JPH03241609A - 平角状超薄膜絶縁電線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超薄膜絶縁電線に関し、更に詳しくは平角状超
薄膜絶縁電線に関する。

〔従来の技術〕

現在、極薄膜絶縁電線、特に平角状極薄膜絶縁電線とし
ては、精々８〜２０μｍ程度の比較的厚膜の絶縁皮膜を
形成した絶縁電線が提案されているにすぎない。

しかしながら最近の技術の進歩に伴い、電気機器の軽量
小型化のために電線絶縁層の益々の薄膜化が強く要望さ
れる現状にあるが、これ以上の薄膜の、換言すれば超薄
膜の絶縁電線は全く開発されていない。この理由は、絶
縁性ワニスの塗布焼付方法によっては平角状導体の両手
坦面上に超薄膜絶縁層を形成することは比較的容易では
あっても、導体のコーナー部に超薄膜を安定して形成す
ることが極めて困難であることによる。一方、平角状絶
縁電線の別の製造方法として、丸状の絶縁電線を圧延す
る方法がある。しかしこの方法では絶縁皮膜に残留応力
が残るため耐電圧や耐ヒートシヨツク性等が著しく低下
し、また圧延率が大きい場合や絶縁皮膜が超薄膜である
と、皮膜に割れが生ずる難点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明が解決しようとする課題は、現在の強い要望に応
え得る平角状の超薄膜絶縁電線を開発することであり、
更に詳しくは絶縁皮膜の厚さが３゜０μｍ以下という超
薄膜の絶縁層を平角状導体上に、特に厚みが５００龍以
下の平角状導体上に形成せしめた、即ち従来全く不可能
視されていた平角状超薄膜絶縁電線を開発することであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

この課題は、第１図に示す様に厚み（１）がたとえば５
００μｍ以下、通常１０〜２００μｍの平角状導体上に
、厚みが３．０μｍ以下の超薄膜絶縁層（１）が水分散
樹脂ワニスの電着により形成され、且つこの超薄膜絶縁
層（１）はそのコーナー部（２）に於いてはフラット部
（平坦部）（３）の１．１倍以上の厚みを有する平角状
超薄膜絶縁電線により解決される。

〔発明の構成並びに作用〕

本発明の絶縁電線は、原則として次の様な構成を有する
。

（イ）　導体は平角状導体、就中極細平角状導体である
こと、 （ロ）　導体フラット部の絶縁皮膜は３．０μｍ以下の
超薄膜であること、 （ハ）　導体コーナー部の絶縁皮膜の厚みはフラット部
に比し厚いこと、　且つ （ニ）　上記絶縁皮膜は水分散樹脂ワニスを電着し、焼
付けて形成されたものであること、である。

以下にこれ等項目について、更に詳しく説明する。

本発明で使用する導体としては、好ましくは、極細平角
状のものであって、第１図に示す通り、その厚み（１）
は５００７１ｍ以下、好ましくは１０〜２００μｍ程度
である。巾（讐）は１００〜５．０００μｍ程度である
。またアスペクト比は１：３〜１．　：　１００程度で
ある。導体の材質としては導電性の良好なものであれば
良く、たとえば通常の電気銅、銅合金、銅クランドアル
ミニウム等が例示できる。

導体フラット部の絶縁皮膜は３．０μｍ以下という従来
全く考えても見られなかった超薄膜絶縁皮膜であり、本
発明の最大の特徴の一つである。極細平角状導体につき
従来このような超薄膜絶縁層は形成されたことがなく、
すでに従来技術で説明した通り導体のコーナー部には殆
ど絶縁層を形成することが出来ず、絶縁皮膜とはなり得
なかったものである。

この絶縁皮膜の厚みは第１図に示す通り、そのフラット
部（３）に於いては３．０μＭ以下、たとえば０．５〜
３．０μｍ１特に０．８〜２．０μｍ程度であり、その
コーナー部（２）の厚みがフラット部（３）の厚みより
も厚く、通常フラット部（３）の１．１倍以上、たとえ
ば１．１〜１０倍、好ましくは１．２〜５程度のもので
ある。本発明の絶縁電線は、全体としてこのような超薄
膜でありながらその絶縁特性の目安の一つであるピンホ
ール数（測定法はＪＩＳ　Ｃ３００３に拠る）において
１００個／ｍ以下（たとえば５〜７０個／ｍ）であって
、実際的な検地からして極めて優れた安定被覆性を有す
る。

このような超薄膜を形成する方法について以下に説明す
る。

本発明において超薄膜絶縁層は、上記所定の導体上に水
分散樹脂ワニスを電着して電着皮膜を形成し、これを焼
付ける方法にて形成される。その際、後記する電着条件
により導体コーナー部（２）の厚みがフラット部（３）
の厚みよりも１．１倍以上となるようにする。次いで通
常の条件で焼付けを行っても良好な超薄肉絶縁層を形成
することができる。

なお参考のために付言すると、溶液タイプの樹脂ワニス
を用いて電着して形成せしめた超薄膜の皮膜はこれを焼
付けると、形成された超薄膜の皮膜が焼付は時に垂れを
生じて均一な皮膜が形成出来ず、特にコーナー部に於い
てはこれが著しく殆ど皮膜が形成できず、たとえ形成出
来たとしても部分的にしか形成できず到底絶縁皮膜とは
なり得ない。ピンホール数はやはり計数できない程の多
数のレベルになる。

水分散樹脂ワニスと溶液型樹脂ワニスとの上記した相違
については未だその理由は充分解明されていないが、本
発明者らは次のように考えている。

即ち溶液型樹脂ワニス使用の場合、該ワニスから形成さ
れた皮膜は、皮膜全体が樹脂と溶媒との均−物（濃厚溶
液）となっているため、換言すれば皮膜自体が未だ溶媒
で希釈された樹脂であるため焼付は時の高温度で硬化よ
り先に溶媒の存在に起因する著しい粘度低下が起こり、
表面張力の作用によりコーナー部からフラット部に流れ
る。しかも形成された皮膜が超薄膜であるため少しでも
流れが生じると超薄膜であるため皮膜に欠損部が生じ、
かかる理由により溶液型樹脂ワニスを用いた場合にはこ
の問題が致命的なものになると推定される。これに対し
て、水分散性樹脂ワニスを電着して形成した皮膜は樹脂
の細粒が幾重にも重なり合って堆積し、この細粒間に分
散媒たる水が存在する構造を有する。各細粒内には水が
存在していないので高温度での焼付時に分散媒たる水に
よる粘度の低下の問題は殆ど起こらず電着時そのままの
形状を保って硬化するものと考えられる。

本発明に於いて使用する水分散樹脂ワニスとしては、電
着←より皮膜を形成しうるものであれば良く、従来から
電着用水分散樹脂ワニスとして使用されて来たものがい
ずれも使用することが出来る。これ等のなかで好ましい
ものはアクリル系樹脂の水分散ワニスである。この際の
アクリル系樹脂としては次の様なものを例示できる。即
ち、ｔａ＋成分として、式（１）； ％式％（１１ （ここに、ＲＩ　：水素原子、アルキル基、Ｒ２：ニト
リル基、アルデヒド基、カルボキシエステル基）にて表
される少な（とも１種の化合物、及び（ｂｌ成分として
、式（２）： ％式％（２１ （ここに、Ｒ３、Ｒａ　　；水素原子、アルキル基、ア
ミド基、Ｎ−アルキルアミド基、アルキロール基、グリ
シジルエーテル基、グリシジルエステル基、但しＲ３と
Ｒ４とが同時に水素原子、或いはアルキル基の場合を除
く） にて表される少なくとも１種の化合物、並びに（Ｃ）成
分として（１１式或いは（２）式で表される化合物の各
二重結合と反応し得る少なくとも１つの二重結合を有す
る不飽和有機酸、の少なくとも上記３成分を反応させて
得られる共重合体からなるアクリル系樹脂である。

上記ｔａ＋成分のＲ１、Ｒ２、（ｂｌ成分のＲｘ、Ｒａ
、及び（Ｃ１成分である有機酸の各炭素数は、得られる
ポリアクリル樹脂の耐熱性の点から約３０以下、特に好
ましくは１５以下である。

（ａ）成分の好ましい例としては、アクリロニトリル、
メタアクリロニトリル、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリ
ル酸プロピル、アクロレインがある。（ａ）成分のうち
特に好ましい例としては、得られるポリアクリル樹脂の
耐熱性の点から合計炭素数が１５以下のものである。

（ｂｌ成分の好ましい例としては、グリシジルアクリレ
ート、グリシジルメタアクリレート、アリルグリシジル
エーテル、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド
、メチロールアクリルアミド、がある。

（ｅ）成分の好ましい例としては、−塩基酸としてアク
リル酸、クロトン酸、ビニール酢酸、メタアクリル酸、
α−エチルアクリル酸、β−メチルクロトン酸、チグリ
ン酸、２−ペンテン酸、２−ヘキセン酸、２−ヘプテン
酸、２−オクテン酸、１０−ウンデセン酸、９−オクタ
デセン酸、桂皮酸、アトロバ酸、α−ベンジルアクリル
酸、メチルアトロバ酸、２゜４−ペンタジェン酸、２．
４へキサジエン酸、２．４−ドデカンジエン酸、９．１
２−オクタデカジエン酸等、二塩基酸としてマレイン酸
、フマール酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸
、グルタコン酸、ムコン酸、ジヒドロムコン酸等、三塩
基酸として１．２．４−ブテントリカルボン酸等が例示
される。より好ましい（Ｃ１成分の例としてはアクリル
酸、メタアクリル酸、α−エチルアクリル酸、クロトン
酸、マレイン酸、フマール酸がある。

本発明で用いるポリアクリル樹脂は公知の重合法、たと
えば乳化重合、溶液重合、懸濁重合法により、上記（ｂ
ｌｌ成分１ルル当り、（ａｌ成分１〜２０モル、好まし
くは２〜１０モル、最も好ましくは４〜６モルとＴａ）
成分プラスｌｂ）成分１モル当たり０．Ｏ１〜０．２モ
ル、好ましくは０．０３〜０．１モルの（Ｃ）成分とを
反応させて得られる。

上記のポリアクリル樹脂はスチレン及びその誘導体、ジ
オレフィンにより変性されたものであってもよい。この
際のスチレン誘導体としては、スチレンのフェニル基が
ニトリル基、ニトロ基、水酸基、アミノ基、ビニール基
、フェニル基、塩素、臭素等のハロゲン原子、アルキル
基、アラルキル基、Ｎ−アルキルアミノ基、の少なく吉
も一つにより置換された化合物である。上記アルキル基
としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル等があり
、アラルキル基としてはヘンシル基、α或いはβ−フェ
ニルエーテル等があり、Ｎ−アルキルアミノ基としては
Ｎ〜メチルアミン、Ｎ−エチルアミン、Ｎ−プロピルア
ミン等がある。就中好ましいスチレン誘導体の例として
はメチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン
、クロロスチレンがあり、さらに上記ジオレフィンの好
ましい例としてはブタジェン、ペンタジェン、メチル−
ブタジェン等がある。これ等変性剤を含むポリアクリル
樹脂は前記した公知の重合法によりｆ８＋、ｆｂ）、（
ｃ）成分の混合物に一つあるいはそれ以上の上記変性剤
を加えて重合する事により得られるが、スチレン及びそ
の誘導体やジオレフィンの添加量は（ａ）成分１モル当
たり前者の場合で約２モルあるいはそれ以下、後者の場
合で約１モルあるいはそれ以下に押さえるべきでる。こ
の理由としてはスチレンの場合、得られるポリアクリル
樹脂の可撓性が乏しくなる事、一方ジオレフィンの場合
、軟化温度が低くなる事が挙げられる。

本発明で用いるポリアクリル樹脂は、通常、約１０．０
００から１，０００，０００の重合度を有すが、重合度
があまり低いと得られるポリアクリル樹脂の強靭さが乏
しくなり、一方重合度があまり高いと塗装に際し、作業
性が悪くなるため、より好ましいポリアクリル樹脂の重
合度は１００，０００から５００　、０００程度である
。

アクリル系樹脂のうち、特に好ましいのはエポキシアク
リル系樹脂である。また一般に乳化重合により製造され
るポリアクリル樹脂の乳化物それ自身、あるいは界面活
性剤と共にポリアクリル樹脂を水中に分散せしめたもの
がワニスとして好ましい。

本発明の平角状超薄膜絶縁電線を製造する場合におけろ
水分散ワニスの濃度は０．１〜１０重量％、２ 好ましくは０．３〜５重量重量％色するのが適当である
。該水分散ワニスの温度が１０重量％以上に高くなると
良好な超薄膜は形成し難くなり、一方０．１重量％より
薄くなるとピンホール数が増加して絶縁性が不充分とな
る。またこの水分散ワニス中の樹脂分散粒子の大きさは
通常１．０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下程度で
あり、あまり分散粒子が大きくなりすぎると良好な超薄
膜は形成し難い。

本発明に於いて、この樹脂水分散ワニスに導体を浸漬し
電着する。この際の電着条件としては、Ｄ、Ｃ電圧５〜
１００Ｖ、好ましくは７〜３０Ｖ、電着時間は通常０．
０１〜３０秒、好ましくは０．０３〜１５秒程度、電着
の際のワニス温度は５〜４０℃、好ましくは１０〜３５
℃である。その際り、Ｃ荷電にＡ、Ｃ荷電を重畳させる
事も可能である。また、電着層の焼付温度は通常１００
〜７００℃、好ましくは２００〜６００℃である。

本発明の絶縁電線の製造方法を第２図により更に詳しく
説明する。第２図に於いてり、Ｃ電源（図示せず）の陽
極側に接続された銅、アルミの様な導体Ｗが水分散型樹
脂ワニス（４）で満たされた電着バス（６）中を通過す
る。円筒状の陰極（８）が電着ハス（６）中に置かれ、
陽極である扉体Ｗと陰掻間の電位差により樹脂が導体Ｗ
上に均一に析出する。

なお本発明において、水分散型ワニスとして前記したポ
リアクリル樹脂系ワニスを用いた場合、その電着層を直
ちに乾燥、焼付けしてもよいが、乾燥、焼付は前に有機
溶剤θ０）を満たした溶剤槽０２＋中を通過させること
が特に好ましい。この有機溶剤００）としては、水を少
なくとも約１重量％、好ましくは少なくとも約１０重量
％溶解し、且つ導体上に析出した乾燥、焼付は前の、而
して半硬化状態またはそれより前のポリアクポリアクリ
ル樹脂を少なくとも膨潤、好ましくは溶解するものが用
いられる。たとえばメタノール、エタノール、プロバー
ル、エチレングリコール、グリセリン等の１価又は多価
アルコール、あるいはエチレングリコール千ツメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールイソプロビルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、エチレングリコールジエチル
エーテル、エーテルグリコールジブチルエーテル、エー
テルグリコールモノフェニルエーテル等のセロソルブ類
、あるいはＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の
含窒素溶剤、ジメチルスルホキシド等の含イオン溶剤が
例示される。特にＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン
、ジメチルスルホキシドが好ましい。

かかる有ｉ溶媒による処理により電着層中のポリアクリ
ル樹脂粒子同士の焼付は時における融合が効果的に進行
し、而して一層ピンホールの少ない均一な皮膜を形成す
ることができる。なお電着樹脂層を溶剤槽（ロ）中を通
過させることに代えて、上記の有機溶剤の蒸気やミスト
中を通過させることによっても同様に効果的な処理を行
うことができる。

次に電着槽（４）及び有機溶剤槽（２）の出口に、たと
えばエアーワイパー、ローラーワイパー等のワイピング
装置を設け、析出樹脂層上に付着した電着槽液（４）及
び有機溶剤槽液α０）の過剰分を連続的に除去する事も
考えられる。特に高速にて電着塗装を行った際、付着し
た槽液が焼付工程にて発泡作用し、高速作業を妨げる事
がある。このため上記したワイピング方法により槽液を
除去すれば、発泡が防止され、約５０ｍ／ｍｉｎ以上の
高速作業が可能になる。

有機溶剤槽（ロ）を出た導体は乾燥装置０４１に入る。

そこで導体は加熱され、析出樹脂層中の有機溶剤及び水
が蒸発除去される。乾燥装置０４＋の温度は有機溶剤の
種類により変わるが、一般に約６０〜３００℃、好まし
くは約１００〜２５０℃である。乾燥装置Ｑ４１に於い
て高温度（たとえば約２００〜５００℃）が液体の蒸発
除去の促進と導体上の電着樹脂の半硬化又は完全硬化を
同時に行うために適用し得る。

換言すれば、乾燥装置α０の最後の部分を電着樹脂を硬
化しうる様な高温に維持してもよいし、また乾燥装置の
後に別の焼付、硬化装置を設けてもよい。この場合、樹
脂層は最初約１５０°Ｃ程度の比較５ ６ 的低温にて乾燥し、その後高温にて焼付、硬化する。

乾燥終了の後、焼付は炉ＱＳＩに移送され焼付、硬化が
行われ、巻き散機０［０により巻き取られる。焼付温度
は２００〜７００℃前後で行われる。尚乾燥時に焼付硬
化まで充分行われたものは焼付炉α四での焼付、硬化を
省略しても良い場合がある。

本発明の電線には、それがコイルに巻かれる場合の作業
を助けるため自己融着層を絶縁層の上層として設けても
良いのは言うまでもない。この場合、絶縁層を半硬化、
あるいは完全硬化した後に自己融着層を形成する。自己
融着層の形成方法としては、それが絶縁としての機能は
不要であり、また層厚みはかなり不均一であっても許容
されるので従来のいわゆるデイツプ方式の塗装で良く、
ワニス絞りはフェルトなどで適宜行えば良い。

〔実施例〕

以下に実施例及び比較例を示して本発明をより詳しく説
明する。以下の実施例に於いて用いられる水分散ワニス
は、以下の方法により調製した。

〔ワニス−八〕

アクリルニトリル５モル、アクリル酸１モル、グリシジ
ルメタアクリレート０．３モル、イオン交換水７６０ｇ
、ラウリル硫酸エステルソーダ７．５ｇ、過硫酸ソーダ
０．１３ｇからなる混合物をフラスコ内に入れ、室温、
窒素気流下１５〜３０分間攪拌を続ける。

その後、この混合物を５０〜６０℃の温度にて４時間反
応させると水分散型アクリルアミドが得られた。

〔ワニス−Ｂ〕

〔ワニス−＾〕の単量体混合物の替わりにアクロレイン
５モル、メタアクリル酸１モル、アクリルアミド０．３
モルを単量体として用いる以外は〔ワニスーへ〕と同様
の方法で製造した。

〔ワニス−Ｃ〕

アクリル酸エチル５モル、アクリル酸１モル、メチロー
ルアクリルアミド０．３モル、イオン交換水１，２００
ｇ、ラウリル硫酸エステルソーダ１２ｇ、過硫酸ソーダ
０．２ｇを単量体として用いる以外は〔ワニス−八〕と
同様の方法で製造した。

〔ワニス−Ｄ〕

アクリルニトリル５モル、マレイン酸１モル、グリシジ
ルメタアクリレート０．３モル、イオン交換水８４０ｇ
、ラウリル硫酸エステルソーダ８ｇ、過硫酸ソーダ０．
１５ｇを単量体として用いる以外は〔ワニス−八〕と同
様の方法で製造した。

〔ワニス−Ｅ〕

アクリル酸エチル５モル、マレイン酸１モル、グリシジ
ルアクリレート０．３モル、イオン交換水１　、３００
ｇ、ラウリル硫酸エステルソーダ１３ｇ１過硫酸ソーダ
０．２ｇを単量体として用いる以外は〔ワニス−Ａ〕と
同様の方法で製造した。

〔ワニス−Ｆ〕

メタアクリルニトリル５モル、メタアクリル酸１モル、
メチロールアクリルアミド０．３モル、イオン交換水９
００ｇ、ラウリル硫酸エステルソーダ９ｇ、過硫酸ソー
ダ０．２ｇを単量体として用いる以外は〔ワニスーへ〕
と同様の方法で製造した。

〔ワニス−Ｇ〕

メタアクリルニトリル５モル、マレイン酸１モル、アリ
ールグリシジルエーテル０．３モル、イオン交換水９７
０ｇ、ラウリル硫酸エステルソーダ１０Ｇ、過硫酸ソー
ダ０．１５ｇを単量体として用いる以外は〔ワニス−＾
〕と同様の方法で製造した。

〔ワニス−１１〕 アクリルニトリル３モル、アクリル酸エチル２モル、ア
クリル酸０．５モル、メタアクリル酸０．５モル、グリ
ジシルメクアクリレート０．２モル、アクリルアミド０
．１モル、イオン交換水９５０ｇ　、ラウリル硫酸エス
テルソーダ９．５ｇ、過硫酸ソーダ０゜１６ｇを単量体
として用いる以外は〔ワニス−Ａ〕と同様の方法で製造
した。

〔ワニス−■〕

メタアクリル酸メチル５モル、アクリル酸０．５モル、
メタアクリル酸０．５モル、グリシジルメタアクリレ−
１−０，２モル、アクリルアミド０．１モル、イオン交
換水１　、２００ｇ、ラウリル硫酸エステルソーダ１２
ｇ、過硫酸ソーダ０．２ｇを単量体として用いる以外は
〔ワニス−Ａ〕と同様の方法で製造した。

〔ワニス−Ｊ〕

９ アクリル酸ブチル５モル、アクリル酸０．５モル、メタ
アクリル酸０．５モル、グリシジルメタアクリレート０
．２モル、アクリルアミド０．１モル、イオン換水１，
５００ｇ　、ラウリル硫酸エステルソーダ１５ｇ、過硫
酸ソーダ０．２５ｇを単量体として用いる以外は〔ワニ
ス−Ａ〕と同様の方法で製造した。

〔ワニス−Ｋ〕

アクリルニトリル５モル、アクリル酸１モル、グリシジ
ルメタアクリレート０．３モル、スチレン２モル、イオ
ン交換水１，２００ｇ　１ラウリル硫酸工ステルソーダ
１２ｇ、過硫酸ソーダ０．２ｇを単量体として用いる以
外は〔ワニス−Ａ〕と同様の方法で製造した。

〔ワニス−し〕

アクリルニトリル３モル、アクリル酸エチル２モル、ア
クリル酸０．５モル、メタアクリル酸０．５モル、グリ
シジルメタアクリレート０．２モル、アクリルアミド０
．１モル、１．３−ブタジェン１モル、イオン交換水１
，１００ｇ　、ラウリル硫酸エステルソーダ１１ｇ、過
硫酸ソーダ０．１８ｇを単量体として用０ いる以外は〔ワニス様〕と同様の方法で製造した。

〔ワニス−旧 ビスフェノールへのジグリシジルポリエーテル１００重
量部、無水トリメリド酸とアジピン酸と無水マレイン酸
とエチレングリコールとからなるポリエステル１００重
量部、及びハイドロキノン０．２重量部とを１５０℃で
１時間反応させ、次いでこれに更にジオキサン４０重量
部とメチルエチルケトン６０重量部をそれぞれ徐々に添
加して溶解して均一な樹脂溶液を得た。ラウリル硫酸エ
ステルソーダ２重量部を溶解した３０重景％アンモニア
水２０重量部に前記樹脂溶液を攪拌下に分散し、次いで
該分散液を窒素雰囲気中で加熱して有機溶剤とアンモニ
アを除去し、か（してエポキシエステルの水分散液を得
た。

該エポキシエステルの水分散液２５０重量部、スチレン
１０重量部、過硫酸カリウム０．０５重量部、亜硫酸水
素ナトリウム０．０１７重量部、及びイオン交換水５０
重量部とからなる系を７０°Ｃで３時間乳化重合して水
分散型エポキシエステルワニスを得た。

〔ワニス−Ｎ〕

酸価１４０のポリエステルアミドイミド樹脂の粉末１０
０重量部を、該粉末１００重量部あたりベンゼンスルホ
ン酸ソーダ１重量部と３０重量％アンモニア水７重量部
を溶解した水に分散し、次いで該分散液を窒素雰囲気中
で加熱してアンモニアを除去して固形分２０重量％のポ
リエステルアミドイミド樹脂の水分散液を得た。

実施例１ 竪型炉にて線速３０ｍ／ｍｉｎにて下記条件の電着塗装
法に従って陽極である銅平角状導体（サイズ３０×６０
０　μｍ）に上記の〔ワニス−＾〕を水で稀釈し２重量
％の濃度として塗布した。電着条件は以下に示す通りで
ある。

陰極　　　：直径６ｃＩｍ、長さ３０ｃＩ１１の銅円筒
極間距離　：３１ 電着電圧　：　Ｄ、Ｃ１５Ｖ ワニス温度＝２０℃ 次いで得られた塗装線は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドの飽和蒸気で満たされた長さ１ｍのチャンバーを通過
する。そこで銅線上に析出しているアクリル樹脂層上に
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドの蒸気が賦与される。こ
の様にＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド蒸気で処理された
析出層は、２００℃で乾燥され、４００℃で焼付け、第
１図に示す超薄膜（フラット部の厚さ３μｍ１コーナー
部厚さ３．３μｍ）が形成された電線を得た。

実施例２〜１４ 実施例１と同様の工程により、ただし第１表に示す条件
で第１図に示す超薄膜が形成された電線を得た。

比較例１〜比較例３ 水分散型ワニスに代えて各種の水溶性ワニスを使用した
以外は、実施例１と同様の条件で電着塗装、乾燥、焼付
け（ただしＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドの蒸気による
処理は行わず）を行ってフラット部の厚さ３．０μｍの
電線を得た。

各実施例、比較例における電線製造の条件、製造された
電線の構造並びにピンホールテストの結果を示す。なお
ピンホールテストは、ＪＩＳ　Ｃ３００３３ ４ ５ ４７一

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明絶縁電線の一例を示す図面であり、第２
図は本発明電線を製造する方法を説明するための工程図
である。 （１）超薄膜絶縁層 （２）コーナー部 （３）　　フラット部（平坦部） Ｗ　導体 （４）水分散型樹脂ワニス （６）　　電着バス （８）円筒状の陰極 Ｑｌ　　有ｉ溶剤槽液 （２）有機溶剤槽（ロ） α旬　乾燥装置 ０５１　　焼付は炉 Ｏｅ　　巻き取り機 ６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）平角状導体上に水分散樹脂ワニスの電着によって
   超薄膜絶縁皮膜が形成された電線であって、該導体のコ
   ーナー部に形成された絶縁皮膜層の厚みが該導体の平坦
   部に形成された絶縁皮膜層の厚みの１．１倍以上であっ
   て、且つ該平坦部の上記皮膜の厚みが３．０μｍ以下で
   ある平角状超薄膜絶縁電線。