JPS61232215A - 部分フツ素化シランの製造法 - Google Patents
部分フツ素化シランの製造法Info
- Publication number
- JPS61232215A JPS61232215A JP60073454A JP7345485A JPS61232215A JP S61232215 A JPS61232215 A JP S61232215A JP 60073454 A JP60073454 A JP 60073454A JP 7345485 A JP7345485 A JP 7345485A JP S61232215 A JPS61232215 A JP S61232215A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- silane
- organic solvent
- partially
- metal fluoride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子、光学材料の製造用原料として有用なフロ
ロシラン、特に水素原子を分子中に含むフッ素化シラン
の製造法に関するものである。
ロシラン、特に水素原子を分子中に含むフッ素化シラン
の製造法に関するものである。
部分フッ素化シラ／〔一般式５ｉＨｎＦ４−ｎ（ｎ＝１
−３ ））の製造法としては、シラン８１Ｈ４の直接フ
ッ素化ではフッ素化度の制御が極めて困難なため、一般
には部分塩素化シランを得、これを適尚なフッ素化剤に
より塩素とフッ素のノ・ロゲン置換反応をおこなわせる
ことにより得られる。部分塩素化シランは金属シリコン
類と塩素または塩化水素との反応、あるいはシラン５ｉ
ｎ４と塩化水素との反応等によシ容易に製造することが
できる。
−３ ））の製造法としては、シラン８１Ｈ４の直接フ
ッ素化ではフッ素化度の制御が極めて困難なため、一般
には部分塩素化シランを得、これを適尚なフッ素化剤に
より塩素とフッ素のノ・ロゲン置換反応をおこなわせる
ことにより得られる。部分塩素化シランは金属シリコン
類と塩素または塩化水素との反応、あるいはシラン５ｉ
ｎ４と塩化水素との反応等によシ容易に製造することが
できる。
部分塩素化シランの塩素、フッ素のノーロゲン置換反応
は、一般に弗素化剤として固体状の金属７ツ化物を充填
した塔へ原料の部分塩素化シランガスを流通させる方法
がとられている。
は、一般に弗素化剤として固体状の金属７ツ化物を充填
した塔へ原料の部分塩素化シランガスを流通させる方法
がとられている。
従来法によシ部分フッ素化シランを得る場合には、次に
示す問題点がある。
示す問題点がある。
■ 金属フッ化物からなるフッ素化剤が反応の進行とと
もに塩化物に移行することにより固体の性状変化を生じ
、固結、閉塞等の現象を生じ、反応の継続に支障がある
。
もに塩化物に移行することにより固体の性状変化を生じ
、固結、閉塞等の現象を生じ、反応の継続に支障がある
。
■ 反応条件にもよるが、高次フッ素化物が生成し易い
。
。
■ 用いた７ツ索化剤のフッ素の利用効率が低い。
本発明は、かかる従来法の問題点を一掃するものである
。
。
本発明は、金属７ツ化物と有機溶媒の混合系に部分塩素
化シランを吹き込み反応をおこなうことを特徴とする部
分フッ素化シランの製造法である。
化シランを吹き込み反応をおこなうことを特徴とする部
分フッ素化シランの製造法である。
本発明において用いる金属７ツ化物としては、フッ素化
剤として従来周知の各種金属７ツ化物を用い得、具体的
には８ｂＦ、、ＺｎＦｌ、８ｎ？４等が挙げられる。こ
れらの金属フッ化物のうち、８１）？、は反応性に最も
優れており、反応温度の選択幅が大であるため、好適に
用いられる。用いる有機溶媒は、少くとも液状を保つ必
要があるため反応温度を考慮し、あわせて用いる金属フ
ッ化物の溶解度によシ反応率、選択率に影響を与えるた
めこれらを総合して選択すべきである。
剤として従来周知の各種金属７ツ化物を用い得、具体的
には８ｂＦ、、ＺｎＦｌ、８ｎ？４等が挙げられる。こ
れらの金属フッ化物のうち、８１）？、は反応性に最も
優れており、反応温度の選択幅が大であるため、好適に
用いられる。用いる有機溶媒は、少くとも液状を保つ必
要があるため反応温度を考慮し、あわせて用いる金属フ
ッ化物の溶解度によシ反応率、選択率に影響を与えるた
めこれらを総合して選択すべきである。
例えば金属７ツ化物としてｓｂｙ、を用いる場合、反応
性に極めて優れているため、低温で十分反応が進行する
。
性に極めて優れているため、低温で十分反応が進行する
。
また、８１）Ｆ、の場合、溶解度の高い有機溶媒を用い
ると、多７ツ化物の生成が増加する傾向が１＋目的とす
る部分フッ素化物の収率を向上させるためには、溶解度
の低い溶媒を用いる方が好ましく、適用する反応温度で
の溶解度がｌｙ／１以下の溶媒、具体的には、ヘプタン
、ヘキサン、トルエン、ｎ−ブチルエーテル、クロルベ
ンゼン、ベンゼン、ニトロベンゼン４１ｆ挙けられる。
ると、多７ツ化物の生成が増加する傾向が１＋目的とす
る部分フッ素化物の収率を向上させるためには、溶解度
の低い溶媒を用いる方が好ましく、適用する反応温度で
の溶解度がｌｙ／１以下の溶媒、具体的には、ヘプタン
、ヘキサン、トルエン、ｎ−ブチルエーテル、クロルベ
ンゼン、ベンゼン、ニトロベンゼン４１ｆ挙けられる。
ま九、同一溶媒でも反応温度は低い程８１）Ｆ、の溶解
度は低下し、収率向上が図れるとともに溶剤の揮散を防
ぐためにも、可及的に低温での反応が好ましい。従って
８１）Ｆ’、 ｔ−フッ素化剤として用いる場合は、有
機溶媒中に懸濁した系となるため、均一反応をおこなう
ため攪拌を良好におこなうことが好ましい。
度は低下し、収率向上が図れるとともに溶剤の揮散を防
ぐためにも、可及的に低温での反応が好ましい。従って
８１）Ｆ’、 ｔ−フッ素化剤として用いる場合は、有
機溶媒中に懸濁した系となるため、均一反応をおこなう
ため攪拌を良好におこなうことが好ましい。
一方、比較的反応性に劣るＺｎＦｚ等を７ツ索化剤とし
て用いる場合には、反応温度は比較的高温の方が好まし
く、具体的には５０−１００’Ｃ程度、また、用いる溶
媒は、フッ素化剤の溶解度の高いものが、反応率、選択
率ともに良好となる傾向がるり、具体的にはｎ−ブチル
エーテル、ニトロベンゼン等が好適に使用できる。
て用いる場合には、反応温度は比較的高温の方が好まし
く、具体的には５０−１００’Ｃ程度、また、用いる溶
媒は、フッ素化剤の溶解度の高いものが、反応率、選択
率ともに良好となる傾向がるり、具体的にはｎ−ブチル
エーテル、ニトロベンゼン等が好適に使用できる。
本発明においては、原料の部分塩素化シランとしては、
８１Ｈ０１，、ｓｕｒ、ａｌ、、１９１に、０１、それ
ぞれを単独で用いても、混合物を用いてもいずれでもよ
いが、最終的に単独の７０ロシランを得良い場合には、
その沸点差が塩素化物の方が大きいため、原料段階で単
離して反応させる方が有利である。
８１Ｈ０１，、ｓｕｒ、ａｌ、、１９１に、０１、それ
ぞれを単独で用いても、混合物を用いてもいずれでもよ
いが、最終的に単独の７０ロシランを得良い場合には、
その沸点差が塩素化物の方が大きいため、原料段階で単
離して反応させる方が有利である。
また、本発明においては反応性の穏やかなＺｎＦ２等の
場合は勿論のこと、８１）Ｆ、を懸濁系で用いる場合で
も反応の進行とともに生成する塩化物は有機溶媒に可溶
であシ、反応の進行を阻害することはなく、はぼ用いた
フッ素化剤の全量を有効に反応に利用することができる
ものである。
場合は勿論のこと、８１）Ｆ、を懸濁系で用いる場合で
も反応の進行とともに生成する塩化物は有機溶媒に可溶
であシ、反応の進行を阻害することはなく、はぼ用いた
フッ素化剤の全量を有効に反応に利用することができる
ものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１〜７
昇華精製した６０〜１００メツシユの三弗化アンチモン
９０Ｆと十分に脱水した第１表に示す各種溶剤３００−
とを５００＊を丸底フラスコに仕込んだ後、水銀シール
付攪拌機をセットし、ヘリウムでフラスコ内の空気を十
分に置換し、第１表の反応温度で原料（Ｄ ８１Ｈ１０
１，（組成８１Ｈ！（Ｊ！９９．０％、８１ＨＯ１，０
，５％、Ｈａｌｏ、４ ％、５ｉｌ１４０．１ ％ ）
を１６０ｔｄ／ｍｉｎで液中に吹き込み反応を開始した
。反応開始後６０分間の生成ガスをガスクロマトゲ：ｌ
Ｆフィーで測定した。この結果を第１表に示す。
９０Ｆと十分に脱水した第１表に示す各種溶剤３００−
とを５００＊を丸底フラスコに仕込んだ後、水銀シール
付攪拌機をセットし、ヘリウムでフラスコ内の空気を十
分に置換し、第１表の反応温度で原料（Ｄ ８１Ｈ１０
１，（組成８１Ｈ！（Ｊ！９９．０％、８１ＨＯ１，０
，５％、Ｈａｌｏ、４ ％、５ｉｌ１４０．１ ％ ）
を１６０ｔｄ／ｍｉｎで液中に吹き込み反応を開始した
。反応開始後６０分間の生成ガスをガスクロマトゲ：ｌ
Ｆフィーで測定した。この結果を第１表に示す。
第１表
実施例８
実施例１〜７と同様にして反応をおこない、生成ガス中
に原料の８１Ｈ，Ｃ１，が３％となった時点で反応を終
了し、その時点までのフッ素利用率を測定し九。この結
果を第２表に示す。
に原料の８１Ｈ，Ｃ１，が３％となった時点で反応を終
了し、その時点までのフッ素利用率を測定し九。この結
果を第２表に示す。
第２表
実施例９、ｌＯ
原料ガスとし１５１ａ３ａ１（組成８１ＨＩ Ｃ１９９
、Ｏ％ ％５ｉＨｓ ０１４１．０％）（実施例９）、
５ＩＨＦｌ （組成８１Ｈｏ１３９９，８％、５１ｃ１
４０．２ ％ ） （実施例１０）ｔ−用いるほかは、
実施例３と同様にして反応をおこなった。反応開始後６
０分間の生成ガスの組成を第３表に示す。
、Ｏ％ ％５ｉＨｓ ０１４１．０％）（実施例９）、
５ＩＨＦｌ （組成８１Ｈｏ１３９９，８％、５１ｃ１
４０．２ ％ ） （実施例１０）ｔ−用いるほかは、
実施例３と同様にして反応をおこなった。反応開始後６
０分間の生成ガスの組成を第３表に示す。
第 ３ 表
実施例１１
フッ素化剤としてＺｎＦｌ、溶剤としてｎ−ブチルエー
テルを用い、反応温度を６０℃とするほかは、実施例５
と同様にして反応をおこなった。
テルを用い、反応温度を６０℃とするほかは、実施例５
と同様にして反応をおこなった。
反応開始後６０分間の生成ガスの組成を第４表に示す。
第 ４ 表
実施例１２
用いる溶媒を１．４ジオキサンとし、反応温度を２５℃
とする以外は、実施例３と同様にして反応をおこなった
。この結果を第５表に示す。
とする以外は、実施例３と同様にして反応をおこなった
。この結果を第５表に示す。
ｉ＠５表
比較例１
昇華精製して一裏した平均板径２簡の三弗化アンチモン
９０ｙｔ−充填塔に充填し、実施例１と同様にヘリウム
で充填塔の空気を十分に置換したのち反応温度６０℃で
実施例１と同一組成のＳｉＨ，Ｃ１，を１６０ｄ／ｍｉ
ｎで供給し反応をおこなった。反応開始後３０分間の生
成ガスを分析した結果を第６表に示す。また、反応ガス
中に原料のＳｉｎ、ＯＸ、が３％となった時点は反応開
頗後５２分であり、フッ素の利用率は５８．２％であっ
た。
９０ｙｔ−充填塔に充填し、実施例１と同様にヘリウム
で充填塔の空気を十分に置換したのち反応温度６０℃で
実施例１と同一組成のＳｉＨ，Ｃ１，を１６０ｄ／ｍｉ
ｎで供給し反応をおこなった。反応開始後３０分間の生
成ガスを分析した結果を第６表に示す。また、反応ガス
中に原料のＳｉｎ、ＯＸ、が３％となった時点は反応開
頗後５２分であり、フッ素の利用率は５８．２％であっ
た。
第６表
〔発明の効果〕
本発明によれば部分塩素化シランからほぼ定量的に目的
の部分フッ素化シランを得ることができ、フッ素化剤の
利用率も高く、効率的に反応をンこなうことができると
いう特徴を有するものである。
の部分フッ素化シランを得ることができ、フッ素化剤の
利用率も高く、効率的に反応をンこなうことができると
いう特徴を有するものである。
Claims (1)
- 金属フッ化物と有機溶媒の混合系に部分塩素化シランを
吹き込み反応をおこなうことを特徴とする部分フッ素化
シランの製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073454A JPS61232215A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 部分フツ素化シランの製造法 |
| IT19933/86A IT1188639B (it) | 1985-04-09 | 1986-03-28 | Procedimento per preparare silano parzialmente fluorurato da silano parzialmente clorurato |
| GB08608509A GB2174687B (en) | 1985-04-09 | 1986-04-08 | Method of preparing partially fluorinated silane from partially chlorinated silane |
| FR8605004A FR2579970A1 (ja) | 1985-04-09 | 1986-04-08 | |
| DE19863611983 DE3611983A1 (de) | 1985-04-09 | 1986-04-09 | Verfahren zur herstellung von partiell fluorierten silanen aus partiell chlorierten silanen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073454A JPS61232215A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 部分フツ素化シランの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61232215A true JPS61232215A (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13518697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60073454A Pending JPS61232215A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 部分フツ素化シランの製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61232215A (ja) |
| DE (1) | DE3611983A1 (ja) |
| FR (1) | FR2579970A1 (ja) |
| GB (1) | GB2174687B (ja) |
| IT (1) | IT1188639B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346682A (en) * | 1992-11-27 | 1994-09-13 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process for the preparation of partially-substituted fluorosilane |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167693A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Preparation of fluorosilane |
| JPS61151015A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 部分置換フルオロシランの製造方法 |
| JPS61151016A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フルオロシランの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP60073454A patent/JPS61232215A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-28 IT IT19933/86A patent/IT1188639B/it active
- 1986-04-08 GB GB08608509A patent/GB2174687B/en not_active Expired
- 1986-04-08 FR FR8605004A patent/FR2579970A1/fr active Pending
- 1986-04-09 DE DE19863611983 patent/DE3611983A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167693A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Preparation of fluorosilane |
| JPS61151015A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 部分置換フルオロシランの製造方法 |
| JPS61151016A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フルオロシランの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3611983A1 (de) | 1986-10-09 |
| IT8619933A0 (it) | 1986-03-28 |
| GB8608509D0 (en) | 1986-05-14 |
| IT8619933A1 (it) | 1987-09-28 |
| IT1188639B (it) | 1988-01-20 |
| FR2579970A1 (ja) | 1986-10-10 |
| GB2174687B (en) | 1988-11-23 |
| GB2174687A (en) | 1986-11-12 |
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