JPH03276054A - 挿入式センサプローブ - Google Patents
挿入式センサプローブInfo
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- JPH03276054A JPH03276054A JP2078311A JP7831190A JPH03276054A JP H03276054 A JPH03276054 A JP H03276054A JP 2078311 A JP2078311 A JP 2078311A JP 7831190 A JP7831190 A JP 7831190A JP H03276054 A JPH03276054 A JP H03276054A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000003780 insertion Methods 0.000 title claims description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 title claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000012925 reference material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000013558 reference substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 31
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 29
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003408 SrCeO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、ボイラ、焼結炉及び自動車等から排出される
高温排ガス中の水素又は水蒸気の濃度を測定するために
使用される挿入式センサプローブに関し、特にガルバニ
起電力の基準として固体基準物質を使用した挿入式セン
サプローブに関する。
高温排ガス中の水素又は水蒸気の濃度を測定するために
使用される挿入式センサプローブに関し、特にガルバニ
起電力の基準として固体基準物質を使用した挿入式セン
サプローブに関する。
[従来の技術]
高温排ガス中の水素及び水蒸気濃度を測定することは、
ボイラ、燃焼炉及び自動車エンジン等の燃焼効率を正確
に求めるために不可欠である。このため、高温排ガス中
において安定に作動し、信頼性が高い水素及び水蒸気濃
度測定装置の開発が要望されている。
ボイラ、燃焼炉及び自動車エンジン等の燃焼効率を正確
に求めるために不可欠である。このため、高温排ガス中
において安定に作動し、信頼性が高い水素及び水蒸気濃
度測定装置の開発が要望されている。
そこで、従来、酸化ストロンチウム及び酸化セリウム(
SrCeO3)等のペロブスカイト型酸化物からなるプ
ロトン導電性を有する固体電解質をセンサ素子として使
用する水素又は水蒸気センサが提案されている(特開昭
58−50458゜GO−263853、81−208
4、81−3054、G1−14588号公報)。この
固体電解質は300℃以上の温度においてプロトン導電
性を有し、この固体電解質からなるセンサ素子を一端閉
塞型に形成し、その内表面及び外表面に夫々多孔質の内
面電極及び外面電極を被着して構成されている。そして
、このセンサ素子内にガルバニ起電力の基準となる基準
ガス、即ち所定濃度の水素又は水蒸気を含有するガスが
封入されている。
SrCeO3)等のペロブスカイト型酸化物からなるプ
ロトン導電性を有する固体電解質をセンサ素子として使
用する水素又は水蒸気センサが提案されている(特開昭
58−50458゜GO−263853、81−208
4、81−3054、G1−14588号公報)。この
固体電解質は300℃以上の温度においてプロトン導電
性を有し、この固体電解質からなるセンサ素子を一端閉
塞型に形成し、その内表面及び外表面に夫々多孔質の内
面電極及び外面電極を被着して構成されている。そして
、このセンサ素子内にガルバニ起電力の基準となる基準
ガス、即ち所定濃度の水素又は水蒸気を含有するガスが
封入されている。
このペロブスカイト型プロトン導電性固体電解質を使用
して水素又は水蒸気の濃度を測定するセンサプローブを
被測定ガス中に挿入すると、基準ガスと被測定ガスとの
間の水素又は水蒸気濃度の差により、内面電極と外面電
極との間に起電力が発生する。そして、この起電力を検
出することにより、被測定ガス中の水素又は水蒸気の濃
度を測定することができる。
して水素又は水蒸気の濃度を測定するセンサプローブを
被測定ガス中に挿入すると、基準ガスと被測定ガスとの
間の水素又は水蒸気濃度の差により、内面電極と外面電
極との間に起電力が発生する。そして、この起電力を検
出することにより、被測定ガス中の水素又は水蒸気の濃
度を測定することができる。
しかしながら、上述の従来技術は、基準物質として所定
濃度の水素又は水蒸気を含有するガスを使用するので、
以下に示す問題点がある。
濃度の水素又は水蒸気を含有するガスを使用するので、
以下に示す問題点がある。
■ 固体電解質又はガス導入管等が破損した場合、基準
ガスが測定雰囲気中に漏出してしまい、測定不能になる
か、又は測定誤差が発生する。また、この場合には、漏
出した基準ガスにより測定雰囲気が汚染される。
ガスが測定雰囲気中に漏出してしまい、測定不能になる
か、又は測定誤差が発生する。また、この場合には、漏
出した基準ガスにより測定雰囲気が汚染される。
■ 基準ガスをプローブに供給して循環させるために、
ガス循環機等が必要になり、コンパクトな装置にするこ
とができない。
ガス循環機等が必要になり、コンパクトな装置にするこ
とができない。
そこで、本発明者等は高温で安定した水素活量を示す固
体基準物質を開発し、この固体基準物質を水素又は水蒸
気センサに使用する提案を行った(特開昭83−211
i9053号公報)。
体基準物質を開発し、この固体基準物質を水素又は水蒸
気センサに使用する提案を行った(特開昭83−211
i9053号公報)。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、特に測定雰囲気中に挿入して設置される
挿入式水素又は水蒸気センサの場合は、センサ自体が高
温に曝されるため、固体基準物質と測定雰囲気との間を
完全にシールすることが困難である。このため、この固
体基準物質を使用する挿入式水素又は水蒸気センサは実
用化されるに至っていない。
挿入式水素又は水蒸気センサの場合は、センサ自体が高
温に曝されるため、固体基準物質と測定雰囲気との間を
完全にシールすることが困難である。このため、この固
体基準物質を使用する挿入式水素又は水蒸気センサは実
用化されるに至っていない。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
高温下で使用される挿入式水素又は水蒸気センサにおい
て、固体基準物質を測定雰囲気から十分にシールするこ
とができ、この固体基準物質を高温下でも実用的に使用
することができ、従来の基準ガスを使用するセンサの欠
点を解消することができる挿入式センサプローブを提供
することを目的とする。
高温下で使用される挿入式水素又は水蒸気センサにおい
て、固体基準物質を測定雰囲気から十分にシールするこ
とができ、この固体基準物質を高温下でも実用的に使用
することができ、従来の基準ガスを使用するセンサの欠
点を解消することができる挿入式センサプローブを提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る挿入式センサプローブは、ペロブスカイト
型プロトン導電性固体電解質により形成された一端閉塞
型のセンサ素子と、このセンサ素子内に充填されガルバ
ニ起電力の基準となる固体基準物質と、前記センサ素子
の内側面に前記固体基準物質に接触して形成された基準
極と、前記センサ素子の外側面に形成された測定極と、
前記センサ素子の他端側に設置され前記固体基準物質及
び前記基準極を測定雰囲気から気密的にシールするシー
ル部とを有し、前記シール部は熱膨張係数が300乃至
800℃の範囲で8.OX10−8乃至10.0X10
−8/”Cであることを特徴とする。
型プロトン導電性固体電解質により形成された一端閉塞
型のセンサ素子と、このセンサ素子内に充填されガルバ
ニ起電力の基準となる固体基準物質と、前記センサ素子
の内側面に前記固体基準物質に接触して形成された基準
極と、前記センサ素子の外側面に形成された測定極と、
前記センサ素子の他端側に設置され前記固体基準物質及
び前記基準極を測定雰囲気から気密的にシールするシー
ル部とを有し、前記シール部は熱膨張係数が300乃至
800℃の範囲で8.OX10−8乃至10.0X10
−8/”Cであることを特徴とする。
[作用コ
本発明においては、一端閉塞型のセンサ素子内に充填さ
れた固体基準物質は、センサ素子内の基準極と共に、シ
ール部によりセンサ素子外部の測定雰囲気から気密的に
シールされている。そして、このシール部はセンサの使
用温度である300乃至800℃の範囲で熱膨張係数が
8.OX10−8乃至!0.0X10−8/”Cである
ので、通常8.5 X10−6乃至3.8X 10−8
/ ”Cの熱膨張係数を有する固体電解質と略同様の熱
膨張係数を有する。従って、プローブが高温の測定雰囲
気におかれた場合に、センサ素子を構成する固体電解質
が熱膨張しても、シール部もセンサ素子と略同様の大き
さの熱膨張をしているので、このシール部とセンサ素子
との間で隙間が生じたり、固体電解質が破損したりして
、ガスがセンサ内部に侵入したりすることはない。この
ため、このセンサ素子内部の固体基準物質を測定雰囲気
から確実にシールして保護することができる。
れた固体基準物質は、センサ素子内の基準極と共に、シ
ール部によりセンサ素子外部の測定雰囲気から気密的に
シールされている。そして、このシール部はセンサの使
用温度である300乃至800℃の範囲で熱膨張係数が
8.OX10−8乃至!0.0X10−8/”Cである
ので、通常8.5 X10−6乃至3.8X 10−8
/ ”Cの熱膨張係数を有する固体電解質と略同様の熱
膨張係数を有する。従って、プローブが高温の測定雰囲
気におかれた場合に、センサ素子を構成する固体電解質
が熱膨張しても、シール部もセンサ素子と略同様の大き
さの熱膨張をしているので、このシール部とセンサ素子
との間で隙間が生じたり、固体電解質が破損したりして
、ガスがセンサ内部に侵入したりすることはない。この
ため、このセンサ素子内部の固体基準物質を測定雰囲気
から確実にシールして保護することができる。
また、このシール部として、流動点がセンサ使用温度以
上の緻密質ガラスシール材を使用すると、センサ使用温
度下で耐熱性が優れており、流動化することなく十分な
強度を有し、緻密なシール部を形成することができる。
上の緻密質ガラスシール材を使用すると、センサ使用温
度下で耐熱性が優れており、流動化することなく十分な
強度を有し、緻密なシール部を形成することができる。
また、この緻密質ガラスシール材はセンサ素子を構成す
る固体電解質との間で反応性がなく、また固体電解質と
の間の濡れ性が優れていて接合性がよい。
る固体電解質との間で反応性がなく、また固体電解質と
の間の濡れ性が優れていて接合性がよい。
なお、このプロトン導電性固体電解質とは、Ca +
S r及びBaからなる群から選択された少なくとも1
種の元素をA成分とし、Ce+ Z r+Ti及びHf
からなる群から選択された少なくとも1種の元素をB成
分とし、Yb、YI Sc。
S r及びBaからなる群から選択された少なくとも1
種の元素をA成分とし、Ce+ Z r+Ti及びHf
からなる群から選択された少なくとも1種の元素をB成
分とし、Yb、YI Sc。
Znt Nd+ MIL In+ Sm、Dy+ E
u+Ho r G d + T m t Ca及びLa
からなる群から選択された少なくとも1種の元素をM成
分とした場合に、−数式A B s−x Mx O3−
Yにて表されるペロブスカイト型複合酸化物である。但
し、X及びYはいずれも0乃至0.5の範囲の数値であ
る。
u+Ho r G d + T m t Ca及びLa
からなる群から選択された少なくとも1種の元素をM成
分とした場合に、−数式A B s−x Mx O3−
Yにて表されるペロブスカイト型複合酸化物である。但
し、X及びYはいずれも0乃至0.5の範囲の数値であ
る。
このようなペロブスカイト型複合酸化物としては1例え
ばN S r Ce 0.95Y b o、o50a−
y + B aCeo、e Ndo、r 03−y及
びCaZro、eI no、x 031等がある。
ばN S r Ce 0.95Y b o、o50a−
y + B aCeo、e Ndo、r 03−y及
びCaZro、eI no、x 031等がある。
[実施例コ
以下、本発明の実施例について、添付の図面を参照して
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係るセンサプローブを
示す断面図である。センサ素子1は一端が閉塞された管
状をなし、その閉塞端側の略半分の外面及び内面には多
孔質材料を被着することにより夫々測定極3及び基準極
4が形成されている。
示す断面図である。センサ素子1は一端が閉塞された管
状をなし、その閉塞端側の略半分の外面及び内面には多
孔質材料を被着することにより夫々測定極3及び基準極
4が形成されている。
これらの測定極3及び基準極4はセンサ素子1の閉塞端
側の略半分を被覆している。そして、センサ素子1の内
部には、固体基準物質2が充填されており、この固体基
準物質2をセンサ素子1内に封入するようにしてセンサ
素子1の開放端側に円柱状をなすセラミックチップ5a
が挿入されている。
側の略半分を被覆している。そして、センサ素子1の内
部には、固体基準物質2が充填されており、この固体基
準物質2をセンサ素子1内に封入するようにしてセンサ
素子1の開放端側に円柱状をなすセラミックチップ5a
が挿入されている。
このセラミックチップ5aの中心には基準極4に接続さ
れたリード線8が挿通していて、このリード線8により
基準極4がセンサ素子1の外部に電気的に導出されてい
る。セラミックチップ5aとセンサ素子1の内面との間
には金属ペースト6が介装されている。そして、センサ
素子1の開放端には、センサ素子1の内面とセラミック
チップ5aとの間、及びセラミックチップ5aとリード
線8との間を気密的にシールするために、粉末状のガラ
スシール部7aが盛り付けられている。
れたリード線8が挿通していて、このリード線8により
基準極4がセンサ素子1の外部に電気的に導出されてい
る。セラミックチップ5aとセンサ素子1の内面との間
には金属ペースト6が介装されている。そして、センサ
素子1の開放端には、センサ素子1の内面とセラミック
チップ5aとの間、及びセラミックチップ5aとリード
線8との間を気密的にシールするために、粉末状のガラ
スシール部7aが盛り付けられている。
センサ素子1はS r Ce o、eetY b O,
0503−Y ICaZro、e Ino、t 0
a−y+ BaCeo、aaYo、。5031等のペ
ロブスカイト型複合酸化物からなるプロトン導電性固体
電解質で成形されている。
0503−Y ICaZro、e Ino、t 0
a−y+ BaCeo、aaYo、。5031等のペ
ロブスカイト型複合酸化物からなるプロトン導電性固体
電解質で成形されている。
また、基準極4及び測定極3はPt+ Ni又は酸化物
導電体等の多孔質材料を焼き付けることにより形成され
ている。
導電体等の多孔質材料を焼き付けることにより形成され
ている。
更に、固体基準物質としては、例えば、硫酸セリウムと
アルカリ炭酸塩との混合塩に、Ni粉末を混合したもの
がある。セラミックチップ5aは固体基準物質2をセン
サ素子1内に封入する栓として作用すると共に、ガラス
シール部7aと固体基準物質2とが高温下で融合するこ
とを防止するために、両者を離隔する隔壁として作用す
る。
アルカリ炭酸塩との混合塩に、Ni粉末を混合したもの
がある。セラミックチップ5aは固体基準物質2をセン
サ素子1内に封入する栓として作用すると共に、ガラス
シール部7aと固体基準物質2とが高温下で融合するこ
とを防止するために、両者を離隔する隔壁として作用す
る。
更にまた、金属ペースト6は多孔質の基準極4とリード
線8との間の電気的導通を確保するためにセラミックチ
ップ5aとセンサ素子1内面との間に介在させるもので
ある。この金属ペースト6はpt又はNi等を含有し、
導電性を有していて、セラミックチップ5aの周面に塗
付した後、このセラミックチップ5aをセンサ素子1内
に嵌入することにより両者間に介装される。
線8との間の電気的導通を確保するためにセラミックチ
ップ5aとセンサ素子1内面との間に介在させるもので
ある。この金属ペースト6はpt又はNi等を含有し、
導電性を有していて、セラミックチップ5aの周面に塗
付した後、このセラミックチップ5aをセンサ素子1内
に嵌入することにより両者間に介装される。
リード線8はpt線又はNi線等の通常の導線を使用す
ればよい。
ればよい。
粉末ガラスシール部7aはNaz 03・B2O3・5
iOz等の組成を有する緻密質ガラスを使用すればよい
。この場合に、この緻密質ガラスは、その熱膨張係数が
300乃至800℃の温度範囲で8.OX10−6乃至
10.OX 10−8/’Cであって、流動点がセンサ
使用温度以上のものを選択する。この粉末ガラスシール
部7aは例えば電気炉内で850℃に加熱して融着する
ことにより、センサ素子1に被着することができる。
iOz等の組成を有する緻密質ガラスを使用すればよい
。この場合に、この緻密質ガラスは、その熱膨張係数が
300乃至800℃の温度範囲で8.OX10−6乃至
10.OX 10−8/’Cであって、流動点がセンサ
使用温度以上のものを選択する。この粉末ガラスシール
部7aは例えば電気炉内で850℃に加熱して融着する
ことにより、センサ素子1に被着することができる。
このように構成された挿入式センサプローブにおいては
、その固体電解質で形成されたセンサ素子1の先端部を
測定雰囲気中に挿入すると、水素又は水蒸気を含有する
測定雰囲気と接触する固体電解質の外面と、固体基準物
質2と接触する固体電解質の内面との間を、測定雰囲気
中の水素又は水蒸気濃度と、固体基準物質2の基準濃度
との間の相違に起因して、プロトンが移動する。このプ
ロトンの移動により、測定極3と基準極4との間には、
ガルバニ起電力が発生する。この起電力を、リード線8
等を介して検出することにより、測定雰囲気における水
素又は水蒸気濃度を検出することができる。
、その固体電解質で形成されたセンサ素子1の先端部を
測定雰囲気中に挿入すると、水素又は水蒸気を含有する
測定雰囲気と接触する固体電解質の外面と、固体基準物
質2と接触する固体電解質の内面との間を、測定雰囲気
中の水素又は水蒸気濃度と、固体基準物質2の基準濃度
との間の相違に起因して、プロトンが移動する。このプ
ロトンの移動により、測定極3と基準極4との間には、
ガルバニ起電力が発生する。この起電力を、リード線8
等を介して検出することにより、測定雰囲気における水
素又は水蒸気濃度を検出することができる。
この場合に、本実施例においては、固体基準物質2及び
基準極4は、シール部7aにより気密的にシールされて
センサ素子1内に収納されているから、固体基準物質2
及び基準極4は測定雰囲気中のガスが侵入しないように
測定雰囲気から遮断されている。このため、このセンサ
プローブを測定雰囲気に挿入しても、固体基準物質2が
測定雰囲気中のガスと反応してその濃度が変動してしま
うことはない。
基準極4は、シール部7aにより気密的にシールされて
センサ素子1内に収納されているから、固体基準物質2
及び基準極4は測定雰囲気中のガスが侵入しないように
測定雰囲気から遮断されている。このため、このセンサ
プローブを測定雰囲気に挿入しても、固体基準物質2が
測定雰囲気中のガスと反応してその濃度が変動してしま
うことはない。
また、このシール部7aは、300乃至800℃のセン
サプローブ使用温度域で8.OX10−8乃至同、0X
IO−6/”Cの熱膨張係数を有し、センサ素子1を構
成する固体電解質の熱膨張係数(8,5X10−6乃至
s、e xto−6/”C)と同様の熱膨張係数を有し
ているから、センサプローブが高温の測定雰囲気に挿入
されても、シール部7aとセンサ素子1との間の熱膨張
係数の差に起因してシール部7a又はセンサ素子1に割
れが発生したり、剥離が発生したりすることはない。従
って、このシール部7aにより高温下でも固体基準物質
2を完全にシールすることができる。
サプローブ使用温度域で8.OX10−8乃至同、0X
IO−6/”Cの熱膨張係数を有し、センサ素子1を構
成する固体電解質の熱膨張係数(8,5X10−6乃至
s、e xto−6/”C)と同様の熱膨張係数を有し
ているから、センサプローブが高温の測定雰囲気に挿入
されても、シール部7aとセンサ素子1との間の熱膨張
係数の差に起因してシール部7a又はセンサ素子1に割
れが発生したり、剥離が発生したりすることはない。従
って、このシール部7aにより高温下でも固体基準物質
2を完全にシールすることができる。
更に、このシール部7aはセンサ使用温度以上の流動点
を有する緻密質のガラス(Na20sB203・5iO
a等)で成形されているから、300乃至800℃のセ
ンサ使用温度域にて流動化せず、十分な強度を有すると
共に、緻密であって十分な耐熱性も有している。また、
この種のガラスは固体電解質との間で反応せず、その性
質が劣化することがないと共に、固体電解質に対して濡
れ性がよいため、固体電解質であるセンサ素子1に十分
な強度で被着される。
を有する緻密質のガラス(Na20sB203・5iO
a等)で成形されているから、300乃至800℃のセ
ンサ使用温度域にて流動化せず、十分な強度を有すると
共に、緻密であって十分な耐熱性も有している。また、
この種のガラスは固体電解質との間で反応せず、その性
質が劣化することがないと共に、固体電解質に対して濡
れ性がよいため、固体電解質であるセンサ素子1に十分
な強度で被着される。
第2図は本発明の他の実施例を示す断面図である。本実
施例は第1図に示す実施例と、セラミックチップ及び粉
末ガラスシール材のみが異なり、他の構成は同一である
ので、同一物には同一符号を付してその詳細な説明は省
略する。
施例は第1図に示す実施例と、セラミックチップ及び粉
末ガラスシール材のみが異なり、他の構成は同一である
ので、同一物には同一符号を付してその詳細な説明は省
略する。
即ち、このセラミックチップ5bは第1図のセラミック
チップ5aよりも短寸であり、センサ素子1におけるセ
ラミックチップ5bよりも開放端側に形成される凹部に
は粉末ガラスシール部7bが充填されている。従って、
この粉末ガラスシール部7bはセンサ素子1の内部に詰
め込まれているので、その内面に対して被着される。こ
のため、ガラスシール部がセンサ素子1の外面に被着さ
れる第1の実施例の場合よりも、本実施例においてはガ
ラスシール部7bをセンサ素子1に更に一層密着させて
設けることができる。
チップ5aよりも短寸であり、センサ素子1におけるセ
ラミックチップ5bよりも開放端側に形成される凹部に
は粉末ガラスシール部7bが充填されている。従って、
この粉末ガラスシール部7bはセンサ素子1の内部に詰
め込まれているので、その内面に対して被着される。こ
のため、ガラスシール部がセンサ素子1の外面に被着さ
れる第1の実施例の場合よりも、本実施例においてはガ
ラスシール部7bをセンサ素子1に更に一層密着させて
設けることができる。
次に、上述の本実施例に係るセンサプローブを使用して
実際に水素及び水蒸気の濃度を測定した結果について説
明する。
実際に水素及び水蒸気の濃度を測定した結果について説
明する。
△」量膨度Iヨ肚定−
第2図に示す構成のセンサプローブを使用した。
このセンサプローブのセンサ素子1はSrCe o、e
5Y b O,0503−Yの組成を有するペロブスカ
イト型プロトン導電性固体電解質で成形されている。ま
た、このセンサ素子1の外径は4mm 1内径は2.5
mm 、長さが20mmである。このセンサ素子1の内
面及び外面に白金多孔質電極(基準極4゜測定極3)を
900℃で焼き付けた後、所定の成分組成に調整した固
体基準物質2をセンサ素子1内に10mmの長さで充填
した。そして、線径が0.2■のpt線を通したムライ
トチップ(セラミックチップ5b)に白金ペースト6を
塗付してセンサ素子1内に挿入した。このムライトチッ
プの直径は211110 N長さは7■である。次いで
、組成がNa2O3・B203 ・SiO2の粉末ガラ
スシール部7bをセンサ素子1内に充填した。このガラ
スシール部7bは熱膨張係数が9.5X10−8/”C
であり、軟化点が695℃、流動点が880℃である。
5Y b O,0503−Yの組成を有するペロブスカ
イト型プロトン導電性固体電解質で成形されている。ま
た、このセンサ素子1の外径は4mm 1内径は2.5
mm 、長さが20mmである。このセンサ素子1の内
面及び外面に白金多孔質電極(基準極4゜測定極3)を
900℃で焼き付けた後、所定の成分組成に調整した固
体基準物質2をセンサ素子1内に10mmの長さで充填
した。そして、線径が0.2■のpt線を通したムライ
トチップ(セラミックチップ5b)に白金ペースト6を
塗付してセンサ素子1内に挿入した。このムライトチッ
プの直径は211110 N長さは7■である。次いで
、組成がNa2O3・B203 ・SiO2の粉末ガラ
スシール部7bをセンサ素子1内に充填した。このガラ
スシール部7bは熱膨張係数が9.5X10−8/”C
であり、軟化点が695℃、流動点が880℃である。
このようにして組み立てたものを、電気炉に装入して加
熱し、粉末ガラスシール部7bをセンサ素子1に融着し
てプローブとした。この場合に、電気炉における昇温速
度及び降温速度はいずれも5℃/分であり、850℃に
10分間保持した。
熱し、粉末ガラスシール部7bをセンサ素子1に融着し
てプローブとした。この場合に、電気炉における昇温速
度及び降温速度はいずれも5℃/分であり、850℃に
10分間保持した。
次に、このセンサプローブを、アルミナ挿入管10内に
その一部を挿入し、測定極3の部分が外部に出るように
して無機接着剤12により固定した。この挿入管10に
はその外面に白金ペーストを焼き付けることにより、セ
ンサプローブの外面測定極3に電気的に接続されたプリ
ントリード配線11が形成されている。また、挿入管1
0の外径は6.51111!I N内径は4.5mm
1長さは300m+nである。
その一部を挿入し、測定極3の部分が外部に出るように
して無機接着剤12により固定した。この挿入管10に
はその外面に白金ペーストを焼き付けることにより、セ
ンサプローブの外面測定極3に電気的に接続されたプリ
ントリード配線11が形成されている。また、挿入管1
0の外径は6.51111!I N内径は4.5mm
1長さは300m+nである。
そして、このセンサプローブを第4図に示す管状炉21
の炉芯管22内にそのセンサ素子1を中央にして挿入設
置した。この管状炉21においては、水素ガスボンベ2
4及び窒素ガスボンベ25から供給される水素ガス及び
窒素ガスがガス混合器23に一旦集められ、このガス混
合器23にて所定の配合量に混合された後、配管29を
介して炉芯管22内に導入されるようになっている。ま
た、炉芯管22内には熱電対26が挿入されており、そ
の熱電対26の出力はアナライジングレコーダ27に入
力されて記録される。これにより、炉芯管22内のセン
サ素子1の近傍の温度が測定されて記録される。更に、
炉芯管22内のガスは炉芯管22の下端部から取り出さ
れてガスクロマトグラフ分析装置28に供給されるよう
になっている。
の炉芯管22内にそのセンサ素子1を中央にして挿入設
置した。この管状炉21においては、水素ガスボンベ2
4及び窒素ガスボンベ25から供給される水素ガス及び
窒素ガスがガス混合器23に一旦集められ、このガス混
合器23にて所定の配合量に混合された後、配管29を
介して炉芯管22内に導入されるようになっている。ま
た、炉芯管22内には熱電対26が挿入されており、そ
の熱電対26の出力はアナライジングレコーダ27に入
力されて記録される。これにより、炉芯管22内のセン
サ素子1の近傍の温度が測定されて記録される。更に、
炉芯管22内のガスは炉芯管22の下端部から取り出さ
れてガスクロマトグラフ分析装置28に供給されるよう
になっている。
このように構成された装置を使用して、水素分圧とセン
サプローブにおける起電力との関係を求めた。但し、管
状炉21により加熱した炉芯管22内の雰囲気温度は7
00又は800°Cであり、ガス混合器23により水素
量を0.1乃至100%の範囲で変動させた。
サプローブにおける起電力との関係を求めた。但し、管
状炉21により加熱した炉芯管22内の雰囲気温度は7
00又は800°Cであり、ガス混合器23により水素
量を0.1乃至100%の範囲で変動させた。
その結果を第5図に示す。第5図の横軸はガスクロマト
グラフ分析装置28により測定された水素分圧であり、
縦軸はセンサプローブの測定極3と基準極4との間に発
生したガルバニ起電力である。但し、第5図の横軸は対
数目盛りである。雰囲気温度は前述の如<700又は8
00℃であり、熱電対26により雰囲気温度を検出して
その検出結果を管状炉21の駆動電力の制御にフィード
バックすることにより、この雰囲気温度を一定に調節し
た。
グラフ分析装置28により測定された水素分圧であり、
縦軸はセンサプローブの測定極3と基準極4との間に発
生したガルバニ起電力である。但し、第5図の横軸は対
数目盛りである。雰囲気温度は前述の如<700又は8
00℃であり、熱電対26により雰囲気温度を検出して
その検出結果を管状炉21の駆動電力の制御にフィード
バックすることにより、この雰囲気温度を一定に調節し
た。
この第5図から明らかなように、水素分圧の対数と起電
力との間には直線性がよい比例関係が存在する。このた
め、この第5図のように、特定の雰囲気温度における既
知の水素分圧と起電力との関係を予め求めておき、これ
をキャリブレーションとすることにより、起電力の測定
値から測定雰囲気中の未知の水素量を測定することかで
きる。
力との間には直線性がよい比例関係が存在する。このた
め、この第5図のように、特定の雰囲気温度における既
知の水素分圧と起電力との関係を予め求めておき、これ
をキャリブレーションとすることにより、起電力の測定
値から測定雰囲気中の未知の水素量を測定することかで
きる。
の′1
次に、第6図に示す装置を使用して水蒸気量を測定した
結果について説明する。この装置は、炉芯管22内に、
その頭部から配管34を介して水蒸気を供給する。恒温
槽3o内には水の沸点近傍の温度を有する恒温媒体31
が貯留されており、この恒温媒体31内にバフラ−32
が浸漬されている。そして、このバフラ−32内に水を
貯留し、エアーポンプ33から圧縮空気をバフラ−32
内に導入することにより、バフラ−32内で発生した蒸
気を配管34に送り出し、この蒸気を配管34を介して
炉芯管22内に供給するようになっている。水蒸気量は
恒温槽3o内の温度により規定した。
結果について説明する。この装置は、炉芯管22内に、
その頭部から配管34を介して水蒸気を供給する。恒温
槽3o内には水の沸点近傍の温度を有する恒温媒体31
が貯留されており、この恒温媒体31内にバフラ−32
が浸漬されている。そして、このバフラ−32内に水を
貯留し、エアーポンプ33から圧縮空気をバフラ−32
内に導入することにより、バフラ−32内で発生した蒸
気を配管34に送り出し、この蒸気を配管34を介して
炉芯管22内に供給するようになっている。水蒸気量は
恒温槽3o内の温度により規定した。
このように構成された装置を使用して水蒸気量を測定し
た結果、第7図に示すように、水蒸気量の測定結果も水
蒸気分圧PH2°と起電力との間には直線性が優れた関
係が得られた。従って、この水蒸気についても、特定の
温度において、予め水蒸気量と起電力との関係を求めて
おくことにより、これを基にして水蒸気濃度未知の測定
雰囲気についての水蒸気量を測定することができる。
た結果、第7図に示すように、水蒸気量の測定結果も水
蒸気分圧PH2°と起電力との間には直線性が優れた関
係が得られた。従って、この水蒸気についても、特定の
温度において、予め水蒸気量と起電力との関係を求めて
おくことにより、これを基にして水蒸気濃度未知の測定
雰囲気についての水蒸気量を測定することができる。
[発明の効果コ
本発明によれば、高温においても基準極及び固体基準物
質を測定雰囲気から確実にシールすることができるので
、水素又は水蒸気の測定に固体基準物質を使用したセン
サを使用することが可能になり、従来のような基準ガス
を基準物質とするセンサと異なって基準ガスを循環させ
るための装置が不要になり、小型で信頼性が高い挿入式
センサプローブを得ることができる。
質を測定雰囲気から確実にシールすることができるので
、水素又は水蒸気の測定に固体基準物質を使用したセン
サを使用することが可能になり、従来のような基準ガス
を基準物質とするセンサと異なって基準ガスを循環させ
るための装置が不要になり、小型で信頼性が高い挿入式
センサプローブを得ることができる。
第1図は本発明の実施例に係るセンサプローブを示す断
面図、第2図は同じく本発明の他の実施例に係るセンサ
プローブを示す断面図、第3図はこのセンサプローブが
組み込まれた検出部材を示す側面図、第4図は水素濃度
分析装置を示す模式図、第5図はその水素濃度分析の結
果を示すグラフ図、第6図は水蒸気濃度分析装置を示す
模式図、第7図はその水蒸気濃度分析の結果を示すグラ
フ図である。 1;センサ素子、2;固体基準物質、3;測定極、4;
基準極、5 a * 5b ;セラミックチップ、7
a、7b;シール部
面図、第2図は同じく本発明の他の実施例に係るセンサ
プローブを示す断面図、第3図はこのセンサプローブが
組み込まれた検出部材を示す側面図、第4図は水素濃度
分析装置を示す模式図、第5図はその水素濃度分析の結
果を示すグラフ図、第6図は水蒸気濃度分析装置を示す
模式図、第7図はその水蒸気濃度分析の結果を示すグラ
フ図である。 1;センサ素子、2;固体基準物質、3;測定極、4;
基準極、5 a * 5b ;セラミックチップ、7
a、7b;シール部
Claims (4)
- (1)ペロブスカイト型プロトン導電性固体電解質によ
り形成された一端閉塞型のセンサ素子と、このセンサ素
子内に充填されガルバニ起電力の基準となる固体基準物
質と、前記センサ素子の内側面に前記固体基準物質に接
触して形成された基準極と、前記センサ素子の外側面に
形成された測定極と、前記センサ素子の他端側に設置さ
れ前記固体基準物質及び前記基準極を測定雰囲気から気
密的にシールするシール部とを有し、前記シール部は熱
膨張係数が300乃至800℃の範囲で8.0×10^
−^6乃至10.0×10^−^8/℃であることを特
徴とする挿入式センサプローブ。 - (2)前記シール部は流動点がセンサ使用温度以上の緻
密質ガラスシール材であることを特徴とする請求項1に
記載の挿入式センサプローブ。 - (3)前記ペロブスカイト型プロトン導電性固体電解質
は、ストロンチウムとセリウムとの複合酸化物、バリウ
ムとセリウムとの複合酸化物及びカルシウムとジルコニ
ウムとの複合酸化物からなる群から選択されたいずれか
1種を主成分とすることを特徴とする請求項1又は2に
記載の挿入式センサプローブ。 - (4)前記ペロブスカイト型プロトン導電性固体電解質
は、インジウム、スカンジウム、イッテルビウム、マグ
ネシウム、ビスマス、アルミニウム、ガリウム、イット
リウム及びネオジムからなる群から選択された少なくと
も1種の元素を含有することを特徴とする請求項3に記
載の挿入式センサプローブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2078311A JPH03276054A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 挿入式センサプローブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2078311A JPH03276054A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 挿入式センサプローブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03276054A true JPH03276054A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13658390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2078311A Pending JPH03276054A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 挿入式センサプローブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03276054A (ja) |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2078311A patent/JPH03276054A/ja active Pending
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