JPH02272359A - ウェハ表面の不純物量の測定方法 - Google Patents
ウェハ表面の不純物量の測定方法Info
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- JPH02272359A JPH02272359A JP9305189A JP9305189A JPH02272359A JP H02272359 A JPH02272359 A JP H02272359A JP 9305189 A JP9305189 A JP 9305189A JP 9305189 A JP9305189 A JP 9305189A JP H02272359 A JPH02272359 A JP H02272359A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ウェハ表面の不純物ｍの測定方法の改良に関
する。
する。
［従来の技術］
近年、半導体の高集情化が進み、デイバイス特性の高信
頼性が求められている。このため、製造環境のクリーン
化と共に、直接材料のウェハついても表面の清浄度を直
接評価する手法の導入が求められている。
頼性が求められている。このため、製造環境のクリーン
化と共に、直接材料のウェハついても表面の清浄度を直
接評価する手法の導入が求められている。
従来、ウェハ表面の清浄度を評価するために、ウェハ表
面の不純物の量を測定する手段がとられている（特開昭
［１ｌ−９Ｇ７３Ｑ号）。この方法は、■テフロン製の
密閉容器の中に複数枚のウェハを立設したテフロン製の
キャリア、及びＨＦ系の分解液を収容したビー力を配置
し、■密閉閉容器の外側から前記分解液に熱をかけて分
解液を蒸発させ、■前記ウェハ主面にこの蒸気化した分
解液を接触させ、■ウェハ主面から流れ落ちた分解ＩＣ
にを回収して分析を行うものである°。
面の不純物の量を測定する手段がとられている（特開昭
［１ｌ−９Ｇ７３Ｑ号）。この方法は、■テフロン製の
密閉容器の中に複数枚のウェハを立設したテフロン製の
キャリア、及びＨＦ系の分解液を収容したビー力を配置
し、■密閉閉容器の外側から前記分解液に熱をかけて分
解液を蒸発させ、■前記ウェハ主面にこの蒸気化した分
解液を接触させ、■ウェハ主面から流れ落ちた分解ＩＣ
にを回収して分析を行うものである°。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来技術によれば、密閉容器の外側から
前記分解液に熱をかけて分解液を蒸発させ、この蒸気化
した分解液をウェハ主面に接触させる方式であるため、
長時間必要である。また、通常ウェハは予め弗酸で洗浄
したものを用いるが、弗酸による洗浄でウェハ表面が活
性化し、イオン化傾向の小さい金属例えばＣｕ、Ｃｒ等
を吸若するため、それらの回収率が低下するという問題
点を有する。更に、テフロン製の密閉容器を純化するた
めに長時間を要する。更には、分解波の回収に熟練を必
要とするという問題点を要する。
前記分解液に熱をかけて分解液を蒸発させ、この蒸気化
した分解液をウェハ主面に接触させる方式であるため、
長時間必要である。また、通常ウェハは予め弗酸で洗浄
したものを用いるが、弗酸による洗浄でウェハ表面が活
性化し、イオン化傾向の小さい金属例えばＣｕ、Ｃｒ等
を吸若するため、それらの回収率が低下するという問題
点を有する。更に、テフロン製の密閉容器を純化するた
めに長時間を要する。更には、分解波の回収に熟練を必
要とするという問題点を要する。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウェハ表面
にＨＦ系溶液を滴下し、一定時間後の分解液を収集して
分析するだけでウェハ表面の不純物量をΔｐ１定しえる
簡便かつ高精度のウェハ表面の不純物量の７１ＦＪ定方
法を提供することを目的とする。
にＨＦ系溶液を滴下し、一定時間後の分解液を収集して
分析するだけでウェハ表面の不純物量をΔｐ１定しえる
簡便かつ高精度のウェハ表面の不純物量の７１ＦＪ定方
法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、表面に酸化膜を形成した半導体ウェハ上にＨ
Ｆ系溶液を滴下し、一定時間放置した後、その滴下液を
捕集して液中の不純物を分析することを特徴とするウェ
ハ表面の不純物量の測定方法である。
Ｆ系溶液を滴下し、一定時間放置した後、その滴下液を
捕集して液中の不純物を分析することを特徴とするウェ
ハ表面の不純物量の測定方法である。
本発明に係るＨＦ系溶液としては、例えばＨＦ＋Ｈ２Ｓ
Ｏ４、ＨＦ＋ＨＣβ、ＨＦ＋ＨＮＯ３等の分解液が挙げ
られる。
Ｏ４、ＨＦ＋ＨＣβ、ＨＦ＋ＨＮＯ３等の分解液が挙げ
られる。
本発明において、被対象物である半導体ウェハの分解液
滴下面には５ｉ０２膜などの酸化膜が形成されている必
要がある。これは、もしウェハ主面に酸化膜が形成され
ていなければ、分解液の化学反応が進行しないからであ
る。
滴下面には５ｉ０２膜などの酸化膜が形成されている必
要がある。これは、もしウェハ主面に酸化膜が形成され
ていなければ、分解液の化学反応が進行しないからであ
る。
［作用］
本発明においては、まず洗浄を施した表面に酸化膜を形
成した半導体ウェハ上にＨＦ系溶液を滴下する。つづい
て、このまま一定時間（大体２〜５分程度）放置する。
成した半導体ウェハ上にＨＦ系溶液を滴下する。つづい
て、このまま一定時間（大体２〜５分程度）放置する。
その結果、ウェハ上に滴下された滴下溶液が酸化膜と化
学反応を起こし、その反応領域を除徐に広げて最終的に
は球状になる。
学反応を起こし、その反応領域を除徐に広げて最終的に
は球状になる。
次に、この球状の溶液をピペットなどで回収し、これを
フレーム原子吸光光度計で溶液中の不純物量をΔＦｌ定
する。
フレーム原子吸光光度計で溶液中の不純物量をΔＦｌ定
する。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図（Ａ）〜（Ｃ）を参照
して説明する。なお、一連の操作はクリーンルーム内で
行った。
して説明する。なお、一連の操作はクリーンルーム内で
行った。
まず、洗浄により清浄した半導体ウェハ表面に既知ｍ（
１０膜ｇ）の不純物を滴下した後、赤外線で乾燥し、試
料（半導体ウェハ）１とした。ここに、試料１の表面に
は、薄い酸化膜（Ｓｉ０２膜）２が形成されている。次
に、前記試料１上に例えばＨＦ＋Ｈ２Ｓｏ４ （分解液
）３を０．５ｍｇ滴下した。この結果、滴下後１分間放
置すると第１図（Ａ）に示す如く分解液３が酸化膜２を
溶解し始め、２分経過すると同図（Ｂ）に示す如く酸化
膜２の溶解が更に広がり、３分間経過すると分解液３に
よる酸化膜２の溶解が完了して、同図（Ｃ）に示す如く
球状になる。この後、球状に変形した分解液３を例えば
ピペットで回収し、これをフレームレス原子吸光光度計
にセットし、分解液中の各不純物の量を測定した。
１０膜ｇ）の不純物を滴下した後、赤外線で乾燥し、試
料（半導体ウェハ）１とした。ここに、試料１の表面に
は、薄い酸化膜（Ｓｉ０２膜）２が形成されている。次
に、前記試料１上に例えばＨＦ＋Ｈ２Ｓｏ４ （分解液
）３を０．５ｍｇ滴下した。この結果、滴下後１分間放
置すると第１図（Ａ）に示す如く分解液３が酸化膜２を
溶解し始め、２分経過すると同図（Ｂ）に示す如く酸化
膜２の溶解が更に広がり、３分間経過すると分解液３に
よる酸化膜２の溶解が完了して、同図（Ｃ）に示す如く
球状になる。この後、球状に変形した分解液３を例えば
ピペットで回収し、これをフレームレス原子吸光光度計
にセットし、分解液中の各不純物の量を測定した。
しかして、上記実施例によれば、表面に薄い酸化膜（Ｓ
ｉ ０２膜）２を形成した半導体ウェハ（試料）１上
に例えばＨＦ ＋ Ｈ２Ｓ ０４ （分解液）３を０
．５ｍ１１滴下した後一定時間放置するだけで、不純物
が凝縮した分解液が得られ、この分解液をピペットで回
収しフレームレス原子吸光光度計により、分解液中の各
不純物の量を短時間でかつ簡単に行うことができる。ま
た、イオン化傾向の小さい銅、クロムなどについても完
全に回収できることが確認できた。
ｉ ０２膜）２を形成した半導体ウェハ（試料）１上
に例えばＨＦ ＋ Ｈ２Ｓ ０４ （分解液）３を０
．５ｍ１１滴下した後一定時間放置するだけで、不純物
が凝縮した分解液が得られ、この分解液をピペットで回
収しフレームレス原子吸光光度計により、分解液中の各
不純物の量を短時間でかつ簡単に行うことができる。ま
た、イオン化傾向の小さい銅、クロムなどについても完
全に回収できることが確認できた。
事実、ｉｌｌ定前の不純物ｆｆ１（レファレンス）が分
っている試料について、分析を行ったところ、後記する
第１表に示す結果が得られた。但し、各分析は２個の試
料について行ない、表の値はその平均値を示す。
っている試料について、分析を行ったところ、後記する
第１表に示す結果が得られた。但し、各分析は２個の試
料について行ない、表の値はその平均値を示す。
なお、上記実施例では、分解液としてＨＦ＋ＨｚＳ Ｏ
４を用いた場合について述べたが、これに限定されず、
ＨＦ ＋ ＨＣｇ、 ＨＦ ＋ ＨＮ ０３等の分解液
でもよい。
４を用いた場合について述べたが、これに限定されず、
ＨＦ ＋ ＨＣｇ、 ＨＦ ＋ ＨＮ ０３等の分解液
でもよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、ウェハ表面に適宜な
ＨＦ系溶液を滴下し、一定時間後のＨＦ系溶液を収集し
て分析するだけで、ウェハ表面の不純物量を；ＩＦ５定
しえる簡便かつ高精度のウェハ表面の不純物量の測定方
法を提供できる。
ＨＦ系溶液を滴下し、一定時間後のＨＦ系溶液を収集し
て分析するだけで、ウェハ表面の不純物量を；ＩＦ５定
しえる簡便かつ高精度のウェハ表面の不純物量の測定方
法を提供できる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例に係るウェハ
表面の不純物量の測定方法を工程順に示す説明図である
。 １・・・半導体ウェハ、２・・・酸化膜（ＳｉＯｚＭ）
、３・・・分解液。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
表面の不純物量の測定方法を工程順に示す説明図である
。 １・・・半導体ウェハ、２・・・酸化膜（ＳｉＯｚＭ）
、３・・・分解液。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 表面に酸化膜を形成した半導体ウェハ上にＨＦ系溶液を
滴下し、一定時間放置した後、その滴下液を捕集して液
中の不純物を分析することを特徴とするウェハ表面の不
純物量の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093051A JP2843600B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ウェハ表面の不純物量の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093051A JP2843600B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ウェハ表面の不純物量の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272359A true JPH02272359A (ja) | 1990-11-07 |
| JP2843600B2 JP2843600B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=14071710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1093051A Expired - Lifetime JP2843600B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ウェハ表面の不純物量の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2843600B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6182675B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-02-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for recovering impurities from a silicon wafer |
| WO2001055716A1 (fr) * | 2000-01-26 | 2001-08-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede d'evaluation de la concentration des impuretes metalliques dans une tranche de silicium |
| JP2005303094A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Sumco Corp | シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 |
| JP2007198924A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nas Giken:Kk | 基板処理方法と基板処理装置 |
| US7685895B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-03-30 | Nas Giken Inc. | Substrate inspection device, substrate inspection method, and recovery tool |
| CN117393452A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-12 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 采集晶圆表面金属的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6247551A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Toshiba Corp | 半導体基板の薄膜分解方法及び装置 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1093051A patent/JP2843600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6247551A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Toshiba Corp | 半導体基板の薄膜分解方法及び装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6182675B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-02-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for recovering impurities from a silicon wafer |
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| KR100749144B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2007-08-14 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼중의 금속불순물 농도 평가방법 |
| US7685895B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-03-30 | Nas Giken Inc. | Substrate inspection device, substrate inspection method, and recovery tool |
| JP2005303094A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Sumco Corp | シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 |
| JP2007198924A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nas Giken:Kk | 基板処理方法と基板処理装置 |
| CN117393452A (zh) * | 2023-12-11 | 2024-01-12 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 采集晶圆表面金属的方法 |
| CN117393452B (zh) * | 2023-12-11 | 2024-03-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 采集晶圆表面金属的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2843600B2 (ja) | 1999-01-06 |
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