JPH03278408A - Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ合金磁性薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 業　　の和 本発明は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａ℃を主成分とし、酸素を含有
したＦｅ−Ｓｉ−Ａ℃合金磁性薄膜とその製造方法に関
するものであり、特に製造方法は、斯るＦｅ−Ｓｉ−Ａ
ρ合金磁性薄膜を酸素ガス含有不活性ガス雰囲気下にて
スパッタリングにより製造する点に特徴を有する。

１反辺１１ 磁気記録技術の分野における最近の記録密度の向上は著
しく、これに伴って、例えばビデオヘッド、コンピュー
タ用ヘッドなどのような磁気ヘッドに対する狭トラツク
化及びコア材料の飽和磁化の増大並びに高周波領域にお
ける透磁率の改善といった要求が高まっている。

このような要求を満足せしめる磁気ヘッドの磁性薄膜と
して、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌを主成分とするＦｅ％Ｓｔ、Ａ
ｌ系合金であるセンダスト合金磁性薄膜が注目を浴びて
いる。

一般に、センダスト合金磁性薄膜、即ち、Ｆｅ−Ｓｉ−
ＡＩ２合金磁性薄膜は、磁気特性には優れているが、耐
久性に劣っており、磁気特性及び耐久性に優れたＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ合金磁性薄膜を提供するべく種々提案されて
いる。

例えば、特開昭６０−２２０９１４号公報は、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−ＡＩ２．合金磁性薄膜中に０．００５〜６重量％の
割合で酸素を含有せしめることにより、磁気特性に優れ
、かつ高硬度の磁性薄膜を得ることができることを開示
している。

が　　しよ　とする 本発明者らは、上記公報に開示されるような磁気特性に
優れ、かつ高硬度のＦｅ−Ｓｉ−Ａｕ合金磁性薄膜を得
るべく多くの研究実験を行った結果、磁性薄膜中の酸素
の量は、公報に開示される如く、０．００５〜６重量％
と言った極めて広い大雑把な範囲の量においては、決し
て磁気特性及び耐久性に優れたＦｅ−Ｓｉ−ＡＩ２合金
磁性薄膜を得ることができないことを見出した。

つまり、磁気特性に優れ、かつ高硬度のＦｅ−Ｓｉ−Ａ
Ｉ２合金磁性薄膜を得るためには、磁性薄膜中の酸素の
量は、極めて限定された範囲内に、即ち、０．１７〜０
．４６重量％の範囲内に特定されることが極めて重要で
あることが分かった。

一般に、センダスト合金磁性薄膜、即ち、Ｆｅ−Ｓｉ−
Ａ℃合金磁性薄膜は、不活性ガス雰囲気下にて結晶化ガ
ラス又はセラミクスからなる基板上にＦｅ−５Ｌ−Ａρ
金合金スパッタすることにより得られる。

本発明者らは、酸素を含有したＦｅ−Ｓｉ−Ａ２合金磁
性薄膜をスパッタリングにて製造するべく研究する過程
において、極めて限定された範囲の量にて、不活性ガス
中に酸素ガスを導入することにより、上述のように特定
量の酸素を含有したＦｅ−Ｓｉ−ＡＩ２合金磁性薄膜を
好適に製造し得ることを見出した。

斯る方法にて製造された酸素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ２合金
磁性薄膜は、高透磁率、高硬度を維持しながら飽和磁束
密度の低下を来すことがなく、保磁力（Ｈｃ）を０．３
５０ｅ以下とし、更にＩＭＨｚにおける比初透磁率の歪
みを加えたことによる変化を０．２０未満とすることが
可能であることを見出した。

ここで、ＩＭＨｚにおける比初透磁率の歪みを加えたこ
とによる変化（以下「η」と略称する）とは、基板上に
スパッタしたＦｅ−Ｓｉ−Ａ℃合金磁性薄膜に、基板と
磁性薄膜との熱膨張率差及び基板の撓みに起因する歪み
に相当する１×１０−４の引っ張り歪みを与えたときの
ＩＭＨｚにおける比初透磁率μと歪みを与えないときの
ＩＭＨｚにおける比初透磁率μ。とから次式により計算
される値であり、磁性膜の実用性を判断する上で重要な
特性である。

η＝２０ρｏｇ（μ／μ０） 尚、保磁力を０．３５０ｅ以下、ηを０゜２０未満とす
るのは、この条件を満たさないとハイビジョン用磁気ヘ
ッドとしての性能（ＭＰテープを使った自己録音再生の
１９ＭＨｚにおける規格化出力の最大値が９０を超え、
ＣＮ比が５８ｄＢ以上）を達成できないからである。

更に説明すると、特開昭６０−２１８８２１号公報には
、酸素ガスを含む不活性ガス中でのスパッタリングによ
りＦｅ−Ｓｉ−Ａ２合金磁性薄膜を製造する方法が開示
されている。しかしながら、この公報に記載されるスパ
ッタリングにおいて、不活性ガス中に含有される酸素の
量は、０゜０１〜４０体積％とされる。

本発明者らの研究実験の結果によると、不活性ガス中に
含有される酸素の量が、４００体積ｐｐｍ未満では、磁
性薄膜中の酸素量が０゜１７重量％に達しない場合が生
じ、保磁力が０゜３５００を越えることとなり、又、不
活性ガス中に含有される酸素の量が１５００体積ｐｐｍ
を越えると、磁性薄膜中の酸素量が０．４６重量％を大
き（越える場合が生じ、結果としてηが０゜２０以上と
なり、不活性ガス中に含有される酸素の量が３０００体
積ｐｐｍでは膜が剥れてしまい実用とならないことが分
かった。

このように、上記公報記載の発明は、不活性ガス中の酸
素量の規定が極めて広く、実用に供しぇない範囲までを
も含んでおり、産業上利用し得るものではない。つまり
、上記公報記載の発明は、有効にＦｅ−８ｉ−Ａｆｆ合
金磁性薄膜を製造するには、不活性ガス中には極めて狭
い範囲での酸素量が要求されることを何ら教示しておら
ず、又、示唆すらしていない。

本発明者らは、上述したように、不活性ガス中の酸素量
を極めて狭い特定の範囲に規定することにより始めて、
酸素を０．１７〜０．４６重量％含有したＦｅ−Ｓｉ−
ＡＩ２合金磁性薄膜を有効に製造し得ることを見出した
のである。

従って、スパッタリングにおいてターゲットとして、酸
素を殆ど含んでいない（３〜５重量ｐｐｍ）溶融品ター
ゲットを使用した場合には不活性ガス雰囲気中の酸素濃
度は４００〜１５００体積ｐｐｍとされる必要があり、
酸素含有量の多い焼結品ターゲットを使用した場合には
、ターゲット中の酸素が不活性ガス雰囲気に影響を及ぼ
すので、ターゲットの品質に応じて、不活性ガス雰囲気
中の酸素濃度は適宜低めに調整される。例えば、通常使
用される酸素を０．１４重量％含有している焼結品ター
ゲットを用いた場合には、不活性ガス雰囲気の初期酸素
濃度は約５００体積ｐｐｍとされる。

本発明は斯る新規な知見に基づきなされたものである。

従って、本発明の目的は、磁性膜中に含有される酸素量
を特定し、０．３５０ｅ以下の保磁力（Ｈｃ）、０．２
０未満のηを有した磁気特性に優れ、且つ高硬度であっ
て耐久性にも優れた高性能の酸素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ４
２合金磁性薄膜を提供することである。

本発明の他の目的は、スパッタリングにおける不活性ガ
ス雰囲気中の酸素濃度を調整することにより、０．３５
０ｅ以下の保磁力（Ｈｃ）、０゜２０未満のηを有した
磁気特性に優れ、且つ高硬度であって耐久性にも優れた
高性能の酸素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ａρ合金磁性薄膜を製造
する方法を提供することである。

を　　するための 上記目的は本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａρ合金磁性薄膜
及びその製造方法にて達成される。要約すれば本発明は
、Ｆｅ、Ａｇ、Ｓｉを主成分とし、酸素を０．１７〜０
．４６重量％含有することを特徴とするＦｅ−Ｓｉ−Ａ
で合金磁性薄膜である。

斯る酸素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ２合金磁性薄膜は、特に、
溶融品ターゲットを使用した場合には不活性ガス雰囲気
中の酸素濃度を４００〜１５００体積ｐｐｍとし、焼結
品ターゲットを使用した場合には、ターゲットの品質に
応じて、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を上記酸素濃度
より低めに調整してスパッタリングを行うことによって
極めて好適に製造される。又、焼結品ターゲットの酸素
含有量が０．１４重量％である場合には、不活性ガス雰
囲気中の酸素濃度は約５００体積ｐｐｍとされるのが好
適である。

更に詳しく説明すると、本発明に係る Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｉ２合金磁性薄膜において、磁性薄膜中
の酸素の量が０．１７重量％に達しない場合には、保磁
力が０．３５０ｅを越えることとなり、又、磁性薄膜中
の酸素の量が０．４６重量％を越えるとηが０．２０以
上となる。

ここで、主成分としてのＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの組成範囲と
しては、限定されるものではないが、ＡＩ２の含有量が
４〜７重量％、Ｓｉの含有量が８〜１２重量％、残部が
Ｆｅであることが好ましい。

所望に応じては、Ｆｅの一部を、具体的にはＦｅに対し
て６０重量％未満の範囲でＣｏ、Ｎｉなどで置換しても
良く、更に、磁性薄膜の耐蝕性や耐摩耗性を更に改善す
るために各種の元素を添加剤として、磁性薄膜に対して
１０重量％未満の範囲で加えることもできる。添加剤と
しては、例えば、Ｙなどのｌｌ１ａ族元素、Ｔｉ、Ｚｒ
、ＨｆなどのｒＶａ族元素、■、Ｎｂ、ＴａなとのＶａ
ａ族元素Ｃｒ、Ｍｏ、ＷなどのＶｌ　ａ族元素、Ｍｎ、
Ｔｃ、Ｒｅなどの■ａａ族元素Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ
などのランタン系元素、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕなどのＩｂ族
元素、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉなどとすることができる。添加
剤としては他にも種々前えられ、必要に応じて適宜選択
し、添加される。

次に、上述のような本発明に係る、特定量の酸素を含有
したＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性薄膜の製造方法について
詳しく説明する。

本発明の磁性薄膜を好適に製造し得るスパッタリングの
手法としては、通常実施されている種々のスパッタリン
グを採用し得、例えば、２極ＤＣグロー放電スパツタ、
３極ＤＣグロー放電スパツタ、２極ＲＦグロー放電スパ
ツタ、マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタな
どを好適に使用し得る。

第１図には、本発明を実施するに適したＤＣマグネトロ
ンスパッタ（ＲＦバイアス印加）装置の概略が図示され
る。

ＤＣスパッタ装置３０は、高圧直流電源３１に接続され
た陰極３２と、ＲＦバイアス電源３３に接続され電気的
に絶縁された基板ホルダー３４とを具備し、前記陰極３
２にはターゲット３５が配置され、ホルダー３４には基
板１１が配置される。又、装置は一方の口３６から真空
ポンプ（図示せず）にて真空引きされ、又他方の口３７
から不活性ガスが導入される。

不活性ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどが使用され
得るが、通常はＡｒが使用される。又、スパッタリング
時における不活性ガス圧力は１ｘ１０”４〜２．０ｘｌ
Ｏ−’Ｔｏｒｒに維持される。

本発明に従えば、不活性ガス雰囲気中には酸素ガスが導
入され、その濃度は４００〜１５００体積ｐｐｍとなる
ように厳密に調整される。従って、ターゲット３５とし
て、酸素含有量が３〜５重量ｐｐｍ程度といった微量の
酸素しか含んでいない溶融品ターゲットを使用した場合
には不活性ガス雰囲気中の酸素濃度は、上述したように
、４００〜１５００体積ｐｐｍとされるが、内部に無視
し得ない程度の酸素を含んでいる焼結品ターゲットを使
用した場合には、該酸素がスパッタリング中に不活性ガ
ス雰囲気中に流出し影響を与えるので、ターゲットの品
質に応じて、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を上記酸素
濃度より低めに調整する必要がある。例えば、焼結品タ
ーゲットの酸素含有量が０．１４重量％とされる場合に
は、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度は約５００体積ｐｐ
ｍとされるのが好適である。

実際のスパッタ装置においては、上記酸素ガスは、供給
口３７からＡｒガスと共にスパッタ装置内に導入される
。このとき、本発明者らの研究実験の結果によると、酸
素含有Ａｒガスの供給は、基板ｌｌ側に行うのが好適で
あることが分かった。一方、酸素含有Ａｒガスの供給を
ターゲット３５側に行うと、シールド（図示せず）に酸
化膜が付着し、頻繁にクリーニングすることが必要とさ
れたり、スパッタリングが不安定となったりし、基板側
に供給したときと同じ効果を得るには酸素濃度をより高
くする必要があることが分かった。

本発明者らは、スパッタ雰囲気中の酸素濃度と、成膜さ
れた磁性薄膜中の酸素濃度の関係を調べるべ（実験を試
みた。本実験では、第１図に示すスパッタ装置を使用し
、厚さ０．２ｍｍ、直径５０ｍｍ、の高純度の（純度９
９．９９９５％）Ｎｉ基板上に、厚さ２０μｍの厚さ（
実際の合金磁性膜における磁性膜部分の総厚さに相当）
でＦｅ−Ｓｉ−Ａ℃合金磁性薄膜を作製した。そのとき
の成膜条件は次のとおりであった。

ＩＬ条主 不活性ガス：Ａｒガス 酸素濃度　：　１５００ｐｐｍ 排気量　　：１０１００５ｅ 装置内ガス圧カニ５．６ｘｌＯ−３Ｔｏｒｒ投入電力　
＋５００Ｗ 基板温度　：６０℃ 成膜速度　二０．４μｍ／ｍｉｎ ターゲット：溶融品ターゲット（Ｓｉｌｌ。

２ｗｔ％、Ａ！２５．０ｗｔ％、残部 Ｆｅ、酸素含有量５重量ｐｐｍ） このようにして複数の合金磁性薄膜サンプルを作製し、
ＬＥＣＯ社製の酸素−窒素分析装置「商品名＋ＬＥＣＯ
ＴＣ−３６Ｊを使用し、インナートガスフュージョン方
式によりＮｉ基板上に成膜されたＦｅ−Ｓｉ−ＡＩ合金
磁性薄膜中の酸素含有量を調べた。

その結果、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ４合金磁性薄膜中の酸素含有
量は、平均値が０．４０重量％であり、分析値相対誤差
は±１５％、即ち０，０６％であった。

次に成膜条件として、酸素濃度のみを ４００ｐｐｍ、７５０ｐｐｍとした２例についても同一
方法により分析したところ、Ｆｅ−Ｓｉ−ＡＪ２合金磁
性薄膜中の酸素含有量は、各々０゜２０重量％、０，３
１重量％であり、分析値の相対誤差は±１５％以内と見
積られた。

以上の３点をもとに、解析を行なった結果、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａ２合金磁性薄膜中の酸素含有量（ｙ：重量％）とス
パッタ雰囲気中の酸素濃度（Ｘ：重量％）との関係は、
本実施例の範囲では次式により最も良く近似されること
が分かった。

又、この関係は第３図に図示される。

ｙ＝−０，７０＋０．３５ｊ２ｏｇｘ 相関係数　０．９９ 但し、ｙのばらつきは±１５％以内 このような実験結果から、不活性ガス中に含有される酸
素の量が４００体積ｐｐｍのときには、磁性薄膜中の酸
素量は、０．１７〜０．２３重量％であり、又、不活性
ガス中に含有される酸素の量が１５００体積ｐｐｍの場
合には、磁性薄膜中の酸素量が０．３４〜０．４６重量
％であることが理解される。このような実験結果は、実
際に則した合金磁性膜に関する本発明者らの数多（の実
験研究の結果にても十分に支持され得ることが分かった
。

従って、上述したように、本発明者らの研究実験の結果
によると、溶融品ターゲットを使用した場合には不活性
ガス雰囲気中の酸素濃度を４００〜１５００体積ｐｐｍ
の範囲に維持することが重要であることが分かったが、
その理由は、第３図からも理解されるように、不活性ガ
ス中に含有される酸素の量が、４００体積ｐｐｍ未満で
は、磁性薄膜中の酸素量が０．１７重量％に達しない場
合が生じ、保磁力が０．３５０ｅを越えることとなり、
又、不活性ガス中に含有される酸素の量が１５００体積
ｐｐｍを越えると、磁性薄膜中の酸素量が０．４６重量
％を大きく越える場合が生じ、結果としてηが０．２０
以上となることが明らかである。

次に、本発明を実施例について説明する。

実施例１ 第１図に示すスパッタ装置を使用して Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性薄膜を製造した。

ターゲット３５としてはＳｉ　１１．２ｗｔ％、Ａｌ５
．０ｗｔ％、残部Ｆｅから成る、酸素含有量５重量ｐｐ
ｍの溶融品ターゲットであり、直径４インチ、厚さ４ｍ
ｍのものを使用した。又、基板１１は、両面を鏡面仕上
げした０、５Ｘ２０Ｘ２０ｍｍなる形状の酸化マンガン
と酸化ニッケルを主成分とするセラミックス基板を用い
た。基板１１とターゲット３５の距離は５０ｍｍとした
。

スパッタ装置内に、且つ基板１１より５ｍｍ離隔した位
置に、酸素入りＡｒボンベより酸素含有Ａｒガスを導入
し、装置内の酸素濃度を所定の濃度に維持した。又、こ
のときのガス圧力は５６　ｘ　１０−３Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ
、排気量は１０１００５ｅとした。

スパッタリングのための投入電力は５００Ｗ、基板１１
の温度は６０℃とし、基板１１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａ４２
合金膜を成膜速度０．４μｍ／ｍｉｎで、膜厚５μｍに
まで成膜した。このようにして得られた膜は、Ｓｉ９．
０ｗｔ％、ＡＱ５．０ｗｔ％、残部Ｆｅからなる組成を
有していた。又、該合金膜の組織を調べたところ、Ａｒ
ガスのみで作製された合金膜の組織が柱状であったもの
が、本実施例によれば、例えば酸素量が１５００ｐｐｍ
では緻密な微細粒状組織となっていた。

続いて、このＦｅ−Ｓｉ−Ａｊ２合金膜の上に層間膜（
絶縁膜）を形成した。層間膜の作製は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ
℃合金膜作製に使用した前記マグネトロンスパッタ装置
を用い、ターゲットとして直径４インチ、厚さ５ｍｍの
ＳｉＯ□を使用した。スパッタ装置内にはＡｒガスのみ
を導入し、このときのＡｒ圧力は４Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ
、投入電力は３００Ｗとした。斯る条件にて基板の合金
膜上にＳｉＯａ膜が膜厚０．３μｍにて形成された。

次いで、上記方法にて前記層間膜上に合金膜及び絶縁膜
の順に４回繰り返し、全膜厚が２０μｍの軟磁性膜を作
製し、その後熱処理した。

このようにして得られた軟磁性膜の上に、通常の方法に
従って、更に、ガラス膜を形成し、その後成形加工して
薄膜積層磁気ヘッドを製造した。

第２図に、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を種々に変え
たときの、酸素濃度に対するＦｅ−Ｓｉ−Ａ２合金磁性
薄膜の保磁力（Ｈｃ）及びηの関係が実線で示される。

保磁力の測定は５０ＨｚのＢＨ）−レーザにて行った。

第２図より、不活性ガス中に含有される酸素の量が、４
００体積ｐｐｍ未満では保磁力が０゜３５０ｅを越え、
酸素の量が１５００体積ｐｐｍを越えるとηが０，２０
以上となることが分かる。又、酸素の量が３０００体積
ｐｐｍでは膜が剥れてしまった。

第４図に、第３図で得られた回帰式を用いて、膜中酸素
濃度に対する保磁力及びηの関係を整理したグラフを示
す。

第４図より、膜中酸素濃度の分析値相対誤差が±１５％
であることを考慮すると、保磁力が０゜３５０ｅ以下で
ηが０．２０未満となる膜中酸素濃度は０．１７〜０．
４６重量％であることが分かる。

不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が４００〜１５００体積
ｐｐｍにて得られたＦｅ−Ｓｉ−Ａ℃合金磁性薄膜の磁
気特性は良好であり、特に、飽和磁束密度は１１ＫＧａ
ｕｓｓであり、ＩＭＨｚでの比初透磁率は３０００であ
った。

又、ビッカース硬度も６００Ｋｇ／ｍｒｒ？であり、十
分満足し得るものであった。

又、酸素濃度が４００〜１５００体積ｐｐｍにて得られ
たＦｅ−８ｉ−Ａρ合金磁性薄膜の酸素含有量は、上述
のＬＥＣＯ社製の酸素−窒素分析装置「商品名：ＬＥＣ
ＯＴＣ−３６Ｊを使用して測定した結果、０．１７〜０
．４６重量％の範囲内であった。

及五扁ユ ターゲット３５としてＳｉ１１．２ｗｔ％、Ａｊ２５．
０ｗｔ％、残部Ｆｅから成る、酸素含有量０．１４重量
％の焼結品ターゲットを使用した以外は実施例１と同じ
ようにして軟磁性膜及び薄膜積層磁気ヘッドを製造した
。結果が第２図に点線で示される。

第２図より、不活性ガス中に含有される酸素の量が、３
００体積ｐｐｍ未満では保磁力が０゜３５０ｅを越え、
酸素の量が８００体積ｐｐｍを越えるとηが０．２０以
上となることが分かる。

又、酸素の量が２０００体積ｐｐｍでは膜が剥れてしま
った。

酸素量が３００〜８００体積ｐｐｍにて得られたＦｅ−
Ｓｉ−Ａ４２合金磁性薄膜の磁気特性は良好であり、特
に、飽和磁束密度は１１ ２ＫＧａｕｓｓであり、ＩＭＨｚでの比初透磁率は３０
００であった。又、ビッカース硬度も６００Ｋｇ／ｍｒ
ｒ？であり、十分満足し得るものであった。

このように、内部に無視し得ない程度の酸素を含んでい
る焼結品ターゲットを使用した場合には、該酸素がスパ
ッタリング中に不活性ガス雰囲気中に流出し影響を与え
るので、ターゲットの品質に応じて、不活性ガス雰囲気
中の酸素濃度を実施例１で説明した溶融品ターゲットを
使用する場合に比較してより低めに調整する必要がある
。

又、酸素濃度が３００〜８００体積ｐｐｍにて得られた
Ｆｅ−５Ｌ−Ａ℃合金磁性薄膜の酸素含有量は、上述の
ＬＥＣＯ社製の酸素−窒素分析装置「商品名：　ＬＥＣ
ＯＴＣ−３６Ｊを使用して測定した結果、０．１７〜０
，４６重量％の範囲内であった。

更に、酸素含有量０．１０重量％の焼結品ターゲットを
使用して実施例２と同様の実験を行なった。その結果、
不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が５５０〜１０５０体積
ｐｐｍにて得られた磁性薄膜の磁気特性が良好であった
。焼結品ターゲットを用いた場合の不活性ガス雰囲気中
の酸素濃度Ｃａ（体積ｐｐｍ）は次の範囲で選ばれる。

１１７５−　（５／８）　　・Ｃｔ≦Ｃａ≦１６７５−
　（５／８）　　−Ｃを但し、Ｃｔはターゲット中の酸
素濃度（重量ｐｐｍ）である。

ｌ豆二力１ 以上の如くに構成される本発明に係る Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ４２合金磁性薄膜及びその製造方法は、
スパッタリングにおける不活性ガス雰囲気中の酸素濃度
を調整することにより、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａρ合金磁性薄膜
中の酸素量を極めて限定された範囲内に特定することが
でき、それによって、０．３５０ｅ以下の保磁力（Ｈｃ
）、０．２０未満のηを有した高性能のＦｅ−Ｓｉ−Ａ
Ｉ２合金磁性薄膜を提供することができ、しかも、高透
磁率、高硬度を維持しながら飽和磁束密度の低下をきた
すことがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る製造方法を好適に実施すること
のできるスパッタ装置の一実施例の該略図である。 第２図は、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度に対する保磁
力及びｎの関係を示すグラフである。 第３図は、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度に対する磁性
薄膜中の酸素量の関係を示すグラフである。 第４図は、膜中酸素濃度に対する保磁力及びηを示すグ
ラフである。 １１：基板 ３５：ターゲット 第３図 雰囲気中酸素濃度（体ａｐｐｍ） 第４図 膜中酸素濃度（重量％）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とし、酸素を０．１７〜
   ０．４６重量％含有することを特徴とするＦｅ−Ｓｉ−
   Ａｌ合金磁性薄膜。 ２）スパッタリングにてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性薄膜
   を製造する方法において、溶融品ターゲットを使用した
   場合には不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を４００〜１５
   ００体積ｐｐｍとし、焼結品ターゲットを使用した場合
   には、ターゲットの品質に応じて、不活性ガス雰囲気中
   の酸素濃度を上記酸素濃度より低めに調整してスパッタ
   リングを行うことを特徴とするＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁
   性薄膜の製造方法。