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691220B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260106A (en) * | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
| WO2001040542A1 (de) * | 1999-12-04 | 2001-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung von kompositschichten mit einer plasmastrahlquelle |
| WO2001040543A1 (de) * | 1999-12-04 | 2001-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur erzeugung von funktionsschichten mit einer plasmastrahlquelle |
| US7859323B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Negative output regulator circuit and electrical apparatus using same |
| CN113430500A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 杭州超然金刚石有限公司 | 一种基于金刚石晶格的半导体材料及其制造设备 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63302050A patent/JP2691220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260106A (en) * | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
| US5382293A (en) * | 1990-08-03 | 1995-01-17 | Fujitsu Limited | Plasma jet CVD apparatus for forming diamond films |
| WO2001040542A1 (de) * | 1999-12-04 | 2001-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung von kompositschichten mit einer plasmastrahlquelle |
| WO2001040543A1 (de) * | 1999-12-04 | 2001-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur erzeugung von funktionsschichten mit einer plasmastrahlquelle |
| JP2003515675A (ja) * | 1999-12-04 | 2003-05-07 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | プラズマ放射源を使用して複合層を製造する方法 |
| US7771798B1 (en) | 1999-12-04 | 2010-08-10 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing composite layers using a plasma jet source |
| US7859323B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Negative output regulator circuit and electrical apparatus using same |
| JP4827858B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-11-30 | ローム株式会社 | 負出力レギュレータ回路及びこれを用いた電気機器 |
| CN113430500A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 杭州超然金刚石有限公司 | 一种基于金刚石晶格的半导体材料及其制造设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2691220B2 (ja) | 1997-12-17 |
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