JPS62291956A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62291956A JPS62291956A JP13651386A JP13651386A JPS62291956A JP S62291956 A JPS62291956 A JP S62291956A JP 13651386 A JP13651386 A JP 13651386A JP 13651386 A JP13651386 A JP 13651386A JP S62291956 A JPS62291956 A JP S62291956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- layer
- film
- wiring layer
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は半導体装置に関し、高集積化が可能な半導体装
置における抵抗体の構造を提供するものである。
置における抵抗体の構造を提供するものである。
従来の技術
従来の半導体装置に用いられている抵抗体には、多結晶
シリコン膜にひ素などの不純物をイオン注入あるいは拡
散したものと、半導体基板に一導電型不純物層を拡散あ
るいはイオン注入法により形成したものがある。
シリコン膜にひ素などの不純物をイオン注入あるいは拡
散したものと、半導体基板に一導電型不純物層を拡散あ
るいはイオン注入法により形成したものがある。
第３図に従来の多結晶シリコン抵抗体を示す。
３１は抵抗体と々る多結晶シリコン膜、３２は拡散層よ
りなる一方の配線、３３は他方の配線、３４は半導体基
板、３５．３６は接続領域、３７．３８は絶縁膜である
。
りなる一方の配線、３３は他方の配線、３４は半導体基
板、３５．３６は接続領域、３７．３８は絶縁膜である
。
また、別の従来例として第４図にコンタクト孔接合部に
形成された多結晶シリコン抵抗体を示す。
形成された多結晶シリコン抵抗体を示す。
４１は抵抗体となる多結晶シリコン膜、４２は拡散層よ
りなる一方の配線、４３は高融点金属シリサイドよりな
る他方の配線、４４は半導体基板、４５．４６は接続領
域、４７は絶縁膜である。
りなる一方の配線、４３は高融点金属シリサイドよりな
る他方の配線、４４は半導体基板、４５．４６は接続領
域、４７は絶縁膜である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、第３図のような構造のものでは接続領域３５．
３６および抵抗体自身の占有面積すなわちパターン巾Ｗ
およびパターン長Ｌｉ必要とし、高密度化の妨げとなっ
ている。
３６および抵抗体自身の占有面積すなわちパターン巾Ｗ
およびパターン長Ｌｉ必要とし、高密度化の妨げとなっ
ている。
まだ、上記抵抗体である多結晶シリコン膜３１を、配線
層あるいはＭＯ８型半導体装置のゲート電極として用い
る多結晶ンリコ／膜と同時に形成しだ場合には、抵抗体
の抵抗値側倒のだめの不純物拡散と配線層形成のだめの
高濃度不純物拡散が必要であり工程が複雑であるという
問題がある。
層あるいはＭＯ８型半導体装置のゲート電極として用い
る多結晶ンリコ／膜と同時に形成しだ場合には、抵抗体
の抵抗値側倒のだめの不純物拡散と配線層形成のだめの
高濃度不純物拡散が必要であり工程が複雑であるという
問題がある。
また、導体配線層として一般にアルミニウムなどの低融
点金属ヲ用いるため、多結晶ンリコン、嘆とのオーム性
接触を得るだめの熱処理によりアルミニウムが多結晶シ
リコン膜を拡散し、パターン長りが小さくなると導体配
線層３２および３３間が短絡するという欠点があった。
点金属ヲ用いるため、多結晶ンリコン、嘆とのオーム性
接触を得るだめの熱処理によりアルミニウムが多結晶シ
リコン膜を拡散し、パターン長りが小さくなると導体配
線層３２および３３間が短絡するという欠点があった。
まだ、第４図のような構造のものでは、４１の多結晶シ
リコン抵抗体自身の占有面積が小さいため高密度化には
適するが、シリサイド層４３の抵抗値を低くするだめの
熱処理によって接続領域４５゜４６の不純物の再分布が
起り抵抗値の制菌が難しいという欠点があった。
リコン抵抗体自身の占有面積が小さいため高密度化には
適するが、シリサイド層４３の抵抗値を低くするだめの
熱処理によって接続領域４５゜４６の不純物の再分布が
起り抵抗値の制菌が難しいという欠点があった。
本発明はこのような問題に鑑み、高密度化、高集積化が
可能な抵抗体を形成するものである。
可能な抵抗体を形成するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、第１．第
２の配線層間に、リーク電流を有する絶縁膜を形成し、
絶縁膜の膜厚方向を抵抗体として用いる構造を特徴とす
るものである。
２の配線層間に、リーク電流を有する絶縁膜を形成し、
絶縁膜の膜厚方向を抵抗体として用いる構造を特徴とす
るものである。
作用
この技術的手段によると、抵抗体を第１．第２の配線層
間の接続領域に形成するため、抵抗体自身の占有面積を
小さくすることができ、半導体装置の高密度化、高集積
化が可能となる。抵抗体として絶縁膜を用いているので
、配線層との反応の影響や、多結晶ンリコンの場合のよ
うに不純物の再分布による抵抗値制御への影響もない。
間の接続領域に形成するため、抵抗体自身の占有面積を
小さくすることができ、半導体装置の高密度化、高集積
化が可能となる。抵抗体として絶縁膜を用いているので
、配線層との反応の影響や、多結晶ンリコンの場合のよ
うに不純物の再分布による抵抗値制御への影響もない。
この結果半導体装置の高密度、高集積化に適した抵抗体
の形成ができる。
の形成ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図にもとづいて説明する
。第１図の構造の製造方法を述べると、まず半導体基板
１１に第１の配線層として一導電型不純物たとえばひ素
を半導体基板に拡散した層１２を形成する。次に二酸化
ケイ素膜などの絶縁体１３を一様に形成した後、所定の
開孔部１４を形成し、第１の配線層１２の一部を露出す
る。次に露出した配線層１２上に抵抗体となるＳｉＮ膜
を全面に例えば数十〜数百オングストローム形成した後
、写真食刻法によ５、ＳｉＮ膜パターン１６を形成する
。このＳｉＮ膜パターン１６の巾は前記開孔部１４と等
しいか、あるいは開孔部より大きく形成する。まだは第
１図Ｃのように抵抗体と−なるＳｉＮ膜による所定のパ
ターン１６を第１の配線層１２上に形成した後、二酸化
ケイ素膜などの絶縁体１３を形成し、所定の開孔部１４
を形成してＳｉＮの一部を露出してもよい。次にたとえ
ばＡ／−５ｉなどの第２の配線層１６を例えば１μｍの
厚さに形成し、第１の配線層１２と第２の配線層１６間
に形成されたＳｉＮ膜１５を抵抗体として用いる。
。第１図の構造の製造方法を述べると、まず半導体基板
１１に第１の配線層として一導電型不純物たとえばひ素
を半導体基板に拡散した層１２を形成する。次に二酸化
ケイ素膜などの絶縁体１３を一様に形成した後、所定の
開孔部１４を形成し、第１の配線層１２の一部を露出す
る。次に露出した配線層１２上に抵抗体となるＳｉＮ膜
を全面に例えば数十〜数百オングストローム形成した後
、写真食刻法によ５、ＳｉＮ膜パターン１６を形成する
。このＳｉＮ膜パターン１６の巾は前記開孔部１４と等
しいか、あるいは開孔部より大きく形成する。まだは第
１図Ｃのように抵抗体と−なるＳｉＮ膜による所定のパ
ターン１６を第１の配線層１２上に形成した後、二酸化
ケイ素膜などの絶縁体１３を形成し、所定の開孔部１４
を形成してＳｉＮの一部を露出してもよい。次にたとえ
ばＡ／−５ｉなどの第２の配線層１６を例えば１μｍの
厚さに形成し、第１の配線層１２と第２の配線層１６間
に形成されたＳｉＮ膜１５を抵抗体として用いる。
抵抗値はＳｉＮ膜の膜厚により制御する。
ＳｉＮ膜１５のパターンは、第１図Ａ、Ｂ、Ｃに示すよ
うに絶縁膜の開孔部巾より大きくしても開孔部と等しい
大きさでもよい。
うに絶縁膜の開孔部巾より大きくしても開孔部と等しい
大きさでもよい。
本発明の第２の実施例を第２図にもとづいて説明する。
半導体基板２０上に形成した絶縁膜２１上に一方の配線
となるたとえば多結晶シリコン１パターン２２を形成し
た後１．二酸化ケイ素などの絶縁膜２３を一様に形成す
る。次に所定の開孔部２４を形成し、配線層２２の一部
を露出する。次に前記第１のＡ、Ｈの実施例と同様の方
法でＳｉＮパターン２６、他方の配線層となるたとえば
Ａｄ−３ｉ層２６を形成する。または前記第１Ｃの実施
例と同様の方法でＳｉＮ膜による所定のパターン２６を
第１の配線層２２上に形成した後、二酸化ケイ素膜など
の絶縁膜２３を一様に形成し、所定の開孔部２４を形成
してＳｉＮ膜２５の一部を露出しだ後、他方の配線層と
なる人ｌ −Ｓｉ層２６を形成してもよい。
となるたとえば多結晶シリコン１パターン２２を形成し
た後１．二酸化ケイ素などの絶縁膜２３を一様に形成す
る。次に所定の開孔部２４を形成し、配線層２２の一部
を露出する。次に前記第１のＡ、Ｈの実施例と同様の方
法でＳｉＮパターン２６、他方の配線層となるたとえば
Ａｄ−３ｉ層２６を形成する。または前記第１Ｃの実施
例と同様の方法でＳｉＮ膜による所定のパターン２６を
第１の配線層２２上に形成した後、二酸化ケイ素膜など
の絶縁膜２３を一様に形成し、所定の開孔部２４を形成
してＳｉＮ膜２５の一部を露出しだ後、他方の配線層と
なる人ｌ −Ｓｉ層２６を形成してもよい。
上記第２の３つの実施例においても、第１の配線層２２
と第２の配線層２６間に形成されたＳｉＮ膜２５を抵抗
体として使用する。抵抗体の制即は前述のように、Ｓｉ
Ｎ膜２５の膜厚により制（財）する。
と第２の配線層２６間に形成されたＳｉＮ膜２５を抵抗
体として使用する。抵抗体の制即は前述のように、Ｓｉ
Ｎ膜２５の膜厚により制（財）する。
以上のように、第１．第２図の構造によれば、従来と異
なり抵抗体を導電体層の接続領域に形成するだめ、抵抗
体自身の占有面積を小さくすることができ、半導体装置
の高田度化、高集積化が可能となる。
なり抵抗体を導電体層の接続領域に形成するだめ、抵抗
体自身の占有面積を小さくすることができ、半導体装置
の高田度化、高集積化が可能となる。
本実施例では抵抗体にＳｉＮ膜を用いているが、酸化タ
ンタル膜、酸化チタン膜、炭化ケイ素膜などリーク電流
を有する絶徽膜で、第１．第２の配線材料との反応の影
響が小さいものなら何でもよいということは言うまでも
ないことである。
ンタル膜、酸化チタン膜、炭化ケイ素膜などリーク電流
を有する絶徽膜で、第１．第２の配線材料との反応の影
響が小さいものなら何でもよいということは言うまでも
ないことである。
また第１．第２の配線材料も多結晶シリコンやｋｌ −
Ｓｉのみでなくその他金属やシリサイドでもよいという
ことは言うまでもないことである。
Ｓｉのみでなくその他金属やシリサイドでもよいという
ことは言うまでもないことである。
発明の効果
以上のように、本発明によれば微細な抵抗体の形成が可
能となり、高密度な半導体装置の実現に大きく寄与する
ものである。
能となり、高密度な半導体装置の実現に大きく寄与する
ものである。
第１図人は本発明の一実施例における半導体装置の抵抗
部分の断面図、第１図Ｂ、Ｃは同地の抵抗部分の断面図
、第２図人は本発明の他の実施例における半導体装置の
抵抗部分の断面図、第２図Ｂ、Ｃは同地の抵抗部分の断
面図、第３図人は従来の装置の抵抗部分の要部概略平面
図、第３図Ｂは第３図人のＩ−１′線断面図ぐ第４図は
同地の抵抗部分の断面図である。 １１．２０，３４，４４・・・・・・半導体基板、１２
゜２２．３２．４２・・・・・・第１の配線層、１５．
２５・・・・・・ＳｉＮよりなる抵抗体、１３ 、２１
、２３，３７゜３８．４７・・・・・・層間絶縁膜、
１６，２６，３３゜４３・・・・・・第２の配線層、３
１．４１・・・・・・多結晶シリコンよりなる抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ２０判１１仄 ？θ半導体装置
部分の断面図、第１図Ｂ、Ｃは同地の抵抗部分の断面図
、第２図人は本発明の他の実施例における半導体装置の
抵抗部分の断面図、第２図Ｂ、Ｃは同地の抵抗部分の断
面図、第３図人は従来の装置の抵抗部分の要部概略平面
図、第３図Ｂは第３図人のＩ−１′線断面図ぐ第４図は
同地の抵抗部分の断面図である。 １１．２０，３４，４４・・・・・・半導体基板、１２
゜２２．３２．４２・・・・・・第１の配線層、１５．
２５・・・・・・ＳｉＮよりなる抵抗体、１３ 、２１
、２３，３７゜３８．４７・・・・・・層間絶縁膜、
１６，２６，３３゜４３・・・・・・第２の配線層、３
１．４１・・・・・・多結晶シリコンよりなる抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ２０判１１仄 ？θ半導体装置
Claims (2)
- （１）第１の配線層と第２の配線層との接続部に、絶縁
膜からなる抵抗体を形成してなる半導体装置。 - （２）絶縁膜からなる抵抗体としてＳｉＮ膜、酸化タン
タル膜、酸化チタン膜、炭化ケイ素膜を用いた特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13651386A JPS62291956A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13651386A JPS62291956A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291956A true JPS62291956A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15176926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13651386A Pending JPS62291956A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291956A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4905070A (en) * | 1988-09-02 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor device exhibiting no degradation of low current gain |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679461A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor system |
| JPS5732663A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | Resistance element and its manufacture |
| JPS5745967A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS62186557A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-14 | インテル・コ−ポレ−シヨン | 半導体デイバイスに抵抗を製造する方法 |
| JPS62195170A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13651386A patent/JPS62291956A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679461A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor system |
| JPS5732663A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | Resistance element and its manufacture |
| JPS5745967A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS62186557A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-14 | インテル・コ−ポレ−シヨン | 半導体デイバイスに抵抗を製造する方法 |
| JPS62195170A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4905070A (en) * | 1988-09-02 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor device exhibiting no degradation of low current gain |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4425700A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPS6173370A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US4280854A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having conductive and insulating portions formed of a common material utilizing selective oxidation and angled ion-implantation | |
| JPS61206243A (ja) | 高融点金属電極・配線膜を用いた半導体装置 | |
| US5185285A (en) | Method of producing polycrystalline silicon resistor | |
| US5654241A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having reduced resistance of diffusion layers and gate electrodes | |
| JPS62291956A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60236257A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2695812B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61228661A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0482220A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61150376A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6220711B2 (ja) | ||
| JPS62122173A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58155767A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0380564A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
| JPS5858752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02159755A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH021922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60195972A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58173830A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0212872A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0475346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03276763A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6273756A (ja) | 半導体装置 |