JPH0329179A - メモリ回路装置 - Google Patents

メモリ回路装置

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JPH0329179A
JPH0329179A JP1163511A JP16351189A JPH0329179A JP H0329179 A JPH0329179 A JP H0329179A JP 1163511 A JP1163511 A JP 1163511A JP 16351189 A JP16351189 A JP 16351189A JP H0329179 A JPH0329179 A JP H0329179A
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JP
Japan
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memory
data
signal
address
read
Prior art date
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Pending
Application number
JP1163511A
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English (en)
Inventor
Kazuki Chiba
和樹 千葉
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路装置に関し、特に書き込み開始
時刻と読み出し開始時刻の時間差を利用して書き込み動
作と読み出し動作を同時にできるようにしたFIFO方
式のメモリ回路装置に間する。
[従来の技術] 従来この種の技術としては、第4図に示すようなものが
ある。このメモリ回路装置の構成としては、デュアルボ
ートメモリ5とライトアドレスカウンタ6とリードアド
レスカウンタ7からなる。
ライトアドレスカウンタ6はクロックCLK2が人力さ
れるごとにカウントアップされ、ライトアドレス信号W
2としてデュアルボートメモリ5に出力する。デュアル
ボートボートメモリ5の2つのボートのうちの一方のボ
ートは外部から入力される第1のライトイネーブル信号
Wfrをロウレベルにすることにより書き込み専用のボ
ートとなり、ライトアドレス信号W2に従って、メモリ
アドレスのO番地からシーケンシャルに人力データDI
N2を書き込んでいく。
一方、リードアドレスカウンタ7は外部から人力される
読み出し信号REとクロックCLK2を入力し、読み出
し信号REがハイレベルになるとクロックCLK2のカ
ウントを始め、リードアドレス信号R2としてデュアル
ボートメモリ5に出力する。デュアルボートメモリ5の
書き込み専用のボート以外のもう】つのボートは外部か
ら入力される第2のライトイネーブル信号W丁万をハイ
レベルにすることにより読み出し専用のボートとなり、
リードアドレス信号R2に従って、メモリアドレスのO
番地からシーケンシャルに出力データDOUT2を読み
出していく。このときデータの読み書きはともに同一の
クロックCLKに同期して行われるために、メモリアド
レスのn番地にデータを書き込んでいる時、読み出しが
メモリアドレスの(n−Q)番地のデータに対して行わ
れているとすれば、書き込みが(n+m)番地に対して
行われている時は、読み出しは(rl−Q+m)番地に
対して行われることになる。すなわち、書き込み動作と
読み出し動作は常に丈番地分の差があることになる。
このため、データ書き込み開始後、ライトアドレスカウ
ンタ6の出力値W2がオーバーフローするまでに読み出
しを開始すれば(すなわち読み出し信号REをハイレベ
ルにセットすれば)上述した例を用いるとライトアドレ
スカウンタ6の出力値W2がオーバフローして再びOに
なり、メモリアドレスのO番地に新しいデータをオーバ
ーライトしても読み出し動作は書き込み動作より常に免
番地分の遅れを保持して行われているので、そのときに
は読み出しはすでにメモリアドレスの(最大値一見+】
)番地までのデータを読み出し終えていることになり、
書き込まれたデータを取りこぼすことなく読み出せるこ
とになる。
[発明が解決しようとする課B] 上述した従来のメモリ回路装置は、デュアルボートメモ
リを使用しているために、シングルポートメモリを使用
する場合に比べてメモリ部の面積が増大するという欠点
がある。
また、上述した従来のメモリ回路装置は読み出すタイミ
ングを予め設定できないという欠点がある。
本発明は上記従来の欠点を合理的に解決したメモリ回路
装置を提供することを目的とする。
(発明の従来技術に対する相違点] 上述した従来のメモリ回路装置に対し、本発明は、シン
グルポートメモリを使用し、また、読み出すタイミング
を予め任意に設定できるように複数の読み出しタイミン
グ設定の手段を備えているという相違点を有する。
[課題を解決するための手段] 本発明のメモリ回路装置は、シングルポートメモリと、
読み出しタイミング設定部と、メモリ制御部とを備えた
メモリ回路装置であって、前記読み出しタイミング設定
部は、シングルポートメモリ内のデータを読み出すため
の設定器と、時刻を指定して前記データを読み出すため
の設定器と、瞬時に前記データを読み出すためのスイッ
チとを備え、シングルポートメモリ内のデータを読み出
すタイミングを任意に設定し、前記メモリ制御部は、シ
ングルポートメモリ内にデータを読み書きするためのリ
ードアドレスカウンタおよびライトアドレスカウンタと
、リードアドレスカウンタの出力あるいはライトアドレ
スカウンタの出力のどちらか一方を選択してシングルポ
ートメモリに対し出力する選択器とを備えていることを
特徴とする。
[実施例] 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
本実施例の主要構成としては、シングルポートメモリ1
と読み出しタイミング設定部2とメモリ制御部3とフリ
ップフロップ4からなる。読み出しタイミング設定部2
は、アドレス設定器20と時刻設定器21とアドレス変
換器22と選択器23と読み出しスイッチ24とインバ
ータゲート25で構成されている。メモリ制御部3はラ
イトアドレスカウンタ30とリードアドレスカウンタ3
1と選択器32とフリップフロップ33とフリップフロ
ップ34とORゲート35と比較器36で構成されてい
る。アドレス設定器20は複数個のスイッチで構成され
ており、メモリアドレスの値を直接設定できるようにな
っている。アドレス設定器20で設定されたメモリアド
レスは、アドレス信号2aとして選択器23に出力され
る。時刻設定器2lは通常のタイムスイッチであり、時
刻設定器21で設定された時刻tは割り算器で構成され
たアドレス変換器22で■式によりアドレス信号2bに
変換され選択器23に出力される。
(アドレス信号2b) =(設定時刻t)÷(クロツクCLKの周期×2)・ 
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・■ここで、クロックC 
L Kは外部から入力され、フリップフロツプ34,O
Rゲート35の人力となるものである。選択器23は外
部からの切換信号S1によりアドレス信号2aあるいは
アドレス信号2bのどちらか一方を選択してアドレス信
号2Cとして比較器36に出力する。フリップフロップ
34はクロツクCLKを1/2に分周してパルスQ1を
ライトアドレスカウンタ30とリードアドレスカウンタ
3lと選択器32とフリップフロップ4に出力するとと
もにバルスQ1の反転パルスUをORゲート35に出力
する。ライトアドレスカウンタ30はバルスQlが人力
されるごとにカウントアップされ、ライトアドレス信号
W1として選択器32と比較器36に出力する。比較器
36はアドレス信号2Cとライトアドレス信号Wlを比
較して一致したときに出力信号3bをハイレベルにセッ
トしてフリップフロップ33に出力する。フリップフロ
ップ33は信号3bがハイレベルになると出力信号3a
をロウレベルからハイレベルにセットし、ハイレベルの
状態を保持する。また、読み出しスイッチ24をオンに
するとインバータゲート25の出力2dがロウレベルか
らハイレベルになり、フリップフロップ33は信号2d
を人力して出力信号3aをロウレベルからハイレベルに
セットし、ハイレベルの状態を保持する。リードアドレ
スカウンタ3lは信号3aとバルスQ1を人力し、信号
3aがハイレベルになるとパルスQlのカウントを始め
てリードアドレス信号Rlとして選択器32に出力する
。選択器32はバルスQ1がハイレベルのときはライト
アドレス信号W1をバルスQ1がロウレベルの時はリー
ドアドレス信号R1を選択してアドレス信号ADHとし
てシングルポートメモリlに出力する。
ORゲート35は反転パルスUとクロックCLKを人力
し、論理演算してライトイネーブル信号WE−としてシ
ングルポートメモリ1に出力する。
シングルポートメモリ1は、ライトイネーブル信号WT
がロウレベルの時はアドレス信号ADHのとし示すメモ
リアドレスにクロックCLKの2倍の周期で人力された
データDINを書き込み、ライトイネーブル信号W’!
−がハイレベルの時はアドレス信号ADHの指し示すメ
モリアドレスのデータ1aを読み出しフリップフロツブ
4に出力する。
フリップフロップ4はパルスQlの立ち上がりエッジで
シングルポートメモリlからのデータlaを取り込み、
外部に対して出力データDOUTを出力する。
第2図に本発一明の一実施例の動作を示す波形図を示す
。第2図を参照しながら本実施例の動作について更に詳
細に説明する。ただし、第2図の波形図は、一例として
選択器23の出力信号2Cとして、アドレス信号2aを
出力するように切換信号S1て制御した場合で、アドレ
ス設定器20でメモリアドレスの2番地を指定した場合
を示す。
人カデータDINはクロツクCLKの2倍の周期でクロ
ックCLKの立ち上がりと共にDOから順にDI,D2
,D3・・・・と入力される。ライトアドレスカウンタ
30の出力Wlはフリップフロップ34の出力であるバ
ルスQ1が始めて入力されたときにOを出力するように
セットされており、以降パルスQlが人力されるごとに
1,2,3・・・とカウントアップされる。尚、第2図
では便宜上ライトアドレス信号W1の0,  l,  
2.3・・・に対応させてWO,Wl,W2,W3・・
・て表現している。3番目のパルスQ1が入力されると
くすなわち、5番目のクロツクCLKが人力されると)
、ライトアドレス信号W1は2を出力することになるが
、この時選択器23の出力信号2cも2であるため、比
較器36は信号Wtと信号2Cの一致を見て信号3bを
ロウレベルからハイレベルにセットする。フリツブフロ
ツブ33は最初リセット状態になっているが、信号3b
がハイレベルにセットされたことにより出力信号3aを
ロウレベルからハイレベルにセット、ハイレベルの状態
を保持する。リードアドレスカウンタ31の出力R1は
、フリップフロップ33の出力信号3aがハイレベルに
セットされた後、最初のパルスQ1が入力されたときに
1を出力するようにセットされており(第2図では4番
目のパルスQlが人力された時であり、クロックCLK
て数えれば7番目のクロツクCLKが入力ざれた時に1
&出力するようにセットされている)、以降パルスQ】
が入力されるごとに2,  3.  4・・・とカウン
トアップされる。
尚、第2図では便宜上リードアドレス信号Rlの0. 
 1,  2.  3・・・に対応させてRO,Rl,
R2,R3・・・で表現している。フリツブフロップ3
4の出力パルスQlは最初口ウレベルであり、最初のク
ロツクCLKの立ち上がりエッジてハイレベルになり、
以降クロツクCLKが人力されるごとに、その立ち上が
りエッジで反転される。
また、ライトイネーブル信号W1一生成の一例として、
フリップフロツブ34の出力パルスQ1の反転パルスU
とクロツクCLKのOR論理をもってシングルポートメ
モリ1のライトイネーブル信号WI−を作り出している
。選択器32は、パルスQlがハイレベルの時にライト
アドレス信号W1を選択してアドレス信号ADHとして
シングルポートメモリ1に書き込むべきデータのメモリ
アドレスを指定するが、実際にデータが書き込まれるの
はライトイネーブル信号Wm”がロウレベルのときであ
る。
一方、選択器32は、バルスQ1がロウレベルのときに
リードアドレス信号R1を選択してアドレス信号ADH
としてシングルポートメモリ1内の読み出すべきデータ
のメモリアドレスを指定するが、実際にシングルポート
メモリ1からデータが読み出されるのはライトイネーブ
ル信号WEがハイレベルのときである。
しかし、ライトイネーブル信号W1がハイレベルのとき
にパルスQ1がハイレベルになってしまうと、シングル
ポートメモリ1に入力されるアドレス信号ADHはライ
トアドレス信号Wlとなってしまうために読み出しの際
に不都合が生じる。
このため、シングルポートメモリ1のデータ読み出し側
にフリップフロップ4を備えてパルスQlの立ち上がり
エッジでデータを読み出すようにしている.これにより
、シングルポートメモリl内に書き込まれたデータDI
が外部に読み出されるのは、フリップフロップ33の出
力信号3aがハイレベルにセットされた後の2番目のパ
ルスQ1が出力された時で、最初から数えて5番目のパ
ルスQ1が出力された時となる。以降、パルスQ1が出
力されるごとにシングルポートメモリl内に書き込まれ
ているデータD2,D3,D4・・・が順に読み出され
ていく。尚、データDOは2番目のバルスQ1が出力さ
れた時点で外部に読み出されている。
以上説明したように、読み出しデータDOUTは書き込
みデータDINより常に3アドレス分遅れていることに
なる。
言い換えれば、データ書き込み開始後、ライトアドレス
カウンタ30の出力値Wlがオーバフローするまでにデ
ータ読み出しを開始すれば、上述した例ではライトアド
レスカウンタ30の出力値Wlがオーバフcr−L,て
再びOになりメモリアドレスのO番地に新しいデータを
オーバーライトしてもも読み出し動作は書き込み動作よ
り常に3番地分の遅れを保持して行われているので、そ
の時には読み出しは既にメモリアドレスの(最大値一2
)番地までのデータを読み出し終えていることになり、
書き込まれたデータをとりこぼすことなく読み出せるこ
とになる。
第3図は本発明の他の一実施例のブロック図である。本
実施例は、第1図の実施例において、メモリ制御部3の
構成要素の1つである比較器36を減算器37と検出器
38で置き換えて構成したものである。第1図に示した
実施例では比較器36は選択器23からの信号2Cとラ
イトアドレスカウンタ30からの信号Wlを比較して一
致したら出力信号3bをハイレベルにセットしてフリツ
ブフロップ33に出力していたが、本実施例では、減算
器37が選択器23からの信号2Cとライトアドレスカ
ウンタ30からの信号Wlを入力し、信号2Cの値から
信号Wlo値を減算した値を信号3dとして検出器38
に出力し、検出器38は信号3dの値がOの時に出力信
号3Cをハイレベルにセットしてフリップフロツプ33
に出力する。
以上の点以外は、本実施例は第1図に示した実施例と同
様の動作をするため、説明は省略する。
[発明の効果コ 以上説明したように本発明は、デュアルボートメモリを
使わずにシングルポートメモリを使っているため、メモ
リ部の面積を小さくする効果があるとともに、複数の読
み出しタイミング設定の手段を備えているので、所望す
る任意のタイミングでメモリ内部のデータを読み出すこ
とができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2ずは本発
明の一実施例の動作を示す波形図、第3図は本発明の他
の一実施例のブロック図、第4図は従来例のブロック図
である。 1・・・・・・・●●シングルポートメモリ、20・・
・・・・・・アドレス設定器、2l・・・・・・・・時
刻設定器、 22・・・・・・・◆アドレス変換器、23,  32
 ◆ ◆ ・ ・ 24 ・ ● ・ ・ ● ・ ・ 36 ・ ● ・ ◆ ◆ ・ ◆ 30, 6 ・ ◆ ● ・ ◆ 31, 7・ ・ ● ● ・ 4,  33.  34・ ● 25 ・ ● ● ● ・ ● ・ 35 ・ ・ ◆ ・ ● ・ ・ 37 ◆ ◆ ・ ● ● ● ● 38 ◆ ◆ ・ ◆ ◆ ● ・ 5 ● ● ・ ・ ● ◆ ・ ◆ 2・ ・ ◆ ◆ ・ ● ◆ ● 3 ・ ● ◆ ◆ ・ ● ◆ ◆ ・選択器、 ・スイッチ、 ・比較器、 ・ライトアドレスカウンタ、 ・リードアドレスカウンタ、 ・・フリップフロツブ、 ・インバータゲート、 ・ ORゲート、 ・減算器、 ・検出器、 ・デュアルボートメモリ、 ・読み出しタイミング設定部、 ・メモリ制御部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  シングルポートメモリと、読み出しタイミング設定部
    と、メモリ制御部とを備えたメモリ回路装置であって、
    前記読み出しタイミング設定部は、シングルポートメモ
    リ内のデータを読み出すための設定器と、時刻を指定し
    て前記データを読み出すための設定器と、瞬時に前記デ
    ータを読み出すためのスイッチとを備え、シングルポー
    トメモリ内のデータを読み出すタイミングを任意に設定
    し、前記メモリ制御部は、シングルポートメモリ内にデ
    ータを読み書きするためのリードアドレスカウンタおよ
    びライトアドレスカウンタと、リードアドレスカウンタ
    の出力あるいはライトアドレスカウンタの出力のどちら
    か一方を選択してシングルポートメモリに対し出力する
    選択器とを備えていることを特徴とするメモリ回路装置
JP1163511A 1989-06-26 1989-06-26 メモリ回路装置 Pending JPH0329179A (ja)

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JP1163511A JPH0329179A (ja) 1989-06-26 1989-06-26 メモリ回路装置

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JPH0329179A true JPH0329179A (ja) 1991-02-07

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ID=15775256

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JP1163511A Pending JPH0329179A (ja) 1989-06-26 1989-06-26 メモリ回路装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5736488A (en) * 1980-08-12 1982-02-27 Toshiba Corp Memory controller
JPS62125589A (ja) * 1985-11-27 1987-06-06 Nec Corp 半導体集積回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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