JPH03240254A - 半導体ウエハー試料作成法 - Google Patents
半導体ウエハー試料作成法Info
- Publication number
- JPH03240254A JPH03240254A JP2036029A JP3602990A JPH03240254A JP H03240254 A JPH03240254 A JP H03240254A JP 2036029 A JP2036029 A JP 2036029A JP 3602990 A JP3602990 A JP 3602990A JP H03240254 A JPH03240254 A JP H03240254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- lid
- sample
- container
- specimen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000000538 analytical sample Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67353—Closed carriers specially adapted for a single substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67366—Closed carriers characterised by materials, roughness, coatings or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
二の発明は半導体ウェハー表面の汚染を、簡便適確に評
価するためのウェハー容器とこの中のウェハー試料表面
に対する分析試料作成法に関するものである。
価するためのウェハー容器とこの中のウェハー試料表面
に対する分析試料作成法に関するものである。
半導体製造工程でウェハー表面が汚染をうけることは、
もっとも忌むべきところであり、従って、工程各所でこ
の汚染レベルを評価することが必要である。
もっとも忌むべきところであり、従って、工程各所でこ
の汚染レベルを評価することが必要である。
そのためには試料ウェハーを評価室あるいは分析室まで
汚染のないように運ばねばならない。そのためには移動
中に収納されたウェハーが、動かず、そして密閉出来る
清浄容器が必要である。
汚染のないように運ばねばならない。そのためには移動
中に収納されたウェハーが、動かず、そして密閉出来る
清浄容器が必要である。
従来使用されている枚葉ウェハー容器は蓋をねじって閉
め、中板に設けられた脚部でウェハーの周辺の面を抑・
えて固定するものであるが、気密性が不完全であり、中
板脚部で面を圧迫、摩擦するので面を傷つけたり、摩耗
による滑落粉を発生し易い。従って汚染評価用ウェハー
の容器としては、シリコンウェハーメーカーが納品に使
用するような、数十枚収容の搬送用プラスチックス容器
を流用することが行われている。
め、中板に設けられた脚部でウェハーの周辺の面を抑・
えて固定するものであるが、気密性が不完全であり、中
板脚部で面を圧迫、摩擦するので面を傷つけたり、摩耗
による滑落粉を発生し易い。従って汚染評価用ウェハー
の容器としては、シリコンウェハーメーカーが納品に使
用するような、数十枚収容の搬送用プラスチックス容器
を流用することが行われている。
表面汚染の評価はウェハー表面の微粒子密度の測定と汚
染した不純物元素の分析により成る。半導体デイバスが
高度化しているので、後者の場合、重金属やアルカリの
ような有害元素は１０１１原子／ｃｍ”程度の超微量汚
染でも歩留りや信頼性の面では問題となる。ところが通
常の表面分析装置、即ちＡＥＳとか、ｘｐｓあるいは、
ＥＰＭＡ、さらに、ＳＩＭＳですらこれらを確実に分析
するには感度が不足である。従って表面の汚染を濃縮す
る方法が必要である。表面が酸化膜や窒化膜等の膜で覆
われているときは、これ等の膜を分解して、その中の汚
染元素だけを濃縮せねばならない。
染した不純物元素の分析により成る。半導体デイバスが
高度化しているので、後者の場合、重金属やアルカリの
ような有害元素は１０１１原子／ｃｍ”程度の超微量汚
染でも歩留りや信頼性の面では問題となる。ところが通
常の表面分析装置、即ちＡＥＳとか、ｘｐｓあるいは、
ＥＰＭＡ、さらに、ＳＩＭＳですらこれらを確実に分析
するには感度が不足である。従って表面の汚染を濃縮す
る方法が必要である。表面が酸化膜や窒化膜等の膜で覆
われているときは、これ等の膜を分解して、その中の汚
染元素だけを濃縮せねばならない。
この様な濃縮を行う優れた方法として、「特開昭６０−
６９５３１号」公開公報に見られるように、密閉容器内
に弗酸容器とウエノ１−保持体と弗酸から気化した弗酸
ガスでウェハー表面の膜が分解して出来る液を受けた容
器を設けた薄膜分解容器を使う方法がある。
６９５３１号」公開公報に見られるように、密閉容器内
に弗酸容器とウエノ１−保持体と弗酸から気化した弗酸
ガスでウェハー表面の膜が分解して出来る液を受けた容
器を設けた薄膜分解容器を使う方法がある。
この場合受容器の中の分解液は、非常に微量で、しかも
気化弗酸ガスによるため弗酸中の不純物はこの液に移ら
ず、Ｃｕのようなイオン化傾向の小さい元素以外の目的
不純物だけを、はぼ完全にこの液に移行させることが出
来る。
気化弗酸ガスによるため弗酸中の不純物はこの液に移ら
ず、Ｃｕのようなイオン化傾向の小さい元素以外の目的
不純物だけを、はぼ完全にこの液に移行させることが出
来る。
即ち微量液に濃縮出来る。この様な液の分析法としては
、フレームレス原子吸光分析が最適で、これによって表
面膜中の超微量不純物が分析されている。
、フレームレス原子吸光分析が最適で、これによって表
面膜中の超微量不純物が分析されている。
この様な表面分析を行うためには、上記のような容器で
試料採取場所から分析室へ運び、分解室に運び分解容器
に移し換えねばならない。
試料採取場所から分析室へ運び、分解室に運び分解容器
に移し換えねばならない。
この運搬にあたってウェハーが汚染しないことが基本的
に必要である。そこで運搬容器は分解容器に劣らず清浄
でなければならない。超微量不純物分析のためには、分
解容器の洗浄は非常に精密を要し、この洗浄に要する時
間と手間は少なからぬものがある。運搬容器も同様に清
浄化しなければならない。しかし分解容器と違って、こ
の容器の正常度が充分かどうかを直接判定する適当な方
法がない。また、容器から別の容器へ移し替えるときは
、ピンセット或いは環境、雰囲気等が原因となる汚染の
危険に晒される。この発明は、この様な問題が起こらな
いようなウェハー容器を提供するものである。
に必要である。そこで運搬容器は分解容器に劣らず清浄
でなければならない。超微量不純物分析のためには、分
解容器の洗浄は非常に精密を要し、この洗浄に要する時
間と手間は少なからぬものがある。運搬容器も同様に清
浄化しなければならない。しかし分解容器と違って、こ
の容器の正常度が充分かどうかを直接判定する適当な方
法がない。また、容器から別の容器へ移し替えるときは
、ピンセット或いは環境、雰囲気等が原因となる汚染の
危険に晒される。この発明は、この様な問題が起こらな
いようなウェハー容器を提供するものである。
この発明では半導体ウェハーの運搬容器と表面を化学処
理する容器とが共通になるようにして問題点を解決して
いる。即ち試料ウエノ＼−を微小接触面積のみで支持す
る疎水性プラスチックス（例えば弗素樹脂）製収納皿の
ウェハー周辺に舌状部を屹立させ、同樹脂による透明プ
ラスチックス製の蓋をした時、舌状部が中心方向に倒れ
曲ってウェハー側断面を圧迫し、表面に接触することな
く固定する。更に収納皿と上蓋とは嵌合部で機密が保持
されているが、気密性を確実にするためのＯリングと締
付器具の付属した容器である。
理する容器とが共通になるようにして問題点を解決して
いる。即ち試料ウエノ＼−を微小接触面積のみで支持す
る疎水性プラスチックス（例えば弗素樹脂）製収納皿の
ウェハー周辺に舌状部を屹立させ、同樹脂による透明プ
ラスチックス製の蓋をした時、舌状部が中心方向に倒れ
曲ってウェハー側断面を圧迫し、表面に接触することな
く固定する。更に収納皿と上蓋とは嵌合部で機密が保持
されているが、気密性を確実にするためのＯリングと締
付器具の付属した容器である。
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
（１）先ず、この発明を図により説明する。
容器は円形のＯＦＡウェハー収納皿体３と同じ＜ＰＦＡ
製のその蓋体５が主となる構成部品である。皿には短か
な線、或いは点により該ウェハー１０に接する、くさび
状のウェハー支持部１が３ケ所あってウェハー１０はそ
の上に乗る。またウェハー１０の支持部１の周辺部３ケ
所に舌状部２がある。蓋体５には内面外周近くに傾斜面
４があって蓋体５の周辺の溝８を収納皿体３の周辺に形
成した環状の山部９に嵌合させて容器内を気密にすると
共に０リング６と締付器具７で蓋体５を皿体３に十分に
押付けた時、皿体３の屹立した舌が蓋の傾斜面４で中心
方向に曲がりウェハー１０を固定し、０リング６と締付
金具７で内部の気密が更に保たれる。
製のその蓋体５が主となる構成部品である。皿には短か
な線、或いは点により該ウェハー１０に接する、くさび
状のウェハー支持部１が３ケ所あってウェハー１０はそ
の上に乗る。またウェハー１０の支持部１の周辺部３ケ
所に舌状部２がある。蓋体５には内面外周近くに傾斜面
４があって蓋体５の周辺の溝８を収納皿体３の周辺に形
成した環状の山部９に嵌合させて容器内を気密にすると
共に０リング６と締付器具７で蓋体５を皿体３に十分に
押付けた時、皿体３の屹立した舌が蓋の傾斜面４で中心
方向に曲がりウェハー１０を固定し、０リング６と締付
金具７で内部の気密が更に保たれる。
使用にあたっては、先ず、超微量不純物分析を行うため
の分解容器を洗浄するに必要な精密さで、この容器を十
分に清浄化する。表面汚染を評価するための試料ウェハ
ー１０は、試料採取の場所からこの清浄化された容器で
分析室まで運ばれる。
の分解容器を洗浄するに必要な精密さで、この容器を十
分に清浄化する。表面汚染を評価するための試料ウェハ
ー１０は、試料採取の場所からこの清浄化された容器で
分析室まで運ばれる。
まず、試料ウェハー１０の表面を微量の酸で数十Ａ溶解
して分析する場合を説明する。分析室まで運ばれた容器
の蓋体５を清浄雰囲気の中であけて、硝酸１容・弗酸０
゜０２容・超純水１容よりなる混酸を６１〆ウエハーの
場合３００μＱウエハー中央に導入する。尚、硝酸は多
摩化学工業（株）製のＴＡＭ＾Ｐｔ１ＲＥ−ＡＡ−８Ｌ
ＩＰＥＲ（６８％：主要金属元素不純物０．０２ｐｐｂ
以下）を、弗酸は同社のＴＡＭＡＰＵＲＥ−ＡＡ−１０
０（３８％：金属元素不純物０．１ｐｐｂ以下）を、ま
た超純水は目的分析元素が０．２ｐｐｂ以下であること
をフレームレス原子吸光分析で確認したものを使用した
。
して分析する場合を説明する。分析室まで運ばれた容器
の蓋体５を清浄雰囲気の中であけて、硝酸１容・弗酸０
゜０２容・超純水１容よりなる混酸を６１〆ウエハーの
場合３００μＱウエハー中央に導入する。尚、硝酸は多
摩化学工業（株）製のＴＡＭ＾Ｐｔ１ＲＥ−ＡＡ−８Ｌ
ＩＰＥＲ（６８％：主要金属元素不純物０．０２ｐｐｂ
以下）を、弗酸は同社のＴＡＭＡＰＵＲＥ−ＡＡ−１０
０（３８％：金属元素不純物０．１ｐｐｂ以下）を、ま
た超純水は目的分析元素が０．２ｐｐｂ以下であること
をフレームレス原子吸光分析で確認したものを使用した
。
この混酸液滴の上にウェハーと同じ形状の十分に洗浄し
て清浄化された弗素樹脂ＰＦＡの薄い円板をかぶせ、再
び蓋をして締付器具で密封する。
て清浄化された弗素樹脂ＰＦＡの薄い円板をかぶせ、再
び蓋をして締付器具で密封する。
３ケ所の舌状部により弗素樹脂の板はウェハー１０に押
付けられ、混酸は薄い液層となってウエノ＼−１０全面
で弗素樹脂の板とでサンドイッチされ、ウェハー１０表
面に対して弱いエツチング作用を起こす。室温で十乃至
数十分放置するとウェハー表面は数十大溶解され、表面
付着不純物と溶解された領域にあった不純物が混酸に捕
捉される。所定時間経過後蓋をあけ、ＰＦＡ円板をゆっ
くり除くと、混酸は疎水性化したウェハー１０上で液滴
となり、ＰＦＡ円板には液滴が付着しない。マイクロピ
ペットで液滴を回収して分析試料とする。
付けられ、混酸は薄い液層となってウエノ＼−１０全面
で弗素樹脂の板とでサンドイッチされ、ウェハー１０表
面に対して弱いエツチング作用を起こす。室温で十乃至
数十分放置するとウェハー表面は数十大溶解され、表面
付着不純物と溶解された領域にあった不純物が混酸に捕
捉される。所定時間経過後蓋をあけ、ＰＦＡ円板をゆっ
くり除くと、混酸は疎水性化したウェハー１０上で液滴
となり、ＰＦＡ円板には液滴が付着しない。マイクロピ
ペットで液滴を回収して分析試料とする。
この試料液に対して効果的な高度分析法の一つは全反射
螢光Ｘ線分析なのでそのために別に準備した平坦度がよ
くかつ清浄なシリコン鏡面ウヱ／％−の中央でマイクロ
ピペットで回収した液滴を乾燥させたこの部分に対して
この分析法を適用した。
螢光Ｘ線分析なのでそのために別に準備した平坦度がよ
くかつ清浄なシリコン鏡面ウヱ／％−の中央でマイクロ
ピペットで回収した液滴を乾燥させたこの部分に対して
この分析法を適用した。
通常この分析法の検出限界はＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ。
Ｃｕ等で１０１２原子程度である。
一方、表面の分解に使った混酸３００μＱに由来する不
純物元素の量は上述の０．０２ｐｐｂ以下の純度から６
Ｘ１０１０原子以下なのでまったく無視できる。分析試
料液は６“ウニ／−−１０全面から得られたものなので
、ウェハー１０表面におけるこれらの元素の検出限界は
、はぼ５×１０９原子／ｃｍ２となり、材料やプロセス
の汚染評価に十分な分析試料作成法である。
純物元素の量は上述の０．０２ｐｐｂ以下の純度から６
Ｘ１０１０原子以下なのでまったく無視できる。分析試
料液は６“ウニ／−−１０全面から得られたものなので
、ウェハー１０表面におけるこれらの元素の検出限界は
、はぼ５×１０９原子／ｃｍ２となり、材料やプロセス
の汚染評価に十分な分析試料作成法である。
（２）次に、酸化膜や窒化膜の形成されたウエノ＼−１
０について［従来の技術］の項で引用したこれらの膜を
弗酸蒸気で溶解して分析する例をあげる。 容器の形状
は実施例１と同じものを使用する。ただし、膜の溶解の
完了が見えるように容器の蓋は透明なポリカーボネート
等かあるいは半透明のＰＦＡの場合なら一部を特に薄く
する。ウェハー１０収納皿体３は底にある液が滴状とな
るようにＰＦＡのような疎水性のプラスチックスにする
。尚この実施例では締付器具として透明なプラスチック
スの外箱を用い、箱の蓋と底で本容器を締付けた、弗酸
は多摩化学工業（株）製のＴＡＭＡＰＩＪＲＥ−ＡＡ−
９ＵＰＥＲ（３８％：主要金属元素不純物０．０２ｐｐ
ｂ以下）を使用した。分析室に運ばれた容器の蓋をあけ
て、試料ウェハー１０のオリエンテーションフラットの
隙間から収納皿体３の底に弗酸の３００μＱを導入する
。蓋をして放置しておくと弗酸蒸気で膜が溶解する。ウ
ニ／＼−１０上面の膜の分解状況は見える腰下面の方が
分解が速いので上面の分解を確認したら蓋をあけて上面
下面別々に分解液滴を回収してそれぞれを分析試料とす
る。回収はマイクロピペットで行うが、分解度が大きな
液滴になっていないときは少量の超純水を加えて全体を
集めた後に行う。膜が厚いときは弗酸導入量を若干増や
す。分解液滴が大きくて下面のものが落下した恐れのあ
る場合は収納皿体３の底の弗酸滴と一緒に分析試料とす
る。分析は実施例１と同様に処理して全反射螢光Ｘ線分
行方によればいい。
０について［従来の技術］の項で引用したこれらの膜を
弗酸蒸気で溶解して分析する例をあげる。 容器の形状
は実施例１と同じものを使用する。ただし、膜の溶解の
完了が見えるように容器の蓋は透明なポリカーボネート
等かあるいは半透明のＰＦＡの場合なら一部を特に薄く
する。ウェハー１０収納皿体３は底にある液が滴状とな
るようにＰＦＡのような疎水性のプラスチックスにする
。尚この実施例では締付器具として透明なプラスチック
スの外箱を用い、箱の蓋と底で本容器を締付けた、弗酸
は多摩化学工業（株）製のＴＡＭＡＰＩＪＲＥ−ＡＡ−
９ＵＰＥＲ（３８％：主要金属元素不純物０．０２ｐｐ
ｂ以下）を使用した。分析室に運ばれた容器の蓋をあけ
て、試料ウェハー１０のオリエンテーションフラットの
隙間から収納皿体３の底に弗酸の３００μＱを導入する
。蓋をして放置しておくと弗酸蒸気で膜が溶解する。ウ
ニ／＼−１０上面の膜の分解状況は見える腰下面の方が
分解が速いので上面の分解を確認したら蓋をあけて上面
下面別々に分解液滴を回収してそれぞれを分析試料とす
る。回収はマイクロピペットで行うが、分解度が大きな
液滴になっていないときは少量の超純水を加えて全体を
集めた後に行う。膜が厚いときは弗酸導入量を若干増や
す。分解液滴が大きくて下面のものが落下した恐れのあ
る場合は収納皿体３の底の弗酸滴と一緒に分析試料とす
る。分析は実施例１と同様に処理して全反射螢光Ｘ線分
行方によればいい。
本容器を使うと運搬に際し、ウェハー１，０は蓋体５に
押された舌状部２の働きで確実に内部で動くことなく使
用する表面を抑えることがないのでシリコン屑とかプラ
スチックスの摩耗屑とかの微粒子を発生し・ない。又収
納皿体３と蓋体５の溝部８により嵌合密封され、更にそ
の外側のＯリング６により気密化され外界からの汚染が
遮断出来る。
押された舌状部２の働きで確実に内部で動くことなく使
用する表面を抑えることがないのでシリコン屑とかプラ
スチックスの摩耗屑とかの微粒子を発生し・ない。又収
納皿体３と蓋体５の溝部８により嵌合密封され、更にそ
の外側のＯリング６により気密化され外界からの汚染が
遮断出来る。
運搬容器と評価容器を兼ねているので特に運搬用容器の
清浄化問題に煩わされることがない。従って運搬容器の
中で試料ウェハー１０表面の微粒子濃度の光学的測定も
出来るし、また化学汚染に対する分析試料作成も出来る
。
清浄化問題に煩わされることがない。従って運搬容器の
中で試料ウェハー１０表面の微粒子濃度の光学的測定も
出来るし、また化学汚染に対する分析試料作成も出来る
。
分析試料作成にあたっては試料ウェハー１０の分析対象
部分を揮発性の酸により直接でもあるいは蒸気でも分解
することが出来る。この場合容器内容積が小さく気密性
がよいので酸の液量は極め７・・・締付金具 ９・・・環状の山部
部分を揮発性の酸により直接でもあるいは蒸気でも分解
することが出来る。この場合容器内容積が小さく気密性
がよいので酸の液量は極め７・・・締付金具 ９・・・環状の山部
Claims (2)
- （１）弗素樹脂製の収納皿体３と被着する蓋体５とを製
出し、該皿体３の内部に試料ウェハー１０を収納し、該
ウェハー１０の周囲３ケ所以上で屹立する舌状部２を形
成し、蓋体５を強く押付けたとき、蓋体５内面の傾斜面
４で前記の舌状部２がウェハー１０の支持方向に曲げら
れ、皿体３と蓋体５とは気密性嵌合を維持することを特
徴とする半導体ウェハー試料容器。 - （２）弗素樹脂製のウェハーの収納皿体３と被着する蓋
体５とを製出し、該皿体３の内部に試料ウェハー１０を
収納し、該収納皿体３と蓋体５とを気密に嵌合すると共
に、該容器内に導入された微量の揮発性の酸で試料ウェ
ハー１０表面の膜や付着不純物を溶解する半導体ウェハ
ー試料作成法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036029A JP2978192B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 半導体ウエハー試料作成法 |
| DE19914190241 DE4190241T (ja) | 1990-02-19 | 1991-02-19 | |
| KR1019910701304A KR0166369B1 (ko) | 1990-02-19 | 1991-02-19 | 반도체 웨이퍼 시료 용기와 시료 작성법 |
| US07/768,190 US5284802A (en) | 1990-02-19 | 1991-02-19 | Container for semiconductor wafer sample and method of preparing sample |
| PCT/JP1991/000205 WO1991012631A1 (en) | 1990-02-19 | 1991-02-19 | Semiconductor wafer sample container and sample preparation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036029A JP2978192B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 半導体ウエハー試料作成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03240254A true JPH03240254A (ja) | 1991-10-25 |
| JP2978192B2 JP2978192B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=12458292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036029A Expired - Fee Related JP2978192B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 半導体ウエハー試料作成法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5284802A (ja) |
| JP (1) | JP2978192B2 (ja) |
| KR (1) | KR0166369B1 (ja) |
| DE (1) | DE4190241T (ja) |
| WO (1) | WO1991012631A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332278A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Miraial Kk | 枚葉収納容器及びそれに用いる緩衝支持部材 |
| JP2008046087A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Kurita Water Ind Ltd | 水質評価方法及びそれに用いられる基板接触器具 |
| JP2011114313A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Sumika Chemical Analysis Service Ltd | 基板収納容器および当該容器を搬送するための搬送容器 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0169786B1 (ko) * | 1995-12-21 | 1999-02-18 | 김광호 | 웨이퍼 표면 불순물의 전 처리 분석 장치 |
| JP2882377B2 (ja) * | 1996-08-23 | 1999-04-12 | 日本電気株式会社 | 金属の回収容器及び金属の回収方法 |
| JPH10178077A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Nec Corp | 半導体基板の定量汚染試料の作製方法 |
| US6474474B2 (en) * | 1998-02-06 | 2002-11-05 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Sheet support container |
| US6193068B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Containment device for retaining semiconductor wafers |
| US6341695B1 (en) | 1998-05-07 | 2002-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Containment device for retaining semiconductor wafers |
| US6177279B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-01-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Ion extraction process for single side wafers |
| US6550619B2 (en) | 2000-05-09 | 2003-04-22 | Entergris, Inc. | Shock resistant variable load tolerant wafer shipper |
| US7040487B2 (en) * | 2001-07-14 | 2006-05-09 | Entegris, Inc. | Protective shipper |
| EP3104396B1 (en) | 2003-06-13 | 2018-03-21 | Nikon Corporation | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| TWI596442B (zh) * | 2003-12-03 | 2017-08-21 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method |
| TWI541928B (zh) * | 2011-10-14 | 2016-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 晶圓載具 |
| DE102021131131B4 (de) | 2021-11-26 | 2023-08-10 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Behälter-Box, Messgerät und Messverfahren |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022836U (ja) * | 1983-07-23 | 1985-02-16 | 沖電気工業株式会社 | 試料ホルダ |
| JPS60106982U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-20 | パイオニア株式会社 | コンパクトデイスクケ−ス |
| AT381405B (de) * | 1984-09-24 | 1986-10-10 | Lift Verkaufsgeraete Gmbh | Anordnung zur sicherung einer aufzeichnungsplatte, insbesondere cd-platte, gegen eine unbefugte entnahme |
| JPS6193073A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-12 | キヤノン株式会社 | 薄板片収納用ケ−ス |
| JPS61144545A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | 薄膜薄板溶解装置 |
| JPS61221649A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の分解装置 |
| JPS63158840A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Toshiba Corp | 半導体基板の薄膜分解方法及び装置 |
| JPS63195540A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の分解装置 |
| JPH01104038U (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-13 | ||
| JPH01199882A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-08-11 | Nec Home Electron Ltd | ディスク収容装置 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2036029A patent/JP2978192B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-19 US US07/768,190 patent/US5284802A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-19 WO PCT/JP1991/000205 patent/WO1991012631A1/ja active Application Filing
- 1991-02-19 DE DE19914190241 patent/DE4190241T/de not_active Withdrawn
- 1991-02-19 KR KR1019910701304A patent/KR0166369B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332278A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Miraial Kk | 枚葉収納容器及びそれに用いる緩衝支持部材 |
| JP4644035B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-03-02 | ミライアル株式会社 | 枚葉収納容器 |
| KR101258419B1 (ko) * | 2005-05-25 | 2013-04-26 | 미라이얼 가부시키가이샤 | 낱장 수납 용기 및 그것에 사용하는 완충 지지 부재 |
| JP2008046087A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Kurita Water Ind Ltd | 水質評価方法及びそれに用いられる基板接触器具 |
| JP2011114313A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Sumika Chemical Analysis Service Ltd | 基板収納容器および当該容器を搬送するための搬送容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4190241T (ja) | 1992-03-12 |
| JP2978192B2 (ja) | 1999-11-15 |
| WO1991012631A1 (en) | 1991-08-22 |
| KR0166369B1 (ko) | 1999-02-01 |
| US5284802A (en) | 1994-02-08 |
| KR920702021A (ko) | 1992-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03240254A (ja) | 半導体ウエハー試料作成法 | |
| Neumann et al. | Ultra-trace analysis of metallic contaminations on silicon wafer surfaces by vapour phase decomposition/total reflection X-ray fluorescence (VPD/TXRF) | |
| JP3116871B2 (ja) | 半導体基板表面分析の前処理方法及びその装置 | |
| US5350489A (en) | Treatment method of cleaning surface of plastic molded item | |
| US6174740B1 (en) | Method for analyzing impurities within silicon wafer | |
| Yada et al. | A curation for uncontaminated Hayabusa2-returned samples in the extraterrestrial curation center of JAXA: from the beginning to present day | |
| GB2316483A (en) | Sampling vessel for collecting metallic impurities | |
| EP0694778A1 (en) | Method of evaluating segregation at solid-liquid interface and segregation apparatus therefor | |
| JP2004335955A (ja) | シリコン基板のＣｕ濃度検出方法 | |
| JPH01189558A (ja) | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 | |
| JP4204434B2 (ja) | ウェーハ周辺部の被測定物を回収する方法および装置 | |
| EP0481811B1 (en) | Treatment method of cleaning surface of plastic molded item | |
| JPH02272359A (ja) | ウェハ表面の不純物量の測定方法 | |
| JP2796689B2 (ja) | ウエハの表面分析方法 | |
| JP2002200463A (ja) | フッ素樹脂製器具の洗浄方法 | |
| Luna-Sánchez et al. | Metal Contamination from Process Materials Used in Wet Cleaning of Silicon Wafer. | |
| TW315409B (ja) | ||
| JP5661348B2 (ja) | 水質評価装置および水質評価方法 | |
| JPS6378057A (ja) | 不純物分析法 | |
| JP4849117B2 (ja) | シリコン基板のＣｕ濃度検出方法 | |
| JP3345121B2 (ja) | 固体試料の微量成分分析方法及びその分析装置 | |
| KR20060133525A (ko) | 반도체 처리 장치의 석영 제품의 검사 방법 및 검사 보조디바이스 | |
| JP2003338530A (ja) | 半導体ウェーハの金属汚染評価方法、半導体ウェーハの製造方法、これらの装置およびダミーウェーハ | |
| US8021623B2 (en) | Examination method and examination assistant device for quartz product of semiconductor processing apparatus | |
| KR20000067357A (ko) | 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070910 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |