JPH03283617A - 半導体基板のウェット処理装置 - Google Patents

半導体基板のウェット処理装置

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JPH03283617A
JPH03283617A JP8423190A JP8423190A JPH03283617A JP H03283617 A JPH03283617 A JP H03283617A JP 8423190 A JP8423190 A JP 8423190A JP 8423190 A JP8423190 A JP 8423190A JP H03283617 A JPH03283617 A JP H03283617A
Authority
JP
Japan
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carrier
semiconductor substrate
treatment
tank
bath
Prior art date
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Pending
Application number
JP8423190A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidefumi Tomiki
冨来 秀文
Hidekazu Nakano
仲野 英一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程における。
液体による化学的処理(以下、ウェット処理という)を
バッチ式で行なう処理装置に関する。
〔従来の技術〕
従来半導体基板のウェット処理は、バッチ式の場合には
、搬送アームにより運搬されるキャリアに基板を並べて
おいて、このキャリアな処理槽に浸し、所望の処理を行
なった後、搬送アームによりキャリアを洗浄槽に運搬し
、洗浄が終了した後、同様の方法でスピンドライヤにキ
ャリアを搬送し遠心乾燥するという方法がとられていた
第3図は従来の処理装置の概略図である。先ず半導体基
板6をキャリア5に並べておく、キャリア5は搬送アー
ム7により処理l@lに運ばれ、搬送アーム7は降下し
、キャリア5は処理槽l内に浸される。所望の時間のデ
イツプ処理が終了した後、再びキャリア5は搬送アーム
7により引上げられ、空中を洗浄槽2へ移送され、同様
にして洗浄後プール槽3へ運ばれる。
通常のウェット処理装置では処理量を確保するために、
スピンドライヤは複数のキャリア5を同時に乾燥する。
このため洗浄を完了したキャリア5を蓄えるための上記
プール槽3が必要となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のウェット処理装置では、キャリアを搬送
アームで運搬中、各種の処理の間はキャリアおよび半導
体基板が空中に放置した状態になっている。一般にデイ
ツプ処理を施した半導体基板を空中に放置した場合、半
導体基板表面が均一で無い時には液の切れも不均一にな
り、表面に付着した微粒子が表面の特定部分に濃縮され
たように集まり除去できなくなることが多い。
また、半導体基板の表面が濡れた状態で付着した微粒子
は半導体基板が乾くと次に洗浄しても洗浄液が界面にと
どきにくいため、容易に除去することはできない、この
ような理由から従来のウェット処理装置では、処理槽中
の微粒子を極力少なくする努力がなされてきている。
しかしながら、半導体基板自身が持ち込む微粒子も多く
、処理槽のフィルタリング効率にも限界があるので、半
導体基板に付着する微粒子量を安定して減らすことがで
きないという欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、キャリアの搬送
について、改良を行なったウェット処理装置を提供する
ことにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば、半導体基板を搭載したキャリアがウェ
ット処理装置の各種より外に出ている期間、キャリアを
水等でリンスする状態で、搬送アームにより移動しうる
手段を設けるようにしている。
〔作用〕
キャリアは、各種の外にある間、水等でリンスされてい
て、乾くことがないので、処理槽中の微粒子が付着する
ことがない、また搬送中にも微粒子の付着がない。
〔実施例〕
以下、図面を参照して1本発明の第1実施例につき説明
する。第1図はこの実施例を説明する概略図である。第
1図(a)は、つx −) F処理を行なう各種の配置
を示したもので、処理槽l、洗浄槽2.プール槽3およ
びスピンドライヤ4が配置されている。搬送アーム40
により、キャリア5は各種l〜4に順次運搬される。ス
ピンドライヤ4では、キャリアバスケラ)4Bに複数の
キャリア5を入れて2回転するようにしている。なお、
4Aはリンス液の給液パイプで、最初洗浄するようにし
ている。
半導体基板6を搭載したキャリア5は、各槽間を運搬さ
れる間は第1図(b)の可動リンス41!20に一旦入
れる。この可動リンス槽20は、給水管21.排水管2
2が接続され、シャワーノズル23により、半導体基板
6を常にリンスされた状態に保つ、第1図(C)に示す
ように可動リンス槽20は、支柱24により運搬アーム
40に取りつけられている。可動リンス槽20の底面2
5は開閉されるようになっていて、この可動リンス槽2
0へのキャリア5の取込み、および取出しは可動リンス
槽20の底面25が開放の状態で、搬送アーム40にと
りつけられた上下に移動する保持アーム41によってな
される。
本実施例では、処理槽lで処理する場合には、先ず搬送
アーム40により、可動リンス槽20を処J9!槽l上
に位置させ、給水管21から木を供給し、シャワーノズ
ル23によりキャリア5に搭載された半導体基板6をリ
ンスする。
そして給水をとめ、排水が完了してから可動リンス槽底
面25を開いて、キャリア保持アーム41を下降させ、
処理装置l内の処理液にキャリア5を浸し、処理を行な
う、処理終了後、キャリア保持アーム41を上昇させ、
可動リンス槽20内にキャリア5が入ったならば底面2
5を閉じ、給水管21から給水してリンス状態とする。
以下同様にしてキャリア5の各槽間の搬送を行なう。
次に1本発明の第2実施例を第2図によって説明する。
第2図において、リンス槽は可動型でなく処理槽l、洗
浄槽2の上部に延在させた固定のリンスボックス30を
使用し、この中でキャリア5を搬送アーム42で移動さ
せる。処理槽1.洗浄Im2へ、キャリア5をリンスボ
ックス30から取出し、取込むにはリンスポツクス30
の底面に設けた扉35.36を開閉し。
搬送アーム42を上下して行なう、リンスポ。
ラス30内ではリンス液がシャワーノズル33から吹き
つけられる。31.32は給水管、排水管である。洗浄
槽2で洗浄後リンスボックス30に取込んだキャリア5
はリンスボックス30の側面から、側面に設けた扉37
を開いて外へ取出され、プール槽3に保管される。プー
ル槽3には界面活性剤入りの純水を供給しておけば、ス
ピンドライヤ4への搬送に時間がかかっても基板表面の
水が切れることは無い。
この際使用する界面活性剤は後工程での除去の容易さか
ら炭化水素系が最適で、濃度は100〜11000pp
程度が適当である。シリコン基板上の酸化シリコン膜の
一部を除去する工程では、この方法が最も効果的である
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によるウェット処理に於ては
、半導体基板が処理槽を出てから乾燥されるまでの間に
基板表面が乾燥することを極力少なくしている。このた
め従来のウェット処理方法に比べ、パーティクルの付着
量を大巾に低減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明の第1実施例を説明する概WBrI4
で、(a〕はウェット忽理各種の配置、(b)は可動リ
ンス槽、(C)は可動リンス檜からのキャリアの取出し
取込みを示す図、第2図は第2実施例を説明する概略図
、第3図は従来例の説明のための概略図である。 l・・・処理槽、    2・・・洗浄槽。 3・・・プール槽、    4・・・スピンドライヤ、
5・・・キャリア、    6・・・半導体基板、20
・・・可動リンス槽、 23.33・・・シャワーノズル。 30・・・リンスボックス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  複数枚の半導体基板が搭載されたキャリアを、処理槽
    、洗浄槽等の各槽間に、搬送アームにより移動させ、ウ
    ェット処理を行なう装置において、キャリアが各槽より
    外に出ている期間、キャリアを水等でリンスする状態で
    、搬送アームにより移動しうる手段を設けたことを特徴
    とする、半導体基板のウェット処理装置。
JP8423190A 1990-03-30 1990-03-30 半導体基板のウェット処理装置 Pending JPH03283617A (ja)

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JP8423190A JPH03283617A (ja) 1990-03-30 1990-03-30 半導体基板のウェット処理装置

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JP8423190A JPH03283617A (ja) 1990-03-30 1990-03-30 半導体基板のウェット処理装置

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JPH03283617A true JPH03283617A (ja) 1991-12-13

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ID=13824704

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JP8423190A Pending JPH03283617A (ja) 1990-03-30 1990-03-30 半導体基板のウェット処理装置

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JP (1) JPH03283617A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017011212A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法及びその装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017011212A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法及びその装置

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