JPH03296583A - 接着シート - Google Patents
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 85
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 59
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 18
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIPYRXICWSSQPA-UHFFFAOYSA-N CO[SiH3].NCCNCCC[SiH2][SiH2][SiH3] Chemical compound CO[SiH3].NCCNCCC[SiH2][SiH2][SiH3] IIPYRXICWSSQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004963 Torlon Substances 0.000 description 1
- 229920003997 Torlon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/484—Connecting portions
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、リードフレームのダイパッド、セラミックボ
ード、金属板、樹脂回路基板等の被着体上に接着可能な
接着シートに関し、特に半導体装置のワイヤーボンディ
ーングに使用するための接着シートに関する。
ード、金属板、樹脂回路基板等の被着体上に接着可能な
接着シートに関し、特に半導体装置のワイヤーボンディ
ーングに使用するための接着シートに関する。
〈従来の技術〉
従来、半導体装置においては、第10図に示されるよう
に、リードフレームのダイパッド9aに接着剤IOによ
って半導体チップ7を固定し、半導体チップ7とリード
フレームのリードピン9bとの間を金ワイヤ−8によっ
てワイヤーボンディーングすることが行われている。そ
してワイヤーボンディーングされた半導体チップは、金
ワイヤーと共に、樹脂で封止される。
に、リードフレームのダイパッド9aに接着剤IOによ
って半導体チップ7を固定し、半導体チップ7とリード
フレームのリードピン9bとの間を金ワイヤ−8によっ
てワイヤーボンディーングすることが行われている。そ
してワイヤーボンディーングされた半導体チップは、金
ワイヤーと共に、樹脂で封止される。
近年、これら半導体装置においては、情報量の増大に伴
ない、リードフレームを構成するリードピンの多ピン化
が要求され、その一方で、実装密度の増大、低コスト指
向に伴なう半導体チップの小型化が要求されるようにな
る。したがってり−ドピンの長さが長くなり、それに伴
なってリードピンの幅およびリードピンの間隔が狭くな
るので、リードピンの先端部の精密さが必要になってい
る。
ない、リードフレームを構成するリードピンの多ピン化
が要求され、その一方で、実装密度の増大、低コスト指
向に伴なう半導体チップの小型化が要求されるようにな
る。したがってり−ドピンの長さが長くなり、それに伴
なってリードピンの幅およびリードピンの間隔が狭くな
るので、リードピンの先端部の精密さが必要になってい
る。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、リードフレームの作成にあたり、そのエ
ツチングの精度には限界があり、上記の要求を満たすこ
とは不可能である。すなわち、従来の技術において、小
型チップと多ピンのリードピンの先端部をワイヤーボン
ディーング可能な位置に接近させると、リードフレーム
のエツチング精度又は打抜き精度の限界からり−ドビン
の先端同志が接触するか、又はリードを形成できないと
いう問題を生じる。それを回避するためには、小型チッ
プとリードピンの先端部との間隔を広げる必要があるが
、その場合には半導体チップとリードピンの先端との距
離が長くなるため、それらを接続する金ワイヤー同士が
樹脂封止時のワイヤー流れ等により、接触するという問
題を発生する。
ツチングの精度には限界があり、上記の要求を満たすこ
とは不可能である。すなわち、従来の技術において、小
型チップと多ピンのリードピンの先端部をワイヤーボン
ディーング可能な位置に接近させると、リードフレーム
のエツチング精度又は打抜き精度の限界からり−ドビン
の先端同志が接触するか、又はリードを形成できないと
いう問題を生じる。それを回避するためには、小型チッ
プとリードピンの先端部との間隔を広げる必要があるが
、その場合には半導体チップとリードピンの先端との距
離が長くなるため、それらを接続する金ワイヤー同士が
樹脂封止時のワイヤー流れ等により、接触するという問
題を発生する。
これらの問題を解決するために、本発明者等は、先に、
支持体の一面に銅箔を、他面に半硬化状接着層及び保護
フィルムを設けた接着シートを提案し、そしてリードピ
ンと半導体チップとの間を接着シートを介して2段階ワ
イヤーボンディーングした半導体装置を提案した。
支持体の一面に銅箔を、他面に半硬化状接着層及び保護
フィルムを設けた接着シートを提案し、そしてリードピ
ンと半導体チップとの間を接着シートを介して2段階ワ
イヤーボンディーングした半導体装置を提案した。
ところが、その様な半導体装置を苛酷な高温雰囲気にお
いた場合、接着シートの層間で、パッケージクラック、
すなわち、樹脂封止された半導体パッケージがひび割れ
する現象が生じるという問題があった。
いた場合、接着シートの層間で、パッケージクラック、
すなわち、樹脂封止された半導体パッケージがひび割れ
する現象が生じるという問題があった。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので
ある。
ある。
すなわち本発明の目的は、小型の半導体チップと多数本
のリードピンの先端を信頼性よくワイヤーボンディーン
グさせることができ、かつ苛酷な高温雰囲気においても
パッケージクラックが生じない接着シートを提供するこ
とにある。
のリードピンの先端を信頼性よくワイヤーボンディーン
グさせることができ、かつ苛酷な高温雰囲気においても
パッケージクラックが生じない接着シートを提供するこ
とにある。
く課題を解決するための手段〉
本発明者等は、検討の結果、パッケージクラックの発生
は、接着シートに含まれる微量の水分が苛酷な高温雰囲
気において蒸発して一種の爆発現象を生じるためである
こと、そして、接着シートに下記一般式(I)で示され
る化合物からなるシランカップリング剤を含有させるこ
とによって、上記の問題が解決されることを見出だし、
本発明を完成するに至った。
は、接着シートに含まれる微量の水分が苛酷な高温雰囲
気において蒸発して一種の爆発現象を生じるためである
こと、そして、接着シートに下記一般式(I)で示され
る化合物からなるシランカップリング剤を含有させるこ
とによって、上記の問題が解決されることを見出だし、
本発明を完成するに至った。
本発明の接着シートは、次の三つの場合が包含される。
すなわち、第1の接着シートは、耐熱性フィルムの一面
に、接着層を介して銅箔を積層し、他面に半硬化状接着
剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有し、
そして接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも一方が
、下記一般式(1)で示される化合物から選択された少
なくとも1種のシランカップリング剤を、樹脂1圓重量
部に対して0.01〜30重量部含有することを特徴と
する。
に、接着層を介して銅箔を積層し、他面に半硬化状接着
剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有し、
そして接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも一方が
、下記一般式(1)で示される化合物から選択された少
なくとも1種のシランカップリング剤を、樹脂1圓重量
部に対して0.01〜30重量部含有することを特徴と
する。
(但し、R5及びR6は、それぞれH−またはNH2C
H2CH2−を示す。) 、Rtは、CnH2n (
但し、n−0または1〜5の整数を示す。)、R2、R
3及びR4は、それぞれ−CH3、−0CH3、−0C
H2CH3及び−0CH2CH20CH3から選択され
た基を示す。〕 第2の接着シートは、銅箔上に形成された耐熱性樹脂層
を有する積層体の、該耐熱性樹脂層の表面に、半硬化状
接着剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有
し、耐熱性樹脂層及び半硬化状接着剤層の少なくとも一
方が、上記一般式(1)で示される化合物から選択され
た少なくとも1種のシランカップリング剤を、樹脂10
0重量部に対して0.01〜30重量部含有することを
特徴とする。
H2CH2−を示す。) 、Rtは、CnH2n (
但し、n−0または1〜5の整数を示す。)、R2、R
3及びR4は、それぞれ−CH3、−0CH3、−0C
H2CH3及び−0CH2CH20CH3から選択され
た基を示す。〕 第2の接着シートは、銅箔上に形成された耐熱性樹脂層
を有する積層体の、該耐熱性樹脂層の表面に、半硬化状
接着剤層および保護フィルムを順次設けてなる構造を有
し、耐熱性樹脂層及び半硬化状接着剤層の少なくとも一
方が、上記一般式(1)で示される化合物から選択され
た少なくとも1種のシランカップリング剤を、樹脂10
0重量部に対して0.01〜30重量部含有することを
特徴とする。
第3の接着シートは、耐熱性フィルムの一面に、銅箔上
に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体を、該耐熱性
樹脂層が耐熱性フィルムに面するように接着層を介して
積層し、該耐熱性フィルムの他面に半硬化状接着剤層お
よび保護フィルムを順次設けてなる構造を有し、耐熱性
樹脂層、接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも1つ
が、上記一般式(1)で示される化合物から選択された
少なくとも1種のシランカップリング剤を、樹脂100
重量部に対して0.01〜30重量部含有することを特
徴とする。
に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体を、該耐熱性
樹脂層が耐熱性フィルムに面するように接着層を介して
積層し、該耐熱性フィルムの他面に半硬化状接着剤層お
よび保護フィルムを順次設けてなる構造を有し、耐熱性
樹脂層、接着層及び半硬化状接着剤層の少なくとも1つ
が、上記一般式(1)で示される化合物から選択された
少なくとも1種のシランカップリング剤を、樹脂100
重量部に対して0.01〜30重量部含有することを特
徴とする。
次に、本発明の接着シートについて、図面を参酌して説
明する。
明する。
第1図ないし第3図は、それぞれ、第1ないし第3の接
着シートの断面図を示すもので、第1図ににおいては、
耐熱性フィルム1の一面に接着層2を介して銅箔3が積
層されており、また、他面に、半硬化状接着剤層4およ
び保護フィルム5が順次設けられている。
着シートの断面図を示すもので、第1図ににおいては、
耐熱性フィルム1の一面に接着層2を介して銅箔3が積
層されており、また、他面に、半硬化状接着剤層4およ
び保護フィルム5が順次設けられている。
第2図においては、銅箔3上にキャスティング塗工又は
押出し成形法により耐熱性樹脂層6が形成され、その耐
熱性樹脂層6の表面に、半硬化状接着剤層4および保護
フィルム5が順次設けられている。第2図に示す構造を
有するものは、キャスティング法又は押出し成形法が使
用できるので、製造コストの低減をはかることができ、
また、Tgの高い耐熱性接着層を設ける必要がないとい
う利点がある。
押出し成形法により耐熱性樹脂層6が形成され、その耐
熱性樹脂層6の表面に、半硬化状接着剤層4および保護
フィルム5が順次設けられている。第2図に示す構造を
有するものは、キャスティング法又は押出し成形法が使
用できるので、製造コストの低減をはかることができ、
また、Tgの高い耐熱性接着層を設ける必要がないとい
う利点がある。
第3図においては、銅箔3上にキャスティング塗工によ
り形成された耐熱性樹脂層6を有する積層体が、耐熱性
フィルム1の一面に、接着層2を介して積層されている
。また、耐熱フィルムlの他面には、半硬化状接着剤層
4および保護フィルム5が順次設けられている。第3図
に示す構造を有する場合は、キャスティング塗工により
形成する耐熱性樹脂層の膜厚が薄過ぎて、作業が困難で
ある場合に適用することかできる。
り形成された耐熱性樹脂層6を有する積層体が、耐熱性
フィルム1の一面に、接着層2を介して積層されている
。また、耐熱フィルムlの他面には、半硬化状接着剤層
4および保護フィルム5が順次設けられている。第3図
に示す構造を有する場合は、キャスティング塗工により
形成する耐熱性樹脂層の膜厚が薄過ぎて、作業が困難で
ある場合に適用することかできる。
次に、本発明の接着シートの各層を構成する材料につい
て説明する。
て説明する。
(銅箔)
厚さ3オンス(1平方フィート当りの銅箔の重さ、以下
省略する)以下、好ましくは1オンス以下の圧延又は電
解銅箔又は合金銅箔が使用される。
省略する)以下、好ましくは1オンス以下の圧延又は電
解銅箔又は合金銅箔が使用される。
また、場合によっては、銅箔の表面には酸化を抑えるた
めにクロメート処理を、裏面には銅箔裏面からの隣接層
への銅の拡散を抑えるためにZn。
めにクロメート処理を、裏面には銅箔裏面からの隣接層
への銅の拡散を抑えるためにZn。
Ni等のメツキ処理を行うこともできる。
(接着層)
接着層を構成する接着剤としては、ポリイミド系接着剤
、エポキシ/ポリアミド系接着剤、ポリアミドイミド系
接着剤、エポキシ系接着剤、ポリエステル系接着剤等が
使用でき、更にまた、NBR/フェノール系接着剛接着
剤アミド系接着剤、ポリブチラール/フェノール系接着
剤、及びこれらをエポキシ変性した接着剤等も使用でき
る。ポリイミド系接着剤としては、Tgが160℃以上
で分子内にイミド環又は縮合してイミド環を形成する付
加型ポリイミド、縮合型ポリイミド等が用いられる。接
着層は、この接着剤を耐熱性フィルムの一面、或いは銅
箔表面又は耐熱性樹脂層表面に、乾燥後の塗布厚が5〜
5flffll、好ましくは20加以下になるように塗
布し、乾燥した後、ラミネートされた状態で完全硬化さ
せることによって形成されるもので、それによって耐熱
性フィルムと銅箔又は耐熱性樹脂層とが接着される。
、エポキシ/ポリアミド系接着剤、ポリアミドイミド系
接着剤、エポキシ系接着剤、ポリエステル系接着剤等が
使用でき、更にまた、NBR/フェノール系接着剛接着
剤アミド系接着剤、ポリブチラール/フェノール系接着
剤、及びこれらをエポキシ変性した接着剤等も使用でき
る。ポリイミド系接着剤としては、Tgが160℃以上
で分子内にイミド環又は縮合してイミド環を形成する付
加型ポリイミド、縮合型ポリイミド等が用いられる。接
着層は、この接着剤を耐熱性フィルムの一面、或いは銅
箔表面又は耐熱性樹脂層表面に、乾燥後の塗布厚が5〜
5flffll、好ましくは20加以下になるように塗
布し、乾燥した後、ラミネートされた状態で完全硬化さ
せることによって形成されるもので、それによって耐熱
性フィルムと銅箔又は耐熱性樹脂層とが接着される。
ポリイミド系接着剤の代表的なものとしては、縮重合反
応によってイミド環を形成する下記構造式で示される単
量体単位を有するポリアミック酸(例えば、商品名LA
RK−TP+)、両末端にアセチレン基を有するポリイ
ミド(例えば、商品名: MC−800、IP−600
1、IP−630,FA−7001等)があげられる。
応によってイミド環を形成する下記構造式で示される単
量体単位を有するポリアミック酸(例えば、商品名LA
RK−TP+)、両末端にアセチレン基を有するポリイ
ミド(例えば、商品名: MC−800、IP−600
1、IP−630,FA−7001等)があげられる。
(耐熱性フィルム)
厚さ10〜150加、好ましくは25〜75ρの、例え
ばポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フ
ィルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂
−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フィルムが
使用される。また、耐熱性フィルムと隣接する層との接
着力を高めるために、コロナ放電処理、プラズマ処理を
行うこともできる。
ばポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フ
ィルムや、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂
−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フィルムが
使用される。また、耐熱性フィルムと隣接する層との接
着力を高めるために、コロナ放電処理、プラズマ処理を
行うこともできる。
(耐熱性樹脂層)
銅箔上にキャスティング塗工また押出し成形法により形
成されるもので、キャスティング法に使用する耐熱性樹
脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂等があげられ、例えば、カプトン型分子構
造をもち、比較的高いTg(160℃以上)を有するポ
リイミドワニスを主成分とする接着剤を用いるのが好ま
しい。なお耐熱性樹脂層は、キャスティング塗工の代わ
りに、押出し塗工を用いて形成することもでき、例えば
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂等が使用できる。
成されるもので、キャスティング法に使用する耐熱性樹
脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂等があげられ、例えば、カプトン型分子構
造をもち、比較的高いTg(160℃以上)を有するポ
リイミドワニスを主成分とする接着剤を用いるのが好ま
しい。なお耐熱性樹脂層は、キャスティング塗工の代わ
りに、押出し塗工を用いて形成することもでき、例えば
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂等が使用できる。
(半硬化状接着剤層)
半硬化状接着剤層は、ポリイミド系、ポリイミド/ポリ
アミド系、又はエポキシ系接着剤を塗布することによっ
て形成することかできる。これらの接着剤には充填剤が
配合されていてもよい。
アミド系、又はエポキシ系接着剤を塗布することによっ
て形成することかできる。これらの接着剤には充填剤が
配合されていてもよい。
本発明において、これら接着剤を塗布して形成される接
着剤層は、Bステージの半硬化状の状態にあることが必
要である。
着剤層は、Bステージの半硬化状の状態にあることが必
要である。
半硬化状接着剤層の膜厚は、通常5〜50節の範囲に設
定するのが好ましい。
定するのが好ましい。
(保護フィルム)
厚みIO〜10(l ttmの、シリコーン樹脂等で剥
離性を付与したポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂系フィルム、離型
処理した紙等が適用され、前記した半硬化状接着剤層に
は貼着するが、容易に剥離することができる性質を持つ
ものである。
離性を付与したポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂系フィルム、離型
処理した紙等が適用され、前記した半硬化状接着剤層に
は貼着するが、容易に剥離することができる性質を持つ
ものである。
本発明の各接着シートは、接着層、耐熱性樹脂層及び半
硬化状接着剤層の少なくとも一つに、上記一般式(I)
で示される化合物から選択された少なくとも1種のシラ
ンカップリング剤が含有される。上記シランカップリン
グ剤は、特に耐熱性樹脂層に含有させるのが好ましい。
硬化状接着剤層の少なくとも一つに、上記一般式(I)
で示される化合物から選択された少なくとも1種のシラ
ンカップリング剤が含有される。上記シランカップリン
グ剤は、特に耐熱性樹脂層に含有させるのが好ましい。
本発明において使用することができる上記シランカップ
リング剤の具体例としては、例えば、次のものをあげる
ことができる。ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ
)シラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル
)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン及び3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン。
リング剤の具体例としては、例えば、次のものをあげる
ことができる。ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ
)シラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル
)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン及び3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン。
これ等シランカップリング剤の含有量は、樹脂100重
量部に対して0.01〜30重量部の範囲で設定する。
量部に対して0.01〜30重量部の範囲で設定する。
それにより、接着シートの吸水率を低下させることがで
き、電気型導度を低下させることなくパッケージクラッ
クの発生を防止することができる。したがって、半導体
パッケージを作成する際及びハンダデイツプの工程の際
の過酷な高温雰囲気において、水分が蒸発して一種の爆
発現象が生じ、パッケージクラックが発生するという問
題がなくなる。
き、電気型導度を低下させることなくパッケージクラッ
クの発生を防止することができる。したがって、半導体
パッケージを作成する際及びハンダデイツプの工程の際
の過酷な高温雰囲気において、水分が蒸発して一種の爆
発現象が生じ、パッケージクラックが発生するという問
題がなくなる。
上記シランカップリング剤の含有量が、樹脂100重量
部に対して0.01重量%よりも低くなると、吸水率の
低下が十分でなくなり、また、30重量%よりも高くな
ると、層の機械的特性に悪影響を与えるので好ましくな
い。
部に対して0.01重量%よりも低くなると、吸水率の
低下が十分でなくなり、また、30重量%よりも高くな
ると、層の機械的特性に悪影響を与えるので好ましくな
い。
次に、本発明の接着シートを用いた半導体装置について
説明する。半導体装置は、上記第1図ないし第3図のい
ずれの接着シートを使用して形成してもよいが、説明が
重複するのを避けるために第1図に示される構造を有す
る場合を例にとって説明する。
説明する。半導体装置は、上記第1図ないし第3図のい
ずれの接着シートを使用して形成してもよいが、説明が
重複するのを避けるために第1図に示される構造を有す
る場合を例にとって説明する。
第1図に示される構造の接着シートの銅箔をエツチング
処理することにより所定の銅箔パターンを形成し、その
後、銅箔パターンにニッケル又は金メツキを施し、リー
ドフレームのダイパッド部に接着可能な所定の大きさに
打ち抜き加工を行い、第4図に示されるような銅箔パタ
ーンが形成された接着シート片を作成する。なお、第4
図(a)は断面図、(b)は平面図であり、図中、1〜
5は前記の通りのものを意味し、3aは、銅箔層に形成
された銅箔パターンの半導体チップを載置する部分、3
bは条線を示す。
処理することにより所定の銅箔パターンを形成し、その
後、銅箔パターンにニッケル又は金メツキを施し、リー
ドフレームのダイパッド部に接着可能な所定の大きさに
打ち抜き加工を行い、第4図に示されるような銅箔パタ
ーンが形成された接着シート片を作成する。なお、第4
図(a)は断面図、(b)は平面図であり、図中、1〜
5は前記の通りのものを意味し、3aは、銅箔層に形成
された銅箔パターンの半導体チップを載置する部分、3
bは条線を示す。
次に、保護フィルム5を剥離した後、この接着シート片
をリードフレームのダイパッドに載置し、半硬化状接着
剤層を加熱硬化させることによって、接着させる。第5
図は、その状態を示す平面図である。図中、3aは半導
体チップを載置する部分、3bは条線を示し、9はリー
ドフレームであって、9aはリードフレームのダイパッ
ド、9bはリードピンである。
をリードフレームのダイパッドに載置し、半硬化状接着
剤層を加熱硬化させることによって、接着させる。第5
図は、その状態を示す平面図である。図中、3aは半導
体チップを載置する部分、3bは条線を示し、9はリー
ドフレームであって、9aはリードフレームのダイパッ
ド、9bはリードピンである。
次いで、銅箔パターンの半導体チップを載置する部分3
a上に、半導体チップを接着ペーストを用いて接着し、
金ワイヤーによってワイヤーボンディーングが施される
。
a上に、半導体チップを接着ペーストを用いて接着し、
金ワイヤーによってワイヤーボンディーングが施される
。
第6図は、上記のようにして形成された半導体装置の一
例の断面図であり、第7図は、その要部の断面図である
。
例の断面図であり、第7図は、その要部の断面図である
。
これらの図面において、リードフレームのダイパッド9
aの上に、第4図に示される銅箔パターンが形成された
接着シート片が載置され、半硬化状接着剤層によって接
着されている。なお、4aは半硬化状接着剤層が硬化し
た状態の接着層を示す。
aの上に、第4図に示される銅箔パターンが形成された
接着シート片が載置され、半硬化状接着剤層によって接
着されている。なお、4aは半硬化状接着剤層が硬化し
た状態の接着層を示す。
また、銅箔パターンの半導体チップを載置する部分3a
の上には、半導体チップ7が接着剤10によって接着さ
れている。半導体チップと銅箔パターンの条線8bとの
間、および銅箔パターンの条線3bとリードフレームの
リードピン9bとの間には、それぞれ金ワイヤ−8aお
よび8bによってワイヤーボンディーングが施されてい
る。それにより、半導体チップ7とリードピン9bが、
接着シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電気
的に接続される。
の上には、半導体チップ7が接着剤10によって接着さ
れている。半導体チップと銅箔パターンの条線8bとの
間、および銅箔パターンの条線3bとリードフレームの
リードピン9bとの間には、それぞれ金ワイヤ−8aお
よび8bによってワイヤーボンディーングが施されてい
る。それにより、半導体チップ7とリードピン9bが、
接着シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電気
的に接続される。
そしてこれら全体は、樹脂11によって封止されている
。
。
第8図は、本発明の接着シートを用いて形成された半導
体装置の他の一例の断面図であり、第9図は、その要部
の断面図である。
体装置の他の一例の断面図であり、第9図は、その要部
の断面図である。
第8図においては、第4図における銅箔パターンの半導
体装置する部分3aが打ち抜き加工によって打ち抜かれ
た孔を有するリング状の形状のものが使用されている。
体装置する部分3aが打ち抜き加工によって打ち抜かれ
た孔を有するリング状の形状のものが使用されている。
この場合、第9図に示す様に、導体チップ7は、接着剤
1oによってダイパッド9a上に直接接着されている。
1oによってダイパッド9a上に直接接着されている。
そして、半導体チップと銅箔パターンの条線3bとの間
、および銅箔パターンの条線3bとリードフレームのリ
ードピン9bとの間には、それぞれ金ワイヤ−8aおよ
び8bによってワイヤーボンディーングが施されている
。
、および銅箔パターンの条線3bとリードフレームのリ
ードピン9bとの間には、それぞれ金ワイヤ−8aおよ
び8bによってワイヤーボンディーングが施されている
。
それにより、半導体チップ7とリードピン9bが、接着
シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電気的に
接続される。そして半導体チップ及びワイヤーボンディ
ーング部の全体が、樹脂11によって封止されている。
シートの銅箔層に形成された条線3bを介して電気的に
接続される。そして半導体チップ及びワイヤーボンディ
ーング部の全体が、樹脂11によって封止されている。
〈実施例〉
次に、実施例及び比較例によって本発明の接着シートを
説明する。
説明する。
実施例1
厚さ1オンスの電解銅箔(日本鉱業社製)に耐熱性樹脂
溶液をキャスティング塗工した。すなわち、耐熱性樹脂
溶液として、耐熱性ポリイミド樹脂(商品名サーミッド
IP−630、カネボウエヌエスシー社製)100重量
部に対し、下記構造式%式%) で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名二すイラエースS−310、チッソ轢製)1重量部を
添加した固形分濃度20%のN−メチルピロリドン溶液
を使用し、塗布後、150℃で1時間、200℃で1時
間、300℃で20分間加熱硬化し、銅箔の片面に厚さ
30ρの耐熱性樹脂層を形成した。
溶液をキャスティング塗工した。すなわち、耐熱性樹脂
溶液として、耐熱性ポリイミド樹脂(商品名サーミッド
IP−630、カネボウエヌエスシー社製)100重量
部に対し、下記構造式%式%) で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名二すイラエースS−310、チッソ轢製)1重量部を
添加した固形分濃度20%のN−メチルピロリドン溶液
を使用し、塗布後、150℃で1時間、200℃で1時
間、300℃で20分間加熱硬化し、銅箔の片面に厚さ
30ρの耐熱性樹脂層を形成した。
上記の耐熱性樹脂層の表面に、エポキシ/ポリアミド系
樹脂(商品名:ニスダイン3611、積水化学社製)か
らなる接着剤を厚さlOIIMになるように塗布し、乾
燥した後、ポリイミド樹脂(商品名ニュービレツクスフ
5SS、宇部興産社製)からなる耐熱性フィルムを貼り
合わせ、160℃で2時間加熱処理して、接着層を硬化
させた。その後、上記耐熱性フィルム表面に、上記と同
一のエポキシ/ポリアミド系樹脂からなる接着剤を、厚
さ30pに成るように塗布し、150℃で5分間加熱し
て、半硬化状接着剤層を設けた。
樹脂(商品名:ニスダイン3611、積水化学社製)か
らなる接着剤を厚さlOIIMになるように塗布し、乾
燥した後、ポリイミド樹脂(商品名ニュービレツクスフ
5SS、宇部興産社製)からなる耐熱性フィルムを貼り
合わせ、160℃で2時間加熱処理して、接着層を硬化
させた。その後、上記耐熱性フィルム表面に、上記と同
一のエポキシ/ポリアミド系樹脂からなる接着剤を、厚
さ30pに成るように塗布し、150℃で5分間加熱し
て、半硬化状接着剤層を設けた。
次いで、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ3
8節のポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保
護フィルムを貼り合わせ、第3図に示す構造の接着シー
トを作成した。
8節のポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保
護フィルムを貼り合わせ、第3図に示す構造の接着シー
トを作成した。
実施例2
実施例1の耐熱性樹脂溶液におけるシランカップリング
剤の代わりに、下記構造式 0式%) で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−230、チッソ■製)1重量部を
添加して得た耐熱性樹脂溶液を用いた以外は、実施例1
と同様にして接着シートを作成した。
剤の代わりに、下記構造式 0式%) で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−230、チッソ■製)1重量部を
添加して得た耐熱性樹脂溶液を用いた以外は、実施例1
と同様にして接着シートを作成した。
実施例3
実施例1の耐熱性樹脂溶液におけるシランカップリング
剤の代わりに、下記構造式 0式%)] で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−330、チッソ■製)1重量部を
添加して得た耐熱性樹脂溶液を用いた以外は、実施例1
と同様にして接着シートを作成した。
剤の代わりに、下記構造式 0式%)] で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−330、チッソ■製)1重量部を
添加して得た耐熱性樹脂溶液を用いた以外は、実施例1
と同様にして接着シートを作成した。
実施例4
厚さ1オンスの電解銅箔(日本鉱業社製)にポリアミド
イミド系接着剤(商品名: TORLON、アモコ社製
)100重量部に対し、下記構造式%式%) で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエース5−ato 、チッソ観製)1重量部
を添加した固形分濃度20%のジメチルアセトアミド溶
液を、塗布厚15−になるように塗布し、120℃で5
分間加熱乾燥して接着層を設けた。
イミド系接着剤(商品名: TORLON、アモコ社製
)100重量部に対し、下記構造式%式%) で示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエース5−ato 、チッソ観製)1重量部
を添加した固形分濃度20%のジメチルアセトアミド溶
液を、塗布厚15−になるように塗布し、120℃で5
分間加熱乾燥して接着層を設けた。
形成された接着層の表面に、ポリイミド樹脂(商品名ニ
ュービレツクスフ5SS)からなる耐熱性フィルムをラ
ミネーターによって120 ”C1l m/akinの
条件で貼り合わせ、更に160 ’Cて5時間加熱して
、接着層を硬化させた。
ュービレツクスフ5SS)からなる耐熱性フィルムをラ
ミネーターによって120 ”C1l m/akinの
条件で貼り合わせ、更に160 ’Cて5時間加熱して
、接着層を硬化させた。
その後、上記耐熱性フィルム表面に、エポキシ/ポリア
ミド系樹脂(商品名:ニスダイン3611、積水化学社
製)100重量部に対し、シランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−310、チッソ■製)1重量部を
添加した固形分濃度20%のIPA/トルエン溶液を、
厚さ20alになるように塗布し、150℃で5分間加
熱して、半硬化状接着剤層を設けた。
ミド系樹脂(商品名:ニスダイン3611、積水化学社
製)100重量部に対し、シランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−310、チッソ■製)1重量部を
添加した固形分濃度20%のIPA/トルエン溶液を、
厚さ20alになるように塗布し、150℃で5分間加
熱して、半硬化状接着剤層を設けた。
更に、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ38
虜のポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保護
フィルムを貼り合わせ、第1図に示す構造の接着シート
を作成[また。
虜のポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保護
フィルムを貼り合わせ、第1図に示す構造の接着シート
を作成[また。
実施例5
厚さ1オンスの電解銅箔(日本鉱業社製)に耐熱性ポリ
イミド樹脂(商品名:サーミッドIP−630、カネボ
ウエヌエスシー社製) 100重量部に対し、下記構造
式 CH3 H:!NCH2CH2NHCH2CH2CH25i(O
CHtT。
イミド樹脂(商品名:サーミッドIP−630、カネボ
ウエヌエスシー社製) 100重量部に対し、下記構造
式 CH3 H:!NCH2CH2NHCH2CH2CH25i(O
CHtT。
て示される化合物よりなるシランカップリング剤(商品
名:サイラエースS−310、チッソ■製)1重量部を
添加した固形分濃度20%のジメチルアセトアミド溶液
を、キャスティング塗工し、更に200℃で1時間加熱
硬化して、銅箔の片面に厚さ30alの耐熱性樹脂層を
形成した。
名:サイラエースS−310、チッソ■製)1重量部を
添加した固形分濃度20%のジメチルアセトアミド溶液
を、キャスティング塗工し、更に200℃で1時間加熱
硬化して、銅箔の片面に厚さ30alの耐熱性樹脂層を
形成した。
上記耐熱性樹脂層の表面に、エポキシ/ポリアミド系樹
脂(商品名:ニスダイン3611、積木化学社製)10
0重量部に対し、シランカップリング剤(商品名:サイ
ラエースS−310、チッソ観製> i重量部を添加し
た固形分濃度20%のIPA/)ルエン溶液を、厚さ2
0mになるように塗布し、150℃で5分間加熱して、
半硬化状接着剤層を設けた。
脂(商品名:ニスダイン3611、積木化学社製)10
0重量部に対し、シランカップリング剤(商品名:サイ
ラエースS−310、チッソ観製> i重量部を添加し
た固形分濃度20%のIPA/)ルエン溶液を、厚さ2
0mになるように塗布し、150℃で5分間加熱して、
半硬化状接着剤層を設けた。
更に、形成された半硬化状接着剤層の表面に、厚さ38
加のポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保護
フィルムを貼り合わせ、第2図に示す構造の接着シート
を作成した。
加のポリエチレンテレフタレートフィルムからなる保護
フィルムを貼り合わせ、第2図に示す構造の接着シート
を作成した。
比較例1
実施例1における耐熱性樹脂溶液として、耐熱性ポリイ
ミド樹脂(商品名サーミッ臼P−830、カネボウエヌ
エスシー社製)を固形分濃度20%で含むN−メチルピ
ロリドン溶液を使用した以外は、実施例1と同様にして
接着シートを作成した。
ミド樹脂(商品名サーミッ臼P−830、カネボウエヌ
エスシー社製)を固形分濃度20%で含むN−メチルピ
ロリドン溶液を使用した以外は、実施例1と同様にして
接着シートを作成した。
上記の実施例1〜5及び比較例1において作成された本
発明の接着シートについて、銅箔を常法によりエツチン
グして銅箔パターンを作成し、Niおよび金メツキ処理
した後、打ち抜き加工を施して第4図に示される状態の
形状の接着シート片を得た。保護フィルムを剥離した後
、第6図に示されるように、リードフレームのダイパッ
ド上に接着した。これら一連の工程を通して、エツチン
グ性、耐メツキ性、打ち抜き加工性及びダイパッドへの
接着性は、いずれも良好であった。
発明の接着シートについて、銅箔を常法によりエツチン
グして銅箔パターンを作成し、Niおよび金メツキ処理
した後、打ち抜き加工を施して第4図に示される状態の
形状の接着シート片を得た。保護フィルムを剥離した後
、第6図に示されるように、リードフレームのダイパッ
ド上に接着した。これら一連の工程を通して、エツチン
グ性、耐メツキ性、打ち抜き加工性及びダイパッドへの
接着性は、いずれも良好であった。
次に、接着シート片の中央部の銅箔パターン上に半導体
チップを接着して搭載した後、超音波を利用し、250
℃でワイヤーボンディーングを施した(第6図参照)。
チップを接着して搭載した後、超音波を利用し、250
℃でワイヤーボンディーングを施した(第6図参照)。
これらのものについて、ワイヤーボンディーングの状態
を調査したところ、いずれも良好であった。
を調査したところ、いずれも良好であった。
また、ワイヤーボンディーング後の樹脂モールド性にも
異常は認められなかった。
異常は認められなかった。
次に、これら樹脂モールドされた半導体パッケージにつ
いて、PCT試験(パッケージ・クラック・テスト)を
行った。すなわち、高温時の半導体パッケージの持続性
を見るための促進試験として、飽和型PCT試験機にて
、121 ℃/2気圧の条件で、樹脂モールドされた半
導体パッケージを50時間処理した後、240℃の半田
浴に30秒間浸漬し、その後、半導体パッケージからモ
ールド樹脂を除去し、接着シートの層間剥離を観察した
。30個のものについて調査した結果を第1表に示す。
いて、PCT試験(パッケージ・クラック・テスト)を
行った。すなわち、高温時の半導体パッケージの持続性
を見るための促進試験として、飽和型PCT試験機にて
、121 ℃/2気圧の条件で、樹脂モールドされた半
導体パッケージを50時間処理した後、240℃の半田
浴に30秒間浸漬し、その後、半導体パッケージからモ
ールド樹脂を除去し、接着シートの層間剥離を観察した
。30個のものについて調査した結果を第1表に示す。
次に、本発明の接着シートのPCT試験の際におけるフ
ィラーの溶出性(イオンの解離性)を評価するために、
次の試験を行った。すなわち、厚さ381mのポリエチ
レンテレフタレートフィルムに、上記実施例1〜4及び
比較例1において使用した耐熱性樹脂溶液を厚さ50咀
になるように塗工し、150℃で1時間乾燥した後、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムをはぎ取り、その後
更に200℃で1時間、及び300℃で20分間加熱硬
化して、耐熱性樹脂のみよりなる皮膜をサンプルとして
得た。
ィラーの溶出性(イオンの解離性)を評価するために、
次の試験を行った。すなわち、厚さ381mのポリエチ
レンテレフタレートフィルムに、上記実施例1〜4及び
比較例1において使用した耐熱性樹脂溶液を厚さ50咀
になるように塗工し、150℃で1時間乾燥した後、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムをはぎ取り、その後
更に200℃で1時間、及び300℃で20分間加熱硬
化して、耐熱性樹脂のみよりなる皮膜をサンプルとして
得た。
得られたサンプルの電気型導度を、次に示す方法で測定
した。
した。
(a)上記サンプルを、約1cm角に切る。
(b)充分に洗浄した耐熱性丸底フラスコに、サンプル
10gを採り、電気型導度5μs/c+n以下のイオン
交換水を100g加える。このフラスコに充分に洗浄し
た還流冷却器を取り付け、100℃に加熱し、20時間
放置する。
10gを採り、電気型導度5μs/c+n以下のイオン
交換水を100g加える。このフラスコに充分に洗浄し
た還流冷却器を取り付け、100℃に加熱し、20時間
放置する。
(C)抽出液の電気型導度を電気電導変針(東亜電波工
業■製、CM−2O8)によって測定する。
業■製、CM−2O8)によって測定する。
それらの結果を第1表に示す。
以下余白
第1表
〈発明の効果〉
本発明の接着シートを用いて半導体装置を作成すると、
接着シートの表面の銅箔にエツチングにより銅箔パター
ンを形成させることができるため、半導体チップとリー
ドビンとの間のワイヤーボンディーングが、形成された
銅箔パターンを介して二段階的に施されることが可能に
なる。したがって、それぞれのワイヤーの長さが短くな
り、ワイヤー同士が接触するという欠点が解消される。
接着シートの表面の銅箔にエツチングにより銅箔パター
ンを形成させることができるため、半導体チップとリー
ドビンとの間のワイヤーボンディーングが、形成された
銅箔パターンを介して二段階的に施されることが可能に
なる。したがって、それぞれのワイヤーの長さが短くな
り、ワイヤー同士が接触するという欠点が解消される。
また、上記銅箔パターンは固定された状態で形成されて
いるため、信頼性よくワイヤーボンディーングを施すこ
とが可能になる。
いるため、信頼性よくワイヤーボンディーングを施すこ
とが可能になる。
また、本発明の接着シートにおいては、接着層、耐熱性
樹脂層及び半硬化状接着剤層の少なくともいずれか一つ
に、上記一般式(1)で示される化合物からなるシラン
カップリング剤が含有されているため、接着シートの吸
水率を低下させることができ、苛酷な高温雰囲気下にお
いても、電気型導度を低下させることなくパッケージク
ラックの発生を防止することができる。
樹脂層及び半硬化状接着剤層の少なくともいずれか一つ
に、上記一般式(1)で示される化合物からなるシラン
カップリング剤が含有されているため、接着シートの吸
水率を低下させることができ、苛酷な高温雰囲気下にお
いても、電気型導度を低下させることなくパッケージク
ラックの発生を防止することができる。
本発明の接着シートは、リードフレームのダイパッドの
るならず、セラミックボード、金属板、樹脂回路基板等
の被着体上に接着して使用することもできる。
るならず、セラミックボード、金属板、樹脂回路基板等
の被着体上に接着して使用することもできる。
第1図ないし第3図は、それぞれ本発明の接着シートの
断面図、第4図(a)は表面に銅箔パターンが形成され
た接着シート片の断面図、第4図(b)はその平面図、
第5図は、第4図の接着シート片をリードフレームに接
着した状態を示す平面図、第6図は、本発明の接着シー
トを使用して形成された半導体装置の一例の断面図、第
7図は、第6図の半導体装置の要部を示す説明図、第8
図は、本発明の接着シートを用いて形成された半導体装
置の他の一例の断面図、第9図は、第8図の半導体装置
の要部を説明する説明図、第10図は、従来の半導体装
置におけるワイヤーボンディーングが施された状態を説
明する説明図である。 ■・・・耐熱性フィルム、2・・・接着層、3・・・銅
箔、3a・・・半導体チップを載置する部分、3b・・
・条線、4・・・半硬化状接着剤層、5・・・保護フィ
ルム、B・・・耐熱性樹脂層、7・・・半導体チップ、
8.8aおよび8b・・・金ワイヤ−,9・・・リード
フレーム、9a・・・ダイパッド、9b・・・リードピ
ン、IO・・・接着剤、11・・・樹脂。
断面図、第4図(a)は表面に銅箔パターンが形成され
た接着シート片の断面図、第4図(b)はその平面図、
第5図は、第4図の接着シート片をリードフレームに接
着した状態を示す平面図、第6図は、本発明の接着シー
トを使用して形成された半導体装置の一例の断面図、第
7図は、第6図の半導体装置の要部を示す説明図、第8
図は、本発明の接着シートを用いて形成された半導体装
置の他の一例の断面図、第9図は、第8図の半導体装置
の要部を説明する説明図、第10図は、従来の半導体装
置におけるワイヤーボンディーングが施された状態を説
明する説明図である。 ■・・・耐熱性フィルム、2・・・接着層、3・・・銅
箔、3a・・・半導体チップを載置する部分、3b・・
・条線、4・・・半硬化状接着剤層、5・・・保護フィ
ルム、B・・・耐熱性樹脂層、7・・・半導体チップ、
8.8aおよび8b・・・金ワイヤ−,9・・・リード
フレーム、9a・・・ダイパッド、9b・・・リードピ
ン、IO・・・接着剤、11・・・樹脂。
Claims (4)
- (1)耐熱性フィルムの一面に、接着層を介して銅箔を
積層し、他面に半硬化状接着剤層および保護フィルムを
順次設けてなり、該接着層及び半硬化状接着剤層の少な
くとも一方が、下記一般式( I )で示される化合物か
ら選択された少なくとも1種のシランカップリング剤を
、樹脂100重量部に対して0.01〜30重量部含有
することを特徴とする接着シート。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、Xは、CH_2=CH−または▲数式、化学式
、表等があります▼(但し、R_5及びR_6は、それ
ぞれH−またはNH_2CH_2CH_2−を示す。)
、R_1は、−C_nH_2_n−(但し、n=0また
は1〜5の整数を示す。)、R_2、R_3及びR_4
は、それぞれ−CH_3、−OCH_3、−OCH_2
CH_3及び−OCH_2CH_2OCH_3から選択
された基を示す。〕 - (2)銅箔上に形成された耐熱性樹脂層を有する積層体
の、該耐熱性樹脂層の表面に、半硬化状接着剤層および
保護フィルムを順次設けてなり、該耐熱性樹脂層及び半
硬化状接着剤層の少なくとも一方が、上記一般式( I
)で示される化合物から選択された少なくとも1種のシ
ランカップリング剤を、樹脂100重量部に対して0.
01〜30重量部含有することを特徴とする接着シート
。 - (3)耐熱性フィルムの一面に、銅箔上に形成された耐
熱性樹脂層を有する積層体を、該耐熱性樹脂層が耐熱性
フィルムに面するように接着層を介して積層し、該耐熱
性フィルムの他面に半硬化状接着剤層および保護フィル
ムを順次設けてなり、該耐熱性樹脂層、接着層及び半硬
化状接着剤層の少なくとも1つが、上記一般式( I )
で示される化合物から選択された少なくとも1種のシラ
ンカップリング剤を、樹脂100重量部に対して0.0
1〜30重量部含有することを特徴とする接着シート。 - (4)接着シートが半導体装置のワイヤーボンディーン
グに使用するためものである特許請求の範囲第1項、第
2項及び第3項のいずれかに記載の接着シート。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2098286A JP2622768B2 (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 接着シート |
US07/528,203 US5091251A (en) | 1989-05-29 | 1990-05-24 | Adhesive tapes and semiconductor devices |
KR1019900007796A KR960008916B1 (ko) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | 접착성 테이프 |
DE69007169T DE69007169T2 (de) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | Klebebänder und Halbleiter-Vorrichtungen. |
EP19900110140 EP0400566B1 (en) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | Adhesive tapes and semiconductor devices |
KR1019960009310A KR960011161B1 (ko) | 1989-05-29 | 1996-03-29 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2098286A JP2622768B2 (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 接着シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03296583A true JPH03296583A (ja) | 1991-12-27 |
JP2622768B2 JP2622768B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14215689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2098286A Expired - Fee Related JP2622768B2 (ja) | 1989-05-29 | 1990-04-14 | 接着シート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2622768B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6262186B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-07-17 | Shell Oil Company | Isocyanate-modified epoxy-functional polyester with crosslinking agent |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952854A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Hitachi Ltd | 絶縁型半導体装置の製法 |
JPS59115374A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-03 | Takeda Chem Ind Ltd | 接着剤用組成物 |
JPS6076586A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Toppan Printing Co Ltd | 熱接着性蓋材 |
JPS61246279A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Bridgestone Corp | 接着剤組成物及び該組成物による金属板の接着方法 |
JPS62148566A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペ−スト |
JPH01301777A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Sekisui Chem Co Ltd | アクリル系粘着剤組成物 |
-
1990
- 1990-04-14 JP JP2098286A patent/JP2622768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952854A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Hitachi Ltd | 絶縁型半導体装置の製法 |
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JPS61246279A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Bridgestone Corp | 接着剤組成物及び該組成物による金属板の接着方法 |
JPS62148566A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペ−スト |
JPH01301777A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Sekisui Chem Co Ltd | アクリル系粘着剤組成物 |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US6262186B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-07-17 | Shell Oil Company | Isocyanate-modified epoxy-functional polyester with crosslinking agent |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2622768B2 (ja) | 1997-06-18 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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