JPH0328370B2 - - Google Patents
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- JPH0328370B2 JPH0328370B2 JP27074484A JP27074484A JPH0328370B2 JP H0328370 B2 JPH0328370 B2 JP H0328370B2 JP 27074484 A JP27074484 A JP 27074484A JP 27074484 A JP27074484 A JP 27074484A JP H0328370 B2 JPH0328370 B2 JP H0328370B2
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- reaction
- fluorosilane
- chlorosilane
- fluorinating agent
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フルオロシランの製造方法に関す
る。さらに詳しくはハロゲン交換法によるフルオ
ロシランの製造方法の改良に関する。
る。さらに詳しくはハロゲン交換法によるフルオ
ロシランの製造方法の改良に関する。
（従来技術及びその問題点）
フルオロシランは、フツ素化アモルフアスシリ
コン薄膜を形成させる場合に用いられる化合物で
ある。
コン薄膜を形成させる場合に用いられる化合物で
ある。
そして、ここに云うフルオロシランとはSi2F6
の如き全フツ化物は勿論Si2H2F4の如き部分フツ
化物も含むものである。
の如き全フツ化物は勿論Si2H2F4の如き部分フツ
化物も含むものである。
フルオロシランの製造方法としては、対応する
クロロシランをフツ素化剤でフツ素化する、いわ
ゆるハロゲン交換法が知られている。
クロロシランをフツ素化剤でフツ素化する、いわ
ゆるハロゲン交換法が知られている。
その際使用されるフツ素化剤としてはSbF3、
AsF3、TiF4、SnF4、ZnF2などがある。これら固
体状あるいは液体状のフツ化物と気体もしくは液
体のクロロシランを反応させる方法としては、フ
ツ化物充填層にクロロシランをガス状で通過させ
る方法、あるいはフツ化物層に液体のクロロシラ
ンを滴下する方法などが一般的である。
AsF3、TiF4、SnF4、ZnF2などがある。これら固
体状あるいは液体状のフツ化物と気体もしくは液
体のクロロシランを反応させる方法としては、フ
ツ化物充填層にクロロシランをガス状で通過させ
る方法、あるいはフツ化物層に液体のクロロシラ
ンを滴下する方法などが一般的である。
しかしながらこれらの方法では、反応収率が満
足できるほどに高いものではなく、しかも副反応
生成物がかなり生成し易いという欠点をもつてい
る。
足できるほどに高いものではなく、しかも副反応
生成物がかなり生成し易いという欠点をもつてい
る。
また、溶媒としてエーテル、ペンタンなどを用
い、フツ化物をこれらの溶媒に懸濁してクロロシ
ランと反応させる方法も知られている。
い、フツ化物をこれらの溶媒に懸濁してクロロシ
ランと反応させる方法も知られている。
しかしながらこの方法では、反応収率はかなり
改善されるものの、未だ塩素が完全にフツ素に置
換しえなかつた中間体が一部残存して、これらが
蒸留などの操作によつても分離困難なものが多
く、製品の純度を低下させるという大きな問題を
もつている。又反応溶媒の蒸気圧がかなり高いた
め反応溶媒が製品中に混入する問題もある。
改善されるものの、未だ塩素が完全にフツ素に置
換しえなかつた中間体が一部残存して、これらが
蒸留などの操作によつても分離困難なものが多
く、製品の純度を低下させるという大きな問題を
もつている。又反応溶媒の蒸気圧がかなり高いた
め反応溶媒が製品中に混入する問題もある。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは上記問題点に鑑み、反応収率が高
くかつ純度の高いフルオロシランを得る方法につ
いて鋭意検討した結果、アニソールにフツ素化剤
を懸濁させてクロロシランと反応させることによ
り目的が達成させられることを発見し、本発明を
完成するに至つた。
くかつ純度の高いフルオロシランを得る方法につ
いて鋭意検討した結果、アニソールにフツ素化剤
を懸濁させてクロロシランと反応させることによ
り目的が達成させられることを発見し、本発明を
完成するに至つた。
すなわち本発明は一般式SioHnF2o+2-n（ｎはｎ
＞１の整数、ｍは０＜ｍ＜2n＋２の整数）で表
わされるフルオロシラを、反応するクロロシラン
からフツ素化剤とのハロゲン交換法によつて製造
する方法において、フツ素化剤をアニソールに懸
濁して反応を行なうことを特徴とするフルオロシ
ランの製造方法である。
＞１の整数、ｍは０＜ｍ＜2n＋２の整数）で表
わされるフルオロシラを、反応するクロロシラン
からフツ素化剤とのハロゲン交換法によつて製造
する方法において、フツ素化剤をアニソールに懸
濁して反応を行なうことを特徴とするフルオロシ
ランの製造方法である。
本発明で使用するフツ素化剤としては、従来公
知のSbF3、AsF3、TiF4、SnF4、ZnF2などすべ
てに適用できる。クロロシランあるいはフルオロ
シランは、水が存在すれば容易に加水分解する性
質をもつている為、反応に使用する反応原料、フ
ツ素化剤、溶媒や器具は水を十分除いておく必要
がある。例えばフツ素化剤は使用直前に200℃、
４時間加熱処理するなどの方法によつて完全に脱
水しておく。
知のSbF3、AsF3、TiF4、SnF4、ZnF2などすべ
てに適用できる。クロロシランあるいはフルオロ
シランは、水が存在すれば容易に加水分解する性
質をもつている為、反応に使用する反応原料、フ
ツ素化剤、溶媒や器具は水を十分除いておく必要
がある。例えばフツ素化剤は使用直前に200℃、
４時間加熱処理するなどの方法によつて完全に脱
水しておく。
本発明において溶媒として特にアニソールを用
いる効果は、詳細は明らかではないが反応によつ
て生成する金属塩化物を溶解しフツ素化剤表面を
常に更新し活性に保つことと、反応によつて発生
する熱を分散させて、反応温度の上昇を防止する
点にあると考えられるが、その点からするとアニ
ソール中に懸濁するフツ素化剤のスラリー濃度に
ついては、ある程度低い方が好ましく実用上５重
量％（以下単に％と示す）程度、高くても50％で
ある。
いる効果は、詳細は明らかではないが反応によつ
て生成する金属塩化物を溶解しフツ素化剤表面を
常に更新し活性に保つことと、反応によつて発生
する熱を分散させて、反応温度の上昇を防止する
点にあると考えられるが、その点からするとアニ
ソール中に懸濁するフツ素化剤のスラリー濃度に
ついては、ある程度低い方が好ましく実用上５重
量％（以下単に％と示す）程度、高くても50％で
ある。
反応温度は、ハロゲン交換の反応性あるいは生
成するフルオロシランの熱安定性を考慮して決め
られるが、−30℃〜70℃好ましくは−10℃〜40℃
で行なう。反応温度が高すぎると副反応生成物を
生じ易くなり、したがつて製品の純度が低下し、
また逆に反応温度が低すぎるとハロゲン交換反応
の反応率が低下する。
成するフルオロシランの熱安定性を考慮して決め
られるが、−30℃〜70℃好ましくは−10℃〜40℃
で行なう。反応温度が高すぎると副反応生成物を
生じ易くなり、したがつて製品の純度が低下し、
また逆に反応温度が低すぎるとハロゲン交換反応
の反応率が低下する。
（実施例及び比較例）
以下実施例及び比較例によつて本発明を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例 １
200℃で４時間脱水処理をしたフツ化亜鉛200ｇ
を１の撹拌機つきガラス製フラスコに入れ、
400mlのアニソールに懸濁させた。
を１の撹拌機つきガラス製フラスコに入れ、
400mlのアニソールに懸濁させた。
系内をN2で充分に置換させたのち、撹拌しな
がらSiHCl3を0.5ｇ／minの速度で100ｇをフラス
コにフイードした。尚反応中フラスコは氷水に浸
漬し反応温度を一定に維持するとともに、リフラ
ツクスコンデンサーをとりつけてアニソールの蒸
発を防止した。
がらSiHCl3を0.5ｇ／minの速度で100ｇをフラス
コにフイードした。尚反応中フラスコは氷水に浸
漬し反応温度を一定に維持するとともに、リフラ
ツクスコンデンサーをとりつけてアニソールの蒸
発を防止した。
フラスコから発生した反応ガスは、ドライアイ
スアセトントラツプで不純物を除去したのち、液
体窒素トラツプ中に回収した。回収量は53ｇ（収
率84％）で、このものはIR吸収特性値から
SiHF3と同定された。また生成ガスをHF水溶液
に吸収させて生成ガス中の塩素濃度を測定したと
ころ、僅か70ppmに過ぎず製品の純度は非常に高
いものであつた。
スアセトントラツプで不純物を除去したのち、液
体窒素トラツプ中に回収した。回収量は53ｇ（収
率84％）で、このものはIR吸収特性値から
SiHF3と同定された。また生成ガスをHF水溶液
に吸収させて生成ガス中の塩素濃度を測定したと
ころ、僅か70ppmに過ぎず製品の純度は非常に高
いものであつた。
実施例 ２
フツ素化剤としてフツ化亜鉛のかわりにSbF3
を用い、実施例１と同様な方法でい反応を行なつ
たところSiHF3の収率は70％であつた。
を用い、実施例１と同様な方法でい反応を行なつ
たところSiHF3の収率は70％であつた。
実施例 ３
実施例１と同様な方法でSiH2Cl2のフツ素化を
行なつたところ収率87％でSiH2F2が得られた。
生成ガス中の塩素濃度は50ppmに過ぎなかつた。
行なつたところ収率87％でSiH2F2が得られた。
生成ガス中の塩素濃度は50ppmに過ぎなかつた。
比較例 １
懸濁溶媒として無水エーテルを用い実施例１と
同様な方法で反応を行なつたところ、収率は53％
に過ぎず、生成ガス中の塩素濃度は1.73％もあつ
た。
同様な方法で反応を行なつたところ、収率は53％
に過ぎず、生成ガス中の塩素濃度は1.73％もあつ
た。
比較例 ２
懸濁溶媒を使用せずにフツ化亜鉛とSiHCl3と
を混合する方法で反応を行なつたところ、収率は
42％で、生成ガス中の塩素濃度は2.73％もあつ
た。
を混合する方法で反応を行なつたところ、収率は
42％で、生成ガス中の塩素濃度は2.73％もあつ
た。
Claims (1)
- １ アニソールに懸濁したフツ素化剤をクロロシ
ランに接触させることを特徴とするフルオロシラ
ンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27074484A JPS61151016A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | フルオロシランの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27074484A JPS61151016A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | フルオロシランの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151016A JPS61151016A (ja) | 1986-07-09 |
| JPH0328370B2 true JPH0328370B2 (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=17490368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27074484A Granted JPS61151016A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | フルオロシランの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151016A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232215A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Central Glass Co Ltd | 部分フツ素化シランの製造法 |
| JPS62187106A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-15 | Central Glass Co Ltd | パ−フルオロシランの製造方法 |
| US5346682A (en) * | 1992-11-27 | 1994-09-13 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process for the preparation of partially-substituted fluorosilane |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP27074484A patent/JPS61151016A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61151016A (ja) | 1986-07-09 |
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