JPH03264868A - 導電体間のコンタクト抵抗測定装置及びその製造方法 - Google Patents
導電体間のコンタクト抵抗測定装置及びその製造方法Info
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- JPH03264868A JPH03264868A JP6272590A JP6272590A JPH03264868A JP H03264868 A JPH03264868 A JP H03264868A JP 6272590 A JP6272590 A JP 6272590A JP 6272590 A JP6272590 A JP 6272590A JP H03264868 A JPH03264868 A JP H03264868A
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
２種類の導電体間のコンタクト抵抗を測定する装置の改
良に関し、 ２種類の導電体のコンタクト領域に流れる電流の電流密
度が均一化されて、２種類の導電体間のコンタクト抵抗
が正確に測定されるコンタクト抵抗測定装置及びその製
造方法を提供することを目的とし、 半導体層上に、第１の開口を有する第１の絶縁膜が形成
され、前記の第１の開口に露出する前記の半導体層上と
前記の第１の絶縁膜上とに第１の導電体膜が形成され、
この第１の導電体膜上に、第２の開口と第３の開口とを
有する第２の絶縁膜が形成され、この第２の開口は前記
の第１の開口に対向する領域に前記の第１の開口と同一
または近似している大きさに形成されており、前記の第
２の開口を埋めて第２の導電体膜が形成され、前記の第
３の開口を埋めて第３の導電体膜が形成されるように構
成される。
良に関し、 ２種類の導電体のコンタクト領域に流れる電流の電流密
度が均一化されて、２種類の導電体間のコンタクト抵抗
が正確に測定されるコンタクト抵抗測定装置及びその製
造方法を提供することを目的とし、 半導体層上に、第１の開口を有する第１の絶縁膜が形成
され、前記の第１の開口に露出する前記の半導体層上と
前記の第１の絶縁膜上とに第１の導電体膜が形成され、
この第１の導電体膜上に、第２の開口と第３の開口とを
有する第２の絶縁膜が形成され、この第２の開口は前記
の第１の開口に対向する領域に前記の第１の開口と同一
または近似している大きさに形成されており、前記の第
２の開口を埋めて第２の導電体膜が形成され、前記の第
３の開口を埋めて第３の導電体膜が形成されるように構
成される。
本発明は、２種類の導電体間のコンタクト抵抗を測定す
る装置の改良に関する。
る装置の改良に関する。
Ｃ従来の技術〕
近年、半導体集積回路の高集積化にともない、半導体装
置と配線とのコンタクト領域も微細化されてきたため、
コンタクト抵抗の半導体素子特性に及ぼす影響が大きく
なってきている。そのため、試作された半導体素子のコ
ンタクト抵抗を正確に測定することがますます重要な課
題になってきた。
置と配線とのコンタクト領域も微細化されてきたため、
コンタクト抵抗の半導体素子特性に及ぼす影響が大きく
なってきている。そのため、試作された半導体素子のコ
ンタクト抵抗を正確に測定することがますます重要な課
題になってきた。
従来のコンタクト抵抗測定装置は、第７図ムこ示すよう
にプレーナー構造となっている。同図において、４はコ
ンタクト抵抗が測定されること覧されるコンタクト領域
を構成する一方の導電体膜となる第１の導電体膜であり
、５は絶縁膜であり、８は第１の導電体膜４に接触し、
コンタクト抵抗が測定されること覧されるコンタクト領
域を構成するもう一方の導電体膜となる第２の導電体膜
であり、９は第１の導電体１ｌｌＩ４と第２の導電体膜
８との間に発生する電圧降下を測定するための電圧端子
となる第３の導電体膜であり、１０は第１の導電体膜４
と第２の導電体１！１Ｂとの間に電流を流すための電流
端子となる第４ＯＸｔ体膜である。
にプレーナー構造となっている。同図において、４はコ
ンタクト抵抗が測定されること覧されるコンタクト領域
を構成する一方の導電体膜となる第１の導電体膜であり
、５は絶縁膜であり、８は第１の導電体膜４に接触し、
コンタクト抵抗が測定されること覧されるコンタクト領
域を構成するもう一方の導電体膜となる第２の導電体膜
であり、９は第１の導電体１ｌｌＩ４と第２の導電体膜
８との間に発生する電圧降下を測定するための電圧端子
となる第３の導電体膜であり、１０は第１の導電体膜４
と第２の導電体１！１Ｂとの間に電流を流すための電流
端子となる第４ＯＸｔ体膜である。
第２の導電体Ｍ８と第４の導電体膜１０との間に直流電
圧を印加して、第１の導電体ｌｌ！４を介して流れる電
流（Ａ）を測定し、同時に、第１の導電体膜４と第２の
導電体膜８との間に発生する電圧（Ｖ）を第２の導電体
膜８と第３の導電体１Ｉ１９との間で測定し、電圧（■
）／電流（Ａ）を計算することによって、第１の導電体
膜４と第２の導電体膜８との間のコンタクト抵抗を算出
する。
圧を印加して、第１の導電体ｌｌ！４を介して流れる電
流（Ａ）を測定し、同時に、第１の導電体膜４と第２の
導電体膜８との間に発生する電圧（Ｖ）を第２の導電体
膜８と第３の導電体１Ｉ１９との間で測定し、電圧（■
）／電流（Ａ）を計算することによって、第１の導電体
膜４と第２の導電体膜８との間のコンタクト抵抗を算出
する。
〔発明が解決しようとする課８］
ところで、第２の導電体膜８と第４の導電体膜１０との
間に流れる電流は、第２の導電体膜８と第１の導電体膜
４との間で、流れの方向が９０度変化するため、コンタ
クト抵抗を測定しようとする第１の導電体Ｍ４と第２の
導電体膜８とのコンタクト領域における電流密度が不均
一になり、正確なコンタクト抵抗を測定することができ
ない。
間に流れる電流は、第２の導電体膜８と第１の導電体膜
４との間で、流れの方向が９０度変化するため、コンタ
クト抵抗を測定しようとする第１の導電体Ｍ４と第２の
導電体膜８とのコンタクト領域における電流密度が不均
一になり、正確なコンタクト抵抗を測定することができ
ない。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、二つ
の独立した目的を有する。第１の目的は、２種類の導電
体のコンタクト領域に流れる１！１流の電流密度が均一
化されて、２種類の導電体間のコンタクト抵抗が正確に
測定されるコンタクト抵抗測定装置を提供することにあ
り、第２の目的は、そのコンタクト抵抗測定装置の製造
方法を提供することにある。
の独立した目的を有する。第１の目的は、２種類の導電
体のコンタクト領域に流れる１！１流の電流密度が均一
化されて、２種類の導電体間のコンタクト抵抗が正確に
測定されるコンタクト抵抗測定装置を提供することにあ
り、第２の目的は、そのコンタクト抵抗測定装置の製造
方法を提供することにある。
ＣＲＨを解決するための手段〕
上記二つの目的のうち、第１の目的は、半導体層（１）
上に、第１の開口（３）を有する第１の絶縁膜（２）が
形成され、前記の第１の開口（３）に露出する前記の半
導体層（１）上と前記の第１の絶縁膜（２）上とに第１
の導電体１！！（４３が形成され、この第１の導電体！
（４）上に、第２の開口（６）と第３の開口（７）とを
有する第２の絶縁Ｍ（５）が形成され、この第２の開口
（６）は前記の第１の開口（３）に対向する領域に前記
の第１の開口（３）と同一または近似している大きさに
形成されており、前記の第２の開口（６）を埋めて第２
の導電体膜（８）が形成され、前記の第３の開口（７）
を埋めて第３の導電体Ｈ（９）が形成されている導電体
間のコンタクト抵抗測定装置によって達成される。
上に、第１の開口（３）を有する第１の絶縁膜（２）が
形成され、前記の第１の開口（３）に露出する前記の半
導体層（１）上と前記の第１の絶縁膜（２）上とに第１
の導電体１！！（４３が形成され、この第１の導電体！
（４）上に、第２の開口（６）と第３の開口（７）とを
有する第２の絶縁Ｍ（５）が形成され、この第２の開口
（６）は前記の第１の開口（３）に対向する領域に前記
の第１の開口（３）と同一または近似している大きさに
形成されており、前記の第２の開口（６）を埋めて第２
の導電体膜（８）が形成され、前記の第３の開口（７）
を埋めて第３の導電体Ｈ（９）が形成されている導電体
間のコンタクト抵抗測定装置によって達成される。
上記二つの目的のうち、第２の目的は、半導体層（１）
上に第１の絶縁Ｉｇ！（２）を形成し、この第１の絶縁
膜（２）をパターニングして第１の開口（３）を形成し
、この第１の開口（３）に露出する前記の半導体層（１
）上と前記の第１の絶縁膜（２）上とに第１の導電体膜
（４）を形成し、この第１の導電体膜（４）上に第２の
絶縁Ｍ（５）を形成し、この第２の絶縁膜（５）をパタ
ーニングして、前記の第１の開口（３）に対向する領域
に前記の第１の開口（３）と同一または近似している大
きさの第２の開口（６）を形成するとともに、この第２
の開口（６）に隣接する領域に第３の開口（７）を形成
し、前記の第２の開口（６）を埋めて第２の導電体膜（
８）を形成し、前記の第３の開口（７）を埋めて第３の
導電体膜（９）を形成する工程を有する導電体間のコン
タクト抵抗測定装置の製造方法によって連成される。
上に第１の絶縁Ｉｇ！（２）を形成し、この第１の絶縁
膜（２）をパターニングして第１の開口（３）を形成し
、この第１の開口（３）に露出する前記の半導体層（１
）上と前記の第１の絶縁膜（２）上とに第１の導電体膜
（４）を形成し、この第１の導電体膜（４）上に第２の
絶縁Ｍ（５）を形成し、この第２の絶縁膜（５）をパタ
ーニングして、前記の第１の開口（３）に対向する領域
に前記の第１の開口（３）と同一または近似している大
きさの第２の開口（６）を形成するとともに、この第２
の開口（６）に隣接する領域に第３の開口（７）を形成
し、前記の第２の開口（６）を埋めて第２の導電体膜（
８）を形成し、前記の第３の開口（７）を埋めて第３の
導電体膜（９）を形成する工程を有する導電体間のコン
タクト抵抗測定装置の製造方法によって連成される。
本発明に係るｉｔ棒体間コンタクト抵抗測定装置におい
ては、第１図に示すように、第２の開口６において相互
に接触する第１の導電体膜４と第２の導電体Ｗ１．８と
のコンタクト抵抗を測定するにあたり、第２の導電体膜
８と半導体層１の裏面に形成された第４の導電体ｌ！１
０との間に電圧を印加すると、第１の導電体Ｈ４と第２
の導電体膜８とのコンタクト領域に流れる電流は、第２
の開口６に対向する領域に第２の開口６と同一または近
似している大きさに形成された第１の開口３を通り、半
導体層１を介して第４の導電体膜ＩＯに流れるので、第
１の導電体膜４と第２の導電体膜８とのコンタクトｗＩ
３ｔｉに流れる電流は、その方向が曲げられることなく
直進し、コンタクト界面の電流密度はは！均一となる。
ては、第１図に示すように、第２の開口６において相互
に接触する第１の導電体膜４と第２の導電体Ｗ１．８と
のコンタクト抵抗を測定するにあたり、第２の導電体膜
８と半導体層１の裏面に形成された第４の導電体ｌ！１
０との間に電圧を印加すると、第１の導電体Ｈ４と第２
の導電体膜８とのコンタクト領域に流れる電流は、第２
の開口６に対向する領域に第２の開口６と同一または近
似している大きさに形成された第１の開口３を通り、半
導体層１を介して第４の導電体膜ＩＯに流れるので、第
１の導電体膜４と第２の導電体膜８とのコンタクトｗＩ
３ｔｉに流れる電流は、その方向が曲げられることなく
直進し、コンタクト界面の電流密度はは！均一となる。
その結果、第１の導電体膜４と第２の導電体１ｇ８との
コンタクト抵抗を正確に測定することが可能になる。
コンタクト抵抗を正確に測定することが可能になる。
Ｃ実施例〕
以下、図面を参照しつ＼、本発明の一実施例に係る導電
体間のコンタクト抵抗測定装置の製造方法について説明
する。
体間のコンタクト抵抗測定装置の製造方法について説明
する。
第２図参照
−ｓｔ型、例えばｐ型のシリコン基板１上に熱酸化法ま
たはＣＶＤ法を使用して二酸化シリコンよりなる第１の
絶縁Ｍ２を形成する。
たはＣＶＤ法を使用して二酸化シリコンよりなる第１の
絶縁Ｍ２を形成する。
第３図参照
第１の絶縁膜２をフォトリソグラフィー法を使用してパ
ターニングし、コンタクト抵抗が測定されること＼され
るコンタクト領域の大きさと同一または近似している大
きさの第１の開口３を形成し、第１の開口３に露出する
シリコン基板ｌに、シリコン基板１と同−ｓ１！Ｘ型で
あるｐ型の不純物をイオン注入する。
ターニングし、コンタクト抵抗が測定されること＼され
るコンタクト領域の大きさと同一または近似している大
きさの第１の開口３を形成し、第１の開口３に露出する
シリコン基板ｌに、シリコン基板１と同−ｓ１！Ｘ型で
あるｐ型の不純物をイオン注入する。
第４図参照
ＣＶＤ法等を使用して、コンタクト抵抗が測定されるこ
と＼されるコンタクト領域を構成する一方の導電体、例
えば、多結晶シリコン、リフラクトリメタルシリサイド
等を堆積して第１の導電体Ｍ４を形成した後、フォトリ
ソグラフィー法を使用してパターニングして電極領域以
外の周縁領域を除去する。
と＼されるコンタクト領域を構成する一方の導電体、例
えば、多結晶シリコン、リフラクトリメタルシリサイド
等を堆積して第１の導電体Ｍ４を形成した後、フォトリ
ソグラフィー法を使用してパターニングして電極領域以
外の周縁領域を除去する。
第５図参照
ＣＶＤ法等を使用して、例えば二酸化シリコンを堆積し
て第２の絶縁膜５を形成する。
て第２の絶縁膜５を形成する。
第６図参照
フォトリソグラフィー法を使用して第２の絶縁膜５をパ
ターニングし、第２の開口６と第３の開ロアとを形成す
る。第２の開口６は、第１の開口３に対向する領域に形
成され、その大きさはコンタクト抵抗が測定されること
覧されるコンタクト８ｉ！域の大きさとする。
ターニングし、第２の開口６と第３の開ロアとを形成す
る。第２の開口６は、第１の開口３に対向する領域に形
成され、その大きさはコンタクト抵抗が測定されること
覧されるコンタクト８ｉ！域の大きさとする。
熱処理をなし、先にシリコン基板ｌに注入された不純物
を活性化して第１の導電体膜４とシリコン基板１との電
気的接触を確実にした後、蒸着法、スパッタ法等を使用
して、コンタクト領域を構成するもう一方の導電体、例
えば、アルミニウムを堆積し、これをパターニングして
第２の開口６に第２の導電体膜８を形成し、第３の開ロ
アに第３の導電体膜９を形成する。
を活性化して第１の導電体膜４とシリコン基板１との電
気的接触を確実にした後、蒸着法、スパッタ法等を使用
して、コンタクト領域を構成するもう一方の導電体、例
えば、アルミニウムを堆積し、これをパターニングして
第２の開口６に第２の導電体膜８を形成し、第３の開ロ
アに第３の導電体膜９を形成する。
第１図参照
シリコン基板１の裏面に、蒸着法、スパッタ法等を使用
して、アル逅ニウム等を堆積して第４の導電体膜１０を
形成する。
して、アル逅ニウム等を堆積して第４の導電体膜１０を
形成する。
第２の導電体膜８と第４の導電体ＩＩ！１０との間に直
流電圧を印加して電流（Ａ）を測定し、同時に、第２の
導電体膜８と第３の導電体膜９との間に発生する電圧（
Ｖ）を測定すれば、抵抗（Ｒ）＝電圧（Ｖ）／電流（Ａ
）の関係から第１の導電体膜４と第２の導電体膜８との
間のコンタクト抵抗（Ｒ）を求めることができる。
流電圧を印加して電流（Ａ）を測定し、同時に、第２の
導電体膜８と第３の導電体膜９との間に発生する電圧（
Ｖ）を測定すれば、抵抗（Ｒ）＝電圧（Ｖ）／電流（Ａ
）の関係から第１の導電体膜４と第２の導電体膜８との
間のコンタクト抵抗（Ｒ）を求めることができる。
２種類の導電体膜のコンタクト抵抗域が十分大きく、コ
ンタクト領域を流れる電流の密度が十分に均一である場
合のコンタクト抵抗を基準値とすると、従来例における
コンタクト抵抗の測定値は基準値に対して約２０％高い
値を示したが、本発明においては基！１！値とは覧同−
の値が測定された。
ンタクト領域を流れる電流の密度が十分に均一である場
合のコンタクト抵抗を基準値とすると、従来例における
コンタクト抵抗の測定値は基準値に対して約２０％高い
値を示したが、本発明においては基！１！値とは覧同−
の値が測定された。
［発明の効果］
以上説明せるとおり、本発明に係る導電体間のコンタク
ト抵抗測定装置及びその製造方法においては、第２の開
口において相互に接触する第１の導電体膜と第２の導電
体膜とのコンタクト抵抗を測定するために供給される電
流は、第２の開口に対向する領域に形成された、第２の
開口と同一または近似している大きさの第１の開口を通
って流れるので、第１の導電体膜と第２の導電体膜との
コンタクト領域に流れる電流はその方向が曲げられるこ
となく直進し、その領域における電流密度が均一化され
るため、コンタクト抵抗を正確に測定することが可能で
ある。
ト抵抗測定装置及びその製造方法においては、第２の開
口において相互に接触する第１の導電体膜と第２の導電
体膜とのコンタクト抵抗を測定するために供給される電
流は、第２の開口に対向する領域に形成された、第２の
開口と同一または近似している大きさの第１の開口を通
って流れるので、第１の導電体膜と第２の導電体膜との
コンタクト領域に流れる電流はその方向が曲げられるこ
となく直進し、その領域における電流密度が均一化され
るため、コンタクト抵抗を正確に測定することが可能で
ある。
第１図は、本発明の一実施例に係る導電体間のコンタク
ト抵抗測定装置の構成図である。 第２図〜第６図は、本発明の一実施例に係る導電体間の
コンタクト抵抗測定装置の製造工程図である。 第７図は、従来技術に係る導電体間のコンタクト抵抗測
定装置の構成図である。 １４６図 半導体層、 第１の絶縁膜、 第１の開口、 第１の導電体膜、 第２の絶縁膜、 第２の開口、 第３の開口、 第２の導電体膜、 第３の導電体膜、 第４の導電体膜。 ＩＩ ＋ Ｆｌ！Ｊ
ト抵抗測定装置の構成図である。 第２図〜第６図は、本発明の一実施例に係る導電体間の
コンタクト抵抗測定装置の製造工程図である。 第７図は、従来技術に係る導電体間のコンタクト抵抗測
定装置の構成図である。 １４６図 半導体層、 第１の絶縁膜、 第１の開口、 第１の導電体膜、 第２の絶縁膜、 第２の開口、 第３の開口、 第２の導電体膜、 第３の導電体膜、 第４の導電体膜。 ＩＩ ＋ Ｆｌ！Ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］半導体層（１）上に、第１の開口（３）を有する
第１の絶縁膜（２）が形成され、 前記第１の開口（３）に露出する前記半導体層（１）上
と前記第１の絶縁膜（２）上とに第１の導電体膜（４）
が形成され、 該第１の導電体膜（４）上に、第２の開口（６）と第３
の開口（７）とを有する第２の絶縁膜（５）が形成され
、該第２の開口（６）は前記第１の開口（３）に対向す
る領域に前記第１の開口（３）と同一または近似してい
る大きさに形成されてなり、 前記第２の開口（６）を埋めて第２の導電体膜（８）が
形成され、前記第３の開口（７）を埋めて第３の導電体
膜（９）が形成されてなる ことを特徴とする導電体間のコンタクト抵抗測定装置。 ［２］半導体層（１）上に第１の絶縁膜（２）を形成し
、 該第１の絶縁膜（２）をパターニングして第１の開口（
３）を形成し、 該第１の開口（３）に露出する前記半導体層（１）上と
前記第１の絶縁膜（２）上とに第１の導電体膜（４）を
形成し、 該第１の導電体膜（４）上に第２の絶縁膜（５）を形成
し、 該第２の絶縁膜（５）をパターニングして、前記第１の
開口（３）に対向する領域に前記第１の開口（３）と同
一または近似している大きさの第２の開口（６）を形成
するとともに、該第２の開口（６）に隣接する領域に第
３の開口（７）を形成し、 前記第２の開口（６）を埋めて第２の導電体膜（８）を
形成し、前記第３の開口（７）を埋めて第３の導電体膜
（９）を形成する 工程を有することを特徴とする導電体間のコンタクト抵
抗測定装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272590A JPH03264868A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 導電体間のコンタクト抵抗測定装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272590A JPH03264868A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 導電体間のコンタクト抵抗測定装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03264868A true JPH03264868A (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=13208627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272590A Pending JPH03264868A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 導電体間のコンタクト抵抗測定装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03264868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216540A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び抵抗測定方法 |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6272590A patent/JPH03264868A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216540A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び抵抗測定方法 |
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